JP4498152B2 - トリメチルシランの精製方法 - Google Patents
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- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 20
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N lithium hydride Chemical compound [LiH] SIAPCJWMELPYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000103 lithium hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910010082 LiAlH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000006172 buffering agent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- HJXBDPDUCXORKZ-UHFFFAOYSA-N diethylalumane Chemical compound CC[AlH]CC HJXBDPDUCXORKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 description 1
- -1 lithium aluminum hydride Chemical compound 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
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Description
吸収装置は、吸収塔、吸収液受槽、吸収液循環ポンプで構成された装置を用いた。吸収塔は、内径28mm、高さ526mmの内面をPFA製ライニングしたステンレス管を用いた。吸収塔の充填材は、外径6.25mm、長さ10mmのPFA製チューブを用い、高さ500mmまで充填した。吸収溶液は、超純水に36%塩酸を加えて希塩酸にした。pH1.8、2.8、4.0に調製した。液循環量は、0.4L/minに設定した。トリメチルクロロシラン1.1vol%を含むトリメチルシランを大気圧下、200sccmで流通させた。
実施例1で使用した吸収装置を用いた。吸収溶液は、水(pH6.5)を用いた。液循環量は、0.4L/minに設定した。実施例1と同じく、トリメチルクロロシラン1.1vol%を含むトリメチルシランを大気圧下、200sccmで流通させた。ガス捕集、分析方法は、実施例1と同じ方法で行った。出口ガス中のCl濃度は、表1に示すように、0.04volppmであった。
実施例1で使用した吸収装置を用いた。吸収溶液は、超純水に85%KOHを加えて、pH12.7に調製した。液循環量は、0.4L/minに設定した。実施例1と同じく、トリメチルクロロシラン1.1vol%を含むトリメチルシランを大気圧下、200sccmで流通させた。ガス捕集、分析方法は、実施例1と同じ方法で行った。出口ガス中のCl濃度は、表1に示すように、0.04volppmであった。
実施例1で使用した吸収装置を用いた。吸収溶液は、希塩酸(pH2.8)を用いた。液循環量は、0.4L/minに設定した。塩化水素100volppm、トリメチルクロロシラン1.1vol%を含むトリメチルシランを大気圧下、200sccmで流通させた。ガス捕集、分析方法は、実施例1と同じ方法で行った。出口ガス中のCl濃度は、0.01volppm以下であった。
実施例1で使用した吸収装置を用いた。吸収溶液は、希塩酸(pH2.8)を用いた。液循環量は、0.4L/minに設定した。トリメチルクロロシラン1.1vol%を含むトリメチルシランを大気圧下、50sccmで流通させた。ガス捕集、分析方法は、実施例1と同じ方法で行った。出口ガス中のCl濃度は、0.01volppm以下であった。
実施例1で使用した吸収装置を用いた。吸収溶液は、希塩酸(pH2.8)を用いた。液循環量は、0.4L/minに設定した。トリメチルクロロシラン1.1vol%を含むトリメチルシランを大気圧下、2slmで流通させた。ガス捕集、分析方法は、実施例1と同じ方法で行った。出口ガス中のCl濃度は、0.01volppm以下であった。
実施例1で使用した吸収装置を用いた。吸収溶液は、希塩酸(pH1.8、2.8、4.0)及び比較例1、比較例2で用いた吸収液を用いた。液循環量は、0.4L/minに設定した。トリメチルクロロシラン1.1vol%を含むトリメチルシランを大気圧下、200sccmで4時間流通させた。
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- pH2からpH4の吸収溶液を用いてトリメチルシラン中の含塩素化合物を吸収除去することを特徴とするトリメチルシランの精製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005016550A JP4498152B2 (ja) | 2005-01-25 | 2005-01-25 | トリメチルシランの精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005016550A JP4498152B2 (ja) | 2005-01-25 | 2005-01-25 | トリメチルシランの精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006206444A JP2006206444A (ja) | 2006-08-10 |
JP4498152B2 true JP4498152B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=36963682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005016550A Active JP4498152B2 (ja) | 2005-01-25 | 2005-01-25 | トリメチルシランの精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4498152B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5861491B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2016-02-16 | セントラル硝子株式会社 | トリメチルシランの精製方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11302290A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-02 | Mitsui Chem Inc | アルキルシラン類の精製方法 |
-
2005
- 2005-01-25 JP JP2005016550A patent/JP4498152B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11302290A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-02 | Mitsui Chem Inc | アルキルシラン類の精製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006206444A (ja) | 2006-08-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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