JP4490049B2 - 超電導導体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、超電導電力ケーブル、超電導マグネット、超電導エネルギー貯蔵、超電導発電装置、医療用MRI装置、超電導電流リードなどの分野において利用できる酸化物超電導導体およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
酸化物超電導材料は、安価で取り扱いの容易な液体窒素を冷却冷媒として利用できるため、その線材化応用が期待されている。中でも、Y1Ba2Cu3Ox(YBCO)やNd1Ba2Cu3Ox(NBCO)などの材料は、他の材料に比べて、液体窒素温度(77K)において、高い臨界電流(Ic)が得られる上に、臨界電流の磁場依存性に優れているため、次世代線材の位置付けで線材化研究が盛んに進められている。
【0003】
特に、YBCO材料の線材化手法としては、化学気相蒸着(ChemicalVaper Deposition、CVD)法、パルスレーザ蒸着(Pulsed Laser Deposition、PLD)法などの気相法、有機金属蒸着(Metal Organic Deposition、MOD)法などの液相法が主流であり、いずれの手法によっても最近ではMA/cm2レベルの高い臨界電流密度(Jc)が報告されている。
【0004】
これらのYBCO材料の線材化手法では、基板材料(基材)として、多結晶金属テープ上に面内配向中間層を形成したIBAD基材、圧延集合組織を形成したニッケルテープ上に中間層を形成したRABiTS基材などが主に検討されている。
【0005】
これらの基材上にYBCO材料からなる導電膜(以下、「YBCO膜」と称する。)を形成したYBCOテープ線材は、中間層自体が高配向で表面平滑性に優れているため、高い電流特性を有するYBCO膜の合成が可能である。ところが、その反面、中間層の形成にはコストがかかり、YBCO膜の電気的または化学的安定化のためには、厚さ数μm〜数百μm程度の銀安定化膜を形成する必要がある。
【0006】
一方、YBCO膜の面内配向性の制御および安定化を同時に実現可能な基材として、配向銀基材、または、高強度母材に配向銀テープを複合した基材が検討されている。銀はニッケルと同様に圧延、熱処理により集合組織の形成が可能であり、また、YBCO膜との反応性が低いため、中間層を介さないで直接YBCO膜を形成することが可能である。したがって、圧延集合組織を形成した銀上に直接YBCO膜を形成することで、安定な高特性線材を作製することが可能である(例えば、特許文献1参照。)。
【0007】
【特許文献1】
特開平7−105750号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、銀を基材としたYBCOテープ線材では、主に大気中の水分による劣化を防止する目的で、YBCO膜上に保護膜を形成する必要がある。大気中の水分による劣化を防止する目的では、保護膜の厚さは1μm程度で十分であると考えられている。しかしながら、これまでに、標記の目的を達成するために必要な保護膜の厚さについては、十分に検討がなされていなかった。
【0009】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、超電導材料からなる導電膜上に配される保護膜の厚さを最適化した超電導導体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、超電導材料からなる導電膜と、該導電膜の上に不連続に配された第一保護膜と、該第一保護膜の上に配された第二保護膜を備え、前記第一保護膜は、当該第一保護膜を形成する材料が熱処理を施され、前記導電膜上に粒状または島状、あるいは、間欠状に存在する不連続膜からなり、前記第一保護膜の不連続部分は、前記導電膜が露出している露出部分となっており、前記第二保護膜は、スパッタ法または蒸着法によって形成され、前記導電膜および前記第一保護膜を被覆する膜であり、前記露出部分が前記第二保護膜で完全に被覆されていることを特徴とする超電導導体を提供する。
【0011】
上記構成の超電導導体において、前記第一保護膜および前記第二保護膜は、主に銀からなることが好ましい。
【0012】
上記構成の超電導導体において、前記第一保護膜の厚さをd1、前記第二保護膜の厚さをd2とした場合、d1とd2の和が0.15μm以上、1μm以下であることが好ましい。
【0013】
上記構成の超電導導体において、前記d1と前記d2との和が0.3μm以上であることが好ましい。
【0014】
本発明に係る超電導導体の製造方法は、超電導材料からなる導電膜の上に不連続に第一保護膜を形成する第一工程と、該第一保護膜および前記導電膜を覆うように第二保護膜を形成する第二工程とを有することを特徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
図1は、本発明の一実施の形態である超電導導体を示す概略断面図である。
図1に示すように、超電導導体10は、銀(Ag)あるいは表層に銀が配された銀複合テープなどからなる基材11と、この基材11上に形成された超電導材料からなる導電膜12と、この導電膜12上に不連続に配された第一保護膜13と、この第一保護膜13の上に配された第二保護膜14とから概略構成されている。
【0016】
基材11としては、長尺のものを用いることができるが、特に、圧延集合組織を生成させた銀の配向テープを用いることが好ましく、この配向テープに銅(Cu)が拡散された拡散層を備えたものであってもよい。あるいは金属テープなどのテープ状の基部の一面あるいは両面に、圧延集合組織を有する銀薄膜を備えたものであってもよい。金属テープを構成する材料としては、銀、白金、ステンレス鋼、銅、ハステロイ(C276など)などの金属材料や合金を用いることができる。
【0017】
銀の圧延集合組織としては、基材表面に{100}面を、長手方向に<001>を優先的に配向させた立方体集合組織を有する{100}<001>集合組織、基材表面に{110}面を、長手方向に<110>を優先的に配向させた立方体集合組織を有する{110}<110>集合組織、基材表面に{110}面を、長手方向に<001>を優先的に配向させた立方体集合組織を有する{110}<001>集合組織のいずれかとすることが好ましい。これらの集合組織を有する配向銀基材を用いることで、特にYBCO系の超電導膜を形成する際に、基材表面の結晶の格子定数と、超電導膜の格子定数とを近づけることができるので、形成される超電導膜の結晶性を向上させ、優れた超電導特性を備えたものとすることができる。
【0018】
導電膜12としては、RE1M2Cu3O7−x(RE:Y、La、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Nf、Sm、Euから選ばれる1種、M:Ba、Ca、Srから選ばれる1種)なる組成式で示されるペロブスカイト型の酸化物超電導体や、Bi2Sr2Can−1CunO2n+2(nは自然数)なる組成式で代表されるBi系、Tl2Ba2Can−1CunO2n+2(nは自然数)なる組成式で代表されるTl系の酸化物超電導体などが用いられ、目的に応じて適宜選択される。これらの酸化物超電導体の中でも、基材11表面の銀との格子のマッチングの点で、Y1M2Cu3O7−xなる組成で広く知られるY系の酸化物超電導体を用いることが好ましい。
【0019】
第一保護膜13は、導電膜12の上に不連続に配されており、この不連続部分(第一保護膜13が存在しない部分)13aは、導電膜12が露出している露出部分12aとなっている。本発明において、第一保護膜13が不連続に配されているとは、第一保護膜13を形成する材料が、導電膜12上に、例えば、粒状または島状に、あるいは、間欠状に存在し、不連続膜を形成していることを意味している。
【0020】
第二保護膜14は、導電膜12および第一保護膜13を被覆しており、これにより、導電膜12の露出部分12aが第二保護膜14で完全に覆われている。したがって、超電導導体10の表面には、導電膜12が露出している部分は存在しない。
【0021】
また、第一保護膜13は、銀(Ag)、銀−銅(Ag−Cu)、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)などからなり、第二保護膜14は、銀(Ag)、銅(Cu)、銀−銅(Ag−Cu)、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)などからなる。これらの中でも第一保護膜13は、導電膜12と反応しないことから、銀で形成されていることが好ましく、第二保護膜14は、良導電性、抵コスト、酸化し難いなどの観点から、銀、銅、アルミニウム、銀−銅、ニッケルなどで形成されていることが好ましい。
【0022】
さらに、第一保護膜13の厚さをd1、第二保護膜14の厚さをd2とした場合、d1とd2の和が0.15μm以上、1μm以下であることが好ましく、d1とd2の和が0.2μm以上であることがより好ましく、d1とd2の和が0.3μm以上であることが特に好ましい。
【0023】
d1とd2の和が0.15μm未満では、導電膜12が空気中の水分などにより劣化して、超電導導体10の臨界電流(Ic)が大幅に減少する。
一方、d1とd2の和が0.15μm以上であれば、導電膜12が空気中の水分などにより劣化し難くなり、臨界電流(Ic)の減少度合いが僅かである。また、d1とd2の和が0.2μm以上であれば、臨界電流(Ic)の減少度合いがさらに少なくなる。さらに、d1とd2の和が0.3μm以上であれば、導電膜12が空気中の水分などによりほとんど劣化しなくなり、超電導導体10の臨界電流(Ic)の減少がほとんど見られなくなる。
【0024】
d1とd2の和が1μmを超えると、保護膜としての効果が飽和する上に、第一保護膜13および第二保護膜14を形成する材料コストが高くなりまた、成膜時間なども延びることから、結果として超電導導体10の製造コストの上昇を招くので、芳しくない。
【0025】
以下に、本発明に係る超電導導体の製造方法について説明する。
図2は、導電膜の製造装置の一例を示す概略模式図である。
この例の製造装置は、CVD反応装置20と、原料ガス供給源30と、原液供給装置40と、液体原料供給装置50と、キャリアガス供給源60とから概略構成されている。
【0026】
導電膜をCVD反応により生成させるための原料溶液42は、導電膜を構成する金属錯体を溶媒中に分散させたものである。具体的には、Y1Ba2Cu3O7−xなる組成のY系の導電膜を形成する場合は、Ba−ビス−2、2、6、6−テトラメチル−3、5−ヘプタンジオン−ビス−1、10−フェナントロリン(Ba(thd)2・phen2)と、Y(thd)2と、Cu(thd)2などの金属錯体を使用することができ(phen=フェナントロリン)、他にはY−ビス−2、2、6、6−テトラメチル−3、5−ヘプタンジオナート(Y(DPM)3)と、Ba(DPM)2、Cu(DPM)2などの金属錯体を用いることができる。
【0027】
なお、導電膜には、先のY系の他に、La2−xBaxCuO4なる組成式で代表されるLa系、Bi2Sr2Can−1CunO2n+2(nは自然数)なる組成式で代表されるBi系、Tl2Ba2Can−1CunO2n+2(nは自然数)なる組成式で代表されるTl系のものなど、多くの種類の導電膜が知られているので、目的の組成に応じた金属錯塩を用いて上述のCVD法を実施すればよい。
ここで例えば、Y系以外の導電膜を製造する場合には、必要な組成系に応じて、トリフェニルビスマス(III)、ビス(ジピバロイメタナト)ストロンチウム(II)、ビス(ジピバロイメタナト)カルシウム(II)、トリス(ジピバロイメタナト)ランタン(III)などの金属錯塩を適宜用いて、それぞれの系の導電膜の製造に供することができる。
【0028】
まず、原液供給装置40の収納容器41に、導電膜を形成するための原料溶液42を収納する。そして、巻取ドラム27と送出ドラム28を回転させて、基材70を基材導出部21側から基材導入部22側へ移動させる。
【0029】
これと同時に、酸素ガス供給源33からCVD反応装置20内に酸素ガスを送り、さらに加圧式液体ポンプ47により収納容器41から原料溶液42を流量0.1〜10ccm程度で原料溶液供給部51内に送液し、これとともにキャリアガスをキャリアガス供給部52に流量200〜550ccm程度で送り込む。また、原料ガス供給源30の内部温度が上記原料のうち最も気化温度の高い原料の最適温度になるようにヒータ31により調節しておく。
【0030】
すると、一定流量のミスト状の液体溶液が原料ガス供給源30内に連続的に供給され、ヒータ31により加熱されて気化されて原料ガスとなり、さらにこの原料ガスは、原料ガス導出口32から導出され、ガス導入管33を介してガス拡散部25に連続的に供給される。
次に、反応生成室26側に移動した原料ガスは、反応生成室26の上方から下方に移動し、加熱された基材80上において上記原料ガスが反応して反応生成物が堆積し、基材80の表面に導電膜が形成される。またここで、反応に寄与しない残りの原料ガスなどは、ガス排気孔29、29に引き込まれて速やかに排出される。
【0031】
次に、導電膜上に、スパッタ法や蒸着法などを用いて、銀などからなる第一保護膜および第二保護膜を形成する方法について説明する。
図3は、第一保護膜と第二保護膜を形成するために用いられるスパッタ装置を示す概略模式図である。
図3中、符号80は真空チャンバ、81はカソード、82はカソード82上に配置されたターゲット、83は表面に導電膜が設けられた線材、84は巻取ドラム、85は送出ドラムである。
【0032】
まず、真空チャンバ80内にスパッタガスとしてアルゴン(Ar)を導入しながら、真空チャンバ80を真空引きして所定の圧力とする。次いで、巻取ドラム81と送出ドラム82を回転させて、線材83移動させながら、線材83の全長にわたって第一保護膜を形成する。この線材を取り出して、所定の熱処理を行った後、再度、真空チャンバ80に入れて、第二の保護膜を形成する。第二の保護膜の形成は、巻取ドラム81と送出ドラム82を逆回転させて、線材83移動させながら、線材83の全長にわたって第二保護膜を形成する。
【0033】
第一保護膜を導電膜上に形成する第一工程とは、成膜とその後に施す熱処理からなる。
まず、第一保護膜の成膜は、以下の通りとした。
▲1▼2×10−3Toorに真空引き、
▲2▼スパッタガスのアルゴン(Ar)を真空チャンバ内に、流量30ccmで導入、
▲3▼第一保護膜を成膜、
を順に行う。これにより、膜状の第一保護膜が得られる。この膜の厚さは、成膜時間、スパッタパワーなどを適宜制御することにより、0.05μm〜1.5μmの範囲で可変とした。
【0034】
第一工程では、上記成膜後に、純100%酸素雰囲気下、500℃で2〜4時間熱処理して、導電膜中に酸素を導入した。この熱処理は、導電膜と、第一保護膜との密着性を向上させるとともに、これらの接触抵抗を低下させる効果をもたらす。
また、この熱処理により、第一保護膜をなす銀は、導電膜上に粒状または島状、あるいは間欠状に存在するようになる。
【0035】
次に、第二工程として、第一保護膜上に、スパッタ法や蒸着法などを用いて、銀などからなる第二保護膜を、導電膜および第一保護膜を被覆するように形成する。これにより、導電膜の露出部分を第二保護膜で完全に被覆する。
第二保護膜の成膜は、
▲1▼試料取り付け、
▲2▼2×10−3Toorに真空引き、スパッタガスのアルゴン(Ar)を真空チャンバ内に、流量30ccmで導入、
▲3▼第二保護膜を成膜、
を順に行う。これにより、導電膜および第一保護膜を被覆する第二保護膜が得られる。この膜の厚さは、成膜時間、スパッタパワーなどを適宜制御することにより、0.05μm〜1.5μmの範囲で可変とした。
【0036】
なお、上記第二工程の後で熱処理を行うと、第一保護膜と、第二保護膜をなす銀が導電膜上に粒状または島状あるいは間欠的に存在し、導電膜が露出してしまう。
【0037】
以下、実験例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実験例に限定されるものではない。
(実験例1)
基材として、幅10mm×長さ50mm×厚さ0.3mmの銀テープを用意した。
次に、Y1Ba2Cu3O7−xなる組成のY系の導電膜を形成するために、CVD用の原料溶液としてBa−ビス−2、2、6、6−テトラメチル−3、5−ヘプタンジオン−ビス−1、10−フェナントロリン(Ba(thd)2・phen2)と、Y(thd)2と、Cu(thd)2を用いた。これらの各々をY:Ba:Cu=1:2.4:2.7のモル比で混合し、テトラヒドロフラン(THF)の溶媒中に10重量%になるように添加したものを導電膜の液体原料(原料溶液)とした。
【0038】
次に、図2に示す製造装置を用いて、銀テープ上に導電膜を形成した。
具体的には、導電膜の原料溶液を加圧式液体ポンプにより0.4ml/分の流速で、液体原料供給装置の原料溶液供給部に連続的に供給し、これと同時にキャリアガスとしてArをキャリアガス供給部に流量500ccm程度で送り込んだ。以上の操作により一定量のミスト状の液体原料を気化器内に連続的に供給し、さらにこの液体原料が気化した原料ガスを、ガス導入管を経てCVD反応装置のガス拡散部材に一定量連続的に供給した。この時の気化器及び輸送管の温度は230℃とした。
【0039】
そして、送出ドラムと巻取ドラムを回転させて、巻取ドラム側から送出ドラム側に移動させる基材のリアクタ内の基材移動速度を10m/h、基材加熱温度を800℃、リアクタ内圧力を2Torr、設定酸素分圧値を0.2〜0.4Torrに設定して、移動する基材上に厚さ0.4μmのYBaCuO系の導電膜を連続的に形成し、所定長さの基材の移動が終了するまで成膜を行い、銀テープ上にYBCO導電膜が形成された線材(以下、「YBCOテープ線材」と称する。)を得た。
【0040】
次に、YBCOテープ線材の導電膜上に、図3に示すスパッタ装置を用いて、銀からなる第一保護膜と第二保護膜とを形成した。
第一保護膜を導電膜上に形成する第一工程とは、成膜とその後に施す熱処理からなる。
まず、第一保護膜の成膜は、
▲1▼線材取り付け、
▲2▼2×10−3Toorに真空引き、スパッタガスのアルゴン(Ar)を真空チャンバ内に、流量30ccmで導入、室温、
▲3▼第一保護膜の成膜、
を順に行った。これにより、膜状の第一保護膜の厚さを、0.05μm、0.15μm、0.5μm、1.0μm、1.5μmと変化させた。
次に、酸素雰囲気下、500℃で、4時間熱処理した。
【0041】
次に、第一保護膜を設けていないYBCOテープ線材と、0.05μm〜1.5μmの範囲で厚さを変化させて第一保護膜を設けたYBCOテープ線材とを、室温(25℃)で純水中に浸漬し、のべ浸漬時間と、臨界電流(Ic)との関係を調査した。
なお、YBCOテープ線材の純水浸漬前の臨界電流をIc(0)とし、臨界電流の劣化の度合いをIc/Ic(0)で表した。結果を図4に示す。
また、第一保護膜の厚さを0.05μmとしたときに、YBCOテープ線材の表面を走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope、SEM)で観察した写真を図5に示す。
【0042】
図4の結果から、銀からなる第一保護膜の厚さが1.0μm以上であれば、Ic/Ic(0)の値が0.90以上となり、臨界電流の減少を抑制することができることが分かる。特に、第一保護膜の厚さが1.5μm以上であれば、臨界電流がほとんど減少しないことが確認された。
したがって、図4から、保護膜が一層の場合は、厚さを1μm以上にしないと臨界電流の低下を防止できないことが分かる。
【0043】
また、厚さ0.05μmの第一保護膜を形成した後、酸素雰囲気下、500℃で、4時間熱処理すると、図5に示すように、YBCOからなる導電膜(図中、「YBCO膜」と記す。)の表面に銀からなる第一保護膜(図中、「Ag粒」と記す。)が粒状になり、YBCO膜が露出している部分が確認された。
【0044】
(実験例2)
次に、上記のようにして作製したYBCOテープ線材の導電膜の上に、スパッタ法を用いて、銀からなる第一保護膜を粒状または島状、あるいは間欠状に形成した後、この第一保護膜および導電膜を被覆するように、スパッタ法を用いて、銀からなる第二保護膜を形成した。
第二保護膜の成膜は、
▲1▼試料取り付け、
▲2▼2×10−3Toorに真空引き、スパッタガスのアルゴン(Ar)を真空チャンバ内に、流量30ccmで導入、室温、
▲3▼第二保護膜の成膜、
を順に行った。
このとき、第一保護膜の厚さをd1、第二保護膜の厚さをd2としたとき、d1/d2を、0.05μm/0.05μm、0.05μm/0.1μm、0.05μm/0.15μm、0.1μm/0.1μm、0.1μm/0.15μm、0.15μm/0.15μmと変化させた。
【0045】
次に、第一保護膜および第二保護膜を設けていないYBCOテープ線材と、0.1μm〜0.3μmの範囲で厚さを変化させて第一保護膜および第二保護膜を設けたYBCOテープ線材とを、室温(25℃)で純水中に浸漬し、のべ浸漬時間と、臨界電流(Ic)との関係を調査した。
なお、YBCOテープ線材の純水浸漬前の臨界電流をIc(0)とし、臨界電流の劣化の度合いをIc/Ic(0)で表した。結果を図6に示す。
また、第一保護膜の厚さ/第二保護膜の厚さを0.05μm/0.15μmとしたときに、YBCOテープ線材の表面を走査型電子顕微鏡(ScanningElectron Microscope、SEM)で観察した写真を図7に示す。
【0046】
図6の結果から、d1とd2の和が0.15μm以上であれば、Ic/Ic(0)の値が0.90以上となり、臨界電流の減少を抑制することができることが分かった。また、d1とd2の和が0.2μm以上であれば、Ic/Ic(0)の値が0.92以上となり、臨界電流の減少をさらに抑制することができることが分かった。さらに、d1とd2の和が0.3μm以上であれば、臨界電流がほとんど減少しないことが確認された。
【0047】
また、図7から、厚さ0.05μmの第一保護膜を形成し、酸素雰囲気下、500℃で、4時間熱処理した後、厚さ0.15μmの第二保護膜を形成すると、図5で確認されたYBCO膜の露出部分を、第二保護膜が多い、第一保護膜と第二保護膜全体で、YBCO膜を被覆していることが確認された。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の超電導導体は、超電導材料からなる導電膜と、この導電膜の上に不連続に配する主に銀かなる第一保護膜と、この第一保護膜の上に配する主に銀かなる第二保護膜を備えてなり、第一保護膜の厚さをd1、第二保護膜の厚さをd2とした場合、d1とd2の和が0.15μm以上、1μm以下であるから、導電膜が空気中の水分により劣化して、超電導導体の臨界電流(Ic)が減少するのを抑制することができる。また、製造コストを上昇することなく、空気中の水分による導電膜の劣化を十分に防止することができる。さらに、d1とd2の和が0.3μm以上では、超電導導体の臨界電流(Ic)の減少がほとんど見られなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態である超電導導体を示す概略断面図である。
【図2】 導電膜の製造装置の一例を示す概略模式図である。
【図3】 第一保護膜と第二保護膜を形成するために用いられるスパッタ装置を示す概略模式図である。
【図4】 第一保護膜を設けていないYBCOテープ線材と、第一保護膜を設けたYBCOテープ線材とを純水中に浸漬した際の、のべ浸漬時間と、臨界電流(Ic)との関係を示すグラフである。
【図5】 第一保護膜の厚さを0.05μmとしたときに、YBCOテープ線材の表面をSEMで観察した写真である。
【図6】 保護膜を設けていないYBCOテープ線材と、第一保護膜および第二保護膜を設けたYBCOテープ線材とを純水中に浸漬した際の、のべ浸漬時間と、臨界電流(Ic)との関係を示すグラフである。
【図7】 第一保護膜の厚さ/第二保護膜の厚さを0.05μm/0.15μmとしたときに、YBCOテープ線材の表面をSEMで観察した写真である。
【符号の説明】
10・・・超電導導体、11・・・基材、12・・・導電膜、13・・・第一保護膜、14・・・第二保護膜。
Claims (5)
- 超電導材料からなる導電膜と、該導電膜の上に不連続に配された第一保護膜と、該第一保護膜の上に配された第二保護膜を備え、前記第一保護膜は、当該第一保護膜を形成する材料が熱処理を施され、前記導電膜上に粒状または島状、あるいは、間欠状に存在する不連続膜からなり、前記第一保護膜の不連続部分は、前記導電膜が露出している露出部分となっており、前記第二保護膜は、スパッタ法または蒸着法によって形成され、前記導電膜および前記第一保護膜を被覆する膜であり、前記露出部分が前記第二保護膜で完全に被覆されていることを特徴とする超電導導体。
- 前記第一保護膜および前記第二保護膜は、主に銀からなることを特徴とする請求項1に記載の超電導導体。
- 前記第一保護膜の厚さをd1、前記第二保護膜の厚さをd2とした場合、d1とd2の和が0.15μm以上、1μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の超電導導体。
- 前記d1と前記d2との和が0.3μm以上であることを特徴とする請求項3に記載の超電導導体。
- 超電導材料からなる導電膜の上に不連続に第一保護膜を形成する第一工程と、該第一保護膜および前記導電膜を覆うように第二保護膜を形成する第二工程とを有することを特徴とする超電導導体の製造方法。
Priority Applications (1)
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