JP3771142B2 - 酸化物超電導導体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超電導電力ケーブル、超電導マグネット、超電導エネルギー貯蔵、超電導発電装置、医療用ＭＲＩ装置、超電導電流リード等の分野において利用できる酸化物超電導導体とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の酸化物超電導導体の製造方法として、酸化物超電導粉末または熱処理によって酸化物超電導体となり得る組成の混合粉末を円柱状にプレスし、これを銀管中に挿入し、伸線加工あるいは圧延工程と熱処理工程を行って線材化するパウダーインチューブ法（ＰＩＴ法）などの固相法の他に、レーザー蒸着法、スパッタ法などの気相法により金属テープなどの長尺の基材上に連続的に酸化物系超電導層を形成する成膜法が知られている。
【０００３】
レーザー蒸着法やＣＶＤ法等の気相法により製造された酸化物超電導導体の構造としては、図７に示すように、Ａｇ等の金属からなる基材１９１の上面にＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導層１９３が形成され、更にこの酸化物超電導層１９３上にＡｇからなる表面保護層１９５が形成されたものが広く知られている。
このようなレーザー蒸着法やＣＶＤ法等の気相法により作製した酸化物超電導導体において、優れた超電導特性を得るためには、基材上１９１上に作製した酸化物超電導層１９３の２軸配向（面内配向）を実現することが重要である。そのためには、基材１９１の格子定数を、酸化物超伝導層１９３の格子定数に近づけることと、基材１９１の表面を構成する結晶粒が、疑似単結晶的に揃っていることが好ましい。
【０００４】
そこで、この問題を解決するために、図８に示すようにハステロイテープなどの金属製の基材１９１の上面に、スパッタ装置を用いてＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニウム）などの多結晶中間層１９２を形成し、この多結晶中間層１９２上にＹＢａＣｕＯ系などの酸化物超電導層１９３を形成し、更にこの上にＡｇの安定化層１９４を形成することにより、超電導性の優れた酸化物超電導導体を製造する試みなどが種々行われている。あるいは、圧延、熱処理により集合組織を形成したＡｇ基材や、圧延、熱処理により集合組織を形成し、さらに酸化物中間層を形成したＮｉ基材なども検討されている。
【０００５】
これらの中でも、Ａｇは酸化物超電導層１９３との反応性が小さく、基材１９１上に直接酸化物超電導層１９３を形成することができる唯一の金属材料であり、さらには非磁性、低抵抗であるという特徴も有していることから、基材１９１自身が安定化層としても機能する線材構造を実現することができる。
【０００６】
この圧延、熱処理により集合組織を形成したテープ状のＡｇ基材としては、基材表面に（１００）面を、長手方向に＜００１＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有するＡｇ｛１００｝＜００１＞、あるいは、基材表面に（１１０）面を、長手方向に＜１１０＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有するＡｇ｛１１０｝＜１１０＞などが開発されており、これらのうちでも、ＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導層との格子のマッチングを考慮すると、Ａｇ｛１１０｝＜１１０＞の配向Ａｇ基材が有望である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図８に示すような多結晶中間層１９２上に酸化物超電導層１９３を形成した酸化物超電導導体では、この多結晶中間層１９２の作用により、酸化物超電導層１９３が形成される表面の平滑性や面内配向性が優れており、良好に面内配向した酸化物超電導層１９３を得ることができ、最近では１００万Ａ／ｃｍ²以上の高Ｊｃが得られることが確認されている。しかしながら、この多結晶中間層１９２を備えた基材は、その成膜にイオンビームスパッタ法という高度で高価な技術を用いる必要があり、今のところ、１ｍ／ｈ程度までの基材の生産速度しか得られておらず、製造コストが極めて高いという問題点を有している。
【０００８】
一方、Ａｇの圧延集合組織を用いた配向Ａｇ基材では、基材の生産性を高くでき、製造コストも比較的安価であり、有望であるが、この配向Ａｇ基材を用いて１０万Ａ／ｃｍ²以上の高Ｊｃを得られたという報告はほとんど成されておらず、超電導特性の不足が問題とされていた。これは、Ａｇ基材の結晶粒界における凹凸によって、酸化物超電導層の連続性が損なわれるためであると考えられている。このような背景から、配向Ａｇ基材上に、優れた結晶配向性と、結晶連続性を備えた酸化物超電導層を形成する技術の開発が望まれていた。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために成されたものであって、配向Ａｇ基材を用いた酸化物超電導導体における超電導特性を改善し、高Ｊｃが得られる酸化物超電導導体を提供することを目的の一つとする。
また本発明は、高Ｊｃを得られる酸化物超電導導体を、容易かつ低コストで製造することができる酸化物超電導導体の製造方法を提供することを目的の一つとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の配向Ａｇ基材は、低コストで酸化物超電導導体を製造できるという点で有望であるが、十分な電流密度（Ｊｃ）が得られていない。そこで、本発明者らは、配向Ａｇ基材を用いた超電導導体で高Ｊｃが得られない原因を調査するために、以下の試験を行った。
【００１１】
（１）ＣＶＤ法により^W１０ｍｍ×^L１０ｍｍ×^t０．５ｍｍの純Ａｇ基材上に、厚さ１．０μｍのＹＢａＣｕＯ系の超電導層を形成して酸化物超電導導体を作製し、この試料の酸化物超電導層のみをエッチングにより除去した後、純Ａｇ基材中に含まれるＹ，Ｂａ，Ｃｕの元素量について分析を行い、それぞれの元素について、成膜前の純Ａｇ基材中の含有量と比較した。その結果を表１に示す。表１に示すように、酸化物超電導層を形成した後の純Ａｇ基材は、Ｃｕ含有量が大幅に増加していることが明らかとなった。これは、酸化物超電導層を構成するＹＢａＣｕＯに含まれるＣｕが、純Ａｇ基材中に拡散反応したためであると考えられる。
【００１２】
【表１】

【００１３】
（２）次に、上記酸化物超電導層を除去した試料の表面を詳細に分析した。その結果、酸化物超電導層形成後のＡｇ基材では、表面のＡｇ結晶粒界部においてＣｕ濃度が特に高くなっていた。すなわち、Ａｇ基材側に拡散したＣｕ元素は、Ａｇの結晶粒界部に優先的に析出または拡散していることが判明した。
【００１４】
以上の（１）、（２）の試験から、本発明者は、酸化物超電導層からＡｇ基材へ拡散するＣｕの影響により酸化物超電導導体の超電導特性が劣化している可能性があると考え、Ａｇを基材として用いたＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導導体を作製するにあたり、以下の点に留意して作製する必要があると考えた。
▲１▼Ａｇ基材と酸化物超電導層との界面におけるＣｕ元素の拡散を抑制する。
▲２▼Ａｇ基材の表面における粒界成長を抑制し、平滑な基材表面を維持する。
そして、上記▲１▼，▲２▼の条件を満足させるために、Ａｇ基材の表層部にＣｕを含む層を酸化物超電導層に先行して形成することを検討した。すなわち、Ａｇ基材表面に予めＣｕが拡散された層を形成することで、Ａｇ基材表面に適当な濃度のＣｕを含有させ、▲１▼Ａｇ基材中へのＣｕ元素の拡散を緩和することができる。また、これにより▲２▼基材表面における粒界成長が抑制されて、基材表面の平滑性を維持することができると考えた。その結果、このＡｇ中にＣｕが拡散された拡散層を形成した酸化物超電導導体は、従来よりも高いＪｃが得られ、超電導特性に優れていることが明らかになった。尚、本発明者らは、このＣｕを含む層の効果について検証している。これについては後述の実施例において詳述する。
【００１５】
本発明は上記知見に基づき成されたものであって、以下の構成を有するものである。
本発明の酸化物超電導導体は、Ａｇを含むテープ状の基材の少なくとも一面側において酸化物超電導体の原料ガスを化学反応させて前記基材上に成膜する方法により得られた酸化物超電導層を有する酸化物超電導導体であって、前記基材の酸化物超電導層側の表層部に、Ａｇ中にＣｕが拡散された拡散層が形成され、該拡散層上に前記酸化物超電導層が形成されたことを特徴とする。
【００１６】
すなわち、予めＡｇ基材の表層部にＣｕを拡散させた拡散層を形成しておくことで、酸化物超電導層からＡｇ基材へのＣｕの拡散を抑制することができ、これによりＡｇ基材表面での粒界成長を抑制することができるので、酸化物超電導層の組成が乱れたり、結晶の連続性が損なわれることが無く、超電導特性に優れた酸化物超電導導体とすることができる。
【００１７】
次に、本発明の酸化物超電導導体においては、前記基材が、純Ａｇからなる構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、圧延・熱処理により形成する集合組織の集積度（Ａｇ結晶の配向度）を、Ａｇに第２元素を添加した合金を用いた基材よりも、向上させることができる。これにより、この基材上に形成される酸化物超電導層の結晶配向性を向上させることができ、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を提供することができる。
【００１８】
次に、本発明の酸化物超電導導体においては、前記拡散層のＣｕ含有量が、５０μｇ／ｃｍ²以上３００μｇ／ｃｍ²以下とされた構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、効果的に酸化物超電導層からのＣｕ拡散を防止することができる。前記Ｃｕ含有量５０μｇ／ｃｍ²未満であると、酸化物超電導層からのＣｕの拡散を抑制する効果が得られず、３００μｇ／ｃｍ²を越える場合には、酸化物超電導層を形成する際に、この拡散層に含まれるＣｕが、酸素ガスと反応してＣｕＯ等の酸化物として析出するため好ましくない。
【００１９】
次に、本発明の酸化物超電導導体においては、前記拡散層の層厚が、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲とされた構成とすることが好ましい。このような構成とすれば、酸化物超電導層の結晶配向性や、結晶連続性を向上させることができ、超電導特性に優れた酸化物超電導体を提供することができる。前記拡散層の層厚が、１００ｎｍ未満の場合には、拡散層中に含まれるＣｕの量が不十分なために、酸化物超電導層からのＣｕの拡散を防ぐことができないためであり、３００ｎｍを越える場合には、過剰なＣｕが酸化物超電導層を形成する際に使用される酸素ガスと反応してＣｕＯ等の酸化物として析出するので好ましくない。
【００２０】
次に、本発明の酸化物超電導導体の製造方法は、テープ状の基材の少なくとも一面側において酸化物超電導体の原料ガスを化学反応させる方法により基材上に酸化物超電導層を生成する酸化物超電導導体の製造方法であって、前記基材上にＣｕを含む拡散層を成膜し、該拡散層上に前記酸化物超電導層を成膜することを特徴とする。
【００２１】
このような構成とすることで、酸化物超電導層からＡｇ基材へのＣｕの拡散が抑制され、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を容易に製造することができる。また、Ｃｕを含む拡散層は、ＹＳＺ等の多結晶中間層のように、その成膜に高度で高価な成膜技術を用いる必要が無く、通常のスパッタや蒸着、ＣＶＤ法などにより容易に形成することができる。従って、本構成によれば、安価に超電導特性に優れた酸化物超電導導体を製造することができる。
【００２２】
次に、酸化物超電導導体の製造方法においては、前記拡散層を、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の層厚に成膜することが好ましい。このような構成とすることで、適切に制御された拡散層を形成することができるので、より超電導特性に優れた酸化物超電導導体を製造することができる。
【００２３】
次に、本発明の酸化物超電導導体の製造方法においては、移動中のテープ状の基材の少なくとも一面側に酸化物超電導導体の原料ガスを化学反応させて酸化物超電導薄膜を成膜するＣＶＤ反応を行うリアクタと、前記リアクタに酸化物超電導導体原料ガスを供給する酸化物超電導導体の原料ガス供給手段と、前記リアクタ内のガスを排気するガス排気手段とが備えられ、前記酸化物超電導導体の原料ガス供給手段に、酸化物超電導導体の原料ガス供給源と、酸化物超電導導体の原料ガス導入管と、酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段とが備えられ、前記リアクタに、基材導入部と反応生成室と基材導出部とがそれぞれ隔壁を介して区画され、前記反応生成室がテープ状の基材の移動方向に直列に複数設けられ、前記各隔壁に基材通過孔が形成され、前記リアクタの内部に基材導入部と複数の反応生成室と基材導出部とを通過する基材搬送領域が形成され、前記複数設けられた反応生成室にそれぞれガス拡散部が設けられ、前記複数設けられた反応生成室が成膜領域とされ、該反応生成室に前記ガス拡散部を介して前記酸化物超電導体の原料ガス導入管が接続されてなる成膜装置を用いて成膜することが好ましい。
【００２４】
このような構成とすることで、前記拡散層と、酸化物超電導層を連続的に成膜することができるので、酸化物超電導導体の製造をより効率的に行うことができる。これにより、製品の歩留まりの向上や、製造コストの低減を図ることができる。また、前記複数の反応生成室を、拡散層を形成するための反応生成室と酸化物超電導層を形成するための反応生成室とに割り当てて製造を行えば、連続してこれらの層を形成することができるので、より効率良く酸化物超電導導体を製造することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る酸化物超電導導体、その製造方法、並びにこの製造方法を実施する場合に用いる装置について図面を参照して説明する。
【００２６】
（酸化物超電導導体）
図１は、本発明の一実施の形態である酸化物超電導導体の断面構造図である。この図に示す酸化物超電導導体Ｓは、Ａｇからなる基材３８と、この基材３８上に形成された酸化物超電導層ｂと、この酸化物超電導層ｂ上に形成されたＡｇからなる安定化層ａとが順に積層されて構成されている。そして、前記基材３８の表層部には、基材３８を構成するＡｇ中にＣｕが拡散された層である拡散層ｃが形成されている。
【００２７】
基材３８は、長尺のものを用いることができるが、特に、圧延集合組織を生成させたＡｇの配向テープを用いることが好ましく、上記配向テープにＣｕが拡散された拡散層を備えたものであっても良い。あるいは金属テープなどのテープ状の基部の一面あるいは両面に、圧延集合組織を有するＡｇ膜を備えたものであっても良い。上記金属テープを構成する材料としては、銀、白金、ステンレス鋼、銅、ハステロイ（Ｃ２７６等）などの金属材料や合金を用いることができる。
【００２８】
上記Ａｇの圧延集合組織としては、基材表面に｛１００｝面を、長手方向に＜００１＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有する｛１００｝＜００１＞集合組織、基材表面に｛１１０｝面を、長手方向に＜１１０＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有する｛１１０｝＜１１０＞集合組織、基材表面に｛１１０｝面を、長手方向に＜００１＞を優先的に配向させた立方体集合組織を有する｛１１０｝＜００１＞集合組織のいずれかとすることが好ましい。これらの集合組織を有する配向Ａｇ基材を用いることで、特にＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導層を形成する際に、基材表面の結晶の格子定数と、酸化物超電導層の格子定数とを近づけることができるので、形成される酸化物超電導層の結晶性を向上させ、優れた超電導特性を備えたものとすることができる。
【００２９】
酸化物超電導層ｂには、ＲＥ₁Ｍ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x（ＲＥ：Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｎｆ，Ｓｍ，Ｅｕから選ばれる１種、Ｍ：Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒから選ばれる１種）なる組成式で示されるペロブスカイト型の酸化物超電導体や、Ｂｉ₂Ｓｒ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ_2n+2（ｎは自然数）なる組成式で代表されるＢｉ系、Ｔｌ₂Ｂａ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ_2n+2（ｎは自然数）なる組成式で代表されるＴｌ系のものなどを適用することができ、目的に応じて適宜選択すればよい。これらの酸化物超電導体の中でも、基材３８表面のＡｇとの格子のマッチングの点で、Ｙ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-xなる組成で広く知られるＹ系の酸化物超電導体を用いることが好ましい。
【００３０】
本発明に係る酸化物超電導導体Ｓの特徴的な点は、基材３８の表層部に、Ｃｕが拡散された拡散層ｃを備えている点にある。すなわち、Ｃｕの濃度が高くされたこの拡散層ｃを備えていることにより、酸化物超電導層ｂに含まれるＣｕが、基材３８側へ拡散するのを効果的に防止することができるので、Ｃｕの拡散により酸化物超電導層ｂの結晶配向性や結晶連続性が損なわれるのを防止することができ、その結果、基材３８として純Ａｇを用いたもので、１０万Ａ／ｃｍ²以上の高Ｊｃを達成したものである。
【００３１】
この拡散層ｃに拡散させる元素としては、Ｃｕ元素を拡散させるほか、Ｃｕを主体とした合金を用いても良い。例えば、ＣｕにＰｔ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｂａ，Ｙ等を添加したものを用いることができる。この拡散層ｃは、スパッタ法や蒸着法、ＣＶＤ法など周知の成膜技術を用いて形成することができ、従来中間層として用いられてきたＹＳＺ等のようにイオンビームスパッタ法などの高度で高価な成膜技術を用いる必要がない。また、通常のスパッタ法やＣＶＤ法などを用いることで、形成速度を大幅に向上させることができるので、製造を容易かつ効率的に行うことが可能とされている。
【００３２】
前記拡散層の層厚は、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲とすることが好ましく、拡散層ｃのＣｕ含有量としては、５０μｇ／ｃｍ²以上３００μｇ／ｃｍ²以下の範囲とすることが好ましい。これらの範囲に拡散層ｃを制御すれば、酸化物超電導層ｂの結晶配向性や、結晶連続性を向上させることができ、より超電導特性に優れた酸化物超電導体を提供することができる。前記拡散層の層厚が１００ｎｍ未満、またはＣｕ含有量が５０μｇ／ｃｍ²未満の場合には、拡散層中に含まれるＣｕの量が不十分なために、酸化物超電導層からのＣｕの拡散を防ぐことができないために好ましくなく、層厚が３００ｎｍを越える、またはＣｕ含有量が３００μｇ／ｃｍ²を越える場合には、過剰なＣｕが酸化物超電導層を形成する際に使用される酸素ガスと反応してＣｕＯ等の酸化物として析出するので好ましくない。
【００３３】
（製造装置）
次に、本発明に係る酸化物超電導導体の製造方法に用いることができる２種類の製造装置と、それぞれの製造装置を用いて酸化物超電導導体を製造する場合について以下に説明する。
【００３４】
［製造装置の第１の例］
図２は、本発明に係る酸化物超電導導体の製造装置の第１の例を示すもので、この例の製造装置には、図３に構造を示すようなＣＶＤ反応装置３０が組み込まれており、このＣＶＤ反応装置３０内においてテープ状の基材上に酸化物超電導層が形成されるようになっている。
この第１例の製造装置で用いられるＣＶＤ装置３０は、図２，３に示すように、横長の両端を閉じた筒型の石英製のリアクタ３１と、図２に示す気化器（原料ガス供給源）６２に接続されたガス拡散部４０とを有している。図３に示すリアクタ３１は、隔壁３２と隔壁３３によって図３左側から順に基材導入部３４と反応生成室３５と、基材導出部３６とに区画されている。このリアクタ３１を構成する材料は、石英に限らずステンレス鋼などの耐食性に優れた金属であっても良い。
【００３５】
隔壁３２，３３の下部中央には、長尺のテープ状の基材３８が通過可能な通過孔３９がそれぞれ形成されていて、リアクタ３１の内部には、その中心部を横切る形で基材搬送領域Ｒが形成されている。更に、基材導入部３４にはテープ状の基材３８を導入するための導入孔が形成されるとともに、基材導出部３６には基材３８を通過させている状態で各孔の隙間を閉じて基材導入部３４と基材導出部３６を気密状態に保持する封止機構（図示略）が設けられている。
【００３６】
反応生成室３５の天井部には、図３に示すように略角錐台型のガス拡散部４０が取り付けられている。このガス拡散部４０は、リアクタ３１内に取り付けられたガス拡散部材４５と、ガス拡散部材４５の天井壁４４に接続され、酸化物超電導体の原料ガスをガス拡散部材４５に供給するガス導入管５３と、ガス導入管５３の先端部に設けられたスリットノズル（図示略）を具備して構成されている。また、ガス拡散部材４５の内部は、その底部で反応生成室３５と連通されている。
【００３７】
一方、反応生成室３５の下方には、図３に示すように基材搬送領域Ｒの長さ方向に沿って排気室７０が設けられている。この排気室７０の上部には図３に示すように基材搬送領域Ｒに通されたテープ状の基材３８の長さ方向に沿って細長い長方形状のガス排気孔７０ａ、７０ａが、機材搬送領域Ｒ内の基材３８の両側にそれぞれ形成されている。
また、排気室７０の下部には、図２に示す真空ポンプ７１を備えた圧力調整装置７２に接続されている排気管７０ｂが複数本接続されている。従って、ガス排気孔７０ａ、７０ａが形成された排気室７０と、複数本の排気管７０ｂと、バルブと、真空ポンプ７１と、圧力調整装置７２とによってガス排気機構８０が構成される。このような構成のガス排気機構８０は、ＣＶＤ反応装置３０の内部の原料ガスや酸素ガスや不活性ガスなどのガスを、ガス排気孔７０ａ、７０ａを通じて速やかに排気できるようになっている。
【００３８】
ＣＶＤ反応装置３０の外部には、図２に示すように加熱ヒータ４７が設けられ、基材導入部３４が不活性ガス供給源５０に、また、基材導出部３６が酸素ガス供給源５１にそれぞれ接続されている。また、ガス拡散部４０の天井壁４４に接続されたガス導入管５３は、気化器（原料ガスの供給源）６２に接続されている。
ガス導入管５３の途中部分には、酸素ガスの流量調整機構を介して酸素ガス供給源５２が分岐して接続され、ガス導入管５３内に酸素ガスを供給できるように構成されている。
【００３９】
前記気化器６２には、後述の液体原料供給装置５５の先端部（図示下部）が収納されている。また、気化器６２の外周部にはヒータ６３が付設されていて、このヒータ６３により液体原料供給装置５５から供給された原料溶液６６を所望の温度に加熱して気化させることにより原料ガスが得られるようになっている。
また、気化器６２の内底部には保熱部材６２Ａが設置されている。この保熱部材６２Ａは、熱容量の大きい材料であって液体原料６６と反応しないものであれば、どのような材料であっても良く、特に金属製の厚板が好ましく、その構成材料としては、ステンレス鋼、ハステロイ、インコネルなどが好ましい。
【００４０】
液体原料供給装置５５は、図２に示すように、管状の原料溶液供給部５６と、この供給部５６の外周を取り囲んで設けられた筒状のキャリアガス供給部５７とから概略構成された２重構造のものである。
原料溶液供給部５６は、後述する原液供給装置６５から送り込まれてくる原料溶液６６を気化器６２の内部に供給するものである。キャリアガス供給部５７は、原料溶液供給部５６との隙間に前述の原料溶液６６を噴出するためのキャリアガスを流すためのものである。そして、キャリアガス供給部５７の上部には、キャリアガス用ＭＦＣ（流量調整器）６０ａを介してキャリアガス供給源６０が接続され、キャリアガス供給部５７内（原料溶液供給部５６との隙間）にアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどのキャリアガスを供給できるように構成されている。
【００４１】
また、気化器６２の内部は仕切板６２ａにより縦方向に２分割されており、分割された領域が仕切板６２ａの下側において連通され、この仕切板６２ａの下側の連通部分を原料ガスが通過して先のガス導入管５３が接続された接続部５３Ａに流動できるように構成されている。
【００４２】
上述の液体原料供給装置５５では、原料溶液６６を原料溶液供給部５６内に一定流量で送り込むとともにキャリアガスをキャリアガス供給部５７に一定流量で送り込むと、原料溶液６６は原料溶液供給部５６の先端部に達するが、この先端部外周側のキャリアガス供給部５７の先端からキャリアガスが流れてくるので、先端部５９から吹き出される際、原料溶液６６は上記キャリアガスとともに気化器６２の内部に導入され、気化器６２の内部をその底部に到るまで移動しながら加熱、気化され、原料ガスとされる。また、気化器６２の底部に設置された保熱部材６２Ａに到り、この保熱部材６２Ａにより更に気化が成されて原料溶液が完全に気化されて原料ガスとされる。尚、本実施形態の構造では、原料溶液を原料溶液供給部５６の先端部から霧化するのではなく、加熱とキャリアガスとの混合のみにより原料ガスとするので、液体原料の気化に関しては、液体原料が原料ガスに気化されるまでの間に気化器６２内部の内壁に衝突しない構成とすることが好ましい。
【００４３】
このような液体原料供給装置５５の原料溶液供給部５６には、原液供給装置６５が加圧式液体ポンプ６７ａを備えた接続管６７を介して接続されている。原液供給装置６５は、収納容器６８と、パージガス源６９を備え、収納容器６８の内部には原料溶液６６が収納されている。原料溶液６６は、加圧式液体ポンプ６７ａにより吸引されて、ＭＦＣ６７ｂによりその流量を調節されて原料溶液供給部５６へ輸送される。
【００４４】
さらに、図２に示すようにＣＶＤ反応装置３０の基材導出部３６の側部側（後段側）には、リアクタ３１内の基材搬送領域Ｒを通過するテープ状の基材３８を巻き取るためのテンションドラム７３と巻取ドラム７４とからなる基材搬送機構７５が設けられている。そして、前記テンションドラム７３と巻取ドラム７４は正逆回転自在に構成されている。
また、基材導入部３４の側部側（前段側）には、テープ状の基材３８をＣＶＤ反応装置３０に供給するためのテンションドラム７６と送出ドラム７７とからなる基材搬送機構７８が設けられている。そして、前記テンションドラム７６と、送出ドラム７７は正逆回転自在に構成されている。
【００４５】
次に、上記のように構成されたＣＶＤ反応装置３０を備えた酸化物超電導導体の製造装置を用いてテープ状の基材３８上に拡散層及び酸化物超電導層を形成し、酸化物超電導導体を製造する場合について説明する。
図２、図３に示す製造装置を用いて酸化物超電導導体を製造するには、まず、テープ状の基材３８と、拡散層及び酸化物超電導層を形成するための原料溶液を用意する。この基材３８は、上述の材料で長尺のものを用いることができる。
【００４６】
拡散層をＣＶＤ反応により生成させるための原料溶液は、拡散層を構成する金属錯体を溶媒中に分散させたものが好ましい。具体的には、Ｃｕからなる拡散層を形成する場合は、Ｃｕ（ｔｈｄ）₂や、Ｃｕ（ＤＰＭ）₂等を、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）やトルエン、イソプロパノール、ジグリム（2,5,8-トリオキソノナン）等の溶媒に溶解したものを用いることができる。（ｔｈｄ＝2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン）
【００４７】
酸化物超電導体をＣＶＤ反応により生成させるための原料溶液は、酸化物超電導体を構成する金属錯体を溶媒中に分散させたものが好ましい。具体的には、Ｙ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-xなる組成のＹ系の酸化物超電導層を形成する場合は、Ｂａ−ビス−2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン−ビス−1,10−フェナントロリン（Ｂａ（ｔｈｄ）₂・ｐｈｅｎ₂）と、Ｙ（ｔｈｄ）₂と、Ｃｕ（ｔｈｄ）₂などの金属錯体を使用することができ（ｐｈｅｎ＝フェナントロリン）、他にはＹ-ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナート（Ｙ（ＤＰＭ）₃）と、Ｂａ（ＤＰＭ）₂、Ｃｕ（ＤＰＭ）₂などの金属錯体を用いることができる。
【００４８】
尚、酸化物超電導層には、先のＹ系の他に、Ｌａ_2-xＢａ_xＣｕＯ₄なる組成式で代表されるＬａ系、Ｂｉ₂Ｓｒ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ_2n+2（ｎは自然数）なる組成式で代表されるＢｉ系、Ｔｌ₂Ｂａ₂Ｃａ_n-1Ｃｕ_nＯ_2n+2（ｎは自然数）なる組成式で代表されるＴｌ系のものなど、多くの種類の酸化物超電導層が知られているので、目的の組成に応じた金属錯塩を用いて上述のＣＶＤ法を実施すればよい。
ここで例えば、Ｙ系以外の酸化物超電導層を製造する場合には、必要な組成系に応じて、トリフェニルビスマス（III）、ビス（ジピバロイメタナト）ストロンチウム（II）、ビス（ジピバロイメタナト）カルシウム（II）、トリス（ジピバロイメタナト）ランタン（III）等の金属錯塩を適宜用いてそれぞれの系の酸化物超電導層の製造に供することができる。
【００４９】
まず、原液供給装置６５の収納容器６８に、原料溶液６６として上記拡散層用の原料溶液を収納し、液体原料供給装置５５に接続しておく、そして、上記のテープ状の基材３８を用意したならば、これをＣＶＤ反応装置３０のリアクタ３１内の基材搬送領域Ｒに、基材搬送機構７８により基材導入部３４から所定の移動速度で送り込むとともに基材搬送機構７５の巻取ドラム７４で巻き取り、更に反応生成室３５内の基材３８を加熱ヒータ４７で所定の温度に加熱する。
尚、テープ状の基材３８を送り込む前に、不活性ガス供給源５０から不活性ガスをパージガスとしてＣＶＤ反応装置３０内に送り込み、同時にＣＶＤ反応装置３０の内部のガスを圧力調整装置７２によってガス排気孔７０ａ、７０ａから排気することでＣＶＤ反応装置３０内の空気等の不用ガスを排除し、内部を洗浄しておくことが好ましい。
【００５０】
次いで、テープ状の基材３８をリアクタ３１内に送り込んだならば、加圧式液体ポンプ６７ａにより収納容器６８から原料溶液６６を、流量０．１〜１０ｃｃｍ程度で原料溶液供給部５６内に送液し、これと同時にキャリアガスをキャリアガス供給部５７に流量２００〜５５０ｃｃｍ程度で送り込む。また、気化器６２は、原料溶液６６が充分気化される温度に合わせておく。
【００５１】
すると、一定流量のミスト状の液体溶液６６が気化器６２内に連続的に供給され、ヒータ６３により加熱されて気化されて原料ガスとなり、さらにこの原料ガスは、ガス導入管５３を介してガス拡散部４５に連続的に供給される。
次に、反応生成室３５側に移動した原料ガスは、反応生成室３５の上方から下方に移動し、加熱された基材３８上において上記原料ガスが反応して反応生成物が堆積し、基材３８上に、拡散層が形成される。そして、この拡散層を備えた基材３８は、巻取ドラム７４に巻き取られる。
【００５２】
以上の如く成膜を行って基材上に拡散層を形成し、必要長さを得たならば、次に、先の原液供給装置６５の収納容器６８に、酸化物超電導層を形成するための原料溶液を収納する。そして、巻き取りドラム７４と送出ドラム７７の回転方向を逆転し、基材３８を基材導出部３６側から基材導入部３４側へ移動させる。
【００５３】
これと同時に、酸素ガス供給源５１からＣＶＤ反応装置３０内に酸素ガスを送り、更に加圧式液体ポンプ６７ａにより収納容器６８から原料溶液６６を流量０．１〜１０ｃｃｍ程度で原料溶液供給部５６内に送液し、これとともにキャリアガスをキャリアガス供給部５７に流量２００〜５５０ｃｃｍ程度で送り込む。また、気化器６２の内部温度が上記原料のうち最も気化温度の高い原料の最適温度になるようにヒータ６３により調節しておく。
【００５４】
すると、一定流量のミスト状の液体溶液３４が気化器６２内に連続的に供給され、ヒータ６３により加熱されて気化されて原料ガスとなり、さらにこの原料ガスは、原料ガス導出口５３Ａから導出され、ガス導入管５３を介してガス拡散部４５に連続的に供給される。
次に、反応生成室３５側に移動した原料ガスは、反応生成室３５の上方から下方に移動し、加熱された基材３８上において上記原料ガスが反応して反応生成物が堆積し、酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体８５が得られる。またここで、反応に寄与しない残りの原料ガス等は、ガス排気孔７０ａ、７０ａに引き込まれて速やかに排出される。
【００５５】
そして、上述のようにして形成した酸化物超電導導体上にさらに銀などからなる保護膜をスパッタ法や蒸着法などにより形成すると、図１に示す安定化層ａを備えた酸化物超電導導体Ｓと同等のものを得ることができる。
【００５６】
尚、以上のようにして製造された酸化物超電導導体においては、酸化物超電導層を積層した後で、酸素雰囲気中において３００〜５００℃の温度で数時間〜数１０時間加熱する熱処理を施して酸化物超電導層の結晶構造を整え、超電導特性が向上するようにしても良い。
【００５７】
本製造方法により得られた酸化物超電導導体Ｓにあっては、基材３８の搬送速度を適切な範囲として適切な厚さの酸化物超電導層ｂを形成しているので、この酸化物超電導層におけるａ軸配向粒の粗大化を抑制し、位相成分の析出も防止することができ、有効な電流パスを大きくすることができ、臨界電流密度を大きくすることができる。また、拡散層ｃを形成したことで、酸化物超電導層ｂから基材３８へのＣｕの拡散が抑制され、優れた超電導特性を備えた酸化物超電導導体とされている。
【００５８】
［製造装置の第２の例］
次に、先の酸化物超電導層ｂを有する酸化物超電導導体Ｓを製造する場合に用いる製造装置の第２の例と、この製造装置を用いた製造方法について以下に説明する。
図４〜図６は、本発明に係る酸化物超電導導体の製造装置の第２例を示すもので、この例の製造装置には、略同等の構造を有する３つのＣＶＤユニットＡ，Ｂ，Ｃが組み込まれ、各ＣＶＤ反応装置３０Ａの反応生成室３５Ａ内においてテープ状の基材の少なくとも一面に酸化物超電導層を積層形成できるようになっている。
【００５９】
この実施形態の酸化物超電導導体の製造装置は、横長の両端を閉じた筒型の石英製のリアクタ３１Ａを有している。このリアクタ３１Ａは、図５に示すように隔壁３２Ａ、３３Ａによって図５の左側から順に基材導入部３４Ａと反応生成室３５Ａと、基材導出部３６Ａに区画されているとともに、隔壁３２Ａと隔壁３３Ａの間に設けられた複数の隔壁３７Ａ（図面では４枚の隔壁）によって、上記反応生成室３５Ａが複数に分割（図面では３分割）されて、それぞれが前述のＣＶＤ反応装置３０Ａと略同等の構造とされるとともに、隣り合う反応生成室３５Ａ，３５Ａの間（隣り合う隔壁３７，３７の間）には、２つの境界室３８Ａが区画されている。従って、このリアクタ３１Ａには、反応生成室３５Ａが後述する基材搬送領域Ｒに送り込まれるテープ状の基材Ｔの移動方向に直列に複数（図面では３つの反応生成室）が設けられていることになる。尚、リアクタ３１Ａを構成する材料は、石英に限らずステンレス鋼などの耐食性に優れた金属であっても良い。
【００６０】
上記隔壁３２Ａ，３７Ａ，３７Ａ，３７Ａ，３７Ａ，３３Ａの下部中央には、図５と図６に示すように、長尺のテープ状の基材Ｔが通過可能な通過孔３９Ａがそれぞれ形成されていて、リアクタ３１Ａの内部には、その中心部を横切る形で基材搬送領域Ｒが形成されている。さらに、基材導入部３４Ａにはテープ状の基材Ｔを導入するための導入孔が形成されるとともに、基材導出部３６Ａには基材Ｔを導出するための導出孔が形成されている。また、導入孔と導出孔の周縁部には、基材Ｔを通過させている状態で各孔の隙間を閉じて基材導入部３４Ａと基材導出部３６Ａを気密状態に保持するための封止機構（図示略）が設けられている。
【００６１】
各反応生成室３５Ａの天井部には、図５に示すように略角錐台型のガス拡散部４０が取り付けられている。これらのガス拡散部４０は先に説明した例のガス拡散部４０と同等の構造とされている。また、ガス拡散部材４５の底面は、細長い長方形状の開口部４６Ａとされ、この開口部４６Ａを介してガス拡散部材４５が反応生成室３５Ａに連通されている。
【００６２】
また、図４，５に示すように、境界室３８Ａの天井部には、遮断ガス供給手段３８Ｂが供給管３８Ｃを介して接続され、遮断ガス供給手段３８Ｂは、境界室３８Ａの両側の反応生成室３５Ａ，３５Ａどうしを遮断するための遮断ガスを供給し、供給管３８Ｃは、遮断ガス噴出部を介して境界室３８Ａに接続されている。この遮断ガスとして例えばアルゴンガスが選択される。
【００６３】
一方、各反応生成室３５Ａ及び境界室３８Ａの下方には、図６に示すように基材搬送領域Ｒの長さ方向に沿って各反応生成室３５Ａ及び境界室３８Ａを貫通するように排気室７０Ａが設けられている。この排気室７０Ａの上部には、図５に示すように、基材搬送領域Ｒに通されたテープ状の基材Ｔの長さ方向に沿って細長い長方形状のガス排気孔７０ａ、７０ａが各反応生成室３５Ａ及び境界室３８Ａを貫通するようにそれぞれ基材Ｔの両側に形成されており、このガス排気孔７０ａ、７０ａには、隔壁３２，３３，３７の基材搬送領域Ｒの両側か端部が貫通状態とされている。
また、排気室７０Ａの下部には複数本（図面では７本）の排気管７０ｂがそれぞれ接続されており、これらの排気管７０ｂは、図４に示す真空ポンプ７１を備えた圧力調整装置７２に接続されている。
【００６４】
また、先の図３に示す構造の装置と同様に、ガス排気孔７０ａ、７０ａが形成された排気室７０Ａと、排気孔７０ｃ，７０ｅを有する複数本の排気管７０ｂ…と、バルブ７０ｄと、真空ポンプ７１と、圧力調整装置７２によってガス排気手段８０Ａが構成されている。このような構成のガス排気手段８０Ａは、ＣＶＤ反応装置３０の内部の原料ガスや酸素ガスや不活性ガス、及び遮断ガスなどのガスを速やかに排気できるようになっている。
【００６５】
リアクタ３１Ａの外部には、図４に示すように加熱ヒータ４７Ａが設けられている。図４に示す例では、３つの反応生成室３５Ａに亘って連続する加熱ヒータ４７Ａとしたが、この加熱ヒータ４７Ａを、各ＣＶＤ反応装置３０の反応生成室３５Ａに対して独立の構造とすることも可能である。
更に、リアクタ３１Ａの基材導入部３４Ａが不活性ガス供給源５１Ａに、また、基材導出部３６Ａが酸素ガス供給源５１Ｂにそれぞれ接続されている。
【００６６】
ＣＶＤユニットＡに備えられているガス拡散部４０の天井壁４４に接続された各原料ガス導入管５３Ａは、図４に示すように、後述のガスミキサ４８を介して、後述する拡散層の原料ガス供給手段５０ａの原料ガスの気化器（原料ガスの供給源）に接続されている。また、ＣＶＤユニットＢ，Ｃに備えられている各ガス拡散部４０の天井壁４４に接続された各原料ガス導入管５３Ａは、ガスミキサ４８を介して、酸化物超電導体の原料ガス供給手段５０ｂの原料ガスの気化器（原料ガスの供給源）に接続されている。
【００６７】
前記拡散層の原料ガス供給手段５０ａ及び酸化物超電導体の原料ガス供給手段５０ｂは、図２に示す先に説明の原液供給装置６５と液体原料供給装置５５と、原料溶液気化装置（原料ガス供給源）６２とを備えて概略構成されている。その他の構成は先の図２、３に示す装置と同等であるので、同等の構成については同一の符号を付してそれらの部分の説明を省略する。
【００６８】
次に、上記のように構成されたＣＶＤユニットＡ，Ｂ，Ｃを有する酸化物超電導導体の製造装置を用いてテープ状の基材Ｔ上にＣｕからなる拡散層を形成し、この拡散層上に酸化物超電導層を形成して酸化物超電導導体を製造する場合について説明する。
【００６９】
図４〜図６に示す製造装置を用いて酸化物超電導導体を製造するには、まず、テープ状の基材Ｔと、拡散層の原料溶液と、酸化物超電導導体の原料溶液を用意する。この基材Ｔは、先の例で用いた基材３８と同等のものを用いることができる。また、酸化物超電導導体をＣＶＤ反応により生成させるための液体原料についても先に説明の装置と同等のものを用いることができる。
【００７０】
そして、上記のようなテープ状の基材Ｔを用意したならば、これを酸化物超電導導体の製造装置内の基材搬送領域Ｒに基材搬送機構７８により基材導入部３４Ａから所定の移動速度で送り込むとともに基材搬送機構の巻き取りドラム７４で巻き取る。また、各原料ガス供給手段５０ａによってＣＶＤユニットＡ，Ｂ，ＣのＣＶＤ反応装置３０にガスを送り込む方法についても先の一例と同等でよい。これにより、基材Ｔを３つのリアクタ３１Ａに順次送り込むことができ、基材Ｔ上に拡散層と、酸化物超電導層とが積層された酸化物超電導導体を得ることができる。
【００７１】
さらに、制御手段８２Ａは、ＣＶＤユニットＡ，Ｂ，Ｃごとにガス分圧を独立に制御して、各反応生成室３５Ａ内において所定のガス分圧を維持するように原料ガス供給手段５０ａ、５０ｂ、５０ｂを制御する。この際、制御手段８２Ａは、テープ状の基材Ｔの移動方向の反応生成室３５のガス分圧よりも、テープ状の基材Ｔの移動方向下流側の反応生成室３５のガス分圧が高くなるように原料ガス供給手段５０ａ、５０ｂ、５０ｂを制御することが好ましい。尚、酸化物超電導層の成膜後は、必要に応じて酸化物超電導薄膜の結晶構造を整えるための熱処理を施しても良い。
【００７２】
最後に、上述のようにして形成された酸化物超電導導体Ｓ上にさらに銀などからなる安定化層をスパッタ法や蒸着法などにより形成すると、図１に示す安定化層ａを備えた酸化物超電導導体Ｓと同等の酸化物超電導導体を得ることができる。また、この安定化層は、図４〜図６に示す製造装置の反応生成室３５Ａの一つまたは複数において、ＣＶＤ法により形成することもできる。このような構成とすれば、安定化層を備えた酸化物超電導導体を上記製造装置において連続して製造することができる。
【００７３】
図４〜図６に示す構造の装置を用いて酸化物超電導導体Ｓを製造するならば、拡散層と、安定化層を備えた酸化物超電導導体を１回の基材Ｔの移動により製造することができる。この例で得られる酸化物超電導導体にあっても、基材Ｔの搬送速度を適切な範囲として適切な厚さの拡散層と、酸化物超電導層が積層されているので、上述のように優れた超電導特性を備えた酸化物超電導導体とされている。
【００７４】
尚、図４〜図６に示す装置を用いて送出ドラム７７と巻き取りドラム７４との間において基材Ｔを繰り返し往復移動し、４層、あるいは６層などの積層数の酸化物超電導層を積層して酸化物超電導導体を製造しても良い。また、上記の例では、１段目（基材導入部３４Ａ側）の反応生成室３５Ａにおいて拡散層を形成し、その後の２，３段目の反応生成室３５Ａにおいて酸化物超電導層を形成する場合について説明したが、本例の製造装置を用いた製造方法は、この方法に限定されるものではない。例えば、３つの反応生成室３５Ａを全て拡散層の成膜に割り当てた状態で、基材Ｔを移動させながら基材Ｔ上にまず拡散層を形成し、必要な長さの成膜を終えた後、今度は３つの反応生成室３５Ａを酸化物超電導層の成膜ができるように原料ガスの供給手段を入れ替え、送出ドラム７７と、巻取ドラム７４の回転方向を逆転させて基材Ｔを基材導出部３６Ａ側から基材導入部３４Ａ側へ向かって移動する状態とし、前記基材Ｔ上に形成された拡散層上に、酸化物超電導層を形成するようにすることもできる。
【００７５】
【実施例】
以下、本発明を実施例及び比較例により、具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
［液体原料及び基材］
本実施例では、拡散層を設けることによる効果を明らかにするために、Ａｇ（１１０）単結晶の基材を用いて酸化物超電導導体を作製した。上記基材の寸法は、^W１０ｍｍ×^L５０ｍｍ×^t０．３ｍｍとした。
【００７６】
まず、Ｙ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-xなる組成のＹ系の酸化物超電導層を形成するために、ＣＶＤ用の原料溶液としてＢａ-ビス-2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオン-ビス-1,10-フェナントロリン（Ｂａ（ｔｈｄ）₂（ｐｈｅｎ）₂）と、Ｙ（ｔｈｄ）₂と、Ｃｕ（ｔｈｄ）₂を用いた。これらの各々をＹ：Ｂａ：Ｃｕ＝１．０：３．０：２．７のモル比で混合し、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）の溶媒中に７．０重量％になるように添加したものを酸化物超電導層の液体原料（原料溶液）とした。また、拡散層の液体原料として、Ｃｕ（ｔｈｄ）₂をＴＨＦの溶媒中に７．０重量％になるように添加したものを用意した。
【００７７】
本例では、酸化物超電導導体の製造に図４〜図６に示す製造装置を用い、製造方法としては、まず上記拡散層用の液体原料を用いて基材の表層部にＣｕが拡散された拡散層を形成し、次に酸化物超電導体の液体原料を用いて、この拡散層上に酸化物超電導導体を成膜して酸化物超電導導体を作製する方法を採用した。
【００７８】
［拡散層の成膜］
先の拡散層の原料溶液を加圧式液体ポンプ（加圧源）により０．２７ｍｌ／分の流速で、液体原料供給装置の原料溶液供給部に連続的に供給した。これと同時にキャリアガスとしてＡｒをキャリアガス供給部に流量３００ｃｃｍ程度で送り込んだ。以上の操作により、一定量のミスト状の液体原料を気化器内に連続的に供給し、更にこの液体原料が気化した原料ガスをガス導入管を経てＣＶＤ反応装置のガス拡散部材に一定量連続的に供給した。この時の気化器及び輸送管の温度は２３０℃とした。
【００７９】
送出ドラム側から巻取ドラム側に移動させる基材のリアクタ内の基材移動速度を６．０ｍ／ｈ、基材加熱温度を７００℃、リアクタ内圧力を５．０Ｔｏｒｒ（５．０×１３３Ｐａ）に設定して、基材表層部に層厚２００ｎｍのＣｕの拡散層を連続的に形成し、所定長さの基材の移動が終了するまで成膜を行った。尚、この拡散層が形成された基材表層部のＣｕ含有量を分析したところ、１ｃｍ²あたり１００〜２００μｇであり、本発明の要件を満たしていた。
【００８０】
［酸化物超電導層の成膜］
次に、送出ドラム側から巻取ドラム側に移動させる必要長さの基材の移動を終了した後、上記拡散層の原料溶液を、酸化物超電導層の原料溶液と入れ替えた。そして、この酸化物超電導層の原料溶液を加圧式液体ポンプにより０．２７ｍｌ／分の流速で、液体原料供給装置の原料溶液供給部に連続的に供給し、これと同時にキャリアガスとしてＡｒをキャリアガス供給部に流量３００ｃｃｍ程度で送り込んだ。以上の操作により一定量のミスト状の液体原料を気化器内に連続的に供給し、更にこの液体原料が気化した原料ガスをガス導入管を経てＣＶＤ反応装置のガス拡散部材に一定量連続的に供給した。この時の気化器及び輸送管の温度は２３０℃とした。
【００８１】
そして、送出ドラムと巻取ドラムの回転方向を逆転させて、巻取ドラム側から送出ドラム側に移動させる基材のリアクタ内の基材移動速度を１．０ｍ／ｈ、基材加熱温度を７８０℃、リアクタ内圧力を５．０Ｔｏｒｒ（５．０×１３３Ｐａ）、設定酸素分圧値を１．４３〜１．５３Ｔｏｒｒ（１．４３×１３３〜１．５３×１３３Ｐａ）に設定して、移動する基材上に厚さ０．７８μｍのＹＢａＣｕＯ系の酸化物超電導層を連続的に形成し、所定長さの基材の移動が終了するまで成膜を行った。
以上の工程により拡散層を備えた酸化物超電導導体を得た。この実施例１の酸化物超電導導体の製造条件を以下の表２に示す。
【００８２】
【表２】

【００８３】
（比較例１）
先に示したＣＶＤ装置と酸化物超電導層の原料溶液、基材等は同等のものを用いて、拡散層を成膜しない以外は、上記実施例１と同様にして酸化物超電導導体を作製した。
【００８４】
［分析・評価］
次に、上記にて得られた実施例１及び比較例１の酸化物超電導導体について、超電導特性の評価を行った。その結果を表３に示す。表３に示すように、Ａｇ（１１０）単結晶基材上に形成した場合、実施例１の酸化物超電導導体は、３４万Ａ／ｃｍ²と、比較例１の酸化物超電導導体の３万Ａ／ｃｍ²と比較して１桁高いＪｃが得られることが確認された。
【００８５】
【表３】

【００８６】
Ａｇ（１１０）単結晶を基材として用いた場合、Ａｇの結晶粒界による酸化物超電導層への影響はほとんど無く、無視できる程度であると考えられる。従って、拡散層を積層した実施例１の酸化物超電導導体のＪｃが大きく改善されているのは、酸化物超電導層であるＹＢａＣｕＯ膜からＡｇ基材へのＣｕの拡散が緩和され、酸化物超電導層の結晶配向性が大きく向上したためであると推定される。
【００８７】
（実施例２）
次に、｛１１０｝＜１１０＞集合組織を有するＡｇ基材を用いて、本発明に係る拡散層の効果を検証した。
通常、Ａｇ｛１１０｝＜１１０＞の集合組織を得るためには、一定の圧延加工を加えたテープ状のＡｇ基材に対して８００〜９００℃で数時間の熱処理を施す必要があり、この集合組織化熱処理と、酸化物超電導層を成膜するための加熱により、Ａｇ粒界が成長し、Ａｇ基材表面の平滑性が損なわれると考えられている。
【００８８】
つまり、｛１１０｝＜１１０＞集合組織を有するＡｇ基材上に酸化物超電導層を形成して酸化物超電導導体を作製する場合には、Ａｇ基材の集合組織化のための熱処理の条件によっても超電導特性が大きく変化する可能性がある。従って、本例では、Ａｇ｛１１０｝＜１１０＞集合組織を得るための熱処理の条件と、拡散層の成膜条件を種々に変化させて酸化物超電導導体を作製し、その超電導特性を評価した。
【００８９】
以下に、本例で作製した試料Ａ〜Ｄの４種の酸化物超電導導体の製造工程を示す。試料Ａ，Ｂは、拡散層を成膜せず、集合組織化熱処理の際の雰囲気を大気下と、アルゴン雰囲気下でそれぞれ行った。試料Ｃ，Ｄではいずれも拡散層を成膜し、集合組織化熱処理をいずれもアルゴン雰囲気下で行ったが、試料Ｃは、集合組織化熱処理よりも先に拡散層の成膜を行い、試料Ｄは集合組織化熱処理よりも後に拡散層の成膜を行った。
【００９０】
［試料Ａ］
工程１：集合組織化熱処理（大気中にて８００〜９００℃、数十分〜数時間）
工程２：酸化物超電導層の成膜（成膜温度：７００〜８００℃）
【００９１】
［試料Ｂ］
工程１：集合組織化熱処理（アルゴン中にて８００〜９００℃、数十分〜数時間）
工程２：酸化物超電導層の成膜（成膜温度：７００〜８００℃）
【００９２】
［試料Ｃ］
工程１：拡散層の成膜（成膜温度：７００℃）
工程２：集合組織化熱処理（アルゴン中にて８００〜９００℃、数十分〜数時間）
工程３：酸化物超電導層の成膜（成膜温度：７００〜８００℃）
【００９３】
［試料Ｄ］
工程１：集合組織化熱処理（アルゴン中にて８００〜９００℃、数十分〜数時間）
工程２：拡散層の成膜（成膜温度：７００℃）
工程３：酸化物超電導層の成膜（成膜温度：７００〜８００℃）
【００９４】
本例における上記条件以外の製造条件は、試料Ａ，Ｂについては、酸化物超電導層の成膜条件を表２に示す条件とし、試料Ｃ，Ｄについては、拡散層及び酸化物超電導層のいずれの成膜条件も表２に示す条件と同等とした。
【００９５】
［分析・評価］
上記にて作製された試料Ａ〜Ｄの酸化物超電導導体について、超電導特性の評価を行った。その結果を表４に示す。表４に示すように、拡散層を成膜した試料Ｃ，Ｄの酸化物超電導導体はＪｃが２０万Ａ／ｃｍ²以上であり、Ｊｃが３万Ａ／ｃｍ²程度の試料Ａ，Ｂと比較して、大幅にＪｃが向上していることが確認された。またこれらの試料Ｃ，Ｄのうちでも、拡散層を集合組織化熱処理よりも先に行った試料Ｃの方がより高いＪｃを示した。この結果から、Ａｇ｛１１０｝＜１１０＞集合組織を有する基材を用いた場合にも、拡散層を形成することで、超電導特性を大幅に改善できることが確認された。拡散層の成膜を集合組織化熱処理よりも先行して行った試料Ｃが、より大きなＪｃを示したのは、Ａｇ基材表面が拡散層で被覆されたことで、Ａｇの粒界成長が阻害され、基材表面の平滑性が維持されたことによると考えられる。
【００９６】
【表４】

【００９７】
一方、拡散層が成膜されていない試料Ａ，Ｂの酸化物超電導導体では、アルゴン雰囲気下で集合組織化熱処理を行った試料Ｂの方が、より高いＪｃを示した。これらの試料Ａ，Ｂの結晶配向度は同等であることから、アルゴン雰囲気下で集合組織化熱処理を施すことで、Ａｇ基材表面の粒界成長を抑えることができると推定される。
【００９８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の酸化物超電導導体は、Ａｇを含む基材と、酸化物超電導層との間に、Ｃｕを含む拡散層を備えた構成としたので、酸化物超電導層からＡｇ基材へのＣｕの拡散を抑制することができ、これによりＡｇ基材表面での粒界成長を抑制することができるので、酸化物超電導層の組成が乱れたり、結晶の連続性が損なわれることが無く、超電導特性に優れた酸化物超電導導体とすることができる。
【００９９】
また、本発明に係る酸化物超電導導体では、その基材として純Ａｇを用いることで、より優れた超電導特性を備えた酸化物超電導導体とすることができる。これは、上記拡散層を設けたことで、酸化物超電導層からのＣｕの拡散や、Ａｇの粒界成長等の純Ａｇ基材の問題点を解決することができ、またこれにより優れた結晶配向性を有する純Ａｇ基材の特性を生かして、さらなる超電導特性の向上を達成することができるためである。
【０１００】
次に、本発明の酸化物超電導導体の製造方法は、Ａｇの基材上にＣｕを含む拡散層を成膜し、この拡散層上に前記酸化物超電導層を成膜することとしたので、酸化物超電導層からＡｇ基材へのＣｕの拡散が抑制され、超電導特性に優れた酸化物超電導導体を容易に製造することができる。また、上記Ｃｕを含む拡散層は、ＹＳＺ等の多結晶中間層のように、その成膜に高度で高価な成膜技術を用いる必要が無く、通常のスパッタや蒸着、ＣＶＤ法などにより容易に形成することができる。従って、本構成によれば、安価に超電導特性に優れた酸化物超電導導体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の一実施の形態である酸化物超電導導体の断面構造を示す図である。
【図２】 図２は、本発明に係る酸化物超電導導体の製造装置の第１例を示す構成図である。
【図３】 図３は、図２に示す製造装置に備えられたリアクタの構造例を示す斜視構成図である。
【図４】 図４は、本発明に係る酸化物超電導導体の製造装置の第２例の全体構成を示す図である。
【図５】 図５は、図４に示す製造装置に備えられたリアクタの構造例を示す斜視構成図である。
【図６】 図６は、図４に示す製造装置に備えられたリアクタの構造例を示す断面構成図である。
【図７】 図７は、従来の酸化物超電導導体の一例を示す断面図である。
【図８】 図８は、従来の酸化物超電導導体の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
Ｓ…酸化物超電導導体、ａ…安定化層、ｂ…酸化物超電導層、ｃ…拡散層、３８，Ｔ…基材、Ａ，Ｂ，Ｃ…ＣＶＤユニット、３０，３０Ａ…ＣＶＤ反応装置、３１，３１Ａ…リアクタ、３２，３３，３２Ａ，３３Ａ，３７Ａ…隔壁、３４，３４Ａ…基材導入部、３６，３６Ａ…基材導出部、３８Ａ…境界室、３９，３９Ａ…基材通過孔、４０…ガス拡散部、５３，５３Ａ…原料ガス導入管、８０，８０Ａ…ガス排気手段、Ｒ…基材搬送領域

Claims (6)

1. Ａｇを含むテープ状の基材の少なくとも一面側において酸化物超電導体の原料ガスを化学反応させて前記基材上に成膜する方法により得られた酸化物超電導層を有する酸化物超電導導体であって、
   前記基材の酸化物超電導層側の表層部に、Ａｇ中にＣｕが拡散された拡散層が形成され、該拡散層上に前記酸化物超電導層が形成され、前記拡散層の層厚が、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とされたことを特徴とする酸化物超電導導体。
2. 前記基材が、純Ａｇで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の酸化物超電導導体。
3. 前記拡散層のＣｕ含有量が、５０μｇ／ｃｍ²以上３００μｇ／ｃｍ²以下とされたことを特徴とする請求項１または２に記載の酸化物超電導導体。
4. テープ状の基材の少なくとも一面側において酸化物超電導体の原料ガスを化学反応させる方法により基材上に酸化物超電導層を生成する酸化物超電導導体の製造方法であって、
   前記基材の表層部にＣｕを拡散させた拡散層を成膜し、該拡散層上に前記酸化物超電導層を成膜することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
5. 前記拡散層を、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の層厚に成膜することを特徴とする請求項４に記載の酸化物超電導導体の製造方法。
6. 移動中のテープ状の基材の少なくとも一面側に酸化物超電導導体の原料ガスを化学反応させて酸化物超電導薄膜を成膜するＣＶＤ反応を行うリアクタと、前記リアクタに酸化物超電導導体原料ガスを供給する酸化物超電導導体の原料ガス供給手段と、前記リアクタ内のガスを排気するガス排気手段とが備えられ、
   前記酸化物超電導導体の原料ガス供給手段に、酸化物超電導導体の原料ガス供給源と、酸化物超電導導体の原料ガス導入管と、酸素ガスを供給する酸素ガス供給手段とが備えられ、
   前記リアクタに、基材導入部と反応生成室と基材導出部とがそれぞれ隔壁を介して区画され、前記反応生成室がテープ状の基材の移動方向に直列に複数設けられ、前記各隔壁に基材通過孔が形成され、前記リアクタの内部に基材導入部と複数の反応生成室と基材導出部とを通過する基材搬送領域が形成され、前記複数設けられた反応生成室にそれぞれガス拡散部が設けられ、
   前記複数設けられた反応生成室が成膜領域とされ、該反応生成室に前記ガス拡散部を介して前記酸化物超電導体の原料ガス導入管が接続されてなる成膜装置を用いて成膜することを特徴とする請求項４または５に記載の酸化物超電導導体の製造方法。

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