JP4480295B2 - 情報記録方法、情報記録装置及び情報処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に光源からの光により情報を記録する情報記録方法、情報記録装置及び情報処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マルチメディアの普及に伴い音楽用ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ，ＤＶＤ−ＲＯＭなどの再生専用メディア（記録媒体）や情報再生装置が実用化されている。最近では、色素材料を用いた追記型（Ｒ）光ディスクや、光磁気材料を用いた書き替え可能なＭＯディスクの他に相変化型ディスクも注目されている。
【０００３】
この相変化型メディアは、記録材料を結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化させて情報を記録するものである。また、相変化型メディアは、ＭＯメディアなどと異なり、外部磁界を必要とせず半導体レーザからなる光源からのレーザ光だけで情報の記録、再生ができ、かつ、情報の記録と消去がレーザ光により一度に行われるオーバーライト記録が可能である。ここに、半導体レーザは半導体レーザ駆動回路により駆動される。
【０００４】
一般に、情報記録媒体に情報を記録するための記録波形としては、ＥＦＭ（Eight Fourteen Modulation）変調コードなどに基づいて生成した単パルスの半導体レーザ発光波形があるが、相変化型メディアの場合、この記録波形では、蓄積した熱により記録マークが涙状に歪みを生じたり、冷却速度が不足してアモルファス相の形成が不十分となり、レーザ光に対して低反射率の記録マークが得られないなどの問題がある。
【０００５】
そこで、相変化型メディアに情報を記録する従来の情報記録方式は、図１（ａ）に示すようにＥＦＭ変調コードなどに基づいて生成した多段の記録パワーを用いたマルチパルス波形のレーザ光により相変化型メディアにマークを形成することで上記問題を防止するようにしている。このマルチパルス波形のマーク部は、相変化型メディアの記録膜を融点温度以上に十分に予備加熱するための先頭加熱パルスＨtopと、後続する複数個の連続した加熱マルチパルスＨmpと、これらのパルス間の連続した冷却マルチパルスＣmpとからなっており、先頭加熱パルスＨtopの発光パワーをＰhtop、加熱マルチパルスＨmpの発光パワーをＰhmp、冷却マルチパルスＣmpの発光パワーをＰcmp、リードパワーをＰrとすればＰhtop＝Ｐhmp＞Ｐcmp≒Ｐrに設定されている。
【０００６】
マルチパルス波形のイレース部はイレースパルスＥからなり、その発光パワーＰeはＰhmp＜Ｐe＜Ｐcmpに設定されている。
【０００７】
このように記録波形をマルチパルス波形とすることで、相変化型メディアは加熱→冷却の急冷条件によりアモルファス相がマーク部として形成され、加熱のみの徐冷条件により結晶相がスペース部として形成され、アモルファス相と結晶相とで十分な反射率差が得られる。
【０００８】
また、情報記録方式としてはマークポジション（ＰＰＭ）記録方式とマークエッジ（ＰＷＭ：Pulse Width Modulation）記録方式があるが、最近では高密度化に対応できるマークエッジ記録方式が用いられるようになっている。相変化型メディアにマークエッジ記録方式で情報を記録する場合、記録チャンネルクロックの周期Ｔに対する比が約0.5Ｔのパルス幅を有する加熱パルス及び冷却パルスを用いている。
【０００９】
即ち、記録データのマーク長が１Ｔ増加する毎に１組の加熱パルスと冷却パルスを加算したマルチパルスの光を用いている。図１（ａ）はその代表的な記録波形例を示している。この記録波形は、異なるマーク長の記録データを常に一定の加熱冷却条件で記録できるので、記録データのマーク長に依存したエッジシフトが低減されている。また、この記録波形で高速記録を行う場合、記録チャンネルクロックを２倍、４倍というように記録線速度と同倍率で高周波化するとともに、基本なパルス数や記録パワーの大小関係を維持しながら加熱マルチパルスＨhmpのパルス幅Ｔhmpが約0.25Ｔから約0.55Ｔまでの範囲で変化するように設定している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
相変化型メディアにマークエッジ記録方式で情報を記録する場合、相変化型メディアは記録マーク形成部分で十分な加熱と急冷とを行ってマークの前後のエッジ部を鮮明に形成することが重要である。
【００１１】
しかしながら、高速記録を行う場合、記録波形はそのままで、記録チャンネルクロックを２倍、４倍というように記録線速度と同倍率で高周波化しているので、加熱パルス及び冷却パルスの時間幅が非常に小さくなり、記録膜の相変化に必要な到達温度と冷却速度を得ることが困難となっていた。また、加熱パルスの記録チャネルクロックの周期Ｔに対する比が増大し十分な冷却時間が確保できずマークの形成が不十分となり、正確なマーク長の記録ができなくなっていた。
【００１２】
より具体的には、高速記録を行う場合、半導体レーザ駆動回路の立上り時間、立下り時間が記録チャンネルクロックに対して大きくなると、例えば、１１Ｔのマークを記録するときに図２（ａ）に示すように記録発光波形になまりが生ずるので、相変化型メディアは十分な加熱及び冷却が行えなくなり、記録マークが細くなるという問題が生じている。このときに得られる再生信号としてのＲＦ信号は記録データ長が長くなるに従って振幅変動が生じマーク長が極端に短くなってしまう。従って、高速記録時には、半導体レーザ駆動回路の高速応答化が必要となり、回路が大規模となったり高コスト化を招いたりしていた。
【００１３】
この点、特開平９−１３４５２５号公報によれば、記録チャンネルクロック周期に対する偶数長と奇数長との何れか一方のマーク長の記録データを記録する場合に、後部加熱パルスと後部冷却パルスのパルス幅を記録チャンネルクロック周期と略同一とする記録方法が記載されている。
【００１４】
この記録方法によれば、マルチパルス列の実質的な周期が記録チャンネルクロックの１／２となり十分な加熱時間と冷却時間とを確保することができるものの、各々のマークデータ長に応じて個別にマルチパルス列の所定の加熱パルス幅を変化させておりパルス幅の制御処理が複雑となっている。
【００１５】
また、特開平１１−１７５９７６号公報には、記録エネルギー発生源の駆動を容易とし、同時に記録媒体に十分な冷却時間を確保するため、情報記録時に単位時間当たりの注入エネルギーの任意の２変化点の間隔が検出窓幅以上又は検出窓幅の略自然数倍となるようにマーク長に応じて該マーク形成期間内の注入エネルギー・パルス数を変化させるエネルギー発生手段の駆動手段を備える方法が記載されている。この方法は特開平９−１３４５２５号公報と類似する方法であり、マルチパルス列の先頭加熱パルス若しくは最後尾加熱パルスのパルス幅と加熱パワーレベルとを変化させてマーク形成のためのエネルギーを制御するようにしている。
【００１６】
この方法は、GeSbTe系の相変化型メディアのように加熱パワーによる累積のエネルギー（ヒートモード）によってマークが形成される記録媒体には高精度なマークの形成が期待されるが、AgInSbTe系のように加熱パルス直後の冷却パルスによる急冷速度によってマークの形成位置が制御される記録媒体には適応が困難である。
【００１７】
また、高速記録でのマルチパルス列のパルス幅の設定は、図４のように記録チャネルクロックの周期Ｔに対する加熱マルチパルス幅Ｔhmpの比が大きくなってしまい、冷却パルスの急冷条件によって形成されるマーク部が小さくかつ細く形成されるようになってしまう。この現象は加熱パルスの比が0.55Ｔを越えると顕著になってしまい、高速記録の限界速度となっている。
【００１８】
本発明は、簡単なパルス制御により、十分な加熱時間及び冷却時間を確保でき、かつ、光源駆動部を高速化することなく所定の記録マーク長を得ることができ、従来の記録媒体の記録速度範囲を超える高速記録を行うことが可能な情報記録方法、情報記録装置及び情報処理装置を提供することを目的とする。
【００１９】
より詳細には、マルチパルス列での加熱パルスと冷却パルスの実質的な周期を記録チャンネルクロック周期より長くして十分な加熱時間と冷却時間を確保することを基本として高速記録対応とし、かつ、マルチパルス列の各々の加熱パルスを変化させることなく最後尾の冷却パルスとその直後の消去パルスとで高精度に記録マークの後エッジ位置を制御できるようにすることを目的とする。
【００２０】
また、併せて、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長に対する最後尾の冷却パルスのパルス幅を短い期間と長い期間として増減させることで、各々の記録マーク長の後エッジ位置を高精度に制御できるようにすることを目的とする。
【００２１】
さらには、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長に対する、最後尾の冷却パルス直後に位置する記録マーク用消去パルスの各々の消去パワーの比を異なる値とすることで、各々の理想的な記録マーク長の後エッジ位置となるように制御できるようにすることを目的とする。
【００２２】
また、従来のマルチパルス列を用いた情報記録媒体に対しても、より高速に記録できるようにすることを目的とする。
【００２３】
さらには、容易で安価な付加回路で従来のマルチパルス列を用いた情報記録媒体をより高速に記録できるようにすることを目的とする。
【００２４】
さらに、情報記録媒体によって設定された通常の記録速度での従来のマルチパルス列を用いた情報記録方法に加えて、より高速に記録するための情報記録方法を、容易で安価な付加回路によって実現することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
開示の情報記録装置の一形態は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する情報記録媒体上に光源からの光により情報を記録する際に、前記光源をマークデータに対応した加熱パルスとこの加熱パルスと同数の冷却パルスとからなるマルチパルス列の発光波形となるように発光させて記録マークを形成する情報記録装置において、記録チャンネルクロック周期をＴとしたときのマークデータ長を計数するマーク長カウント部と、記録チャンネルクロックの周波数が100MHzを超える記録速度では前記マーク長カウント部によるカウント値が２Ｔ増加する度に前記光源に対する駆動電流源を制御して加熱パワーと冷却パワーとをパルス駆動させるための加熱パルスと冷却パルスとによる制御パルスを各々１個増加させるパルス数制御部と、各々の制御パルスを生成する記録パルス生成部と、各々の制御パルスのタイミングで所定の加熱パワーと冷却パワーとなるように前記光源を駆動する加熱パワー駆動部及び冷却パワー駆動部と、消去領域に対応する第１の消去パルス領域で所定の第１の消去パワーとなるように前記光源を駆動する第１の消去パワー駆動部と、最後尾の冷却パルスの後の消去領域先頭部分に第１の消去パルスに代えて記録マーク長を規定する記録マーク用消去パルスを生成する記録マーク用消去パルス生成部と、記録マーク用消去パルス領域で所定の消去パワーとなるように前記光源を駆動する記録マーク用消去パワー駆動部と、を備え、前記記録マーク用消去パワー駆動部は、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長間で一方の記録マーク用消去パルスのレベルを第１の消去パワーより増加変更させた第２の消去パワーとし、他方の記録マーク用消去パルスのレベルを第１の消去パワーより減少変更させた第３の消去パワーとして前記光源を駆動するようにしたことを特徴とする。
【００７５】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００７６】
後述する図６は本実施の形態の情報記録方法を実現するための情報記録再生装置の構成の一例を示している。この情報記録再生装置は、詳細は後述するが、ＣＤ−ＲＯＭフォーマットのコードデータを情報記録媒体である相変化型光ディスク１に記録（オーバーライト）する情報記録再生装置の例であり、ＥＦＭ若しくはＥＦＭ plus変調コード（併せて、ＥＦＭ系変調コードとされている）を用いてマークエッジ（ＰＷＭ）記録を行う。
【００７７】
この情報記録再生装置は、記録時には記録チャンネルクロックとＥＦＭデータとに基づいてパルス制御信号を生成し、半導体レーザ駆動回路（ＬＤドライバ部２）でそのパルス制御信号に応じた駆動電流により光ヘッド３の半導体レーザ（ＬＤ）４からなる光源を駆動して図１（ｂ）に示すようなマルチパルス列の発光波形となるように発光させる一方、相変化型光ディスク１をスピンドルモータ５で回転させて光ヘッド３にて半導体レーザＬＤ４からのマルチパルス列の発光波形の光を光学系（図示せず）を介して相変化型光ディスク１の相変化型記録層に照射させて相変化型光ディスク１に記録マークを形成することで、情報の記録を行う。
【００７８】
また、この情報記録再生装置は、再生時には、ＬＤドライバ部２で半導体レーザＬＤ４を駆動して再生パワー（リードパワー）で発光させ、光ヘッド３にて半導体レーザＬＤ４からの再生パワーの光を光学系を介して相変化型光ディスク１に照射し、その反射光を光学系を介して受光手段（図示せず）で受光して光電変換することで再生信号を得る。
【００７９】
半導体レーザＬＤ４から記録時に出射されるマルチパルス列の発光波形の光は、図１（ａ）や図１（ｂ）に示すような先頭加熱パルスＨtopと、後続する複数個の連続した後部加熱パルスＨmpと、これらの間の連続した後部冷却マルチパルスＣmpとからなるマルチパルス列の発光波形である。このとき、先頭加熱パルスＨtopの発光パワーＰhtopと後部加熱パルスＨmpの発光パワーＰhmpとは同一としている。
【００８０】
ここに、光ヘッド３中の半導体レーザＬＤ４は、ＬＤドライバ部２において、駆動電流源６から先頭加熱パルスＨtopと後部加熱パルスＨmpとの発光パワーＰhに相当する定電流が供給され、同様に冷却マルチパルスＣmpの発光パワーＰcmp（Ｐc）に相当する定電流が供給され、消去パルスＥの発光パワーＰeに相当する定電流が供給される。
【００８１】
さらに、ＥＦＭデータに基づいて加熱パルス制御信号と消去パルスＥ用の第１の消去パルス制御信号と記録マーク用消去パルス用の制御信号を生成し、ＬＤドライバ部２中に含まれるスイッチング部７は各々記録パルス列制御部８からのパルス制御信号により対応する駆動電流源（定電流源）をオン／オフさせて、半導体レーザＬＤ４を駆動することで、図４に示すようなマルチパルス列の発光波形で発光させる。
【００８２】
次に、本実施の形態による発光波形を詳細に説明する。本実施の形態の情報記録方法は、高速記録で記録チャンネルクロックが高い周波数となっても正確な記録マーク長が得られるように、図１（ｂ）及び図４に示すような記録波形で相変化型光ディスク１に記録するものである。
【００８３】
半導体レーザＬＤ４から出射されるマルチパルスの光は、図（ｂ）に示すように、最短マーク長である３Ｔ（Ｔは記録チャンネルクロックの周期）のマークを記録する場合には先頭加熱パルスＨtopのパルス幅を略1.0Ｔ、最後尾冷却パルスＣendのパルス幅を略1.0Ｔとしており、この波形を基本として、その他の記録チャンネルクロックの周期Ｔに対する奇数長５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ，１１Ｔの長さを有するマークデータ長の記録マークを記録する場合には各々先頭加熱パルスＨtopと最後尾冷却パルスＣendとの間に略1.0Ｔのパルス幅を有する加熱パルスＨmpと略1.0Ｔ（＝２Ｔ−Ｔhtop）のパルス幅を有する冷却パルスＣmpが１組ずつ、２クロック毎に増加するように設定している。このとき、記録チャンネルクロックの周期Ｔに対する偶数長４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ，１０Ｔ，１４Ｔの長さを有するマークデータ長の記録マークを記録する場合にも、各々先頭加熱パルスＨtopと最後尾冷却パルスＣendとの間に略1.0Ｔのパルス幅を有する加熱パルスＨtopと略1.0Ｔのパルス幅を有する冷却パルスＣmpが１組ずつ、２クロック毎に増加するように設定している。
【００８４】
即ち、３Ｔのマーク長を基本として、４Ｔと５Ｔ、６Ｔと７Ｔ、８Ｔと９Ｔ、１０Ｔと１１Ｔ、１４Ｔの記録マークの組合せは、各々同一の個数の加熱パルスと冷却パルスとを有している。従って、図１（ａ）に示すような従来の記録波形での累積長はｎ−0.5Ｔと一定であったが、本実施の形態の記録方法ではマルチパルス列の累積長は一定とならない。
【００８５】
また、前述の同一の個数の加熱パルスと冷却パルスとを有する組合せは、何れも図１（ｂ）のように異なる規則で記録波形を設定している。まず、短いマークデータ長の最後尾の冷却パルスＣendのパルス幅Ｔcend2は略0.75Ｔと細く、長いマークデータ長の最後尾の冷却パルス幅Ｔcend3は略1.25Ｔと長く設定している。さらに、短いマークデータ長の最後尾の冷却パルスＣendの直後の消去パルスＥの先頭領域に、記録マーク用消去パルスＥ2をそのパルス幅Ｔe2が略1.0Ｔとなるように付加設定され、長いマークデータ長の最後尾の冷却パルスＣendの直後の消去パルスＥの先頭領域に、記録マーク用消去パルスＥ3をそのパルス幅Ｔe3が略1.0Ｔとなるように付加設定されている。さらに、記録マーク用消去パルスＥ2の期間は第２の消去パワーＰe2に、記録マーク用消去パルスＥ3の期間は第３の消去パワーＰe3にレベル設定している。また、消去パルスＥにおける消去パワーＰeの加熱パワーＰhに対する比をε1＝Ｐe1／Ｐhとなるように規定し、良好な消去が可能なパワー（例えば、Ｐe1＝7.7mW，Ｐh＝14mW、ε1＝0.55）に設定している。また、記録マーク用消去パルスＥ2の消去パワーＰe2の加熱パワーＰhに対する比をε2としたとき、ε2＝ε1＋0.1となるように設定している。（例えば、Ｐe2＝9.1mW、Ｐh=14mW、ε1＝0.65）。さらに、記録マーク用消去パルスＥ3の消去パワーＰe3の加熱パワーＰhに対する比をε3としたとき、ε3＝ε1−0.1となるように設定している（例えば、Ｐe3＝6.3mW、Ｐh＝14mW、ε3＝0.45）。
【００８６】
これらの設定によれば、図４に示すように、同一の個数の加熱パルスと冷却パルスとを有するマークデータ長の組合せは、何れも、短いマークデータ長が、最後尾の冷却パルスのパルス幅の差によって長いマークデータ長よりも約0.5Ｔ短くなるとともに、記録マーク用消去パルスＥ2の消去パワーＰe2の比ε2が記録マーク用消去パルスＥ3の消去パワーＰe3の比ε3よりも約0.2高いため、形成される記録マークの後エッジ位置が大きめに削られる形となり約0.5Ｔ短くなるように変化し、トータルで丁度1.0Ｔ短くなっている。
【００８７】
従って、最後尾の冷却パルスＣendのパルス幅Ｔcendの差と、記録マーク用消去パルスＥ2，Ｅ3の消去パワーＰe2，Ｐe3の比Ｐe2，Ｐe3の差を、適正な値に設定することで、全てのマークデータ長が高精度に１Ｔステップとなる記録マークに形成される。
【００８８】
このように、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長のうちで、短いマークデータ長に対する記録マーク用消去パルスＥ2の消去パワーＰe2を本来の消去パルスＥ用の第１の消去パワーＰe1より高いレベルの発光パワーとし、かつ、他方の長いマークデータ長に対する記録マーク用消去パルスＥ3の消去パワーＰe3を本来の消去パルスＥ用の第１の消去パワーＰe1より低いレベルの発光パワーとするとともに、短いデータ長に対する最後尾の冷却パルスＣendの冷却パルス幅Ｔcend2を長いマークデータ長に対する最後尾の冷却パルスＣendのパルス幅Ｔcend3よりも短い期間とすることで、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長に対応する実際に形成された記録マーク長が１Ｔの差で高精度に設定できるようになる。
【００８９】
ところで、より具体的な設定範囲等について説明する。本実施の形態で対象としているAgInSbTe系の相変化型光ディスク１で用いられる消去パワーＰeは、一般に、0.4×Ｐh〜0.7×Ｐh程度であり、これらの範囲より低いパワーになるとオーバーライトに必要な消去パワーが得られず消去残りが生じて再生時のＲＦ信号のジッタが悪化し、逆にこれらの範囲より高いパワーになると記録膜の劣化が生じて許容されるオーバーライト回数が低下してしまう。従って、設定可能な消去パワーＰe2，Ｐe3自体の範囲からは、比ε2，ε3の差のみによって形成されるマークデータ長の差を１Ｔとすることは困難であり、現実的には、約0.3Ｔ〜0.7Ｔ程度の差が得られるように設定することが可能である。実際的には、図１（ｂ）、図４等に示すように、約0.5Ｔ程度のマークデータ長の差が得られる設定がより好ましい。よって、これらの相変化型光ディスク１の特性と、上記の如く考慮した消去パワーの比ε2，ε3はε1＋0.05＜ε2＜ε1＋0.20、かつ、ε1−0.15＜ε3＜ε1−0.05の範囲に設定することによって、適正な消去パワーを用いながら加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長に対応するマーク長の差を大きく形成する（１Ｔに近づける）ことが可能となる。即ち、本実施の形態の場合では、ε1＝0.55、ε2＝0.65、ε3＝0.45とすることで、消去パワーのレベル差のみによっては、略0.5Tのマークデータ長の差を得ている。
【００９０】
また、AgInSbTe系の相変化型光ディスク１で用いられる最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcendは0.5Ｔから1.5Ｔ程度であり、これらの範囲より短いパルス幅になると十分な冷却時間が得られず記録マークの後エッジが形成できず再生時のＲＦ信号のジッタが悪化し、逆にこれらの範囲より長いパルス幅になると記録膜の到達温度が低下して急冷条件が十分得られなくなり再生時のＲＦ信号のジッタが悪化してしまう。従って、消去パワーの設定と同様に、設定可能な最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3自体の範囲からは、Ｔcend2，Ｔcend3の差のみによって形成されるマークデータ長の差を１Ｔとすることは困難であり、現実的には、約0.25Ｔから0.75Ｔ程度の差を得られるように設定することが可能である。実際的には、図１（ｂ）、図４等に示すように、約0.5Ｔ程度のマーク長の差を得られる設定がより好ましい。よって、これらの相変化型光ディスク１の特性と、上記の如く考慮した最後尾の冷却パルスのパルス幅の差（Ｔcend3−Ｔcend2）を0.25Ｔ以上0.75Ｔ以下の範囲に設定することによって、適正な最後尾の冷却パルスのパルス幅を用いながら加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長に対応するマーク長の差を大きく形成する（１Ｔに近づける）ことが可能となる。即ち、本実施の形態の場合では、Ｔcend2＝0.75Ｔ、Ｔcend3＝1.25Ｔとすることで、最後尾の冷却パルスのパルス幅の差のみによっては、略0.5Ｔのマーク長の差を得ている。
【００９１】
本発明の第二の実施の形態を図面を参照して説明する。一般に、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷなどの相変化メディアは情報記録再生装置の能力に応じて所定の記録線速度で記録できるように設計されている。例えば、ＣＤ−ＲＷの場合4.8m/s（４倍速）から12m/s（１０倍速）であり、ＤＶＤ−ＲＷの場合3.5m/s（１倍速）から8.4m/s（２．４倍速）である如きである。本実施の形態では、ＣＤ−ＲＷの１６倍速から３２倍速や、ＤＶＤ−ＲＷの４倍速から８倍速などの高速記録となった場合について説明する。
【００９２】
図２（ａ）（ｂ）に示すように、記録波形の立上り、立下り時間は、用いられる半導体レーザＬＤ４の応答速度であり、接続されるＬＤドライバ部２の動作速度や実装されるフレキシブル基板の配線長によって一般的に2nsec程度が限界となる。高速記録での記録チャネルクロック周波数が100MHzを超えてくると、加熱パルス幅Ｔhや冷却パルスのパルス幅Ｔcmpは5nsec程度となって立上り、立下り時間の比率が大きくなり十分な加熱と冷却が不可能となる。
【００９３】
従って、本実施の形態の記録方法を用いるには情報記録再生装置の固有の能力に応じて、前述の加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長に対して、記録マーク用消去パルスの消去パワーＰe2，Ｐe3を変化させたり、最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3を変化させることで、実際に形成されるマークデータ長の差が丁度１Ｔとなるように高精度に設定する必要がある。
【００９４】
このような設定は、相変化型光ディスク１の基板表面に形成された案内溝に付加された蛇行形状から得られるウォブル信号をトラッキングエラー信号を得るためのプッシュプル信号から分離して検出し、周波数変調（ＣＤ−ＲＷの場合）若しくは位相変調（ＤＶＤ＋ＲＷの場合）などで付与されるメディア固有の情報を復調して検出することが可能になっている。即ち、ＣＤやＤＶＤなどのディスクでは、一般に、トラッキングエラー信号（プッシュプル信号）を得るためのグルーブ溝が形成されており、グルーブ溝を蛇行して得られるウォブル信号を重畳しており、各々の記録線速度において、プログラマブルＢＰＦによって検出し、周波数変調や位相変調によって符号化された情報を復調することで、未記録ディスクであってもディスク固有の設定情報を得ることが可能となっている。これらの情報は、ランド部の切り込み状態の断続ピットによって生成する場合も知られている（ＤＶＤ−ＲＷの場合）。
【００９５】
よって、これらの記録条件（各々の記録速度に対応した最適な記録マーク用消去パルスの消去パワーの比ε2，ε3及び最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3）の設定情報を、ウォブル信号から復調されたメディア固有の情報としてのプリフォーマット部に予め埋め込んでおくことで、当該情報記録再生装置は対象となる相変化型光ディスク１から各々の記録速度に対応した最適な記録マーク用消去パルスの消去パワーの比ε2，ε3及び最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3をウォブル信号から得ることができる。
【００９６】
なお、このような相変化型光ディスク１から得られる設定情報を利用する他に、情報記録再生装置自身のファームウェアを格納しているメモリ部（記録条件保存部）に、対象となる相変化型光ディスクのＩＤとそのメディア固有の上記のような記録条件を含む設定情報を予め格納しておき、認識されたメディアＩＤから対応する記録条件を含む設定情報を選択して設定することも可能である。
【００９７】
このようにメディア（相変化型光ディスク１）に埋め込まれた情報を用いないで情報記録再生装置で最適化された記録条件の設定情報を用いることで、情報記録再生装置固有のＬＤ波長やＮＡによる光スポット径や発光波形のずれが補正され、さらに高精度な記録を行うことが可能となる。
【００９８】
この際、設定情報をメモリ部（記録条件保存部）に更新自在に保存するようにすれば、消去パワーの比ε2，ε3と、最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3とに関する設定情報をアップデートで更新させることも可能となり、最新の情報に対処することができる。特に、後述するようにパソコン等の情報処理装置に内蔵させた場合には、インターネットを利用したダウンロードによりアップデートすることも可能となる。
【００９９】
本発明の第三の実施の形態を図面を参照して説明する。一般に、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク１は、適応する記録速度と各々の記録速度に対応した最適な記録波形が決まっている。例えば、１倍速（3.5m/s）から２．５倍速（8.5m/s）まで適応するように設計されたＤＶＤ−ＲＷでは、図４に示すように、マルチパルス列のうち先頭加熱パルスに後続する連続した加熱パルスＨmpのパルス幅Ｔhmpは、0.3Ｔから0.55Ｔ程度まで増加するように設定される。このように設計された相変化型光ディスク１は規定の最大記録速度以上では、加熱パルスＨmpのパルス幅Ｔhmpが0.55Ｔを超えて大きくなるため、十分な冷却時間（急冷）を確保することができなくなり、再生時のジッタ特性が悪化するため記録不可能となってしまう。
【０１００】
従って、規定された記録線速度範囲では従来例で示したように記録チャネルクロック周期と同一の周期で加熱パルスと冷却パルスとを構成するマルチパルス列を生成するが、規定された記録線速度範囲を超えて、３倍速や４倍速などの高速記録となる記録領域では、前述の実施の形態に示したようなマルチパルス列の構成を用いて記録する。即ち、マルチパルス列を構成する加熱パルスと冷却パルスとの個数の増加のさせ方を変更させるとともに、前述の記録マーク用消去パルスの消去パワーの比ε２，ε３及び最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔecp2，Ｔecp3を新たに設定することで、相変化型光ディスク１毎に規定された記録速度を超えても低ジッタで良好な再生特性を示す記録が可能となる。
【０１０１】
図５はこのような切換え処理を含む記録動作の概略処理制御例を示すフローチャートである。対象となる相変化型光ディスク１をセットした後、その相変化型光ディスク１のプリフォーマット情報又は当該情報記録再生装置の記録条件保存部に保存されている記録条件に関する設定情報を読み出した後（ステップＳ１）、記録速度の設定を受け（Ｓ２）、その記録速度に適応する設定情報に基づきマルチパルス列の各パルス幅、各パワー等を算出する（Ｓ３）。この算出結果について、加熱マルチパルスのパルス幅Ｔhmpが0.55Ｔ未満であるか否かをチェックする（Ｓ４）。0.55Ｔ未満であれば（Ｓ４のＹ）、従来の記録可能な記録速度領域内での記録動作であるので、従来のマルチパルス列を選択して（Ｓ５）、記録動作を実行させる（Ｓ６）。一方、パルス幅Ｔhmpが0.55Ｔ未満でなければ（Ｓ４のＮ）、従来の記録可能な記録速度を超える高速記録動作であるので、本実施の形態のようなマルチパルス列を選択して（Ｓ７）、各パルス幅Ｔhtop，Ｔhmp，Ｔcend2，Ｔcend3，Ｔe2や各パワーＰh，Ｐc，Ｐe2，Ｐe3の値を再設定した後（Ｓ８）、記録動作を実行させる（Ｓ６）。
【０１０２】
なお、ここで示した相変化型光ディスク１の例は、記録速度を比較するためであって、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷをはじめとする所定の記録速度範囲に対応した相変化型光ディスクの何れにも対応することができる。
【０１０３】
本発明の第四の実施の形態を図６に基づいて説明する。本実施の形態は、前述した実施の形態のような情報記録方法を実現するための情報記録装置の構成例に関する。
【０１０４】
まず、相変化型光ディスク１に対して、この相変化型光ディスク１を回転駆動させるスピンドルモータ５を含む回転制御機構９が設けられているとともに、相変化型光ディスク１に対してレーザ光を集光照射させる対物レンズや半導体レーザLD４等の光源を備えた光ヘッド３がディスク半径方向にシーク移動自在に設けられている。光ヘッド３の対物レンズ駆動装置や出力系に対してはアクチュエータ制御機構１０が接続されている。このアクチュエータ制御機構１０にはプログラマブルＢＰＦ１１を含むウォブル検出部１２が接続されている。ウォブル検出部１２には検出されたウォブル信号からアドレスを復調するアドレス復調回路１３が接続されている。このアドレス復調回路１３にはＰＬＬシンセサイザ回路１４を含む記録クロック生成部１５が接続されている。ＰＬＬシンセサイザ回路１４にはドライブコントローラ１６が接続されている。
【０１０５】
システムコントローラ１７に接続されたこのドライブコントローラ１６には、回転制御機構９、アクチュエータ制御機構１０、ウォブル検出部１２及びアドレス復調回路１３も接続されている。
【０１０６】
また、システムコントローラ１７には、ＥＦＭエンコーダ１８、マーク長カウンタ１９、パルス数制御部２０が接続されている。これらのＥＦＭエンコーダ１８、マーク長カウンタ１９、パルス数制御部２０には、記録パルス列制御部８が接続されている。この記録パルス列制御部８は、先頭加熱部と後続加熱部とを含む加熱パルス制御信号（従って、冷却パルス部分も含まれる）を生成する加熱パルス生成部（記録パルス生成部）２１と、第１の消去パルス制御信号を生成する第１の消去パルス生成部２２と、記録マーク用消去パルスのための第２又は第３の消去パルス制御信号を生成する第２，第３の消去パルス生成部（記録マーク用消去パルス生成部）２３と、セレクタであるエッジセレクタ２４と、パルスエッジ生成部２５とが含まれている。
【０１０７】
この記録パルス列制御部８の出力側には、加熱パワーＰh、冷却パワーＰc、第１の消去パワーＰe1、第２の消去パワーＰe2、第３の消去パワーＰe3の各々の駆動電流源６をスイッチングすることで光ヘッド３中の半導体レーザＬＤ４を駆動させるＬＤドライバ部２が接続されている。即ち、駆動電流源６中のＰh，Ｐcが加熱パワー駆動部及び冷却パワー駆動部、Ｐe1が第１の消去パワー駆動部、Ｐe2，Ｐe3が記録マーク用消去パワー駆動部として機能する。
【０１０８】
このような構成において、相変化型光ディスク１に記録するためには、目的の記録速度に対応する記録線速度となるようにスピンドルモータ５の回転数を回転制御機構９により制御した後に、光ヘッド３から得られるプッシュプル信号からプログラマブルＢＰＦ１１によって分離検出されたウォブル信号からアドレス復調するとともに、ＰＬＬシンセサイザ回路１４によって記録チャネルクロックを生成する。次に、半導体レーザＬＤ４による記録パルス列を発生させるため、記録パルス列制御部８には記録チャンネルクロックと記録情報であるＥＦＭデータが入力され、記録パルス列制御部８中の加熱パルス生成部２１により先頭加熱パルスと後続する加熱マルチパルスを含む加熱パルス制御信号を生成する。そして、消去部分である消去パルス制御信号も第１の消去パルス生成部２２により生成し、ＬＤドライバ部２で前述のＰh，Ｐe（Ｐe1），Ｐcなる各々の発光パワーとなるように設定された駆動電流源６をスイッチングすることで、記録パルス列のＬＤ発光波形を得ることができる。
【０１０９】
本実施の形態では、加熱パルス生成部２１に、記録チャネルクロック周期の１／２０の分解能を有する多段のパルスエッジ生成部２５を配置しており、エッジセレクタ（マルチプレクサ）２４に入力された後、システムコントローラ１７によって選択されたエッジパルスによって先頭加熱パルス制御信号及び加熱マルチパルス制御信号を生成する。パルスエッジ生成部２５用の多段遅延回路は、高分解能のゲート遅延素子やリングオシレータとＰＬＬ回路によって構成することができる。
【０１１０】
このように生成された加熱パルスによって記録チャネルクロックに同期したマルチパルス列が生成され、同時に、冷却パルスのパルス幅も加熱マルチパルス幅のデューティによって決定される。
【０１１１】
同様に、最後尾の冷却パルスも加熱パルス生成部２１中に個別に配置された最後尾の冷却パルス生成部若しくは冷却パルス生成部の多段遅延回路で生成されるエッジパルスがエッジセレクタ２４に入力され、システムコントローラ１７によって選択されたエッジパルスによって最後尾の冷却パルスの後エッジが決定される。
【０１１２】
また、消去パルス生成部２２，２３においても、別の多段遅延回路で生成された第２の前後エッジパルスを選択することで所定のパルス幅Ｔe2となるように記録マーク用消去パルスとしての第２又は第３の消去パルスを、最後尾の冷却パルスの直後に生成する。
【０１１３】
これらのパルス群によって全体の記録マルチパルス列が構成される。
【０１１４】
ここに、本実施の形態のような構成の記録パルス列制御部８では、ＥＦＭエンコーダ１８から得られるＥＦＭ信号のマーク長を計数するためのマーク長カウンタ１９が配置されており、そのマークカウント値が２Ｔ増加する毎に１組の加熱マルチパルスと冷却マルチパルスとが生成されるようにパルス数制御部２０を介してマルチパルスを生成するようにしている。この動作は、先頭加熱パルスの後エッジをエッジセレクタ２４で選択した後、次の記録チャネルクロック周期から生成されるエッジパルスで後続のマルチパルスの前エッジを選択し、その次の記録チャネルクロック周期から生成されるパルスエッジでそのマルチパルスの後エッジを選択することで可能となる。
【０１１５】
別のマルチパルス生成部の構成としては、記録チャネルクロックを２分周した記録分周クロックを生成し、これを多段遅延回路を用いてエッジパルスを生成し、エッジセレクタで前後のエッジを選択することで記録チャネツクロックが２Ｔ増加する毎に１組の加熱マルチパルス及び冷却マルチパルスを生成することもできる。この構成の場合、マルチパルス生成部の実質的な動作周波数は１／２となり、さらに高速記録動作が可能となる。
【０１１６】
ところで、一般的なＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのような相変化型光ディスク１は、所定の記録速度に対して、マークデータ長が１Ｔ増加する度に、加熱パルスと冷却パルスとの増加数を１組ずつ増加させるようにパルスを生成する記録パルス列制御部を有する。その所定の記録速度範囲の中で選択された記録速度に応じて、先頭加熱パルス幅Ｔhtopや後続する加熱マルチパルス幅Ｔhmpや最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend、及び、各々の発光パワーを最適値に設定するようにしている。
【０１１７】
これは、従来の記録方式であり情報記録再生装置としては当然の如く有している構成である。本実施の形態では、さらに所定の記録速度範囲を超える高速な記録速度を選択した場合に、マークデータ長が２Ｔ増加する度に、加熱パルスと冷却パルスとの増加数を１組ずつ増加させるようにパルスを生成する記録パルス列制御部８を切換えることで、広範囲な記録速度に対応した情報記録再生装置を得ることが可能となる。例えば、１倍速から３倍速程度の記録速度に対応したＤＶＤ−ＲＷメディアを、４倍速から１０倍速程度の高速記録することができるようになる。また、高速記録における本実施の形態の記録方法に適合したＤＶＤ−ＲＷメディアにチューニングすることで、さらに良好な記録を実現することも可能である。
【０１１８】
また、一般的な情報記録再生装置は光源に半導体レーザＬＤ４を用いており、安価な駆動回路では前述したように発光波形の立上り／立下り時間は約２nsec程度を得るのが限界である。特に、記録材料としてAgInSbTeが用いられる相変化型メディアの場合は、十分な加熱時間と冷却時間として各々の発光パワーの制定時間も約２nsec以上は確保する必要がある。よって、記録チャネルクロック周波数は１００MHz程度が限界となり、ＤＶＤ−ＲＷでは４倍速程度（２６．１６MHｚ×４）である。しかしながら、本実施の形態の情報記録再生装置では、実質的な発光波形の周波数を１／２に低下できるようになり、ＤＶＤ−ＲＷでは４倍速以上８倍速程度まで、光源駆動部としてのＬＤドライバ部２を高速化することなく安価な構成で高速記録を実現することが可能となる。
【０１１９】
なお、先頭加熱パルス幅や最後尾の冷却パルスのパルス幅などの設定値は代表的な値を示しており、実際には記録材料やメディア相構成などによって最適化された値を適応すればよい。また、記録変調方式の違いや記録密度とメディア上のレーザ光による光スポットの径に応じて記録波形の累積長と形成マークの長さが異なるため、例示したマーク長と記録波形の対応は前後にずれてもよい。
【０１２０】
また、これらの実施の形態では、記録マークデータを生成する記録変調方式がＥＦＭ系の場合への適用例として説明したが、１−７変調方式等にも適用可能である。
【０１２１】
本発明の第五の実施の形態を図７に基づいて説明する。本実施の形態は、情報処理装置としてパーソナルコンピュータ３１に適用したものであり、３．５型ＦＤドライブ装置３２の他に、前述したような構成の情報記録装置３３をＤＶＤ−ＲＷドライブとして内蔵した構成とされている。
【０１２２】
このようなパーソナルコンピュータ３１によれば、上述したような情報記録装置３３を一体に内蔵しているので、簡単なパルス制御により、十分な加熱時間及び冷却時間を確保でき、かつ、光源駆動部を高速化することなく所定の記録マーク長を得ることができ、従来の相変化型光ディスクの記録速度範囲を超える高速記録を行うことができるので、情報の外部記憶装置として有効に活用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は従来のマルチパルス列及び形成される記録マーク例を示す説明図、（ｂ）は本発明の実施の形態のマルチパルス列及び形成される記録マーク例を示す説明図である。
【図２】高速記録化に伴なう半導体レーザ駆動回路の立上り時間、立下り時間と記録チャンネルクロックとの関係を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態の記録方法の原理を示す説明図である。
【図４】加熱マルチパルス幅とジッタとの関係を示す特性図である。
【図５】切換え処理を伴なう記録動作の処理制御例を示す概略フローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態の情報記録再生装置の構成例を示すブロック図である。
【図７】本発明の第五の実施の形態の情報処理装置の一例を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１ 情報記録媒体
４ 光源
６ 駆動電流源
Ｐh，Ｐc 加熱パワー駆動部及び冷却パワー駆動部
Ｐe1 第１の消去パワー駆動部
Ｐe2，Ｐe3 記録マーク用消去パワー駆動部
１９ マーク長カウント部
２０ パルス数制御部
２１ 記録パルス生成部
２３ 記録マーク用消去パルス生成部
２４ セレクタ
２５ パルスエッジ生成部

Claims (16)

1. 結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する情報記録媒体上に光源からの光により情報を記録する際に、前記光源をマークデータに対応した加熱パルスとこの加熱パルスと同数の冷却パルスとからなるマルチパルス列の発光波形となるように発光させて記録マークを形成する情報記録方法において、
   記録チャンネルクロックの周波数が100MHzを超える記録速度では前記記録チャンネルクロック周期をＴとしたときのマークデータ長が２Ｔ増加する度に加熱パルスと冷却パルスとの個数を各々１個増加させ、
   最後尾の冷却パルスの後のスペースデータに対応した第１の消去パワーからなる消去領域先頭部分に前記第１の消去パワーのレベルを増減変更させた記録マーク用消去パルスを付加し、
   加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長間で一方の記録マーク用消去パルスのレベルを第１の消去パワーより増加変更させた第２の消去パワーとし、他方の記録マーク用消去パルスのレベルを第１の消去パワーより減少変更させた第３の消去パワーとしたことを特徴とする情報記録方法。
2. 記録マークデータを生成する記録変調方式がＥＦＭ系であり、
   加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長のうちで、短い方のマークデータ長の記録マーク用消去パルスを第２の消去パワーで発光させ、かつ、長い方のマークデータ長の記録マーク用消去パルスを第３の消去パワーで発光させるようにしたことを特徴とする請求項１記載の情報記録方法。
3. 加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長のうちで、記録マーク用消去パルスを第２の消去パワーで発光させるマークデータ長に対する最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2を、記録マーク用消去パルスを第３の消去パワーで発光させるマークデータ長に対する最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend3よりも短く設定したことを特徴とする請求項１又は２記載の情報記録方法。
4. 加熱パルスの加熱パワーＰhに対する第１の消去パワーＰe1の比をε1（＝Ｐe1／Ｐh）とし、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長の各々に応じた加熱パワーＰhに対する第２の消去パワーＰe2の比をε2、加熱パワーＰhに対する第３の消去パワーＰe3の比をε3としたときに、ε2はε1＋0.05＜ε2＜ε1＋0.20の範囲に、かつ、ε3はε1−0.20＜ε3＜ε1−0.05の範囲に設定するようにしたことを特徴とする請求項２又は３記載の情報記録方法。
5. 最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3間の差（Ｔcend3−Ｔcend2）を0.3Ｔ以上0.7Ｔ以下の範囲に設定するようにしたことを特徴とする請求項３又は４記載の情報記録方法。
6. 前記情報記録媒体のプリフォーマット部にプリフォーマットされた最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3、加熱パワーＰhに対する第２の消去パワーＰe2の比ε2、及び、加熱パワーＰhに対する第３の消去パワーＰe3の比ε3に関する設定情報に基づいて、最後尾の冷却パルスのパルス幅及び記録マーク用消去パルスの発光レベルを設定するようにしたことを特徴とする請求項４又は５記載の情報記録方法。
7. 情報記録装置の記録条件保存部に予め保存された最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3、加熱パワーＰhに対する第２の消去パワーＰe2の比ε2、及び、加熱パワーＰhに対する第３の消去パワーＰe3の比ε3に関する設定情報に基づいて、最後尾の冷却パルスのパルス幅及び記録マーク用消去パルスの発光レベルを設定するようにしたことを特徴とする請求項３、４又は５記載の情報記録方法。
8. 結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する情報記録媒体上に光源からの光により情報を記録する際に、前記光源をマークデータに対応した加熱パルスとこの加熱パルスと同数の冷却パルスとからなるマルチパルス列の発光波形となるように発光させて記録マークを形成する情報記録装置において、
   記録チャンネルクロック周期をＴとしたときのマークデータ長を計数するマーク長カウント部と、
   記録チャンネルクロックの周波数が100MHzを超える記録速度では前記マーク長カウント部によるカウント値が２Ｔ増加する度に前記光源に対する駆動電流源を制御して加熱パワーと冷却パワーとをパルス駆動させるための加熱パルスと冷却パルスとによる制御パルスを各々１個増加させるパルス数制御部と、
   各々の制御パルスを生成する記録パルス生成部と、
   各々の制御パルスのタイミングで所定の加熱パワーと冷却パワーとなるように前記光源を駆動する加熱パワー駆動部及び冷却パワー駆動部と、
   消去領域に対応する第１の消去パルス領域で所定の第１の消去パワーとなるように前記光源を駆動する第１の消去パワー駆動部と、
   最後尾の冷却パルスの後の消去領域先頭部分に第１の消去パルスに代えて記録マーク長を規定する記録マーク用消去パルスを生成する記録マーク用消去パルス生成部と、
   記録マーク用消去パルス領域で所定の消去パワーとなるように前記光源を駆動する記録マーク用消去パワー駆動部と、を備え、
   前記記録マーク用消去パワー駆動部は、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長間で一方の記録マーク用消去パルスのレベルを第１の消去パワーより増加変更させた第２の消去パワーとし、他方の記録マーク用消去パルスのレベルを第１の消去パワーより減少変更させた第３の消去パワーとして前記光源を駆動するようにしたことを特徴とする情報記録装置。
9. 記録マークデータを生成する記録変調方式がＥＦＭ系であり、
   前記記録マーク用消去パワー駆動部は、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長のうちで、短い方のマークデータ長の記録マーク用消去パルスを第２の消去パワーで発光させ、かつ、長い方のマークデータ長の記録マーク用消去パルスを第３の消去パワーで発光させるようにしたことを特徴とする請求項８記載の情報記録装置。
10. 前記記録パルス生成部は、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長のうちで、記録マーク用消去パルスを第２の消去パワーで発光させるマークデータ長に対する最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2を、記録マーク用消去パルスを第３の消去パワーで発光させるマークデータ長に対する最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend3よりも短く設定するようにしたことを特徴とする請求項８又は９記載の情報記録装置。
11. 前記記録マーク用消去パルス生成部は、加熱パルスの加熱パワーＰhに対する第１の消去パワーＰe1の比をε1（＝Ｐe1／Ｐh）とし、加熱パルスと冷却パルスとの個数が同数となる２つのマークデータ長の各々に応じた加熱パワーＰhに対する第２の消去パワーＰe2の比をε2、加熱パワーＰhに対する第３の消去パワーＰe3の比をε3としたときに、ε2はε1＋0.05＜ε2＜ε1＋0.20の範囲に、かつ、ε3はε1−0.20＜ε3＜ε1−0.05の範囲に設定するようにしたことを特徴とする請求項８、９又は１０記載の情報記録装置。
12. 前記記録パルス生成部は、最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3間の差（Ｔcend3−Ｔcend2）を0.3Ｔ以上0.7Ｔ以下の範囲に設定するようにしたことを特徴とする請求項１０又は１１記載の情報記録装置。
13. 前記記録パルス生成部及び前記記録マーク用消去パルス生成部は、前記情報記録媒体のプリフォーマット部にプリフォーマットされた最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3、加熱パワーＰhに対する第２の消去パワーＰe2の比ε2、及び、加熱パワーＰhに対する第３の消去パワーＰe3の比ε3に関する設定情報に基づいて、最後尾の冷却パルスのパルス幅及び記録マーク用消去パルスの発光レベルを設定するようにしたことを特徴とする請求項１１又は１２記載の情報記録装置。
14. 最後尾の冷却パルスのパルス幅Ｔcend2，Ｔcend3、加熱パワーＰhに対する第２の消去パワーＰe2の比ε2、及び、加熱パワーＰhに対する第３の消去パワーＰe3の比ε3に関する設定情報を保存する記録条件保存部を備え、
    前記記録パルス生成部及び前記記録マーク用消去パルス生成部は、前記記録条件保存部に保存されている前記設定情報に基づいて、最後尾の冷却パルスのパルス幅及び記録マーク用消去パルスの発光レベルを設定するようにした請求項１１又は１２記載の情報記録装置。
15. 前記記録条件保存部は、前記設定情報を更新自在に保存するようにしたことを特徴とする請求項１４記載の情報記録装置。
16. 記録チャンネルクロック周期Ｔよりも細かい分解能を有してエッジ信号を出力する多数段のパルスエッジ生成部と、
    このパルスエッジ生成部から出力される多数段のエッジ信号の中からコントローラにより選択されたエッジ信号を選択出力するセレクタと、を備え、
    前記記録パルス生成部及び前記記録マーク用消去パルス生成部はこれらのパルスエッジ生成部及びセレクタにより選択されるエッジ信号に基づき最後尾の冷却パルスを含む制御パルス及び記録マーク用消去パルスを生成するようにしたことを特徴とする請求項８ないし１５の何れか一項に記載の情報記録装置。

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