JP4472313B2 - 薄膜トランジスタの作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、可燃性ガスを使用して不純物濃度が低減されたチャンバーで、ゲッタリングシンクとなる半導体膜を作製する一例を、図1を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1と異なる方法でゲッタリングシンクとなる半導体膜を作製する一例を、図2を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明のゲッタリングシンクを用いゲッタリングを行って形成されたTFTを有するアクティブマトリクス基板の作製方法について説明する。なお、アクティブマトリクス基板上には複数のTFTが形成されているが、nチャネル型TFT及びpチャネル型TFTを有する駆動回路部と、nチャネル型TFTを有する画素部とを形成する場合について説明する。
本実施の形態では、実施の形態3と異なり、比較的高温に耐えられる石英基板上に形成されるアクティブマトリクス基板の作製方法を説明する。なお、実施の形態3と同様に、nチャネル型TFT及びpチャネル型TFTを有する駆動回路部とnチャネル型TFTを有する画素部を形成する場合について説明する。なお、半導体膜や各電極は実施の形態1で説明した材料や方法にから選択して形成すればよい。
本実施の形態では、実施の形態3又は4に示すように形成されたアクティブマトリクス基板に発光素子を設けてEL表示装置(EL表示モジュール)を形成する例を、図6を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態3又は4に示すように形成されたアクティブマトリクス基板に液晶素子を設けて液晶表示装置(液晶表示モジュール)を形成する例を、図7を用いて説明する。
本実施例では、ゲッタリングシンクに残渣が生じない場合と、生じた場合とにおいて、ゲッタリングシンクの不純物濃度を測定した結果を説明する。
Claims (8)
- 第1の非晶質珪素膜を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を有する物質を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜を加熱して結晶化させることにより、第1の結晶性珪素膜を形成し、
成膜室内で前記第1の結晶性珪素膜上に第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第1の結晶性珪素膜及び前記第2の非晶質半導体膜を加熱した後、
前記第2の非晶質半導体膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記成膜室内にTiを含むフィラメントを有し、
前記第2の非晶質半導体膜は、前記フィラメントを過熱した後、前記フィラメントの加熱を停止させた状態でスパッタリング法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の非晶質珪素膜を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を有する物質を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜を加熱して結晶化させることにより、第1の結晶性珪素膜を形成し、
成膜室内で前記第1の結晶性珪素膜上に第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第1の結晶性珪素膜及び前記第2の非晶質半導体膜を加熱した後、
前記第2の非晶質半導体膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記成膜室にTiを含む一対の電極を有し、
前記第2の非晶質半導体膜は、前記一対の電極間に電圧を印加することによりプラズマを生じさせた後、前記一対の電極への電圧の印加を停止させた状態でスパッタリング法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の非晶質珪素膜を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を有する物質を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜を加熱して結晶化させることにより、第1の結晶性珪素膜を形成し、
前記第1の結晶性珪素膜上にバリア膜を形成し、
成膜室内で前記第バリア膜上に第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第1の結晶性珪素膜及び前記第2の非晶質半導体膜を加熱した後、
前記第2の非晶質半導体膜及び前記バリア膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記成膜室内にTiを含むフィラメントを有し、
前記第2の非晶質半導体膜は、前記フィラメントを過熱した後、前記フィラメントの加熱を停止させた状態でスパッタリング法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 第1の非晶質珪素膜を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜上に珪素の結晶化を助長する金属元素を有する物質を形成し、
前記第1の非晶質珪素膜を加熱して結晶化させることにより、第1の結晶性珪素膜を形成し、
前記第1の結晶性珪素膜上にバリア膜を形成し、
成膜室内で前記第バリア膜上に第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第1の結晶性珪素膜及び前記第2の非晶質半導体膜を加熱した後、
前記第2の非晶質半導体膜及び前記バリア膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記第2の非晶質半導体膜を除去する薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記成膜室にTiを含む一対の電極を有し、
前記第2の非晶質半導体膜は、前記一対の電極間に電圧を印加することによりプラズマを生じさせた後、前記一対の電極への電圧の印加を停止させた状態でスパッタリング法により形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記第2の非晶質半導体膜は、窒素濃度が1×10 18 atoms/cm 3 以下、酸素濃度が8×10 19 atoms/cm 3 以下、且つ希ガス元素の濃度が1×10 20 toms/cm 3 以上であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、ウェットエッチング法により前記第2の非晶質半導体膜を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、前記希ガス元素はヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンから選ばれた一種又は複数種を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、前記金属元素は鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅及び金のいずれか一種又は複数種であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
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