JP4471001B2 - 半導体センサ及び半導体センサの製造方法 - Google Patents
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Description
このような特徴を有する半導体センサでは、最下層の圧電薄膜と当該最下層の圧電薄膜の直下の薄膜との界面に前記金属薄膜を形成することにより、最上層の圧電薄膜の表面に凸凹部を発生させることができる。すなわち、この最上層の圧電薄膜の表面に形成する分子吸着用の感応膜の表面積(分子吸着面積)を大きくすることができ、高感度の半導体センサとすることができる。また、このような金属薄膜の形成プロセスは、従来から使用されている半導体製造プロセスを利用することができるため、従来技術(特許文献1)のような感応膜の表面積を大きくするための特殊な工程を必要とせず、製造コストを抑えることができる。従って、本発明によると、安価且つ高感度の半導体センサを提供することができる。
このような金属薄膜を用いることにより、最上層の圧電薄膜の表面における凸凹部の生成を促進させることができる。 さらに、このような金属薄膜としては、Pt、Au、Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Co、Zn、Zrの内のいずれかを用いることが好ましい。
このようなインバータ型の発振回路の発振周波数は表面弾性波素子の周波数特性に依存して決まる。表面弾性波素子には分子吸着用の感応膜が設けられているため、この感応膜の分子吸着量に応じて表面弾性波素子の周波数特性は変化し、その結果、発振回路の発振周波数も変化する。このような分子吸着量に応じた発振周波数の変化を外部の周波数カウンタなどによって計測することにより、空気中に含まれる化学物質を高感度に検出することができる。
このようにインバータ回路としてCMOS回路を用いることにより、半導体センサの低消費電力化及び高レスポンス化を図ることができる。
このように、リファレンス素子として感応膜を形成しない表面弾性波素子を備える発振回路の発振周波数をリファレンス周波数とし、他の発振回路の発振周波数と比較することで、分子吸着により変動する周波数の検知を行いやすくなり、より高感度な半導体センサとすることができる。
このような特徴を有する半導体センサの製造方法によると、最上層の圧電薄膜の表面に形成する分子吸着用の感応膜の表面積(分子吸着面積)を大きくすることができ、高感度の半導体センサを製造することができる。また、このような金属薄膜の形成プロセスは、従来から使用されている半導体製造プロセスを利用することができるため、従来技術(特許文献1)のような感応膜の表面積を大きくするための特殊な工程を必要とせず、製造コストを抑えることができる。従って、本発明によると、安価且つ高感度の半導体センサを製造することができる。
また、このような金属薄膜として、Pt、Au、Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Co、Zn、Zrの内のいずれかを用いることが好ましい。 さらに、前記金属薄膜形成工程では、前記金属薄膜としてPtを用いる場合、当該金属薄膜の膜厚を1000Å以上とすることが好ましい。
このように、Pt膜である金属薄膜の膜厚を1000Å以上とすることで、結晶性の指標であるX線回折パターンの半値全幅2°以下を得ることができる。
このような成膜条件とすることで、金属薄膜上に形成された最下層の圧電薄膜はウルツ鉱構造のc軸方向に揃った柱状結晶として配向成長し、その結晶粒径に応じた凸凹部をその圧電薄膜の最表面に発生させることができる。また、この最下層の圧電薄膜上に形成された圧電薄膜は、最下層の圧電薄膜の表面モフォロジを引き継いで成長するため、結晶粒径はさらに大きく成長し、最上層の圧電薄膜の表面に発生する凸凹部をさらに大きくすることができる(感応膜の表面積を大きくすることができる)。
このようなインバータ型の発振回路の発振周波数は表面弾性波素子の周波数特性に依存して決まる。表面弾性波素子には分子吸着用の感応膜が設けられているため、この感応膜の分子吸着量に応じて表面弾性波素子の周波数特性は変化し、その結果、発振回路の発振周波数も変化する。このような分子吸着量に応じた発振周波数の変化を外部の周波数カウンタなどによって計測することにより、空気中に含まれる化学物質を高感度に検出することができる。
このようにインバータ回路としてCMOS回路を用いることにより、低消費電力及び高レスポンスの半導体センサを製造することができる。
このように、リファレンス素子として感応膜を形成しない表面弾性波素子を備える発振回路の発振周波数をリファレンス周波数とし、他の発振回路の発振周波数と比較することで、分子吸着により変動する周波数の検知を行いやすくなり、より高感度な半導体センサを製造することができる。
〔半導体センサ〕
図1(a)は、本実施形態に係る半導体センサSSの断面図である。図1(b)は、図1(a)における半導体センサSSの要部詳細図である。図2(a)は、半導体センサSSの上面図である。図2(b)は、半導体センサSSの等価回路図である。
CMOS出力電極50と第1の電極90aとを電気的に接続するため(つまりCMOS回路30と表面弾性波素子120とを結線するため)のビアホール80aが形成されている。
次に、本実施形態に係る半導体センサSSの製造方法について図3〜図8を参照して説明する。
まず、LOCOS分離法を用いて、半導体基板10上におけるCMOS回路形成領域と表面弾性波素子形成領域とを電気的に分離する。始めに、図3(a)に示すように、半導体基板10(P型Si基板)上に、CVD法を用いてシリコン窒化膜(SiNx)11を堆積させる。そして、図3(b)に示すように、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施すことにより、CMOS回路形成領域のシリコン窒化膜11を残し、表面弾性波素子形成領域のシリコン窒化膜11を除去(エッチング)する。そして、図3(c)に示すように、シリコン窒化膜11を除去した領域に高温酸化処理を施すことにより、シリコン酸化膜(LOCOS膜20)を形成する。そして、図3(d)に示すように、LOCOS膜20の形成後、CMOS回路形成領域に残ったシリコン窒化膜を熱リン酸で除去する。
以上のような工程により、半導体基板10上におけるCMOS回路形成領域と表面弾性波素子形成領域とが電気的に分離される。
以上のような工程により、半導体基板10上におけるCMOS回路形成領域に、CMOS回路30(P−MOSトランジスタ30a及びN−MOSトランジスタ30b)が形成される。
以上のような製造方法により、本実施形態に係る半導体センサSSを製造することができる。また、上記のような本実施形態に係る製造方法において、金属薄膜70の形成プロセスは、従来から使用されている半導体製造プロセスを利用することができるため、従来技術(特許文献1)のような感応膜110の表面積を大きくするための特殊な工程を必要とせず、製造コストを抑えることができる。
(1)上記実施形態では、CMOS回路30、表面弾性波素子120、帰還抵抗200、入力側コンデンサ210及び出力側コンデンサ220からなる発振回路を1組だけ備える半導体センサSSを例示して説明したが、複数組の発振回路を備えるような構成としても良い。例えば図9(a)には、発振周波数f1を発生する発振回路(簡略化のためCMOS回路30−1、表面弾性波素子120−1のみを図示)と、発振周波数f2を発生する発振回路(CMOS回路30−2、表面弾性波素子120−2のみを図示)と、発振周波数f3を発生する発振回路(CMOS回路30−3、表面弾性波素子120−3のみを図示)との3組の発振回路を備える半導体センサSS’を示す。これら3組の発振回路の発振周波数f1、f2、f3の変化を計測して平均化することで、より正確に化学物質の検出を行うことができる。
Claims (14)
- 半導体基板上に形成された層間膜と、該層間膜上に形成された第1の圧電薄膜と、該第1の圧電薄膜の前記層間膜とは反対側の面上に形成された第2の圧電薄膜と、
前記第1の圧電薄膜と前記第2の圧電薄膜との界面に形成された表面弾性波励起用の1対の電極と、
前記第1の圧電薄膜と前記層間膜との界面に形成され、前記第1の圧電薄膜の表面における第1の凸凹部の生成と、前記第2の圧電薄膜の表面における第2の凸凹部の生成と、を促進させる金属薄膜と、
前記第2の圧電薄膜上において少なくとも前記第2の凸凹部上に形成された分子吸着用の感応膜とを備え、
前記感応膜は前記表面弾性波励起用の1対の電極と平面視で重複するように形成され、且つ、前記第2の凸凹部の結晶粒径は前記第1の凸凹部の結晶粒径よりも大きいことを特徴とする半導体センサ。 - 前記金属薄膜は、前記第1の圧電薄膜または前記第2の圧電薄膜におけるウルツ鉱構造のc軸方向への結晶成長を促進させる金属であることを特徴とする請求項1記載の半導体センサ。
- 前記金属薄膜は、Pt、Au、Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Co、Zn、Zrの内のいずれかであることを特徴とする請求項2記載の半導体センサ。
- 前記第1の圧電薄膜と前記半導体基板との間にインバータ回路を構成する薄膜が積層されており、前記金属薄膜と前記第1の圧電薄膜と前記第2の圧電薄膜と前記電極と前記感応膜とから構成される表面弾性波素子と前記インバータ回路とが電気的に接続されて成る発振回路を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体センサ。
- 前記インバータ回路は、CMOS回路から構成されることを特徴とする請求項4記載の半導体センサ。
- 前記発振回路を複数備え、当該複数の発振回路の少なくとも1つに含まれる前記表面弾性波素子を、リファレンス用素子とすることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体センサ。
- 半導体基板上に層間膜を形成する層間膜形成工程と、
前記層間膜上に第1の圧電薄膜を形成し、前記第1の圧電薄膜の前記層間膜とは反対側の面上に第2の圧電薄膜を形成する圧電薄膜形成工程と、
前記第1の圧電薄膜と前記第2の圧電薄膜との界面に表面弾性波励起用の1対の電極を形成する電極形成工程と、
前記第1の圧電薄膜と前記層間膜との界面に、前記第1の圧電薄膜の表面における第1の凸凹部の生成と前記第2の圧電薄膜の表面における第2の凸凹部の生成と、を促進させる金属薄膜を形成する金属薄膜形成工程と、
前記第2の圧電薄膜上において少なくとも前記表面弾性波励起用の1対の電極と平面視で重複するように分子吸着用の感応膜を形成する感応膜形成工程と、
を有することを特徴とする半導体センサの製造方法。 - 前記金属薄膜形成工程では、前記金属薄膜として、前記第1の圧電薄膜または前記第2の圧電薄膜におけるウルツ鉱構造のc軸方向への結晶成長を促進させる金属を用いることを特徴とする請求項7記載の半導体センサの製造方法。
- 前記金属薄膜は、Pt、Au、Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Co、Zn、Zrの内のいずれかであることを特徴とする請求項8記載の半導体センサの製造方法。
- 前記金属薄膜形成工程では、前記金属薄膜としてPtを用いる場合、当該金属薄膜の膜厚を1000Å以上とすることを特徴とする請求項9記載の半導体センサの製造方法。
- 前記圧電薄膜形成工程では、前記第1の圧電薄膜としてAlNを用いる場合、Ar及びN2の雰囲気中で純Alターゲットをスパッタリングすることにより前記AlNからなる圧電薄膜を8000〜15000Åの膜厚で形成する反応性スパッタリング法を用いると共に、成膜条件として成膜圧力を0.05〜2.0Pa、半導体基板温度を150〜400°C、Ar/N2流量比を0.0〜1.0の範囲内で調整することを特徴とする請求項7〜10のいずれか一項に記載の半導体センサの製造方法。
- 前記第1の圧電薄膜と前記半導体基板との間にインバータ回路を形成するインバータ形成工程と、
前記金属薄膜と前記第1の圧電薄膜と前記第2の圧電薄膜と前記電極と前記感応膜とから構成される表面弾性波素子と前記インバータ回路とを電気的に接続して発振回路を構成するための配線を形成する配線形成工程と、をさらに有することを特徴とする請求項7〜11のいずれか一項に記載の半導体センサの製造方法。 - 前記インバータ形成工程では、前記インバータ回路としてCMOS回路を形成することを特徴とする請求項12記載の半導体センサの製造方法。
- 前記発振回路を複数形成した場合において、
前記感応膜形成工程では、複数の発振回路の少なくとも1つに含まれる前記表面弾性波素子に対して前記感応膜を形成しないことを特徴とする請求項12または13に記載の半導体センサの製造方法。
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