JP4465676B2 - エッジ検出方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ラインセンサの出力からその光路中に位置付けられた遮蔽物のエッジ位置を、簡易にして精度良く検出することのできるエッジ検出方法に関する。
近時、プリント回路基板の高密度実装化に伴い、その多層化が図られており、またプリント回路基板にスルーホールを形成して複数の層間を電気的に接続することも行われている。このようなスルーホールは、専ら、例えば直径が50〜100μm程度の微小なドリル刃を用い、このドリル刃を高速回転させてプリント回路基板を所定深さの孔を穿いて形成される。この際、所定径のドリル刃を選択して用いることは勿論のこと、このドリル刃を芯ぶれのない状態でドリルのチャックに装着し、更にはドリル刃の先端位置を正確に把握して所定の深さまで孔を穿つことが重要である。しかしながらこの種の微小径のドリル刃の径(ドリル径)を機械的に計測したり、チャックへの装着状態等を機械的に確認することは一般的には非常に困難であり、通常、光学的な計測手段が用いられる(例えば特許文献1,2,3を参照)。
しかしながら特許文献1,2,3に示されるようなドリル刃の光学的な計測手法は、ドリル刃による光の遮光を利用してその遮光幅をラインセンサ等により計測しているだけであり、直径が200μm以下の微小径のドリル刃の径等を正確に計測することが困難であった。即ち、この種の計測には、専ら、その光源としてレーザ光等の単色平行光が用いられる。しかしドリル刃により遮光されるエッジ部において光の回折が生じるので、この回折の影響によりドリル刃の径等を正確に計測することが困難であると言う問題がある。
これに対して本発明者は先にフレネル回折を生じた光の回折パターン(強度分布)をハイパボリックセカンド関数sech(x)を用いて近似した近似式を用いて、そのエッジ位置を簡易にしかも高精度に求める手法を提唱した(例えば特許文献4を参照)。
特開2003−170335号公報 特開平7−306020号公報 特開平7−260425号公報 特願2002−345958号
ところで特許文献1,2,3,4にそれぞれ示される光学的な計測手法においては、専ら、その光源としてレーザ光等の単色平行光を用いている。具体的にはレーザダイオード(LD)から発せられたレーザ光を、投光レンズ(コリメータレンズ)を介して平行光線束に変換してラインセンサの受光面に向けて投射している。そして上記光路中に位置付けられた検出対象物(遮蔽物)の影や、該検出対象物(遮蔽物)のエッジ部分にて生じたフレネル回折の光パターンを前記ラインセンサにて検出するようにしている。
しかしながら単色平行光を投射する光源は、上述した投光レンズ(コリメータレンズ)等の光学素子を必要とするので、その構成が大掛かりとなる上、製作コスト上昇の要因ともなっている。しかも単色平行光の光線束幅を拡げようとした場合、例えば大径の投光レンズ(コリメータレンズ)が必要となり、また一般的にはLDと投光レンズとの光学距離を長く設定することが必要となるので、光源が大型化する等の不具合がある。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、光源の構成の複雑化を招来することなしにラインセンサの出力からその光路中に位置付けられた遮蔽物のエッジ位置を、簡易にして精度良く検出することのできるエッジ検出方法を提供することにある。
上述した目的を達成するべく本発明は、LDから発せられたレーザ光(単色光)を、投光レンズ(コリメータレンズ)を介することなくそのまま投射した場合、上記レーザ光(単色光)の拡がりによってその光路中に位置付けられた検出対象物(遮蔽物)の影が拡大されてラインセンサの受光面に投影されること、またそのエッジ部分においては厳密には光のフレネル回折が生じないが、ラインセンサの受光面に投影される光パターンを実質的にフレネル回折パターンとして捉え得ることに着目している。
そこで本発明に係るエッジ検出方法は、
数の受光セルを一方向に所定のピッチで配列したラインセンサと、このラインセンサの上記複数の受光セルに向けて該ラインセンサの全受光幅に到達する拡がり角を有する単色光を投光する点光源とを備え
記ラインセンサの出力を解析して前記単色光の光路に位置付けられた丸棒状体の影の幅から該丸棒状体の径を求めるに際し、
記丸棒状体の周面にてフレネル回折が生じていると看做すと共に、前記ラインセンサでの受光パターンが前記丸棒状体の周面両側でそれぞれ生じた回折パターンが重なり合っていると看做し、
前記ラインセンサの受光面上において予め設定した相対光強度範囲となる部位の受光パターンを、他方の回折パターンの影響が少ない部位の受光パターンとしてそれぞれ解析して、前記相対光強度範囲において前記受光パターンが予め設定した相対光強度となる部位を前記影の概略的なエッジ位置としてそれぞれ検出すると共に、これらの影の概略的なエッジ位置から前記受光面上における上記相対光強度での影の幅2aを求め
次いで前記2つの回折パターンの光強度を合成した回折パターンを表す式を用いて前記影の幅2aから前記受光面上での前記丸棒状体の径を逆算すると共に、前記点光源と前記ラインセンサとの距離SD、および前記丸棒状体と前記ラインセンサとの距離WDに応じて求められる光学系の拡大率SD/(SD−WD)に従って前記丸棒状体の真の径2rを求めることを特徴としている。
特に前記ラインセンサ上で求められた前記影の幅2aを、前記点光源と前記ラインセンサとの距離SD、および前記丸棒状体と前記ラインセンサとの距離WDに基づいて補正して前記丸棒状体の径2rを
2r=2a(SD−WD)/{a+SD1/2
として求めることを特徴としている。
上述したエッジ検出方法によれば、光源としてラインセンサの全受光幅に到達する拡がり角を有する単色光を投光する点光源を用いるだけで良いので、例えば投光レンズ(コリメータレンズ)を用いることなくレーザダイオード(LD)から発せられた単色光(レーザ光)をそのままラインセンサに向けて投光すれば良く、エッジ検出装置の構成の大幅な簡素化と製作コストの低減を図ることができる。また光路に位置付けられた検出対象物(遮蔽物)の影が拡大されてラインセンサに投影されるので、その拡大率の分、上記影のエッジ位置の検出精度を高めることができる。
従って装置の全体構成(特に光源の構成)の簡素化を図りながら、その検出精度を高め得る等の実用上多大なる効果が奏せられる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係るエッジ検出方法について、微小径のドリル刃の径(ドリル径)を測定する装置を例に説明する。
図1はこの径測定に用いられるエッジ検出装置の要部概略構成を示している。このエッジ検出装置は、概略的には一方向に所定のピッチwで配列した複数の受光セルを備えたラインセンサ(受光部)1と、このラインセンサ1の受光面に対峙して設けられて該ラインセンサ1の複数の受光セル1aの全幅に向けて単色光4を投光する投光部2とを備える。ラインセンサ1は、例えば102個の受光セルを85μmのピッチで配列し、長辺8.7mm×短辺0.08mmの受光面を形成したものからなる。またマイクロコンピュータ等により実現される装置本体3は、前記ラインセンサ1の出力(各受光セルの受光量)を解析することで前記単色光4の光路に位置付けられた、遮蔽物(検出対象物)7の前記受光セル1aの配設方向におけるエッジ位置を高精度に検出する役割を担う。
ちなみに投光部2は、所定の拡がり角を有する単色光(レーザ光)をそのまま前記ラインセンサ1に向けて投光するレーザダイオード(LD)等の点光源2aを備えて構成される。このような投光部2は、例えば前述したラインセンサ1と共に所定の隙間(空間部)Lを形成したコの字状の筐体5に上記隙間Lを挟んで互いに対峙させて一体に組み込まれて、1つのセンシングユニットとして形成される。尚、点光源2aとしてレーザダイオード(LD)を用いた場合、LDは楕円状の強度分布を有するレーザ光を射出するので、このレーザ光の長軸方向がラインセンサ1の長手方向となるように、その光学系を設定することが望ましい。
さて前記装置本体3は、前記ラインセンサ1の出力(各受光セルの受光量)を取り込んで該ラインセンサ1の受光面上における光強度分布を求める入力バッファ3aを備える。特に装置本体3は、その初期設定処理として予め前記投光部2から投光された所定の光線束幅の単色光を前記ラインセンサ1にて受光し、このときの光強度分布に基づいて前記投光部2が投光する単色光の回折パターンを求めると共に、後述するようにこの回折パターンの逆数に従って前記各受光セル1aの受光量に対する正規化パラメータを求める回折パターン検出手段3bを備える。
更に装置本体3は、上記回折パターン検出手段3bにより求められた正規化パラメータに従って前記ラインセンサ1の出力を正規化する正規化手段3cと、この正規化手段3cにて正規化処理した前記ラインセンサ1の出力(正規化出力)に従って前記遮蔽物(検出対象物)7の端部(エッジ)の位置、具体的にはラインセンサ1での受光パターンの受光セルの配列方向におけるエッジ位置を検出するエッジ検出部3dとを備える。このエッジ検出部3dは、遮蔽物(検出対象物)7の端部(エッジ)において単色光のフレネル回折が生じ、その回折パターンがラインセンサ1の受光面に投影されているとして、後述するようにその回折パターンの光強度分布を解析してエッジ位置を求めるものである。またこのエッジ検出装置においては上記装置本体3は、更に上記エッジ検出部3dの出力を利用して、検査対象物としてのドリル刃の径(ドリル径)を測定するドリル径測定部3e、またドリル刃の芯ぶれを検出する芯ぶれ検出部3f、およびドリル刃の先端位置を検出する先端位置検出部3gを備えて構成される。
ここでエッジ検出部3dにおけるエッジ位置の検出処理について説明する。エッジ検出部3dは、基本的には単色平行光の一部が遮蔽物(検出対象物)7にて遮られたとき、その端部(エッジ)においてフレネル回折が生じること、そしてフレネル回折を生じて前記ラインセンサ1の受光面に到達する光の強度が、以下に説明するようにエッジ位置近傍で急峻に立ち上がり、エッジ位置から離れるに従って振動しながら収束する分布特性を持つことに着目して、ラインセンサ1の受光面上での光強度分布に従って前記遮蔽物7の端部(エッジ)の位置を高精度に検出するように構成される。
即ち、前記遮蔽物7がラインセンサ1の一端側から前記単色光4の光路を遮る板状のものである場合、該遮蔽物7のエッジにおけるフレネル回折による光強度分布は、図2に示すようにエッジ位置近傍で急峻に立ち上がり、エッジ位置から離れるに従って振動しながら収束する。このような光強度分布の特性は、単色平行光の波長をλ[nm]、検査対象物(遮蔽物7)のエッジから受光面までの距離をz[mm]、受光面上でのエッジ位置x[μm]を[0]としたとき、∫を[x=0]から[(2/λz)1/2・x]までの積分を示す演算記号として
光強度 =(1/2){[1/2+S(x)]2+[1/2+C(x)]2
S(x) =∫sin(π/2)・U2dU
C(x) =∫cos(π/2)・U2dU
として表される。但し、Uは仮の変数である。
また上式中の関数S(x),C(x)については、専ら数学公式集に示されるようにフレネル関数を用いて、xが大きいところでは
S(x)’≒(1/2)−(1/πx)cos(πx2/2)
C(x)’≒(1/2)+(1/πx)sin(πx2/2)
としてそれぞれ近似することができる。従って基本的には上記近似式S(x)’,C(x)’を用いることにより、前記ラインセンサ1の各受光セルによる受光強度から前述したエッジ位置を計算することができる。
しかしながら実際に計算してみると、図3に示すように関数S(x),C(x)とその近似式S(x)’,C(x)’とは、その立ち上がり以降の収束部分(2山目以降)において非常に良好に近似するものの、最初の立ち上がり部分(1山目)において大きなずれがあることが否めない。特にこの最初の立ち上がり部分の特性はエッジ検出において重要な役割を担うものであり、その特性のずれはエッジ位置の検出精度の低下の要因となる。
そこで本発明者は先に特許文献4にて単色平行光のフレネル回折による受光面上での光強度分布の最初の立ち上がり部分、特にその1山目の分布特性が、a,b,cをそれぞれ係数として
y=a・sech(bx+c)
なるハイパボリックセカンド関数sech(x)に極めて良好に近似することを見出し、このハイパボリックセカンド関数sech(x)を用いて前記ラインセンサの出力(光強度)を解析し、前記フレネル回折による受光面上での光強度分布において光強度(相対値)が0.25となる位置xoを前記遮蔽物7の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置として検出することを提唱した。
具体的には、上述したハイパボリックセカンド関数を前述したフレネル回折による光強度分布の式に当て嵌めて該光強度分の最初の立ち上がり部分(1山目)までを近似すると、そのハイパボリックセカンド関数sech(x)は
光強度 =1.37sech{1.98(2/λz)1/2x−2.39}
として示される。この近似式は3桁程度の精度で光強度分布の理論式に一致する。但し、λは光の波長[nm]、zはエッジから受光面までの距離[mm]、xは受光面上でのエッジ位置を[0]とする座標[μm]であり、これらの実用的な単位の下で上記各係数を設定している。
このようなハイパボリックセカンド関数sech(x)を用いたエッジ位置の検出処理のアルゴリズムについて説明すると、ハイパボリックセカンド関数sech(x)を用いて近似される光強度の逆関数を計算すると、
Y=(y/1.37)
X=1.98(2/λz)1/2
とおいて、
X=2.39−ln{[1+(1−Y2)1/2]/Y}
として表すことができる。
そこで前述したエッジ検出部3dにおいては、基本的には、例えば図4に示す手順に従って先ずラインセンサ1における複数(m個)の受光セル1aから求められる正規化された各受光強度y1,y2,〜ymから、互いに隣接して前述した基準光強度[0.25]よりも大きい受光強度を得た受光セルCnと、上記基準光強度[0.25]よりも小さい受光強度を得た受光セルCn-1とをそれぞれ求めている(ステップS1)。つまり複数の受光セル1a(C1,C2,〜Cm)間のそれぞれにおいて受光強度が[0.25]となる、互いに隣接する2つの受光セルCn,Cn-1を求める。そしてこれらの各受光セルCn,Cn-1の受光強度yn,yn-1を上述した係数[1.37]で除算してX-Y座標上での光強度Yn,Yn-1に変換する(ステップS2)。
しかる後、これらの各受光セルCn,Cn-1の受光強度Yn,Yn-1が得られる該受光セルCn,Cn-1の受光面上での位置Xn,Xn-1を、前述した近似式に従って
Xn=2.39−ln{[1+(1−Yn2)1/2]/Yn}
Xn-1=2.39−ln{[1+(1−Yn-12)1/2]/Yn-1}
としてそれぞれ逆変換によりX軸上の相対位置を計算し(受光位置算出手段;ステップS3)、これらの位置Xn,Xn-1から図5にその概念を示すように受光セルCnの位置と、受光強度が[0.25]となるエッジ位置との差Δxを
Δx=W・[Xn/(Xn−Xn-1)]
なる補間演算により計算する(補間演算手段;ステップS4)。尚、上記差Δxは、受光強度が[0.25]となるエッジ位置xoから受光セルCnの位置までの距離であるので、ラインセンサ1の受光面全体において1番目の受光セルC1から測ったときのエッジの絶対位置xは、nを光量Y2を得た受光セル1aのセル番号、受光セル1aの配列ピッチをWとしたとき
x=n・W−Δx
として求めることが可能となる。また上記逆変換において求められる相対位置Xn,Xn-1は、
X=1.98(2/λz)1/2
として示されるように[1.98(2/λz)1/2]倍された値であるが、上記補間演算で比をとることにより実質的にこの項は削除される。
この補間演算については前述した近似式を用いて実行しても良いが、上述した2つの受光セルCn,Cn-1間での光強度の変化が直線的であると見なし得る場合には、単純な直線補間であっても良い。またここでは隣接する受光セル1a間で光強度が[0.25]となる位置を見出し、その位置をセル境界とする2つの受光セルCn,Cn-1を特定したが、単に上記位置を挟む2つ以上の受光セルを特定しても良い。但し、この場合には必ず前述した近似式を用いて補間演算を行うことで、その演算精度の低下を防止するようにすれば良い。また上述した逆変換については、例えば予めその計算値を記憶したテーブルを用いることで、その演算処理負担を大幅に軽減して瞬時に実行することが可能である。
尚、前記受光セルCn,Cn-1の受光面上での相対位置Xn,Xn-1と、受光強度が[0.25]となる位置(エッジ位置)xoと受光セルCnの位置との差Δx、また受光セルCnでの受光強度、および前記単色平行光の波長λとに着目すれば、前記ハイパボリックセカンド関数sech(x)から遮蔽物7のエッジとラインセンサ1の受光面との距離、即ち、光路方向の距離zを求めることも可能である(ステップS5)。具体的にこの距離計算は、基本的には前述した1山目のフレネル回折を近似した前述した式
光強度A(x)=1.37・sech{1.98(2/λz)1/2x−2.39}
から距離zについて解き、
z=(2/λ){1.98・x/[arcsech(A(x)/1.37)+2.39]}2
として遮蔽物7のエッジとラインセンサ1の受光面との距離zを計算することによって行うことができる。
この場合、前述した受光セルの配列方向のエッジ位置を求める際に、光強度が[0.25]よりも大きい強度が得られた受光セルCnの位置を利用して、この位置とエッジ位置との差Δxから、
z=(2/λ){1.98・Δx/[arcsech(yn/1.37)+2.39]}2
として計算すれば、遮蔽物7のエッジとラインセンサ1の受光面との距離zを簡単に求めることができる。特に上式中の分母の項は、前述した
Xn=2.39−ln{[1+(1−Yn2)1/2]/Yn}
に相当するので、上述した演算を
z=(2/λ){1.98・Δx/Xn}2
として更に簡単に計算することが可能となる。
ところで遮蔽物7が前述したように微小径の棒状体、例えばドリル刃である場合、ドリル刃の両側部において単色平行光4のフレネル回折が生じるので、ラインセンサ1の受光面におけるフレネル回折パターンは、例えば図6(a)に示すようにドリル刃の中心位置の両側においてそれぞれ振動しながら収束するような対称性を有するパターンとなり、またラインセンサ1の各受光セルでの受光強度は図6(b)に示すようになる。しかもドリル径が200μm以下である場合、その受光強度が[0.25]まで低下しなくなることがある。これ故、前述したようにしてフレネル回折の近似式を用いて光量が[0.25]となる位置を正確に求めることができなくなる。
しかしながら図6(a)に示す回折パターンは、図6(c)に示すように近似的には遮蔽物(ドリル刃)7の両側においてそれぞれ生じたフレネル回折が合成したものであると看做すことができる。従って、例えば半径rの遮蔽物(ドリル刃)7を通過した光の強度A(x)は、その左側の回折パターンの光強度A(x)Lと、右側の回折パターンの光強度A(x)Rとを合成した
A(x)=A(x)L+A(x)R
=1.37sech{−1.98(2/λz)1/2(x+r)−2.39}
+1.37sech{1.98(2/λz)1/2(x−r)−2.39}
として捉えることができる。しかしドリル径が細くなると、左側および右側の回折パターンの光強度A(x)L,A(x)Rにおける[0.25]付近での重なりが大きく影響し、ラインセンサ1の受光面上での光強度が[0.25]を大きく上回るようになるので、前述したように光量が[0.25]となる位置をそのエッジ位置として直接検出することはできなくなる。
そこで前記ドリル径計測部3eにおいては、上述した左側および右側の回折パターンの光強度A(x)L,A(x)Rにおいて、その最初の立ち上がり部分における他方の回折パターンの影響を殆ど受けることのない部位、具体的には光強度(光量)が[0.5〜0.9]となる部位に着目し、例えば図7にその処理手順を示すように光強度(光量)が[0.75]となる概略的なエッジ位置XR,XLをそれぞれ求めるようにしている(ステップS11,12)。そしてこれらの左右の概略的なエッジ位置XR,XLから回折パターンA(x)においてその光量が[0.75]となる遮光幅2aを求め(ステップS13)、この遮光幅2aに従って前述したドリル刃の半径rを逆算することでそのドリル径を求めるものとなっている(ステップS14)。
具体的には右側の回折パターンA(x)Rから、光量が[0.75]となるエッジ位置XRを次のようにして求める。即ち、光強度y
y=1.37sech{1.98(2/λz)1/2X−1.21}
において、
Y=y/1.37
と置くと、
sech-1(Y)=±ln[{1+(1−Y2)1/2}/Y]
=X’−1.21
但し、0<y≦1.37 ,0<Y≦1.0,X’=1.98(2/λz)1/2
となる。
そこで今、102セルからなるラインセンサ1の各受光セルでの計測値(正規化したデータy0,y1,y2,…y101)で、[n−1]番目のセルとn番目のセルとの間に光強度が[0.75]となる位置が存在し、上記[n−1]番目およびn番目のセルでの光強度がyn-1,ynであったとすると、
Yn-1=yn-1/1.37 ,Yn=yn/1.37
として、前述した図5に示した場合と同様に光強度が[0.75]となる位置を
X’n-1=1.21−ln[{1+(1−Yn-1)1/2}/Yn-1]
X’n=1.21−ln[{1+(1−Yn)1/2}/Yn]
としてそれぞれ写像することができる。この結果、これらの写像位置からそのエッジ位置X
[μm]=w{n−X’n/(X’n−X’n-1)}
として補間処理により簡単に、しかも正確に求めることができる。但し、wはセルの幅である。尚、前述したようにX’n,X’n-1は、本来のセルの位置ではなく、1.98(2/λz)1/2倍された値であるが、上述したように比を求めることで実質的にはこの項が消去されるので、距離zが不明であっても正確に補間処理を行い得る。
また同様にして左側の回折パターンA(x)Lから、光量が[0.75]となるエッジ位置XLを求める。そしてこれらの各回折パターンA(x)R,A(x)Lからそれぞれ求めたエッジ位置XR,XLに従って、光量[0.75]となる位置での遮光幅2aを
2a=XR−XL
として求める。
次いで前述した右側および左側の回折パターンの光強度A(x)R,A(x)Lを合成した回折パターンを表す式に上記光量[0.75]と遮光幅2aの半分の値aとを代入し、ドリル刃の半径rを逆算して求める。このrの逆算については、例えばニュートン法を利用して数値計算するようにすれば良い。
具体的には
f(r)=1.37sech{−1.98(2/λz)1/2(a+r)−2.39}
+1.37sech{1.98(2/λz)1/2(a−r)−2.39}−0.75
とすれば、その微分は
f'(r)=−2.71(2/λz)1/2
×sech{−1.98(2/λz)1/2(a+r)−2.39}
×tanh{−1.98(2/λz)1/2(a+r)−2.39}
−2.71(2/λz)1/2
×sech{1.98(2/λz)1/2(a−r)−2.39}
×tanh{1.98(2/λz)1/2(a−r)−2.39}
となる。
そこでrの初期値r0を
r0={2a−0.845(λz)1/2}/2
とし、
n=rn-1−f(rn-1)/f'(rn-1)
n=1,2,3,…
として[rn−rn-1]の絶対値が、例えば0.01以下となるまで繰り返し計算すれば、その収束したrをドリルの半径として求めることが可能となる。従ってドリル径については、上記半径rの2倍として、具体的には2rとして求めることが可能となる。
尚、このようにして計算されるドリル径(半径r)については、ドリル刃とラインセンサ1との距離zが予め分かっている場合には、例えば図8に示すように遮光幅2aと直径2rとの関係として予めテーブル化して記憶しておくようにすれば良い。このようなテーブル3hを用いれば、その都度、上述したニュートン法を用いた逆算処理が不要となるので、ドリル径の計測を簡単に行うことが可能となる。
尚、ドリル径が或る程度太く、右側および左側の回折パターンの光強度A(x)R,A(x)L間の干渉が無視できる場合には、片方の回折パターンの光強度A(x)R,A(x)Lを用いるだけで、例えば
0.75=1.37sech{1.98(2/λz)1/2(a-r)−2.39}
を解くだけで、
2r=2a−0.845(λz)1/2
としてその半径rを求めることができる。即ち光量[0.75]での遮光幅2aからその光学系の規定値である[0.845(λz)1/2]を引くだけで簡単にドリル刃の直径(ドリル径)2rを求めることができる。
ところで本発明に係るエッジ検出装置は、前述したように点光源2から発せられた単色光をそのままラインセンサ1に向けて投光するように構成されている。そして光源2からラインセンサ1に向けて投光される単色光が所定の拡がり角を有しており、平行光ではないので厳密な意味では遮蔽物(検出対象物)7の端部(エッジ)においてフレネル回折は生じない。しかしLDから発せられるレーザ光の拡がり角は、一般的には17°程度と比較的狭いので、これを平行光と看做して、つまりフレネル回折が生じていると看做して前述したようにエッジ検出を行っても殆ど計測誤差が生じない。
またドリル刃の径を測定するような場合、通常、単色光の光路の予め定められた位置にドリル刃(検出対象物)7をセットしてその計測を行うので、ドリル刃(検出対象物)7とラインセンサ1との距離zが問題となることもない。換言すればドリル刃(検出対象物)7とラインセンサ1との距離zを固定的に与えてその径の計測を行い得る。するとこのエッジ検出装置における検出光学系は、例えば図9に模式的に示すように点光源2から発せられた単色光(レーザ光)の影が拡大されてラインセンサ1の受光面に投影される拡大光学系として表すことが可能となる。そしてドリル刃(検出対象物)7による影(ドリル径)は、点光源2とラインセンサ1との距離SDと、ドリル刃(検出対象物)7とラインセンサ1との距離WDとの比により定まる拡大率にてラインセンサ1上に投影されることになる。
具体的には単色平行光を用いた場合におけるドリル刃7の影は該ドリル刃7の径に相当して、例えば図10(a)に示すようにラインセンサ1に投影されるが、点光源2からの所定の拡がり角を持つ単色光を用いた場合には、図10(b)に示すようにドリル刃7の影が拡大されてラインセンサ1に投影される。従ってこの拡大されたドリル刃7の影の幅2aを前述した如く求めれば、その計測値(影の幅)2aから前記拡大率の分だけ計測精度を高くして真のドリル径を求めることが可能となる。
即ち、ドリル刃7の直径が2rである場合、前述した光学系によれば該ドリル刃7の影の幅aを
2a=2r・SD/(SD−WD)
と拡大して検出することができる。従ってドリル刃7の影の幅2aを前述した如く計測すれば、ドリル刃7の真の径を、その拡大率から逆算して
2r=2a(SD−WD)/SD
として計測することが可能となり、同時にその計測誤差も[(SD−WD)/SD]だけ小さくして計測精度を高めることが可能となる。
尚、厳密にはドリル刃7は略丸棒状なので、図9に示すように単色光に対するエッジ位置は点光源2を通る接線上の位置になる。これ故、ラインセンサ1上で求められる影の幅2aは、実際のドリル刃7の径よりも若干狭くなる。しかし点光源2とラインセンサ1との距離SD、およびドリル刃(検出対象物)7とラインセンサ1との距離WDがそれぞれ明らかであるので、
2r=2a(SD−WD)/{ +SD1/2
として容易にドリル刃7の真の径2rを計算することができる。
次表はSDを50mm、WDを25mmとした光学系において、径の異なる電線を上述したようにして計測した実験結果を示している。
Figure 0004465676
この実験例に示されるように上述した拡大光学系を用い、フレネル回折パターンであると看做してドリル刃7の径を測定しても十分に高い計測精度でドリル径を求め得ることが確認できた。しかもこのエッジ検出装置においては、LDから発せられた単色光(レーザ光)をそのままラインセンサ1に投光しているだけで、従来のように投光レンズ(コリメータレンズ)を用いて単色平行光に変換していないので光源2の構成の大幅な簡素化を図ることができ、その部品コストも大きく低減し得る。しかもLDとラインセンサ1との間の光学的な調整を行うだけで良く、格別な位置合わせ精度も不要なので、例えば上記LDおよびラインセンサ1をそれぞれプリント回路基板に実装した程度の精度で、実用上十分な計測精度を有するエッジ検出装置を実現することができる。
また上述した構成のエッジ検出装置によれば、ドリル刃7の芯ぶれを検出するに際しても、その芯ぶれ状体を拡大して検出することができるので、僅かな芯ぶれであっても、これを逸早く高感度に検出することができる。尚、ドリル径が太い場合には、その影がラインセンサ1の受光幅に入らなくなることが予想される。この場合には2つのラインセンサ1をその長手方向に並べて設け、これらのラインセンサ1の設置間隔を予め出荷検査時等に計測しておくようにすれば良い。そして上記2つのラインセンサ1を用いてドリル刃7の影の片側ずつ計測し、これらの各エッジ計測位置と上記ラインセンサ1の設置間隔とからドリル刃7の影の幅2aを求めるようにすれば良い。そしてドリル刃7の径が細い場合には、その軸心位置を一方のラインセンサ側に寄せ、この一方のラインセンサ1だけを用いてドリル刃7の影の幅2aを計測するようにすれば良い。また1つのラインセンサ1だけを用い、その拡大率を変えてドリル径を測定することもできる。具体的にはドリル径の細いものについてはドリル刃(検出対象物)7とラインセンサ1との距離WDを長くし(投光器2に近付ける)、逆にドリル径が太いものについては上記距離WDを短くして(ラインセンサ1に近付ける)その影の幅2aを計測するようにすれば良い。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えば点光源2とラインセンサ1との距離SD、およびドリル刃(検出対象物)7とラインセンサ1との距離WDは、予め計測対象とするドリル刃の径幅等の仕様に応じて定めておけば良い。またここではドリル刃の径を測定する場合を例に説明したが、各種線材の径を測定する場合や、所定の計測位置に位置付けられるシート状物体のエッジ位置を検出する場合等にも同様に適用することができる。但し、検出対象物7とラインセンサ1との距離WDが変化するような場合には、その拡大率自体も変化するので前述した点光源からの拡大光学系を採用することは好ましくなく、単色平行光を用いるべきである。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
本発明の一実施形態に係るエッジ検出方法が適用されるエッジ検出装置の要部概略構成を示す図。 遮蔽物のエッジによりフレネル回折を生じた光の強度パターンを示す図。 フレネル回折による光強度分布の理論値と、関数を用いた近似特性とを対比して示す図。 フレネル回折パターンからのエッジ検出処理の手順の一例を示す図。 図4に示すエッジ検出の処理概念を示す図。 微小径のドリル刃により生じる回折パターンとエッジ径の計測原理を説明する為の図。 エッジ径の測定処理手順の例を示す図。 光量[0.75]の位置での遮光幅とドリルの半径との関係を示すテーブルの構成例を示す図。 本発明に係るエッジ検出方法が適用されるエッジ検出装置の光学系を模式的に示す図。 単色平行光を用いた場合のドリル刃の影の光強度パターンと、所定の拡がり角を有する単色光を用いた場合のドリル刃の影の光強度パターンとを対比して示す図。
符号の説明
1 ラインセンサ
2 投光部(光源)
3 装置本体
3a 回折パターン検出部
3d エッジ検出部
3e ドリル径計測部
3h テーブル
7 遮蔽物(ドリル刃)

Claims (2)

  1. 複数の受光セルを一方向に所定のピッチで配列したラインセンサと、
    このラインセンサの上記複数の受光セルに向けて該ラインセンサの全受光幅に到達する拡がり角を有する単色光を投光する点光源とを備え、
    前記ラインセンサの出力を解析して前記単色光の光路に位置付けられた丸棒状体の影の幅から該丸棒状体の径を求めるエッジ検出方法であって、
    前記丸棒状体の周面にてフレネル回折が生じていると看做すと共に、前記ラインセンサでの受光パターンが前記丸棒状体の周面両側でそれぞれ生じた回折パターンが重なり合っていると看做し
    前記ラインセンサの受光面上において予め設定した相対光強度範囲となる部位の受光パターンを、他方の回折パターンの影響が少ない部位の受光パターンとしてそれぞれ解析して、前記相対光強度範囲において前記受光パターンが予め設定した相対光強度となる部位を前記影の概略的なエッジ位置としてそれぞれ検出すると共に、これらの影の概略的なエッジ位置から前記受光面上における上記相対光強度での影の幅2aを求め
    次いで前記2つの回折パターンの光強度を合成した回折パターンを表す式を用いて前記影の幅2aから前記受光面上での前記丸棒状体の径を逆算すると共に、前記点光源と前記ラインセンサとの距離SD、および前記丸棒状体と前記ラインセンサとの距離WDに応じて求められる光学系の拡大率SD/(SD−WD)に従って前記丸棒状体の真の径2rを求めることを特徴とするエッジ検出方法
  2. 前記丸棒状体の真の径2rは、前記ラインセンサ上で求められた前記丸棒状体の径を示す前記影の幅2aを、前記点光源と前記ラインセンサとの距離SD、および前記丸棒状体と前記ラインセンサとの距離WDに基づいて補正して
    2r=2a(SD−WD)/{a+SD1/2
    として求めるものである請求項1に記載のエッジ検出方法
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