JP4465676B2 - エッジ検出方法 - Google Patents
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Description
複数の受光セルを一方向に所定のピッチで配列したラインセンサと、このラインセンサの上記複数の受光セルに向けて該ラインセンサの全受光幅に到達する拡がり角を有する単色光を投光する点光源とを備え、
前記ラインセンサの出力を解析して前記単色光の光路に位置付けられた丸棒状体の影の幅から該丸棒状体の径を求めるに際し、
前記丸棒状体の周面にてフレネル回折が生じていると看做すと共に、前記ラインセンサでの受光パターンが前記丸棒状体の周面両側でそれぞれ生じた回折パターンが重なり合っていると看做し、
前記ラインセンサの受光面上において予め設定した相対光強度範囲となる部位の受光パターンを、他方の回折パターンの影響が少ない部位の受光パターンとしてそれぞれ解析して、前記相対光強度範囲において前記受光パターンが予め設定した相対光強度となる部位を前記影の概略的なエッジ位置としてそれぞれ検出すると共に、これらの影の概略的なエッジ位置から前記受光面上における上記相対光強度での影の幅2aを求め、
次いで前記2つの回折パターンの光強度を合成した回折パターンを表す式を用いて前記影の幅2aから前記受光面上での前記丸棒状体の径を逆算すると共に、前記点光源と前記ラインセンサとの距離SD、および前記丸棒状体と前記ラインセンサとの距離WDに応じて求められる光学系の拡大率SD/(SD−WD)に従って前記丸棒状体の真の径2rを求めることを特徴としている。
2r=2a(SD−WD)/{a2+SD2}1/2
として求めることを特徴としている。
図1はこの径測定に用いられるエッジ検出装置の要部概略構成を示している。このエッジ検出装置は、概略的には一方向に所定のピッチwで配列した複数の受光セルを備えたラインセンサ(受光部)1と、このラインセンサ1の受光面に対峙して設けられて該ラインセンサ1の複数の受光セル1aの全幅に向けて単色光4を投光する投光部2とを備える。ラインセンサ1は、例えば102個の受光セルを85μmのピッチで配列し、長辺8.7mm×短辺0.08mmの受光面を形成したものからなる。またマイクロコンピュータ等により実現される装置本体3は、前記ラインセンサ1の出力(各受光セルの受光量)を解析することで前記単色光4の光路に位置付けられた、遮蔽物(検出対象物)7の前記受光セル1aの配設方向におけるエッジ位置を高精度に検出する役割を担う。
光強度 =(1/2){[1/2+S(x)]2+[1/2+C(x)]2}
S(x) =∫sin(π/2)・U2dU
C(x) =∫cos(π/2)・U2dU
として表される。但し、Uは仮の変数である。
S(x)’≒(1/2)−(1/πx)cos(πx2/2)
C(x)’≒(1/2)+(1/πx)sin(πx2/2)
としてそれぞれ近似することができる。従って基本的には上記近似式S(x)’,C(x)’を用いることにより、前記ラインセンサ1の各受光セルによる受光強度から前述したエッジ位置を計算することができる。
y=a・sech(bx+c)
なるハイパボリックセカンド関数sech(x)に極めて良好に近似することを見出し、このハイパボリックセカンド関数sech(x)を用いて前記ラインセンサの出力(光強度)を解析し、前記フレネル回折による受光面上での光強度分布において光強度(相対値)が0.25となる位置xoを前記遮蔽物7の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置として検出することを提唱した。
光強度 =1.37sech{1.98(2/λz)1/2x−2.39}
として示される。この近似式は3桁程度の精度で光強度分布の理論式に一致する。但し、λは光の波長[nm]、zはエッジから受光面までの距離[mm]、xは受光面上でのエッジ位置を[0]とする座標[μm]であり、これらの実用的な単位の下で上記各係数を設定している。
Y=(y/1.37)
X=1.98(2/λz)1/2x
とおいて、
X=2.39−ln{[1+(1−Y2)1/2]/Y}
として表すことができる。
Xn=2.39−ln{[1+(1−Yn2)1/2]/Yn}
Xn-1=2.39−ln{[1+(1−Yn-12)1/2]/Yn-1}
としてそれぞれ逆変換によりX軸上の相対位置を計算し(受光位置算出手段;ステップS3)、これらの位置Xn,Xn-1から図5にその概念を示すように受光セルCnの位置と、受光強度が[0.25]となるエッジ位置との差Δxを
Δx=W・[Xn/(Xn−Xn-1)]
なる補間演算により計算する(補間演算手段;ステップS4)。尚、上記差Δxは、受光強度が[0.25]となるエッジ位置xoから受光セルCnの位置までの距離であるので、ラインセンサ1の受光面全体において1番目の受光セルC1から測ったときのエッジの絶対位置xは、nを光量Y2を得た受光セル1aのセル番号、受光セル1aの配列ピッチをWとしたとき
x=n・W−Δx
として求めることが可能となる。また上記逆変換において求められる相対位置Xn,Xn-1は、
X=1.98(2/λz)1/2x
として示されるように[1.98(2/λz)1/2]倍された値であるが、上記補間演算で比をとることにより実質的にこの項は削除される。
光強度A(x)=1.37・sech{1.98(2/λz)1/2x−2.39}
から距離zについて解き、
z=(2/λ){1.98・x/[arcsech(A(x)/1.37)+2.39]}2
として遮蔽物7のエッジとラインセンサ1の受光面との距離zを計算することによって行うことができる。
z=(2/λ){1.98・Δx/[arcsech(yn/1.37)+2.39]}2
として計算すれば、遮蔽物7のエッジとラインセンサ1の受光面との距離zを簡単に求めることができる。特に上式中の分母の項は、前述した
Xn=2.39−ln{[1+(1−Yn2)1/2]/Yn}
に相当するので、上述した演算を
z=(2/λ){1.98・Δx/Xn}2
として更に簡単に計算することが可能となる。
A(x)=A(x)L+A(x)R
=1.37sech{−1.98(2/λz)1/2(x+r)−2.39}
+1.37sech{1.98(2/λz)1/2(x−r)−2.39}
として捉えることができる。しかしドリル径が細くなると、左側および右側の回折パターンの光強度A(x)L,A(x)Rにおける[0.25]付近での重なりが大きく影響し、ラインセンサ1の受光面上での光強度が[0.25]を大きく上回るようになるので、前述したように光量が[0.25]となる位置をそのエッジ位置として直接検出することはできなくなる。
y=1.37sech{1.98(2/λz)1/2X−1.21}
において、
Y=y/1.37
と置くと、
sech-1(Y)=±ln[{1+(1−Y2)1/2}/Y]
=X’−1.21
但し、0<y≦1.37 ,0<Y≦1.0,X’=1.98(2/λz)1/2X
となる。
Yn-1=yn-1/1.37 ,Yn=yn/1.37
として、前述した図5に示した場合と同様に光強度が[0.75]となる位置を
X’n-1=1.21−ln[{1+(1−Yn-12)1/2}/Yn-1]
X’n=1.21−ln[{1+(1−Yn2)1/2}/Yn]
としてそれぞれ写像することができる。この結果、これらの写像位置からそのエッジ位置XRを
XR[μm]=w{n−X’n/(X’n−X’n-1)}
として補間処理により簡単に、しかも正確に求めることができる。但し、wはセルの幅である。尚、前述したようにX’n,X’n-1は、本来のセルの位置ではなく、1.98(2/λz)1/2倍された値であるが、上述したように比を求めることで実質的にはこの項が消去されるので、距離zが不明であっても正確に補間処理を行い得る。
2a=XR−XL
として求める。
具体的には
f(r)=1.37sech{−1.98(2/λz)1/2(a+r)−2.39}
+1.37sech{1.98(2/λz)1/2(a−r)−2.39}−0.75
とすれば、その微分は
f'(r)=−2.71(2/λz)1/2
×sech{−1.98(2/λz)1/2(a+r)−2.39}
×tanh{−1.98(2/λz)1/2(a+r)−2.39}
−2.71(2/λz)1/2
×sech{1.98(2/λz)1/2(a−r)−2.39}
×tanh{1.98(2/λz)1/2(a−r)−2.39}
となる。
r0={2a−0.845(λz)1/2}/2
とし、
rn=rn-1−f(rn-1)/f'(rn-1)
n=1,2,3,…
として[rn−rn-1]の絶対値が、例えば0.01以下となるまで繰り返し計算すれば、その収束したrをドリルの半径として求めることが可能となる。従ってドリル径については、上記半径rの2倍として、具体的には2rとして求めることが可能となる。
0.75=1.37sech{1.98(2/λz)1/2(a-r)−2.39}
を解くだけで、
2r=2a−0.845(λz)1/2
としてその半径rを求めることができる。即ち光量[0.75]での遮光幅2aからその光学系の規定値である[0.845(λz)1/2]を引くだけで簡単にドリル刃の直径(ドリル径)2rを求めることができる。
2a=2r・SD/(SD−WD)
と拡大して検出することができる。従ってドリル刃7の影の幅2aを前述した如く計測すれば、ドリル刃7の真の径を、その拡大率から逆算して
2r=2a(SD−WD)/SD
として計測することが可能となり、同時にその計測誤差も[(SD−WD)/SD]だけ小さくして計測精度を高めることが可能となる。
2r=2a(SD−WD)/{a 2 +SD2}1/2
として容易にドリル刃7の真の径2rを計算することができる。
2 投光部(光源)
3 装置本体
3a 回折パターン検出部
3d エッジ検出部
3e ドリル径計測部
3h テーブル
7 遮蔽物(ドリル刃)
Claims (2)
- 複数の受光セルを一方向に所定のピッチで配列したラインセンサと、
このラインセンサの上記複数の受光セルに向けて該ラインセンサの全受光幅に到達する拡がり角を有する単色光を投光する点光源とを備え、
前記ラインセンサの出力を解析して前記単色光の光路に位置付けられた丸棒状体の影の幅から該丸棒状体の径を求めるエッジ検出方法であって、
前記丸棒状体の周面にてフレネル回折が生じていると看做すと共に、前記ラインセンサでの受光パターンが前記丸棒状体の周面両側でそれぞれ生じた回折パターンが重なり合っていると看做し、
前記ラインセンサの受光面上において予め設定した相対光強度範囲となる部位の受光パターンを、他方の回折パターンの影響が少ない部位の受光パターンとしてそれぞれ解析して、前記相対光強度範囲において前記受光パターンが予め設定した相対光強度となる部位を前記影の概略的なエッジ位置としてそれぞれ検出すると共に、これらの影の概略的なエッジ位置から前記受光面上における上記相対光強度での影の幅2aを求め、
次いで前記2つの回折パターンの光強度を合成した回折パターンを表す式を用いて前記影の幅2aから前記受光面上での前記丸棒状体の径を逆算すると共に、前記点光源と前記ラインセンサとの距離SD、および前記丸棒状体と前記ラインセンサとの距離WDに応じて求められる光学系の拡大率SD/(SD−WD)に従って前記丸棒状体の真の径2rを求めることを特徴とするエッジ検出方法。 - 前記丸棒状体の真の径2rは、前記ラインセンサ上で求められた前記丸棒状体の径を示す前記影の幅2aを、前記点光源と前記ラインセンサとの距離SD、および前記丸棒状体と前記ラインセンサとの距離WDに基づいて補正して
2r=2a(SD−WD)/{a2+SD2}1/2
として求めるものである請求項1に記載のエッジ検出方法。
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