JP4218880B2

JP4218880B2 - エッジセンサの診断方法および診断装置

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Publication number: JP4218880B2
Application number: JP2003166507A
Authority: JP
Inventors: 喜彦岡山
Original assignee: Azbil Corp
Current assignee: Azbil Corp
Priority date: 2003-06-11
Filing date: 2003-06-11
Publication date: 2009-02-04
Anticipated expiration: 2023-06-11
Also published as: JP2005003486A; CN1276236C; CN1573281A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッジセンサの汚れや外乱光に起因する検出精度の劣化を、その計測中に簡易に診断することのできるエッジセンサの診断方法および診断装置に関する。
【０００２】
【関連する背景技術】
物体のエッジ位置を光学的に検出するエッジ位置検出の手法には、概略的には受光器による受光量の変化から物体のエッジ位置を求める光量方式と、上記物体のエッジにおける回折パターンを解析して前記物体のエッジ位置を求める回折パターン解析方式とがある。ちなみに光量方式は、物体が存在しないときの受光器による全受光量と、物体により前記受光器への入射光の一部を遮ったときの受光量との比から前記物体のエッジ位置を求めるものである。また回折パターン解析方式は、複数の受光セルを所定のピッチで配列したＣＣＤ等のラインセンサを用い、平行光の物体におけるエッジでのフレネル回折に起因して生じる前記ラインセンサの受光面上での受光パターンを解析し、光強度が相対値で[０.２５]となる位置をエッジ位置として求めるものである（例えば特許文献１を参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−２４７７２６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで上述した光量方式または回折パターン解析方式を用いてエッジ位置検出を行っている際、外乱光が入り込むとその検出精度が損なわれることが否めない。また受光器やラインセンサの受光面が埃等によって汚れた場合にも、その検出精度が損なわれることが否めない。この場合には、誤ったエッジ検出結果が求められることになる。
【０００５】
そこで従来では専ら、エッジ検出の実行に先立って、その検出対象領域に物体（エッジ）が存在しない状態を設定し、そのときの受光器による全受光量やラインセンサによる受光パターンを診断するようにしている（診断モード）。具体的には受光器による全受光量がその初期値に比較して増えているか、或いは減っているかを判定し、これによってその測定環境に外乱光が含まれるか、或いはその受光面が汚れているかを診断している。またラインセンサによる受光パターンが一様であるか否かを判定することで、その受光面に局部的な汚れがあるか、或いはスポット的な外乱光が含まれるか否かを診断している。しかしこのような診断モードを設定してエッジ位置の検出信頼性を診断することは非常に煩わしい。
【０００６】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、エッジ位置の検出動作中にその検出信頼性を容易に診断し、異常が認められた場合には速やかに警告を発することのできるエッジセンサの診断方法および診断装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するべく本発明に係るエッジセンサの診断方法は、複数の受光セルを所定のピッチで配列した受光面を備えたラインセンサを用いて、その受光面に入射する光を遮る遮蔽体の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置を検出するに際して、
前記複数の受光セルがそれぞれ出力する各受光セルでの受光量を求め、前記複数の受光セルの各出力から遮蔽体のエッジに生じたフレネル回折に起因する前記ラインセンサの受光面上における受光パターンを解析して前記遮蔽体のエッジ位置を検出すると共に、予め前記遮蔽体が存在しないときに求められた前記複数の受光セルの各出力の総和と、前記受光パターンの解析に用いられた前記複数の受光セルの各出力の総和とに基づいてその受光量から前記遮蔽体のエッジ位置を検出し、
これらの検出されたエッジ位置の差が所定の閾値よりも大であって、前記受光パターンを解析して求めたエッジ位置に比較して受光量から求めたエッジ位置が小さい場合には、前記受光セルの受光面が汚れており、前記受光量から求めたエッジ位置が大きい場合には外乱光が混入していると判断することを特徴としている。
【０００８】
具体的には受光パターンを解析して求められるエッジ位置Ｘccdと、全受光量から求められるエッジ位置Ｘoptとを比較し、例えば［Ｘccd＞Ｘopt］の場合にはラインセンサの受光面が汚れている、また［Ｘccd＜Ｘopt］の場合には外乱光が含まれる等として診断して警告を発し、その差が所定の許容誤差範囲内で［Ｘccd≒Ｘopt］と認められる場合にだけ前記受光パターンを解析して求められるエッジ位置Ｘccdを出力することを特徴としている。
【０００９】
また本発明に係るエッジセンサの診断装置は、
<１> 受光量を出力する複数の受光セルを所定のピッチで配列した受光面を備えたＣＣＤ等のラインセンサと、
<２> このラインセンサの受光面への入射光を遮る遮蔽体の前記受光セルの配列方向におけるエッジに生じたフレネル回折に起因する前記ラインセンサの受光面上における受光パターンを解析して上記遮蔽体のエッジ位置を検出する第１のエッジ位置検出手段と、
<３> 予め前記遮蔽体が存在しないときに求められた前記ラインセンサによる全受光量と前記第１のエッジ位置検出手段による前記受光パターンの解析に用いられた前記ラインセンサの出力の総和として求められる前記ラインセンサの全受光量との比に基づいて前記遮蔽体のエッジ位置を検出する第２のエッジ位置検出手段と、
<４> 上記第１および第２のエッジ位置検出手段にてそれぞれ検出されたエッジ位置の差が所定の閾値よりも大であって、前記受光パターンを解析して求めたエッジ位置に比較して受光量から求めたエッジ位置が小さい場合には、前記受光セルの受光面が汚れており、前記受光量から求めたエッジ位置が大きい場合には外乱光が混入していると判断する診断手段と
を備えたことを特徴としている。
【００１０】
ちなみに前記診断手段は、前記第１および第２のエッジ位置検出手段にてそれぞれ検出されたエッジ位置の差が所定の判定閾値に満たないとき、前記エッジ位置が正確に検出されていると判断するように構成される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係るエッジセンサの診断方法と、この診断方法を実施する診断装置について説明する。
図１は実施形態に係る診断装置の概略構成図で、１は所定の光線束幅の単色平行光（レーザ光）を射出する投光器であり、２はこの投光器１に対峙して設けられて上記単色平行光を受光するラインセンサである。ラインセンサ２は、例えば８５μｍ×７７μｍの受光面を備えた１０２個の受光セルを８５μｍのピッチで配列したＣＣＤからなる。ちなみにこのラインセンサ２の受光面の大きさが長辺８.７ｍｍ×短辺０.０８ｍｍである場合、上記単色平行光線束の断面形状の大きさは、例えば長辺９ｍｍ×短辺３ｍｍ程度に設定される。
【００１２】
このような投光器１とラインセンサ２とを備えたエッジセンサは、投光器１から射出された単色平行光の光路内に侵入した検出対象物（遮蔽物）３により上記単色平行光の一部が遮られたとき、後述するように前記ラインセンサ２による全受光量の変化から、或いは検出対象物３のエッジ位置で生じる単色平行光のフレネル回折に起因する前記ラインセンサ２の受光面での受光パターンから前記ラインセンサ２の受光セルの配列方向における前記検出対象物３のエッジ位置を検出するように構成される。
【００１３】
概略的にはエッジセンサは、前記ラインセンサ２の出力を取り込んで受光セルの配列方向における受光パターンを求める受光パターン検出部４と、上記各受光セルでの受光量を加算してその総受光量を、つまりラインセンサ２による全受光量を求める受光量検出部５とを備える。この受光パターンの検出処理と全受光量の検出処理とは、例えば並列に実行される。そして第１のエッジ位置検出部（エッジ位置検出手段）６は、後述するように前記受光パターン検出部４において求められた前記ラインセンサ２の受光面上での受光パターンを解析し、その受光強度が相対値で[０.２５]となる位置を前記検出対象物３のエッジ位置として検出している。また第２のエッジ位置検出部（エッジ位置検出手段）７は、前記受光量検出部５において求められた全受光量Ａoptと、予め前記光路内に検出対象物を介在させない状態において初期値として求められている前記ラインセンサ２による全受光量Ａfullとの比［Ａopt／Ａfull］を求め、この比に従って前記検出対象物３のエッジ位置を検出している。
【００１４】
一方、エッジセンサの診断手段である比較判定部８は、上述した如く第１および第２のエッジ位置検出部６,７においてそれぞれ検出されたエッジ位置を相互に比較し、更にその差の大きさを判定することで、前記ラインセンサ２によるエッジ位置の検出が信頼性良く行われているか否かを判定している。そして上記エッジ位置の差が所定の判定閾値よりも大きい場合には、警告手段９を介してエッジ位置の検出結果が大きな誤差を含む旨の警告を発するものとなっている。
【００１５】
ところでフレネル回折を生じた受光パターンに基づくエッジ位置検出について簡単に説明すると、上記フレネル回折を生じた受光パターンの光強度分布は、図２に示すようにエッジ位置近傍で急峻に立ち上がり、エッジ位置から離れるに従って振動しながら収束する。このような光強度分布の特性は、単色平行光の波長をλ、検査対象物３のエッジから受光面までの距離をｚ、受光面上でのエッジ位置を［ｘ＝０］としたとき、∫を［ｘ＝０］から［（２／λｚ）^1/2・ｘ］までの積分を示す演算記号として
光強度＝ (１／２)｛[１／２＋Ｓ(ｘ)]²＋[１／２＋Ｃ(ｘ)]²｝
Ｓ(ｘ) ＝∫sin(π／２)・Ｕ²dＵ
Ｃ(ｘ) ＝∫cos(π／２)・Ｕ²dＵ
として表される。但し、Ｕは仮の変数である。そしてエッジがない場合の受光面上での光強度を［１.００］とした場合、エッジ位置［ｘ＝０］における光強度（相対値）は［０.２５］となる。従って前記受光パターンにおいて光強度が［０.２５］となる位置ｘを検出すれば、これによってエッジ位置ｘを求めることができる。
【００１６】
尚、上記関数Ｓ(ｘ),Ｃ(ｘ)については、専ら数学公式集に示されるように、フレネル関数を用いることで
Ｓ(ｘ)’≒（１／２）−（１／πｘ）cos(πｘ²／２)
Ｃ(ｘ)’≒（１／２）＋（１／πｘ）sin(πｘ²／２)
としてそれぞれ近似することができる。従って基本的には上記近似式Ｓ(ｘ)’,Ｃ(ｘ)’を用いることにより、前記ラインセンサ２の各受光セルによる受光強度から前述したエッジ位置ｘを計算することができる。
【００１７】
しかしながら上述したフレネル関数の近似式を用いた場合、光強度分布の最初の立ち上がり部分（１山目）における誤差が無視できない言う問題がある。この点、本発明者は先に光強度分布の最初の立ち上がり部分（１山目）だけに着目した場合、ハイパボリックセカンド関数sech(ｘ)を用いれば、その最初の立ち上がり部分（１山目）の特性を非常に高精度（３桁程度の精度）に近似し得ることを見出した。
【００１８】
このハイパボリックセカンド関数sech(ｘ)を用いて近似される光強度は、
光強度＝１.３７・sech｛１.９８(２／λｚ)^1/2ｘ−２.３９｝
として示される。そしてその逆関数を計算すると、
Ｙ＝（ｙ／１.３７），Ｘ＝１.９８（２／λｚ）^1/2ｘ
とおいて、
Ｘ＝２.３９−ln｛[１＋(１−Ｙ²)^1/2]／Ｙ｝
として表すことができる。
【００１９】
このようなハイパボリックセカンド関数sech(ｘ)を用いることにより、前記第１のエッジ位置検出部６においては、例えば次のようにして簡単に、しかも高精度にエッジ位置を検出することができる。即ち、先ずラインセンサ２における複数（ｍ個）の受光セルから求められる正規化された各受光強度ｙ1,ｙ2,〜ｙmから、互いに隣接して前述した基準光強度［０.２５］よりも大きい受光強度を得た受光セルＣnと、上記基準光強度［０.２５］よりも小さい受光強度を得た受光セルＣn-1とをそれぞれ求める。つまり複数の受光セル１ａ（Ｃ1,Ｃ2,〜Ｃm）間のそれぞれにおいて受光強度が［０.２５］を挟む互いに隣接する２つの受光セルＣn,Ｃn-1を求める。
【００２０】
次いでこれらの各受光セルＣn,Ｃn-1の受光強度ｙn,ｙn-1を上述した係数［１.３７］で除算してＸ-Ｙ座標上での光強度Ｙn,Ｙn-1に変換する。しかる後、これらの各受光セルＣn,Ｃn-1の受光強度Ｙn,Ｙn-1が得られる該受光セルＣn,Ｃn-1の受光面上での位置Ｘn,Ｘn-1を、前述した近似式に従って
Ｘn＝２.３９−ln｛[１＋(１−Ｙn²)^1/2]／Ｙn｝
Ｘn-1＝２.３９−ln｛[１＋(１−Ｙn-1²)^1/2]／Ｙn-1｝
として、それぞれ逆変換によりＸ軸上の相対位置を計算する。するとこれらの逆変換により計算された位置Ｘn,Ｘn-1から、図３にその概念を示すように受光セルＣnの位置と、受光強度が［０.２５］となるエッジ位置との差Δｘを
Δｘ＝Ｗ・［Ｘn／（Ｘn−Ｘn-1）］
なる補間演算により容易に求めることができる。尚、上記差Δｘは、受光強度が［０.２５］となるエッジ位置ｘoから受光セルＣnの位置までの距離であるので、ラインセンサ１の受光面全体において１番目の受光セルＣ1から測ったときの絶対位置ｘについては、ｎを光量Ｙ２を得た受光セル１ａのセル番号、受光セル１ａの配列ピッチをＷとしたとき
ｘ＝ｎ・Ｗ−Δｘ
として求めるようにすれば良い。ちなみに上記逆変換において求められる相対位置Ｘn,Ｘn-1は、
Ｘ＝１.９８（２／λｚ）^1/2ｘ
として示されるように［１.９８(２/λｚ)^1/2］倍された値である。しかし上記補間演算で比をとることにより実質的に上述した項が削除されるので、その計算処理の簡素化を図ることができる。
【００２１】
尚、ここでは隣接する受光セル１ａ間で光強度が［０.２５］となる位置を見出し、その位置をセル境界とする２つの受光セルＣn,Ｃn-1を特定したが、単に上記位置を挟む２つ以上の受光セルを特定しても良い。但し、この場合には必ず前述した近似式を用いて補間演算を行うことで、その演算精度の低下を防止するようにすれば良い。また上述した逆変換については、例えば予めその計算値を記憶したテーブルを用いることで、その演算処理負担を大幅に軽減して瞬時に実行することが可能である。
【００２２】
ここで前述した比較判定部８における診断処理について説明する。先に述べたように第１のエッジ位置検出部６は、フレネル回折による受光パターンにおける相対強度が[０.２５]となる位置としてエッジ位置を高精度に検出しており、また第２のエッジ位置検出部７は、そのときの全受光量と遮蔽物３を介在させないときの（エッジがないときの）初期時における全受光量との比に基づいてエッジ位置を検出している。ここで第１のエッジ位置検出部６にて検出されたエッジ位置をＸccd、第２のエッジ位置検出部７にて検出されたエッジ位置をＸoptとすると、比較判定部８は基本的には上記エッジ位置Ｘccdとエッジ位置Ｘoptとを相互に比較し、その差［Ｘccd−Ｘopt］の絶対値を所定の判定閾値（許容誤差）と照合している。そして上記差［Ｘccd−Ｘopt］の絶対値が判定閾値（許容誤差）以下である場合、前述した如く求められたエッジ位置Ｘccd（またはエッジ位置Ｘopt）が、十分に信頼性の高い条件下で求められた高精度なものであると診断（判断）している。
【００２３】
しかし上記差［Ｘccd−Ｘopt］の絶対値が所定の判定閾値（許容誤差）を越える場合には、比較判定部８は、例えばラインセンサ２に外乱光が混入している、或いはラインセンサ２の受光面が汚れている等として、その検出結果が大きな誤差を含む信頼性の乏しいものであると診断している。
即ち、ラインセンサ２の受光面に汚れがなく、且つ外乱光が存在しない場合にのラインセンサ２の受光面における受光パターンは、前述した図２に示す光強度分布の特性となり、ラインセンサ２の各受光セルでの受光強度は図４(ａ)に示すようになる。この場合、例えば光の波長λを６７０ｎｍ，エッジと受光面との距離を３００ｍｍとし、エッジ位置をラインセンサ２の端部から４３３５μｍに位置付けて実験したところ、第１のエッジ位置検出部６にて検出されるエッジ位置Ｘccd、および第２のエッジ位置検出部７にて検出されるエッジ位置Ｘoptは、共に４３３５μｍとして求められた。
【００２４】
しかしラインセンサ２の一部に、例えば７０〜７５セルに汚れが有り、当該セルの受光量が図４(ｂ)に示すように低下している場合には、例えば第１のエッジ位置検出部６にて検出されるエッジ位置Ｘccdは４３３５μｍとして求められるものの、第２のエッジ位置検出部７にて検出されるエッジ位置Ｘoptが４２８４μｍとして求められ、その差が５１μｍも生じる。
【００２５】
一方、ラインセンサ２の一部に、例えば７０〜７５セルに外乱光が当たっており、当該セルの受光量が図４(ｃ)に示すように増加している場合には、例えば第１のエッジ位置検出部６にて検出されるエッジ位置Ｘccdは４３３５μｍとして求められるものの、第２のエッジ位置検出部７にて検出されるエッジ位置Ｘoptが４３８６μｍとして求められ、その差が−５１μｍも生じる。
【００２６】
これらの原因は、第１のエッジ位置検出部６がフレネル回折を生じた受光パターンの立ち上がりの特性だけに着目してそのエッジ位置を高精度に検出しているのに対し、第２のエッジ位置検出部７においては各受光セルでの受光強度を積分して求められる全受光量に着目しており、その全受光量が上述した７０〜７５セルの汚れの分だけ低下していること、或いはその全受光量が上述した７０〜７５セルに入り込んだ外乱光の分だけ増加していることによる。
【００２７】
従って汚れや外乱光が混入したセル領域がエッジ位置近傍を外れており、フレネル回折によるエッジ位置検出が正確に行われているとするならば、光量方式にて検出されたエッジ位置が小さい場合には、光を受光している受光セルのいずれかの表面が汚れていると診断することができる。逆に光量方式にて検出されたエッジ位置が大きい場合には、光を受光している受光セルのいずれかに外乱光が混入していると診断することができる。
【００２８】
これに対してラインセンサ２の受光面全体に一様に外乱光が当たっている場合には、図５(ａ)に示すようにその受光レベルがほぼ一様に高くなる。この場合、第１および第２のエッジ位置検出部６,７によりそれぞれ検出されるエッジ位置Ｘccd，Ｘoptは受光レベルが一様に高い分だけそれぞれ大きくなる。しかし第１のエッジ位置検出部６はフレネル回折を生じた受光パターンの立ち上がりの特性にだけ着目してエッジ位置を検出しているので、その変化の度合いは小さく、これに対して第２のエッジ位置検出部７は全受光量を判定しているので、その変化の度合いが大きくなる。この結果、図５(ａ)に示す例においては、エッジ位置Ｘccdは４４２０μｍとして求められ、またエッジ位置Ｘoptは５２０２μｍとして求められる。そしてその差は、−７８２μｍにも達する。
【００２９】
逆にラインセンサ２の受光面全体が一様に汚れている場合には、図５(ｂ)に示すようにその受光レベルがほぼ一様に低くなる。そしてこの場合、第１および第２のエッジ位置検出部６,７によりそれぞれ検出されるエッジ位置Ｘccd，Ｘoptは、受光レベルが一様に低い分だけそれぞれ小さくなる。しかしこの場合においても、第１のエッジ位置検出部６はフレネル回折を生じた受光パターンの立ち上がりの特性にだけ着目してエッジ位置を検出しているので、その変化の度合いは小さく、これに対して第２のエッジ位置検出部７は全受光量を判定しているのでその変化の度合いが大きくなる。この結果、図５(ｂ)に示す例においては、エッジ位置Ｘccdは４２７９μｍとして求められ、またエッジ位置Ｘoptは３４６８μｍとして求められる。そしてその差は、８１１μｍにも達する。
【００３０】
このようにラインセンサ２の受光面が一様に汚れている場合や、ラインセンサ２の受光面に一様に外乱光が当たるような場合、これによって第１のエッジ位置検出部６によるエッジ位置検出結果Ｘccdにずれが生じるものの、第２のエッジ位置検出部７によるエッジ位置検出結果Ｘoptに非常に大きなずれが生じる。従って上述した如く検出されるエッジ位置Ｘccdとエッジ位置Ｘoptの差を求めたとき、その差が非常に大きいならば、ラインセンサ２の受光面が一様に汚れている、或いはラインセンサ２の受光面に一様に外乱光が混入しており、その計測値は信頼することができないとして診断することが可能となる。
【００３１】
またラインセンサ２の受光面が一様に汚れており、これによって生じる全体的な受光量の低下に対するエッジ位置の検出誤差について調べて見たところ、次のような結果が得られた。但し、次表は受光量が１００％であるときの検出誤差を０とし、エッジと受光面との距離ＷＤが３００ｍｍである場合と１００ｍｍである場合とにおいて、受光量の低下に伴う検出位置の誤差をその単位を［μｍ］として表したものである。
【００３２】
【表１】

【００３３】
この表１に示されるようにラインセンサ２の受光面が一様に汚れてその受光量が減少したとき、受光量方式によるエッジ検出においては大きな誤差を生じる。しかし回折パターン解析方式によるエッジ検出においては、上述した受光量方式に比較して、その誤差を十分に小さく抑えることができる。このような検出誤差の違いは、回折パターン解析方式が、フレネル回折を生じた受光パターンの立ち上がりの特性だけに着目してそのエッジ位置を検出しており、全体的な受光量の変化に大きく左右されないことによる。
【００３４】
従ってこのような回折パターン解析方式（第１のエッジ位置検出部６）によるエッジ位置検出と、受光量方式（第２のエッジ位置検出部７）によるエッジ位置検出の検出精度に着目すれば、前述したようにこれらの計測値Ｘccd,Ｘoptを相互に比較し、その差の大きさを判定すれば、ラインセンサ２による受光状態を効果的に判定（診断）することが可能となる。特にラインセンサ２を用いたエッジ検出処理の実行中に、同時にその診断を行うことが可能となる。
【００３５】
図６はこの診断処理の一形態を示す処理アルゴリズムを示している。この処理は、先ずエッジセンサを初期設定（調整）することから開始される。この処理器設定は、投光器１とラインセンサ２との間に遮蔽物（エッジ）３を介在させることなく、投光器１から発せられた単色平行光をラインセンサ２の全受光面で受光するように初期設定し、そのときのラインセンサ２における受光パターンＡi（ｉ＝1,2,〜102）を求めることから開始される《ステップＳ１》。そして上記ラインセンサ２の各受光セルでの受光量を積分してその全受光量Ｓfullを［ΣＡi］として求める《ステップＳ２》。更に各受光セルの受光量がそれぞれ［１］となるように、その正規化パラメータＮi（ｉ＝1,2,〜102）を［Ｎi＝１／Ａi］として求める《ステップＳ３》。
【００３６】
以上の初期化処理を終えたならば、投光器１とラインセンサ２との間に遮蔽物（エッジ）３を介在させてそのエッジ検出処理を実行する。具体的には先ずエッジを入れたときの受光パターンＹi（ｉ＝1,2,〜102）を求め《ステップＳ４》、この受光パターンＹiを前述した正規化パラメータＮiを用いて正規化する《ステップＳ５》。しかる後、正規化した受光パターンに従い、受光量が［０.２５］となる点を挟む２点ｙ１,ｙ２を探し、点ｙ２を含む受光セルの番号ｎを求める《ステップＳ６》。
【００３７】
次いで逆フレネル関数Ｘ
Ｘ＝２.３９−ln｛[１＋(１−Ｙn²)^1/2]／Ｙn｝
を用い、上記２点ｙ１,ｙ２をそれぞれＸ軸に逆写像して、位置Ｘ１,Ｘ２を求める《ステップＳ７》。そして逆写像した位置位置Ｘ１,Ｘ２から補間処理を行い、ｎセル目の中心からエッジ位置までの距離を求め、セル間のピッチを８５μｍとして
Ｘccd＝８５［ｎ−Ｘ２／（ｘ２−ｘ１）］
なる計算によりエッジ位置を算出する《ステップＳ８》。
【００３８】
一方、エッジを入れたときの受光量の合計値Ｓを求め《ステップＳ９》、前述したエッジを入れないときの全受光量との比を［Ｓ／Ｓfull］として求める。そしてこの比［Ｓ／Ｓfull］に従って、例えば
Ｘopt＝８６７０×［Ｓ／Ｓfull］
としてエッジ位置を計算する《ステップＳ１０》。但し、上記［８６７０］は、８５μｍのピッチで１０２個の受光セルを配列したラインセンサ２の全体の長さである。
【００３９】
しかる後、上述した回折パターンから求められるエッジ位置Ｘccd光量から求められるとエッジ位置Ｘoptとの差［Ｘccd−Ｘopt］を求め《ステップＳ１１》、その差が予め設定された閾値Ｅmin,Ｅmaxの範囲内にあるか否かを判定する《ステップＳ１２》。そして
Ｅmin＜［Ｘccd−Ｘopt］＜Ｅmax
であるならば、その測定結果が正しいと判定してその測定結果を出力する《ステップＳ１３》。しかし上記判定条件が満たされていない場合には、その測定結果が大きな誤差を含むとして警告を発する。
【００４０】
この際、前述した考察に基づき、外乱光による異常の発生であるか、汚れによる異常の発生であるかを示す情報を合わせて出力することも勿論可能である。またこのような異常が検出された場合、異常値をそのまま出力することに代えて、それまでの正しい測定結果を異常が解除されるまで保持して出力することも好ましい。
【００４１】
かくしてこのようにしてエッジセンサの動作態様を診断する診断装置および診断方法によれば、ラインセンサ２を用いて遮蔽物３のエッジ位置を検出しながらリアルタイムにその良否を判断することができる。特に従来のように、その都度、診断モードを設定してラインセンサ２による受光状態を診断しなくても、計測データそのものを用いながら診断処理を実行することができる。従ってその診断自体をリアルタイムに簡易に行うことができ、しかもその計測信頼性を十分に高めることが可能となる等の実用上だ大なる効果が奏せられる。
【００４２】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えばラインセンサ２の仕様等は、その計測対象に応じて変更可能なものであり、診断結果の出力形態も特に限定されない。またエッジ位置Ｘccd,Ｘoptの差の経時的な変化や、受光量の経時的な変化を調べて汚れの具合等を診断することも勿論可能である。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、簡易にして効果的にエッジセンサの異常な検出態様を診断することができる。しかも回折パターン解析方式によるエッジ位置検出を行いながら、受光パターンの積分値（総和）から全受光量を求めてエッジ位置を検出し、このエッジ位置とフレネル回折パターンから求められるエッジ位置とを比較するだけで、その診断を効率的に行うことができるので、その診断処理負担も軽いと言う効果が奏せられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る診断方法を適用したエッジセンサの診断装置の全体的な概略構成図。
【図２】フレネル回折に起因する受光パターンを示す図。
【図３】回折パターン解析方式によるエッジ位置検出の一例を説明するための図。
【図４】正常時、受光セルの一部に汚れがあるとき、および受光セルの一部に外乱光が入ったときのそれぞれにおけるラインセンサの受光パターンの例を示す図。
【図５】ラインセンサに一様に外乱光が当たったとき、およびラインセンサの受光面が一様に汚れているときのラインセンサの受光パターンの例を示す図。
【図６】エッジセンサの診断アルゴリズムの例を示す図。
【符号の説明】
１投光器
２ラインセンサ
３遮蔽物（エッジ）
４受光パターン検出部
５受光量検出部
６第１のエッジ位置検出部
７第２のエッジ位置検出部
８比較判定部（診断機能）
９警告手段

Claims

複数の受光セルを所定のピッチで配列した受光面を備え、この受光面に入射する光を遮る遮蔽体の前記受光セルの配列方向におけるエッジ位置を検出するエッジセンサの診断方法であって、
前記複数の受光セルがそれぞれ出力する各受光セルでの受光量を求め、前記複数の受光セルの各出力から遮蔽体のエッジに生じたフレネル回折に起因する前記受光面上における受光パターンを解析して前記遮蔽体のエッジ位置を検出すると共に、予め前記遮蔽体が存在しないときに求められた前記複数の受光セルの各出力の総和と、前記受光パターンの解析に用いられた前記複数の受光セルの各出力の総和とに基づいてその受光量から前記遮蔽体のエッジ位置を検出し、
これらの検出されたエッジ位置の差が所定の閾値よりも大であって、前記受光パターンを解析して求めたエッジ位置に比較して受光量から求めたエッジ位置が小さい場合には、前記受光セルの受光面が汚れており、前記受光量から求めたエッジ位置が大きい場合には外乱光が混入していると判断することを特徴とするエッジセンサの診断方法。
受光量を出力する複数の受光セルを所定のピッチで配列した受光面を備えたラインセンサと、
このラインセンサの受光面への入射光を遮る遮蔽体の前記受光セルの配列方向におけるエッジに生じたフレネル回折に起因する前記ラインセンサの受光面上における受光パターンを解析して上記遮蔽体のエッジ位置を検出する第１のエッジ位置検出手段と、
予め前記遮蔽体が存在しないときに求められた前記ラインセンサによる全受光量と前記第１のエッジ位置検出手段による前記受光パターンの解析に用いられた前記ラインセンサの出力の総和として求められる前記ラインセンサの全受光量との比に基づいて前記遮蔽体のエッジ位置を検出する第２のエッジ位置検出手段と、
上記第１および第２のエッジ位置検出手段にてそれぞれ検出されたエッジ位置の差が所定の閾値よりも大であって、前記受光パターンを解析して求めたエッジ位置に比較して受光量から求めたエッジ位置が小さい場合には、前記受光セルの受光面が汚れており、前記受光量から求めたエッジ位置が大きい場合には外乱光が混入していると判断する診断手段と
を具備したことを特徴とするエッジセンサの診断装置。
前記診断手段は、前記第１および第２のエッジ位置検出手段にてそれぞれ検出されたエッジ位置の差が所定の判定閾値に満たないとき、前記エッジ位置が正確に検出されていると判断するものである請求項２に記載のエッジセンサの診断装置。