JP7117189B2 - 光学式変位計 - Google Patents

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Description

本発明は、三角測距方式により測定対象物の変位を検出する光学式変位計に関する。
光切断方式の光学式変位計においては、投光部から線状の断面を有する帯状の光が測定対象物(以下、ワークと呼ぶ。)上に照射され、その反射光が2次元の受光素子により受光される。受光素子により得られる受光量分布のピークの位置に基づいて、ワークのプロファイルが測定される。ここで、ワークに照射された光がワークの表面で多重反射することがある。この場合、多重反射した光が受光素子に入射することにより受光量分布に複数のピークが現れるため、ワークの正確なプロファイルを測定することができない。投光部以外からの光(外乱光)が受光素子に入射した場合、またはワークの測定対象部分以外の部分により反射された光が受光素子に入射した場合等にも、同様の問題が発生する。
特許文献1に記載された光学式変位計においては、互いに直交する方向に偏光する第1および第2の光がワークに順次照射される。ワークに反射された第1および第2の光が受光素子により受光され、第1および第2の光の受光量分布をそれぞれ示す第1および第2の波形データが生成される。第1および第2の波形データの間で互いに対応するピークの比に基づいて、第1および第2の波形データから1つのピークが選択される。選択されたピークの位置に基づいてワークのプロファイルが測定される。
特開2012-127887号公報
特許文献1に記載の光学式変位計によれば、受光量分布における複数のピークからワークの表面で1回のみ反射した光によるピークを選択することが可能である。しかしながら、互いに直交する方向に偏光する光を出射する2つの投光素子を光学式変位計に設ける必要があるため、光学式変位計の製造コストが増加する。また、第1および第2の波形データを取得するとともに、これらの波形データに演算を行う必要があるため、ワークのプロファイルを効率よく測定することができない。
本発明の目的は、製造コストの増加を防止しつつ測定対象物のプロファイルを効率よく測定することが可能な光学式変位計を提供することである。
(1)本発明に係る光学式変位計は、測定対象物のプロファイルを測定する光切断方式の光学式変位計であって、第1の方向に広がりを有するスリット光、または第1の方向に走査されるスポット光を測定対象物に照射する投光部と、第1の方向と、第1の方向に交差する第2の方向とに並ぶ複数の画素を含み、測定対象物の第1の方向の各位置からの反射光を受光し、受光量分布を出力する受光部と、第1の方向に並ぶ複数の画素列によりそれぞれ出力される複数の受光量分布に基づいて画素列ごとに第2の方向における1または複数の受光量のピーク候補位置を検出するピーク検出部と、各画素列についてピーク検出部により検出されたピーク候補位置の中から、当該画素列に隣接する他の画素列のピーク位置との相対的な位置関係に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択し、選択されたピーク位置に基づいてプロファイルを示すプロファイルデータを生成するプロファイル生成部と、各画素列に対応する受光量分布における各ピーク候補位置と、第1の方向において当該画素列に隣接する画素列に対応する受光量分布におけるピーク候補位置との距離を算出する距離算出部とを備え、プロファイル生成部は、距離算出部により算出された距離に基づいて相対的な位置関係を判定する。
この光学式変位計においては、投光部により第1の方向に広がりを有するスリット光、または第1の方向にスポット光が走査されて測定対象物に照射される。受光部において第1の方向に並ぶ複数の画素列により測定対象物からの反射光が受光され、受光量分布が出力される。各画素列において、複数の画素が第2の方向に並ぶ。複数の画素列によりそれぞれ出力される複数の受光量分布に基づいて画素列ごとに第2の方向における1または複数の受光量のピーク候補位置がピーク検出部により検出される。検出されたピーク候補位置の中から、プロファイルに採用されるべきピーク位置が、隣接する他の画素列のピーク位置との相対的な位置関係に基づいて選択され、選択されたピーク位置に基づいてプロファイルを示すプロファイルデータがプロファイル生成部により生成される。
この構成によれば、いずれかの画素列に対応する受光量分布において複数のピーク候補位置が検出された場合でも、当該画素列について他の画素列のピーク位置との相対的な位置関係に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置が選択される。この場合、偏光方向が異なる複数の投光素子を光学式変位計に設ける必要がない。また、各画素列について複数の受光量分布を取得する必要がなく、したがって、複数の受光量分布に演算を行う必要もない。その結果、製造コストの増加を防止しつつ測定対象物のプロファイルを効率よく測定することができる。
また、光学式変位計は、各画素列に対応する受光量分布における各ピーク候補位置と、第1の方向において当該画素列に隣接する画素列に対応する受光量分布におけるピーク候補位置との距離を算出する距離算出部をさらに備え、プロファイル生成部は、距離算出部により算出された距離に基づいて相対的な位置関係を判定する。この場合、隣接するピーク候補位置間の距離に基づいて相対的な位置関係を容易に判定することができる。
(2)光学式変位計は、プロファイル生成部の動作モードを第1の動作モードと第2の動作モードとで切り替える切替部をさらに備え、プロファイル生成部は、第1の動作モードにおいては、ピーク検出部によりいずれかの画素列に対応する受光量分布において複数のピーク候補位置が検出された場合、第1の方向において少なくとも当該画素列に隣接する画素列に対応する受光量分布におけるピーク候補位置と検出された複数のピーク候補位置との連続性に基づいて複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択し、第2の動作モードにおいては、ピーク検出部によりいずれかの画素列に対応する受光量分布において複数のピーク候補位置が検出された場合、予め設定された条件に基づいて複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択してもよい。
測定対象物の形状によっては、予め設定された条件に基づいて選択されるピーク位置が測定対象物の表面の位置に合致することがある。このような場合、第2の動作モードが選択されることにより、測定対象物のプロファイルをより効率よく測定することができる。
(3)予め設定された条件は、各受光量分布における複数のピーク候補位置から最大の受光量を有するピーク候補位置をプロファイルに採用されるべきピーク位置として選択することを含んでもよい。この構成によれば、最大の受光量を有するピーク候補位置が測定対象物の表面の位置に合致する場合、第2の動作モードが選択されることにより、測定対象物のプロファイルをより効率よく測定することができる。
(4)予め設定された条件は、各受光量分布における複数のピーク候補位置から第2の方向における一端または他端に最も近いピーク候補位置をプロファイルに採用する位置として選択することをさらに含んでもよい。この構成によれば、第2の方向における一端または他端に最も近いピーク候補位置が測定対象物の表面の位置に合致する場合、第2の動作モードが選択されることにより、測定対象物のプロファイルをより効率よく測定することができる。
(5)光学式変位計は、ピーク検出部により検出されたピーク候補位置におけるピークの態様を示すパラメータを取得するパラメータ取得部をさらに備え、プロファイル生成部は、パラメータ取得部により取得されたパラメータにさらに基づいて各受光量分布における複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択してもよい。
この場合、第1の方向における複数の画素列のピーク候補位置の相対的な位置関係と、ピークの態様との総合的な判断に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置が選択される。これにより、測定対象物のプロファイルをより正確に測定することができる。
(6)パラメータ取得部により取得されるパラメータは、ピークの受光量またはピークの幅を含んでもよい。この場合、ピークの態様を示すパラメータを容易に取得することができる。
(7)光学式変位計は、ピーク検出部により検出された複数の受光量分布における複数のピーク候補位置から各々が1以上のピーク候補位置を含む複数のクラスタを生成するクラスタ生成部をさらに備え、各クラスタは、第1の方向において隣り合うピーク候補位置間の距離が一定以下となるように選択された1以上のピーク候補位置により構成され、プロファイル生成部は、クラスタ生成部により生成された各クラスタに含まれるピーク候補位置の数に基づいて相対的な位置関係を判定してもよい。この場合、各クラスタに含まれるピーク候補位置の数に基づいて相対的な位置関係を容易に判定することができる。
)光学式変位計は、プロファイル生成部により生成されたプロファイルデータの各部分において、値の変化が小さいほど平滑効果が大きくなるようにプロファイルデータにフィルタ処理を行うフィルタ処理部をさらに備えてもよい。この場合、プロファイルにおける段差部分およびエッジ部分の形状を維持しつつ、測定対象物の平坦な部分に対応するプロファイルの部分を平滑化することができる。
本発明によれば、製造コストの増加を防止しつつ測定対象物のプロファイルを効率よく測定することができる。
第1の実施の形態に係る光学式変位計の構成を示すブロック図である。 撮像ヘッドおよびワークの外観斜視図である。 ワークの表面における光の照射位置と受光部における光の入射位置との関係を示す図である。 ワークの表面における光の照射位置と受光部における光の入射位置との関係を示す図である。 受光部の受光面における受光量分布を示す図である。 図5の1つの画素列における受光量分布を示す図である。 図5の受光量分布における全てのピーク位置を示す図である。 図7のピーク位置に基づいて取得されたプロファイルデータを示す図である。 ワークの表面での反射について説明するための図である。 受光部における受光量分布の他の例を示す図である。 図10の1つの画素列における受光量分布を示す図である。 プロファイル取得部の構成を示すブロック図である。 第1の動作モードにおけるプロファイル取得部の動作を説明するための図である。 第1の動作モードにおけるプロファイル取得部の動作を説明するための図である。 第1の動作モードにおけるプロファイル取得部の動作を説明するための図である。 変形例におけるプロファイル取得部の構成を示すブロック図である。 図12のフィルタ処理部の動作を説明するための図である。 第2の実施の形態におけるプロファイル取得部の構成を示すブロック図である。 第2の実施の形態の第1の動作モードにおけるプロファイル取得部の動作を説明するための図である。 第3の実施の形態におけるプロファイル取得部の構成を示すブロック図である。 第3の実施の形態の第1の動作モードにおけるプロファイル取得部の動作を説明するための図である。
[1]第1の実施の形態
(1)光学式変位計の構成
以下、本発明の実施の形態に係る光学式変位計として、光切断方式の光学式変位計について図面を参照しながら説明する。図1は、第1の実施の形態に係る光学式変位計の構成を示すブロック図である。図1に示すように、光学式変位計500は、撮像ヘッド100、処理装置200、入力部300および表示部400を備える。光学式変位計500は、複数の撮像ヘッド100を備えてもよい。撮像ヘッド100は、処理装置200に対して着脱可能に構成される。撮像ヘッド100と処理装置200とは一体的に構成されてもよい。
撮像ヘッド100は、投光部110および撮像部120を含む。投光部110は、一方向(後述するX1方向)に広がる帯状の光を測定対象物(以下、ワークWと呼ぶ。)に照射可能に構成される。投光部110は、一方向に広がる帯状の光に代えて、一方向に走査される光をワークWに照射可能に構成されてもよい。
撮像部120は、受光部121および受光レンズ122を含む。ワークWからの反射光が、受光レンズ122を通して受光部121に入射する。受光部121は例えばCMOS(相補型金属酸化膜半導体)センサを含み、2次元に配置された複数の画素を有する。受光部121の受光量分布は、デジタルのデータとして出力される。
処理装置200は、記憶部210および制御部220を含む。また、処理装置200は、機能部として、投光制御部221、受光制御部222、入力設定部223、プロファイル取得部224、切替部225、計測処理部226および表示処理部227を含む。
記憶部210は、RAM(ランダムアクセスメモリ)、ROM(リードオンリメモリ)、ハードディスクまたは半導体メモリ等により構成され、測定プログラムを記憶する。制御部220は、例えばCPU(中央演算処理装置)である。制御部220が記憶部210に記憶された測定プログラムを実行することにより処理装置200の機能部が実現される。処理装置200の機能部の一部または全てが電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。
投光制御部221は、投光部110の光の照射タイミングおよび光の強度等を制御する。受光制御部222は、受光部121の受光タイミング等を制御する。入力設定部223は、入力部300により与えられる指令信号に基づいて、その指令信号をプロファイル取得部224、切替部225および計測処理部226に与える。
プロファイル取得部224は、受光部121により出力された受光量分布および入力設定部223から与えられる指令信号に基づいてワークWのプロファイルを示すプロファイルデータを取得する。切替部225は、入力設定部223により与えられる指令信号に基づいて、プロファイル取得部224の動作モードを第1の動作モードと第2の動作モードとで切り替える。プロファイル取得部224および動作モードの詳細については後述する。
計測処理部226は、プロファイル取得部224により取得されたプロファイルデータに対する計測処理を行う。ここで、計測処理とは、プロファイルデータに基づいてワークWの表面の任意の部分の寸法(変位)を算出する処理である。表示処理部227は、プロファイルデータに基づくワークWの形状および計測処理により算出された寸法(変位)を示す画像データを生成し、生成された画像データを表示部400に与える。
入力部300は、キーボードおよびポインティングデバイスを含み、使用者により操作可能に構成される。ポインティングデバイスとしては、マウスまたはジョイスティック等が用いられる。また、入力部300として専用のコンソールを用いてもよい。使用者により入力部300が操作されることにより、入力部300から処理装置200の入力設定部223に指令信号が与えられる。
表示部400は、例えば液晶ディスプレイパネルまたは有機EL(エレクトロルミネッセンス)パネルにより構成される。表示部400は、処理装置200の表示処理部227により与えられる画像データに基づいてワークWのプロファイルおよび計測処理部226による計測結果を表示する。
(2)動作の概要
図2は、撮像ヘッド100およびワークWの外観斜視図である。図3および図4は、ワークWの表面における光の照射位置と受光部121における光の入射位置との関係を示す図である。図2~図4においては、水平面内で互いに直交する2方向をX1方向およびY1方向と定義し、それぞれ矢印X1,Y1で示す。また、鉛直方向をZ1方向と定義し、矢印Z1で示す。また、図3および図4においては、受光部121の受光面上で互いに直交する2方向をX2方向およびZ2方向と定義し、それぞれ矢印X2,Z2で示す。ここで、受光面とは、受光部121の複数の画素により形成される面である。
図2の例では、ワークWの表面にY1方向に延びる断面台形状の溝が形成される。撮像ヘッド100は、X1方向に沿った帯状の光をワークWの表面に照射する。以下、帯状の光が照射されるワークWの表面の線状の領域を照射領域T1と呼ぶ。図3に示すように、照射領域T1で反射される光が、受光レンズ122を通して受光部121に入射する。この場合、照射領域T1における光の反射位置がZ1方向に異なると、受光部121への反射光の入射位置がZ2方向に異なる。
また、図4に示すように、照射領域T1における光の反射位置がX1方向に異なると、受光部121への反射光の入射位置がX2方向に異なる。これにより、受光部121のZ2方向における光の入射位置が、照射領域T1のZ1方向における位置(高さ)を表し、受光部121のX2方向における光の入射位置が、照射領域T1におけるX1方向の位置を表す。
図5は、受光部121の受光面における受光量分布を示す図である。図5の受光部121の各画素pの受光量に基づいて受光量分布が生成される。受光部121の複数の画素pは、X2方向およびZ2方向に沿うように2次元に配置される。Z2方向に沿った複数の画素pの列の各々を画素列SSと呼ぶ。したがって、受光部121の受光面には、複数の画素列SSがX2方向に配列され、各画素列SSはZ2方向に沿った複数の画素pを含む。
なお、本発明における各画素pは、CMOSセンサ等の撮像装置の1個のピクセル(ピクセルの最小単位)により構成されることに限定されず、複数個のピクセルにより構成されてもよい。例えば、2×2に配列された4個のピクセルにより各画素pが構成されてもよいし、3×3に配列された9個のピクセルにより各画素pが構成されてもよい。したがって、複数個のピクセルを1個の単位としてビニング処理が行われている場合には、当該1個の単位に含まれる複数個のピクセルにより各画素pが構成されてもよい。
図2の照射領域T1で反射された光は、図5に示される受光領域R1に入射する。それにより、受光領域R1の受光量が大きくなる。図5の受光量分布が、画素列SSごとにデジタルのデータとして出力される。
図6は、図5の1つの画素列SSにおける受光量分布を示す図である。図6において、横軸はZ2方向の位置を示し、縦軸は受光量を示す。図6に示すように、1つの画素列SSにおける受光量分布には、図5の受光領域R1に対応するピークP(極大値)が現れる。ピークPのZ2方向における位置(以下、ピーク位置PPと呼ぶ。)は、照射領域T1におけるワークWの表面(反射面)の高さを示す。
複数の画素列SSに対応する複数の受光量分布の各々において1つ以上(図6の例では1つ)のピーク位置PPが図1のプロファイル取得部224により検出される。複数のピーク位置PPに基づいて、ワークWのプロファイル(照射領域T1の形状)を示すプロファイルデータがプロファイル取得部224により取得される。
図7は、図5の受光量分布における全てのピーク位置PPを示す図である。図8は、図7のピーク位置PPに基づいて取得されたプロファイルデータを示す図である。図7および図8に示すように、検出された全てのピーク位置PPが、連続的な線として示されることにより、ワークWのプロファイルを示すプロファイルデータが得られる。
上記のように、照射領域T1で反射された光が受光部121に入射することにより、照射領域T1の高さを表すピークが受光量分布に表れる。しかしながら、照射領域T1以外の部分で反射された光が受光部121に入射することがある。この場合、照射領域T1の高さを示すピーク(以下、真ピークと呼ぶ。)とは異なるピーク(以下、偽ピークと呼ぶ。)が受光量分布に現れる。図9(a),(b)は、ワークWの表面での反射について説明するための図である。図10は、受光部121における受光量分布の他の例を示す図である。図11は、図10の1つの画素列SSにおける受光量分布を示す図である。
図9(a)に示すように、ワークWに照射される光は、照射領域T1で正反射および拡散反射される。ここで、正反射とは、入射角と反射角とが等しい反射をいい、拡散反射とは、入射角と反射角とが異なる反射をいう。通常、照射領域T1で正反射された光は受光部121に入射せず、照射領域T1で拡散反射された一部の光L1が受光部121に入射する。一方、図9(b)に示すように、照射領域T1で拡散反射された他の一部の光L2が、ワークWの表面の照射領域T1以外の他の領域(以下、偽照射領域T2と呼ぶ。)で正反射され、受光部121に入射することがある。
光が正反射された場合、反射前後で光の強度が大きく変化しない。そのため、照射領域T1から受光部121に入射する光L1の強度と、偽照射領域T2から受光部121に入射する光L2の強度との間に大きな差が生じない。なお、本実施の形態は一例であり、このような多重反射(複数回反射)は様々な状況下で起こりうる。例えば、正反射光がワークWからの反射光として受光部121に受光されるようにワークWおよび撮像ヘッド100が配置されている場合、正反射光以外の拡散反射光が他の領域でさらに反射され、受光部121に受光されることもある。
この場合、図10に示すように、受光部121の受光面において、受光領域R1以外に、他の領域(以下、偽受光領域R2と呼ぶ。)の受光量が大きくなる。そのため、図11に示すように、受光量分布において、受光領域R1に対応するピークPである真ピークP1の他に、偽受光領域R2に対応するピークPである偽ピークP2が現れる。すなわち、真ピークP1の位置と偽ピークP2の位置とがピークPの候補の位置(以下、ピーク候補位置と呼ぶ。)としてプロファイル取得部224により検出される。真ピークP1の位置ではなく偽ピークP2の位置を用いた場合、正確なプロファイルデータを取得することができない。
また、投光部110以外からの光(外乱光)が受光部121に入射することがある。あるいは、ワークWの照射領域T1以外の部分に照射された光が反射されて受光部121に入射することがある。これらの場合にも、受光量分布において、真ピークP1の他に偽ピークP2が現れることとなり、同様の問題が発生する。
そこで、プロファイル取得部224は、第1の動作モードと第2の動作モードとで選択的に動作する。第1の動作モードにおいては、当該画素列SSに隣接する画素列SSに対応する受光量分布におけるピーク候補位置と、検出された複数のピーク候補位置との相対的な位置関係(例えば連続性)に基づいて偽ピークP2の位置ではなく真ピークP1の位置がピーク位置PPとして選択される。第2の動作モードにおいては、予め設定された条件に基づいて複数のピーク候補位置から1つのピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。
以下、プロファイル取得部224の動作の詳細について説明する。また、以下の説明では、画素列SSに対応する受光量分布におけるピーク候補位置を単に画素列SSのピーク候補位置と呼ぶ。
(3)プロファイル取得部
図12は、プロファイル取得部224の構成を示すブロック図である。図12に示すように、プロファイル取得部224は、機能部として、ピーク検出部1、クラスタ生成部2、プロファイル生成部3およびフィルタ処理部4を含む。図1の制御部220が記憶部210に記憶された測定プログラムを実行することによりプロファイル取得部224の機能部が実現される。プロファイル取得部224の機能部の一部または全てが電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。
ピーク検出部1は、第1および第2の動作モードにおいて、受光部121により出力される受光量分布に基づいて各画素列SSのピーク(ピーク候補位置を含む。以下も同様である。)を検出する。クラスタ生成部2は、第1の動作モードにおいて、ピーク検出部1により検出された複数のピーク候補位置から複数のクラスタを生成する。ここで、各クラスタは、X2方向において隣り合うピーク候補位置間の距離が一定以下となるように選択された1以上のピーク候補位置により構成される。
プロファイル生成部3は、第1の動作モードにおいて、クラスタ生成部2により生成された各クラスタに含まれるピーク候補位置の数に基づいて各受光量分布における複数のピーク候補位置からワークWの表面の位置に対応するピーク位置PPを選択する。本実施の形態においては、最も大きいクラスタに含まれるピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。なお、クラスタの大きさは、当該クラスタに含まれるピーク候補位置の数の多さを意味する。
また、プロファイル生成部3は、第2の動作モードにおいて、予め設定された条件に基づいて各受光量分布における複数のピーク候補位置から1つのピーク位置PPを選択する。予め設定された条件は、「標準(最大ピーク)」、「NEAR」および「FAR」を含む。「標準(最大ピーク)」においては、各受光量分布における複数のピーク候補位置から最大の受光量を有するピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。図11の例では、2つのピークPのうち、最大の受光量を有する真ピークP1の位置がピーク位置PPとして選択される。
「NEAR」においては、各受光量分布における複数のピーク候補位置からZ2方向における一端(例えば左端)に最も近いピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。図11の例では、2つのピークPのうち、最も左に現れる偽ピークP2の位置がピーク位置PPとして選択される。「FAR」においては、各受光量分布における複数のピーク候補位置からZ2方向における他端(例えば右端)に最も近いピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。図11の例では、2つのピークPのうち、最も右に現れる真ピークP1の位置がピーク位置PPとして選択される。
使用者は、入力部300を操作することにより、「標準(最大ピーク)」、「NEAR」および「FAR」のいずれかを入力設定部223に設定することができる。ワークWの形状によっては、いずれかの条件に基づいて選択されるピーク位置PPがワークWの表面の位置に合致することがある。したがって、使用者がワークWの形状に対応する適切な条件を認識している場合には、第2の動作モードにおいてその条件を設定することにより、ワークWの表面の位置に対応する適切なピーク位置PPをより効率よく選択することができる。
さらに、プロファイル生成部3は、選択されたピーク位置PPに基づいてワークWのプロファイルを示すプロファイルデータを生成する。フィルタ処理部4は、プロファイル生成部3により生成されたプロファイルデータの各部分において、値の変化が小さいほど平滑効果が大きくなるようにプロファイルデータにフィルタ処理を行う。フィルタ処理部4の詳細については後述する。プロファイル生成部3により生成されたプロファイルデータに基づくプロファイルは、表示処理部227を通して表示部400に表示される。
図13、図14および図15は、第1の動作モードにおけるプロファイル取得部224の動作を説明するための図である。上記のように、図12のピーク検出部1は、各画素列SSのピーク候補位置を検出する。図13の例においては、検出されたピーク候補位置に対応する受光部121の画素pがドットパターンにより示される。図13に示すように、一部の画素列SSにおいては、複数のピーク候補位置が検出される。
図12のクラスタ生成部2は、ピーク検出部1により検出された複数のピーク候補位置から複数のクラスタを生成する。X2方向に近接する複数のピーク候補位置は、同一のクラスタに含まれる。同一のクラスタに含まれる各2つのピーク候補位置は、必ずしもX2方向に隣接していなくてもよい。任意のピーク候補位置と、当該ピーク候補位置から予め定められた距離以内にあるピーク候補位置とは、同一のクラスタに含まれてもよい。
図14の例では、複数のピーク候補位置から14個のクラスタC1~C14が生成され、各クラスタC1~C14が異なるドットパターンまたはハッチングパターンにより示される。クラスタC1が最も大きいクラスタであり、クラスタC14が2番目に大きいクラスタであり、クラスタC2,C3,C5~C7,C9の各々が最も小さいクラスタである。図14では、X2方向に並ぶ複数の画素列SSを左から順にそれぞれ画素列SS1,SS2,SS3,…と呼ぶ。
画素列SS1においては、3個のピーク候補位置が検出され、それぞれクラスタC1,C2,C3に含まれる。画素列SS2においては、3個のピーク候補位置が検出され、それぞれクラスタC1,C4,C5に含まれる。画素列SS3においては、4個のピーク候補位置が検出され、それぞれクラスタC1,C4,C6,C7に含まれる。これらの場合、最も大きいクラスタC1に含まれたピーク候補位置が図12のプロファイル生成部3によりピーク位置PPとして選択される。
画素列SS4~SS8においては、クラスタC1に含まれた1個のピーク候補位置のみが検出される。これらの場合、当該ピーク候補位置がプロファイル生成部3によりピーク位置PPとして選択される。
同様にして、図15に示すように、受光部121のX2方向における領域A1の画素列SSにおいては、クラスタC1に含まれたピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。受光部121のX2方向における領域A2の画素列SSにおいては、クラスタC14に含まれたピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。図15の例では、選択されたピーク位置PPに対応する受光部121の画素pがドットパターンにより示される。選択されたピーク位置PPに基づいて図12のプロファイル生成部3によりプロファイルデータが生成される。
(4)変形例
本実施の形態においては、最も大きいクラスタに含まれるピーク候補位置がピーク位置PPとして選択されるが、本発明はこれに限定されない。クラスタに含まれるピーク候補位置の数と、ピーク候補の態様を示す他のパラメータとの総合的な判断に基づいてピーク位置PPが選択されてもよい。
図16は、変形例におけるプロファイル取得部224の構成を示すブロック図である。図16のプロファイル取得部224について、図12のプロファイル取得部224と異なる点を説明する。図16に示すように、変形例におけるプロファイル取得部224は、パラメータ取得部5をさらに含む。パラメータ取得部5は、第1の動作モードにおいて、ピーク検出部1により検出された複数のピークPの候補の態様をそれぞれ示す複数のパラメータを取得する。
具体的には、真ピークP1の受光量は、偽ピークP2の受光量よりも大きい傾向がある。あるいは、真ピークP1の幅は、偽ピークP2の幅よりも狭い傾向がある。そこで、パラメータ取得部5は、上記のパラメータとして、例えばピークPの候補の受光量またはピークPの候補の幅を取得する。
プロファイル生成部3は、クラスタ生成部2により生成された各クラスタに含まれるピーク候補位置の数の多さと、パラメータ取得部5により取得されたピークの候補の受光量の大きさまたはピークの候補の幅の狭さとを総合的に判断する。その判断の結果、プロファイル生成部3は、いずれかのクラスタを選択し、選択されたクラスタに含まれるピーク候補位置をピーク位置PPとして選択する。
(5)フィルタ処理部
図17は、図12のフィルタ処理部4の動作を説明するための図である。図17(a)~(c)においては、ワークWのプロファイルが表示部400に表示されている。また、表示部400の画面上には、図1の受光部121のX2方向およびZ2方向にそれぞれ対応するX3方向およびZ3方向が定義されている。
ワークWの部分が平坦である場合でも、ワークWの表面の状態または色ムラ等によっては、図17(a)に示すように、プロファイルデータに基づくワークWのプロファイルの部分が平坦にならず、ギザギザになることがある。また、ワークWのプロファイルの部分を平滑化するためにスムージングフィルタ処理をプロファイルデータに行うと、図17(b)に示すように、プロファイルの段差部分またはエッジ部分が消失し、正確なプロファイルが得られないことがある。
そこで、本実施の形態においては、フィルタ処理部4は、下記式(1)を演算することにより、出力値fを算出する。ここで、X3方向に並ぶ複数の画素列SSを左から順にi番目(iは1以上の整数)とすると、式(1)において、zは、プロファイルデータにおけるi番目の画素列SSに対応する部分のZ3方向の位置(高さ)である。αは、Z3方向における重み付けパラメータである。kは、1以上の整数であり、番数iを中心とした演算を行う範囲(カーネル)を示す。
Figure 0007117189000001
全ての番数iについて式(1)の出力値fが算出されることにより、プロファイルにおける高さ変化の小さい部分の平滑効果が高さ変化の大きい部分の平滑効果よりも大きくなるようにプロファイルデータにフィルタ処理が行われる。これにより、図17(c)に示すように、段差部分およびエッジ部分の形状が維持されつつプロファイルが平滑化される。
フィルタ処理部4は、式(1)に代えて下記式(2)を演算することにより、出力値fを算出してもよい。ここで、式(2)において、xは、プロファイルデータにおけるi番目の画素列SSに対応する部分のX3方向の位置である。βはX3方向における重み付けパラメータである。他のパラメータは、式(1)におけるパラメータと同様である。
Figure 0007117189000002
全ての番数iについて式(2)の出力値fが算出されることにより、プロファイルにおける高さ変化の小さい部分の平滑効果が高さ変化の大きい部分の平滑効果よりも大きくなるようにプロファイルデータにフィルタ処理が行われる。また、プロファイルにおけるX3方向に近接する部分間の平滑効果がX3方向に離間した部分間の平滑効果よりも大きくなるようにプロファイルデータにフィルタ処理が行われる。
また、使用者は、入力部300を操作することにより、Z3方向においてフィルタ処理を行うプロファイルデータの範囲を指定することができる。フィルタ処理を行う範囲を複数指定することも可能である。図17(a)には、フィルタ処理を行う2つの範囲F1,F2が指定される例がドットパターンにより示されている。
なお、式(1)または式(2)において、カーネルkは、ガウシアンカーネルとして図1の入力設定部223に設定されてもよいし、使用者が図1の入力部300を操作することにより入力設定部223に設定されてもよい。あるいは、図1の計測処理部226によりプロファイルの所定の段差部分を計測することが設定される場合、カーネルkは、当該段差部分の大きさに応じて自動的に入力設定部223に設定されてもよい。
(6)効果
本実施の形態に係る光学式変位計500においては、投光部110により光がワークWに照射される。受光部121においてX2方向に並ぶ複数の画素列SSによりワークWからの反射光が受光され、受光量分布が出力される。複数の受光量分布の各々において、対応する画素列SSの複数の画素pが並ぶZ2方向における1つまたは複数の受光量のピーク候補位置がピーク検出部1により検出される。各画素列SSについて検出されたピーク候補位置の中から、当該画素列SSに隣接する他の画素列SSのピーク位置PPとの相対的な位置関係に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置PPが選択され、選択されたピーク位置PPに基づいてワークWのプロファイルを示すプロファイルデータがプロファイル生成部3により生成される。
この構成によれば、いずれかの画素列SSに複数のピーク候補位置が検出された場合でも、当該画素列SSについて他の画素列SSのピーク位置PPとの相対的な位置関係に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置PPが選択される。この場合、偏光方向が異なる複数の投光素子を光学式変位計500に設ける必要がない。また、各画素列SSについて複数の受光量分布を取得する必要がなく、したがって、複数の受光量分布に演算を行う必要もない。その結果、製造コストの増加を防止しつつワークWのプロファイルを効率よく測定することができる。
相対的な位置関係の判定においては、検出された複数の受光量分布における複数のピーク候補位置から各々が1以上のピーク候補位置を含む複数のクラスタがクラスタ生成部2により生成される。各クラスタは、X2方向において隣り合うピーク候補位置間の距離が一定以下となるように選択された1以上のピーク候補位置により構成される。生成された各クラスタに含まれるピーク候補位置の数に基づいて相対的な位置関係がプロファイル生成部3により判定される。この場合、相対的な位置関係を容易に判定することができる。
[2]第2の実施の形態
第2の実施の形態に係る光学式変位計500について、第1の実施の形態に係る光学式変位計500と異なる点を説明する。図18は、第2の実施の形態におけるプロファイル取得部224の構成を示すブロック図である。図18に示すように、本実施の形態においては、プロファイル取得部224は、図12のクラスタ生成部2に代えて距離算出部6を含む。
距離算出部6は、第1の動作モードにおいて、各画素列SSの各ピーク候補位置と、当該画素列SSに隣接する画素列SSのピーク位置PPとの距離を算出する。プロファイル生成部3は、距離算出部6により算出された距離に基づいて各画素列SSの複数のピーク候補位置からピーク位置PPを選択する。本実施の形態では、各画素列SSについて、隣接する画素列SSのピーク候補位置からの距離が最も小さいピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。
図19は、第2の実施の形態の第1の動作モードにおけるプロファイル取得部224の動作を説明するための図である。図18のピーク検出部1は、各画素列SSのピーク候補位置を検出する。図19の例においては、検出されたピーク候補位置に対応する受光部121の画素pがドットパターンにより示される。
具体的には、画素列SS1においては、1つのピーク候補位置が検出され、これに対応する画素pは画素p1である。画素列SS2においては、2つのピーク候補位置が検出され、これらに対応する画素pはそれぞれ画素p2,p3である。画素列SS3においては、2つのピーク候補位置が検出され、これらに対応する画素pはそれぞれ画素p4,p5である。画素列SS4においては、2つのピーク候補位置が検出され、これらに対応する画素pはそれぞれ画素p6,p7である。
以下、各画素列SSの各ピーク候補位置と当該画素列SSに隣接する画素列SSのピーク位置PPとの間の距離を、各ピーク候補位置に対応する画素とピーク位置PPに対応する画素との間の距離として説明する。画素列SS1においては、画素p1に対応する1つのピーク候補位置のみが検出されるので、画素p1に対応するピーク候補位置がピーク位置PPとして図18のプロファイル生成部3により選択される。
画素列SS2における画素p2,p3の各々と、画素列SS2に隣接する画素列SS1における画素p1との間の距離が図18の距離算出部6により算出される。この例においては、画素p1,p3間の距離は、画素p1,p2間の距離よりも小さい。したがって、画素列SS2については、隣接する画素列SS1における画素p1からの距離が最も小さい画素p3に対応するピーク候補位置がピーク位置PPとしてプロファイル生成部3により選択される。
同様に、画素列SS3における画素p4,p5の各々と、画素列SS3に隣接する画素列SS2における画素p3との間の距離が距離算出部6により算出される。この例においては、画素p3,p5間の距離は、画素p3,p4間の距離よりも小さい。したがって、画素列SS3については、画素p5に対応するピーク候補位置がピーク位置PPとしてプロファイル生成部3により選択される。
画素列SS4における画素p6,p7の各々と、画素列SS4に隣接する画素列SS3における画素p5との間の距離が距離算出部6により算出される。この例においては、画素p5,p7間の距離は、画素p5,p6間の距離よりも小さい。したがって、画素列SS4については、画素p7に対応するピーク候補位置がピーク位置PPとして選択部3により選択される。各画素列SSについて選択されたピーク位置PPに基づいて図18のプロファイル生成部3によりプロファイルデータが生成される。
このように、本実施の形態においては、いずれかの画素列SSにおいて複数のピークが検出された場合、X2方向において当該画素列SSに隣接する画素列SSにおけるピーク候補位置と検出された複数のピーク候補位置との相対的な位置関係がプロファイル生成部3により判定される。相対的な位置関係の判定においては、各画素列SSの複数のピーク候補位置の各々と、X2方向において当該画素列SSに隣接する画素列SSのピーク候補位置との距離が距離算出部6により算出される。算出された距離に基づいてピーク候補位置の相対的な位置関係がプロファイル生成部3により判定される。この場合においても、相対的な位置関係を容易に判定することができる。
本実施の形態においては、各画素列SSについて、隣接する画素列SSにおけるピーク位置PPからの距離が最も小さいピーク候補位置がピーク位置PPとして選択されるが、本発明はこれに限定されない。図16における変形例と同様に、プロファイル取得部224は、パラメータ取得部5をさらに含んでもよい。この場合、プロファイル生成部3は、距離算出部6により算出された隣接する画素列SSにおけるピーク位置PPからの距離と、パラメータ取得部5により取得されたパラメータとの総合的な判断に基づいてピーク位置PPを選択する。
[3]第3の実施の形態
第3の実施の形態に係る光学式変位計500について、第1の実施の形態に係る光学式変位計500と異なる点を説明する。図20は、第3の実施の形態におけるプロファイル取得部224の構成を示すブロック図である。図20に示すように、本実施の形態においては、プロファイル取得部224は、図12のクラスタ生成部2に代えてパターン生成部7および相関算出部8を含む。
パターン生成部7は、第1の動作モードにおいて、ピーク検出部1により検出された複数のピーク候補位置に基づいて幾何学的パターンを生成する。幾何学的パターンは、直線または円弧等を含む。相関算出部8は、パターン生成部7により生成された幾何学的パターンと、ピーク検出部1により検出された複数のピーク候補位置との相関係数を算出する。
プロファイル生成部3は、相関算出部8により算出された相関係数に基づいて各画素列SSの複数のピーク候補位置からピーク位置PPを選択する。本実施の形態では、各画素列SSについて、生成された幾何学的パターンとの相関係数が最も大きいピーク候補位置がピーク位置PPとして選択される。
図21は、第3の実施の形態の第1の動作モードにおけるプロファイル取得部224の動作を説明するための図である。図20のピーク検出部1は、各画素列SSのピーク候補位置を検出する。本例で検出されるピーク候補位置は、図13により示されるピーク候補位置と同様である。
図21(a)に示すように、ピーク検出部1により検出された複数のピーク候補位置に基づいて図20のパターン生成部7により直線状の幾何学的パターンが生成される。図21(a)の例では、幾何学的パターンの生成は、他のピーク候補位置とは連続しない孤立したピーク候補位置(図14のクラスタC2~C9に対応するピーク候補位置)が除外された状態で行われる。
次に、パターン生成部7により生成された図21(a)の幾何学的パターンと、ピーク検出部1により検出された図13の複数のピーク候補位置との相関係数が図20の相関算出部8により算出される。各画素列SSについて、生成された幾何学的パターンとの相関係数が最も大きいピーク候補位置がピーク位置PPとして図20のプロファイル生成部3により選択される。図21(b)の例においては、選択されたピーク候補位置に対応する受光部121の画素pがドットパターンにより示される。
このように、本実施の形態においては、X2方向において少なくとも当該画素列SSに隣接する画素列SSにおけるピーク候補位置と検出された複数のピーク候補位置との相対的な位置関係がプロファイル生成部3により判定される。相対的な位置関係の判定においては、検出された複数のピーク候補位置に基づいて幾何学的なパターンがパターン生成部7により生成される。複数の画素列SSの各々について、生成された幾何学的パターンと、検出された複数のピーク候補位置との相関係数が相関算出部8により算出される。算出された相関係数に基づいてピーク候補位置の相対的な位置関係が判定される。この場合においても、相対的な位置関係を容易に判定することができる。
本実施の形態においては、各画素列SSについて、生成された幾何学的パターンとの相関係数が最も大きいピーク候補位置がピーク位置PPとして選択されるが、本発明はこれに限定されない。図16における変形例と同様に、プロファイル取得部224は、パラメータ取得部5をさらに含んでもよい。この場合、プロファイル生成部3は、相関算出部8により算出された相関係数と、パラメータ取得部5により取得されたパラメータとの総合的な判断に基づいてピーク位置PPを選択する。
[4]請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
ワークWが測定対象物の例であり、光学式変位計500が光学式変位計の例であり、投光部110が投光部の例であり、X2方向が第1の方向の例であり、Z2方向が第2の方向の例である。画素pが画素の例であり、画素列SSが画素列の例であり、受光部121が受光部の例であり、ピーク検出部1がピーク検出部の例である。
プロファイル生成部3がプロファイル生成部の例であり、切替部225が切替部の例であり、パラメータ取得部5がパラメータ取得部の例であり、クラスタ生成部2がクラスタ生成部の例である。距離算出部6が距離算出部の例であり、パターン生成部7がパターン生成部の例であり、相関算出部8が相関算出部の例であり、フィルタ処理部4がフィルタ処理部の例である。
[5]参考形態
(1)本参考形態に係る光学式変位計は、測定対象物のプロファイルを測定する光切断方式の光学式変位計であって、第1の方向に広がりを有するスリット光、または第1の方向に走査されるスポット光を測定対象物に照射する投光部と、第1の方向と、第1の方向に交差する第2の方向とに並ぶ複数の画素を含み、測定対象物の第1の方向の各位置からの反射光を受光し、受光量分布を出力する受光部と、第1の方向に並ぶ複数の画素列によりそれぞれ出力される複数の受光量分布に基づいて画素列ごとに第2の方向における1または複数の受光量のピーク候補位置を検出するピーク検出部と、各画素列についてピーク検出部により検出されたピーク候補位置の中から、当該画素列に隣接する他の画素列のピーク位置との相対的な位置関係に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択し、選択されたピーク位置に基づいてプロファイルを示すプロファイルデータを生成するプロファイル生成部とを備える。
この光学式変位計においては、投光部により第1の方向に広がりを有するスリット光、または第1の方向にスポット光が走査されて測定対象物に照射される。受光部において第1の方向に並ぶ複数の画素列により測定対象物からの反射光が受光され、受光量分布が出力される。各画素列において、複数の画素が第2の方向に並ぶ。複数の画素列によりそれぞれ出力される複数の受光量分布に基づいて画素列ごとに第2の方向における1または複数の受光量のピーク候補位置がピーク検出部により検出される。検出されたピーク候補位置の中から、プロファイルに採用されるべきピーク位置が、隣接する他の画素列のピーク位置との相対的な位置関係に基づいて選択され、選択されたピーク位置に基づいてプロファイルを示すプロファイルデータがプロファイル生成部により生成される。
この構成によれば、いずれかの画素列に対応する受光量分布において複数のピーク候補位置が検出された場合でも、当該画素列について他の画素列のピーク位置との相対的な位置関係に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置が選択される。この場合、偏光方向が異なる複数の投光素子を光学式変位計に設ける必要がない。また、各画素列について複数の受光量分布を取得する必要がなく、したがって、複数の受光量分布に演算を行う必要もない。その結果、製造コストの増加を防止しつつ測定対象物のプロファイルを効率よく測定することができる。
(2)光学式変位計は、プロファイル生成部の動作モードを第1の動作モードと第2の動作モードとで切り替える切替部をさらに備え、プロファイル生成部は、第1の動作モードにおいては、ピーク検出部によりいずれかの画素列に対応する受光量分布において複数のピーク候補位置が検出された場合、第1の方向において少なくとも当該画素列に隣接する画素列に対応する受光量分布におけるピーク候補位置と検出された複数のピーク候補位置との連続性に基づいて複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択し、第2の動作モードにおいては、ピーク検出部によりいずれかの画素列に対応する受光量分布において複数のピーク候補位置が検出された場合、予め設定された条件に基づいて複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択してもよい。
測定対象物の形状によっては、予め設定された条件に基づいて選択されるピーク位置が測定対象物の表面の位置に合致することがある。このような場合、第2の動作モードが選択されることにより、測定対象物のプロファイルをより効率よく測定することができる。
(3)予め設定された条件は、各受光量分布における複数のピーク候補位置から最大の受光量を有するピーク候補位置をプロファイルに採用されるべきピーク位置として選択することを含んでもよい。この構成によれば、最大の受光量を有するピーク候補位置が測定対象物の表面の位置に合致する場合、第2の動作モードが選択されることにより、測定対象物のプロファイルをより効率よく測定することができる。
(4)予め設定された条件は、各受光量分布における複数のピーク候補位置から第2の方向における一端または他端に最も近いピーク候補位置をプロファイルに採用する位置として選択することをさらに含んでもよい。この構成によれば、第2の方向における一端または他端に最も近いピーク候補位置が測定対象物の表面の位置に合致する場合、第2の動作モードが選択されることにより、測定対象物のプロファイルをより効率よく測定することができる。
(5)光学式変位計は、ピーク検出部により検出されたピーク候補位置におけるピークの態様を示すパラメータを取得するパラメータ取得部をさらに備え、プロファイル生成部は、パラメータ取得部により取得されたパラメータにさらに基づいて各受光量分布における複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択してもよい。
この場合、第1の方向における複数の画素列のピーク候補位置の相対的な位置関係と、ピークの態様との総合的な判断に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置が選択される。これにより、測定対象物のプロファイルをより正確に測定することができる。
(6)パラメータ取得部により取得されるパラメータは、ピークの受光量またはピークの幅を含んでもよい。この場合、ピークの態様を示すパラメータを容易に取得することができる。
(7)光学式変位計は、ピーク検出部により検出された複数の受光量分布における複数のピーク候補位置から各々が1以上のピーク候補位置を含む複数のクラスタを生成するクラスタ生成部をさらに備え、各クラスタは、第1の方向において隣り合うピーク候補位置間の距離が一定以下となるように選択された1以上のピーク候補位置により構成され、プロファイル生成部は、クラスタ生成部により生成された各クラスタに含まれるピーク候補位置の数に基づいて相対的な位置関係を判定してもよい。この場合、各クラスタに含まれるピーク候補位置の数に基づいて相対的な位置関係を容易に判定することができる。
(8)光学式変位計は、各画素列に対応する受光量分布における各ピーク候補位置と、第1の方向において当該画素列に隣接する画素列に対応する受光量分布におけるピーク候補位置との距離を算出する距離算出部をさらに備え、プロファイル生成部は、距離算出部により算出された距離に基づいて相対的な位置関係を判定してもよい。この場合、隣接するピーク候補位置間の距離に基づいて相対的な位置関係を容易に判定することができる。
(9)光学式変位計は、ピーク検出部により検出された複数のピーク候補位置に基づいて幾何学的パターンを生成するパターン生成部と、各画素列について、パターン生成部により生成された幾何学的パターンと、ピーク検出部により検出された複数のピーク候補位置との相関係数を算出する相関算出部とをさらに備え、プロファイル生成部は、相関算出部により算出された相関係数に基づいて相対的な位置関係を判定してもよい。この場合、幾何学的パターンと複数のピーク候補位置との相関係数に基づいて相対的な位置関係を容易に判定することができる。
(10)光学式変位計は、プロファイル生成部により生成されたプロファイルデータの各部分において、値の変化が小さいほど平滑効果が大きくなるようにプロファイルデータにフィルタ処理を行うフィルタ処理部をさらに備えてもよい。この場合、プロファイルにおける段差部分およびエッジ部分の形状を維持しつつ、測定対象物の平坦な部分に対応するプロファイルの部分を平滑化することができる。
1…ピーク検出部,2…クラスタ生成部,3…プロファイル生成部,4…フィルタ処理部,5…パラメータ取得部,6…距離算出部,7…パターン生成部,8…相関算出部,100…撮像ヘッド,110…投光部,120…撮像部,121…受光部,122…受光レンズ,200…処理装置,210…記憶部,220…制御部,221…投光制御部,222…受光制御部,223…入力設定部,224…プロファイル取得部,225…切替部,226…計測処理部,227…表示処理部,300…入力部,400…表示部,500…光学式変位計,A1,A2…領域,F1,F2…範囲,L1,L2…光,p,p1~p7…画素,P…ピーク,P1…真ピーク,P2…偽ピーク,PP…ピーク位置,R1…受光領域,R2…偽受光領域,SS,SS1~SS8…画素列,T1…照射領域,T2…偽照射領域,W…ワーク

Claims (8)

  1. 測定対象物のプロファイルを測定する光切断方式の光学式変位計であって、
    第1の方向に広がりを有するスリット光、または前記第1の方向に走査されるスポット光を測定対象物に照射する投光部と、
    前記第1の方向と、前記第1の方向に交差する第2の方向とに並ぶ複数の画素を含み、測定対象物の前記第1の方向の各位置からの反射光を受光し、受光量分布を出力する受光部と、
    前記第1の方向に並ぶ複数の画素列によりそれぞれ出力される複数の受光量分布に基づいて画素列ごとに前記第2の方向における1または複数の受光量のピーク候補位置を検出するピーク検出部と、
    各画素列について前記ピーク検出部により検出されたピーク候補位置の中から、当該画素列に隣接する他の画素列のピーク位置との相対的な位置関係に基づいてプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択し、選択されたピーク位置に基づいてプロファイルを示すプロファイルデータを生成するプロファイル生成部と
    各画素列に対応する受光量分布における各ピーク候補位置と、前記第1の方向において当該画素列に隣接する画素列に対応する受光量分布におけるピーク候補位置との距離を算出する距離算出部とを備え
    前記プロファイル生成部は、前記距離算出部により算出された距離に基づいて前記相対的な位置関係を判定する、光学式変位計。
  2. 前記プロファイル生成部の動作モードを第1の動作モードと第2の動作モードとで切り替える切替部をさらに備え、
    前記プロファイル生成部は、
    前記第1の動作モードにおいては、前記ピーク検出部によりいずれかの画素列に対応する受光量分布において複数のピーク候補位置が検出された場合、前記第1の方向において少なくとも当該画素列に隣接する画素列に対応する受光量分布におけるピーク候補位置と検出された複数のピーク候補位置との連続性に基づいて複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択し、
    前記第2の動作モードにおいては、前記ピーク検出部によりいずれかの画素列に対応する受光量分布において複数のピーク候補位置が検出された場合、予め設定された条件に基づいて複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択する、請求項1記載の光学式変位計。
  3. 前記予め設定された条件は、各受光量分布における複数のピーク候補位置から最大の受光量を有するピーク候補位置をプロファイルに採用されるべきピーク位置として選択することを含む、請求項2記載の光学式変位計。
  4. 前記予め設定された条件は、各受光量分布における複数のピーク候補位置から前記第2の方向における一端または他端に最も近いピーク候補位置をプロファイルに採用されるべきピーク位置として選択することをさらに含む、請求項2または3記載の光学式変位計。
  5. 前記ピーク検出部により検出されたピーク候補位置におけるピークの態様を示すパラメータを取得するパラメータ取得部をさらに備え、
    前記プロファイル生成部は、前記パラメータ取得部により取得されたパラメータにさらに基づいて各受光量分布における複数のピーク候補位置の中からプロファイルに採用されるべきピーク位置を選択する、請求項1~4のいずれか一項に記載の光学式変位計。
  6. 前記パラメータ取得部により取得されるパラメータは、ピークの受光量またはピークの幅を含む、請求項5記載の光学式変位計。
  7. 前記ピーク検出部により検出された複数の受光量分布における複数のピーク候補位置から各々が1以上のピーク候補位置を含む複数のクラスタを生成するクラスタ生成部をさらに備え、
    各クラスタは、前記第1の方向において隣り合うピーク候補位置間の距離が一定以下となるように選択された1以上のピーク候補位置により構成され、
    前記プロファイル生成部は、前記クラスタ生成部により生成された各クラスタに含まれるピーク候補位置の数に基づいて前記相対的な位置関係を判定する、請求項1~6のいずれか一項に記載の光学式変位計。
  8. 前記プロファイル生成部により生成された前記プロファイルデータの各部分において、値の変化が小さいほど平滑効果が大きくなるように前記プロファイルデータにフィルタ処理を行うフィルタ処理部をさらに備える、請求項1~のいずれか一項に記載の光学式変位計。
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