JP4464168B2 - シリコン単体の表面にパラジウム錯体を固定した触媒を使用するベンズアルデヒド類の製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、金属錯体を担体に固定化する際に、金属錯体の構造変化(異性化、分解等)が起こり、金属錯体固有の構造を保持したまま固定化することは困難であった。また、精密な触媒設計を行なうことが困難であり、不均一系触媒を使用した場合にも、均一系での触媒活性を著しく超える結果が得られることは稀であった。
また、本発明者等は、先にシリコン表面上に金属錯体を固定化する手法を見出し提案したが(非特許文献2参照)、この金属錯体を固定化したシリコン表面がどのような化学反応に利用できるかは、未解明であった。
1.段落(0014)に記載の一般式(I)又は段落(0015)に記載の一般式(II)で表される、末端にエテニル基が存在するビスオキサゾリン配位子を有するパラジウム錯体を、水素終端化したシリコン表面に前記ビスオキサゾリン配位子の末端に存在するエテニル基のヒドロシリル化により固定した触媒を使用し、ベンジルアルコール類を出発物質として酸素の存在下に酸化することを特徴とするベンズアルデヒド類の製造方法。
2.シリコン表面が単結晶、多結晶、ポーラス、又は微粒子状のシリコン表面であることを特徴とする1に記載のベンズアルデヒド類の製造方法。
3.シリコン担体表面が単結晶シリコン(111)表面であることを特徴とする1又は2に記載のベンズアルデヒド類の製造方法。
シリコン担体表面としては、単結晶、多結晶、ポーラス、又は微粒子状のシリコン担体表面であるものが好ましく、中でも単結晶シリコン(111)表面が特に好ましい。
特に好適なビスオキサゾリン配位子としては、次の一般式(I)又は(II)で表される、末端にエテニル基を有するビスオキサゾリン化合物が挙げられる。
R2及びR3はそれぞれ独立して水素;又はメチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、t−ブチル等の炭素数1〜20のアルキル基;フェニル等のアリール基;ベンジル等のアリールアルキル基から選択された基を表す。また、R2とR3が一緒になってオキサゾリン環の炭素とともに、5員環、6員環等の炭化水素環、或いはこれらにベンゼン環等が縮合した炭化水素環を形成してもよい。好ましいR2、R3としては、水素、メチル、i−プロピル、t−ブチル、フェニル、ベンジル基等が挙げられる。
mは1〜20の整数、好ましくは7〜9の整数である。
nは0〜20の整数、好ましくは0〜2の整数である。
以下の具体例において、ビスオキサゾリンの合成例では、生成物の確認は1HNMRにより行なった。
1H−NMR(300MHz,CDCl3)
δ 7.25 (br s, 2H, NH), 6.26 (dd, J = 17.7, 10.2 Hz, 2H, H2C=CH), 5.54 (d, J = 10.2 Hz, 2H, HHC=CH), 5.39 (d, J = 17.7 Hz, 2H, HHC=CH), 3.64-3.61 (m, 8H, CH2CH2).
13C NMR (75.4 MHz, CDCl3)
δ 169.8 (2C), 135.9 (2C), 120.1 (2C), 64.2, 43.2 (2C), 41.5 (2C).
IR (neat)
3304 (br), 3064 (w), 2967 (w), 1647 (s), 1526 (s), 1434 (m), 1411 (w), 1250 (s), 991 (m), 928 (s).
HRMS (APCI)
calcd for C11H16Cl2N2NaO2 (M+Na) m/z=301.04865, found m/z=301.04912.
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 6.31 (dd, J = 18.0, 10.2 Hz, 2H, H2C=CH), 5.37 (d, J = 10.2 Hz, 2H, HHC=CH), 5.22 (d, J = 18.0 Hz, 2H, HHC=CH), 4.33 (t, J = 9.3 Hz, 4H, CH2O), 3.94 (t, J = 9.3 Hz, 4H, NCH2).
13C NMR (75.4 MHz, CDCl3)
δ 166.3 (2C), 135.2 (2C), 117.0 (2C), 67.9 (2C), 54.2 (2C), 52.1.
IR (neat)
3089 (w), 2974 (w), 2883 (w), 1656 (s), 1628 (m), 1475 (w), 1407 (m), 1226 (m), 1027 (m), 986 (s), 922 (s).
HRMS (APCI)
calcd for C11H15N2O2 (M+H) m/z=207.11335, found m/z=207.11590.
1H NMR (300 MHz, CD3OD)
δ 8.09 (br s, 2H, NH), 5.73-5.59 (m, 2H, H2C=CH), 5.14-5.05 (m, 4H, H2C=CH), 3.58 (t, J = 5.7 Hz, 4H, CH2OH), 3.32 (t, J = 5.7 Hz, 4H, NHCH2), 2.62 (d, J = 7.5 Hz, 4H, H2C=CHCH2).
13C NMR (75.4 MHz, CD3OD)
δ 174.4 (2C), 134.3 (2C), 119.3 (2C), 61.5 (2C), 58.3, 43.1 (2C), 39.7 (2C)
IR (neat)
3339 (br), 3303 (br), 3060 (w), 2938 (w), 1636 (s), 1529 (s), 1471 (w), 1428 (m), 1048 (m), 1007 (w), 919 (m).
HRMS (APCI)
calcd for C13H22N2NaO4 (M+Na) m/z=293.14773, found m/z=293.14670.
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 5.79-5.65 (m, 2H, H2C=CH), 5.14-5.08 (m, 4H, H2C=CH), 4.27 (t, J = 9.3 Hz, 4H, CH2O), 3.89 (t, J = 9.3 Hz, 4H, NCH2), 2.72 (d, J = 7.2 Hz, 4H, H2C=CHCH2).
13C NMR (75.4 MHz, CDCl3)
δ 167.6 (2C), 132.8 (2 C), 118.6 (2 C), 67.6 (2 C), 54.1 (2 C), 45.6, 37.5 (2 C).
IR (neat)
3071 (w), 2977 (w), 2883 (w), 1655 (s), 1641 (m), 1481 (w), 1419 (w), 1191 (s), 1033 (m), 994 (m), 906 (s).
HRMS (APCI)
calcd for C13H18N2O2 (MH+) m/z=235.14465, found m/z=235.14557.
1H NMR (300 MHz, CD3OD)
δ8.51 (br s, 2H, NH), 5.77-5.65 (m, 2H, H2C=CH), 4.97-4.84 (m, 4H, H2C=CH), 3.55 (t, J = 6.0 Hz, 4H, CH2OH), 3.28 (t, J = 6.0 Hz, 4H, NHCH2), 1.87 (m, 8H, H2C=CHCH2CH2).
13C NMR (75.4 MHz, CD3OD)
δ 175.6 (2C), 139.0 (2C), 115.5 (2C), 61.5 (2C), 57.9, 42.9 (2C), 36.8 (2C), 30.2 (2C).
IR (neat)
3289 (br), 3075 (w), 2940 (w), 1641 (s), 1531 (s), 1458 (m), 1437 (m), 1059 (m), 1007 (w), 915 (m).
HRMS (APCI)
calcd for C15H26N2NaO4 (M+Na) m/z=321.17903, found m/z=321.17916.
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 5.85-5.76 (m, 2H, H2C=CH), 5.07-4.94 (m, 4H, H2C=CH), 4.27 (t, J = 9.3 Hz, 4H, CH2O), 3.89 (t, J = 9.3 Hz, 4H, NCH2), 2.11-1.98 (m, 8H, H2C=CHCH2CH2).
13C NMR (75.4 MHz, CDCl3)
δ 168.1 (2C), 137.9 (2C), 114.7 (2C), 67.4 (2C), 54.2 (2C), 45.5, 32.4 (2C), 28.1 (2C).
IR (neat)
3076 (w), 2973 (w), 2882 (w), 1653 (s), 1480 (w), 1416 (w), 1191 (m), 979 (m), 910 (s).
HRMS (APCI)
calcd for C15H22N2NaO2 (M+Na) m/z=285.15790, found m/z=285.15838.
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 5.81 (ddt, J = 17.1, 10.2, 6.6 Hz, 1H, H2C=CHC), 5.02-4.92 (m, 2H, H2C=CHC), 2.04 (m, 2H, C=CHCH2), 1.92 (m, 2H, CH2CCH3(COOH)2), 1.48 (s, 3H, CH3), 1.34-1.24 (m, 12H, C=CHCH2(CH2)6).
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 5.81 (ddt, 1H, J =17.1, 10.2, 6.6 Hz, H2C=CHC), 5.02-4.92 (m, 2H, H2C=CHC), 2.09-2.03 (m, 4H, C=CHCH2 and CH2CCH3(COOH)2), 1.64 (s, 3H, CH3), 1.37-1.22 (m, 12H, C=CHCH2(CH2)6).
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 7.07 (br t, 2H, J = 6 Hz, NH), 5.81 (ddt, 1H, J =17.1, 10.2, 6.6 Hz, H2C=CHC), 5.02-4.92 (m, 2H, H2C=CHC), 3.68 (t, 4H, J = 4.8 Hz, CH2OH), 3.42 (q, 4H, J = 5.4 Hz, NHCH2), 2.07-2.00 (m, 2H, C=CHCH2), 1.87-1.80 (m, 2H, CH2CCH3(COOH)2), 1.42 (s, 3H, CH3), 1.36-1.16 (m, 12H, C=CHCH2(CH2)6).
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 5.81 (ddt, 1H, J =17.1, 10.2, 6.6 Hz, H2C=CHC), 5.02-4.90 (m, 2H, H2C=CHC), 4.28 (t, 4H, J = 9.3 Hz, CH2O), 3.88 (t, 4H, J = 9.3 Hz, NCH2), 2.07-2.00 (m, 2H, C=CHCH2), 1.94-1.87 (m, 2H, CH2CCH3(COOH)2), 1.49 (s, 3H, CH3), 1.36-1.16 (m, 12H, C=CHCH2(CH2)6).
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 7.10 (br t, 2H, J = 6 Hz, NH), 5.81 (ddt, 1H, J =16.8, 10.4, 6.7 Hz, H2C=CHC), 5.04-4.88 (m, 2H, H2C=CHC), 3.70 (t, 4H, J = 5.0 Hz, CH2OH), 3.42 (q, 4H, J = 4.8 Hz, NHCH2), 2.08-1.98 (m, 2H, C=CHCH2), 1.90-1.78 (m, 2H, CH2CCH3(COOH)2), 1.43 (s, 3H, CH3), 1.40-1.12 (m, 14H, C=CHCH2(CH2)7).
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 5.81 (ddt, 1H, J =16.8, 10.4, 6.7 Hz, H2C=CHC), 5.04-4.88 (m, 2H, H2C=CHC), 4.28 (t, 4H, J = 9.8 Hz, CH2O), 3.88 (t, 4H, J = 9.8 Hz, NCH2), 2.08-1.98 (m, 2H, C=CHCH2), 1.96-1.87 (m, 2H, CH2CCH3(COOH)2), 1.49 (s, 3H, CH3), 1.42-1.18 (m, 12H, C=CHCH2(CH2)6).
1H NMR (300 MHz, CDCl3)
δ 5.72 (ddt, 2H, J =17.0, 9.9, 7.5 Hz, H2C=CHC), 5.15-5.04 (m, 4H, H2C=CHC), 4.20 (dd, 2H, J = 12.8, 11.0 Hz, CHHO), 4.00-3.91 (m, 4H, CHHO and NCH), 2.81-2.64 (m, 4H, C=CHCH2), 1.87-1.70 (m, 2H, CH(CH3)2), 0.94 (d, J = 6.9 Hz, 6H, CH(CH3)(CH3)), 0.87 (d, J = 6.9 Hz, 6H, CH(CH3)(CH3)).
合成例12で得られた2,2‘−(1−メチル−11−ドデセニリデン)ビス(4,5−ジヒドロオキサゾール)のメシチレン溶液(0.33M、2.0mL)を凍結脱気し、既知の手法によって水素終端化処理をしたシリコン(111)単結晶表面(40×10×0.48mm3)をアルゴン下で浸した。この状態で160℃のオイルバスで20時間加熱した。加熱後、室温まで冷まして、シリコン表面を溶液から取り出してジエチルエーテル、エタノール、ジクロロメタンの順ですすいで洗浄した。洗浄後の表面にアルゴンガスを吹き付けることにより乾燥させた。
上記製造例1で得られたシリコン表面をベンジルアルコール(0.8mg)とn−オクタン(0.5mL)とともに試験管中に入れ、試験管中に酸素を充満させて栓をして、120℃で24時間加熱した。その結果、ベンズアルデヒドが100%の収率で得られた。生成物の確認は、ガスクロマトグラフィーにより行なった。この触媒表面は、やや活性が下がるものの繰り返し利用が可能である。
実施例1と同様の条件で、触媒シリコン表面のない条件で反応を行ったところ、ベンズアルデヒドへの変換は6%であった。
実施例1と同様の条件で、触媒表面の代わりに0.33nmolの酢酸パラジウムのみを触媒として加えた条件で反応を行ったところ、ベンズアルデヒドへの変換は6%であった。
Claims (3)
- 下記の一般式(I)又は(II)で表される、末端にエテニル基が存在するビスオキサゾリン配位子を有するパラジウム錯体を、水素終端化したシリコン表面に前記ビスオキサゾリン配位子の末端に存在するエテニル基のヒドロシリル化により固定した触媒を使用し、ベンジルアルコール類を出発物質として酸素の存在下に酸化することを特徴とするベンズアルデヒド類の製造方法。
- シリコン表面が単結晶、多結晶、ポーラス、又は微粒子状のシリコン表面であることを特徴とする請求項1に記載のベンズアルデヒド類の製造方法。
- シリコン担体表面が単結晶シリコン(111)表面であることを特徴とする請求項1又は2に記載のベンズアルデヒド類の製造方法。
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