JP4458136B2 - 有機デバイス、及び有機デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機デバイス、及び有機デバイスの製造方法に関するものである。

近年、高速で大容量のデータ通信が可能な光通信網が拡大している。今後、この光通信網は民生機器への搭載が予想されている。そして、データ転送の高速大容量化、ノイズ対策、機器内の基板間をデータ伝送する用途として、現在の電気ケーブルと変わりなく使用することができる電気入出力の光データ伝送ケーブル（光ケーブル）が求められている。この光ケーブルとしては、フレキシブル性を考慮すると、光導波路を用いることが望ましい。

光導波路とは、屈折率の大きいコアと、該コアの周囲に接して設けられる屈折率の小さいクラッドとにより形成され、コアに入射した光信号を該コアとクラッドとの境界で全反射を繰り返しながら伝搬するものである。また、光導波路は、コアおよびクラッドが柔軟な高分子材料からなるため柔軟性を有している。

そのような中、特に近年、曲がるディスプレイや、より小型、薄型の民生機器に搭載されるフレキシブルな（電気配線と同様に）光配線を光導波路で実現することが求められている。つまり、この光導波路は、フィルム状の光導波路であることが望ましい。

このような光導波路をはじめとする、ポリマーを利用した有機デバイスは、年々、その数及びその重要性が増してきている。有機デバイスとしては、例えば、光メモリ、液晶デバイス等が挙げられる。これらの有機デバイスは、一般的にポリマーからなる基板上に形成されることが多い。

また、近年、上記の光導波路、電子ペーパー、またはフレキシブル太陽電池といった有機デバイスは、フレキシブル性が要求されている。このようにフレキシブル性が求められる有機デバイスにおいては、基板とポリマー層との密着性が有機デバイスの性能に大きく影響する。

特にフレキシブル性を有する光導波路は、携帯電話等の電子機器の狭間配線に使用されることが予想される。それゆえ、電子機器の使用状況によって、光導波路が超屈曲状態や超捻回状態に置かれる。このため、光導波路と基板との間に想定外の応力が集中し、剥離等により光導波路の光学特性が大きく影響する。このため、有機デバイスとしての光導波路では、基板とポリマー層（光導波路）との密着性向上が急務となっている。

なお、一般的な有機デバイスについて、例えば特許文献１に記載の技術では、基板表面にプライマーを塗布することで、基板とポリマー層との密着性を十分に確保している。
特開２００５−６２４２４号公報（平成１７(2005)年 ３月１０日公開）

上記特許文献１に記載の技術は、一般的な有機デバイスにおいて基板とポリマー層との密着性を向上させる手段として有効である。しかしながら、超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件に置かれる光導波路では、十分に基板と光導波路との間の密着性を確保できるとはいえない。このため、特許文献１に記載の技術を用いて、有機デバイスとしての光導波路を製造した場合、光導波路が基板から剥離することにより、光導波路の光学特性が悪くなるという問題がある。

以下、光導波路の基板からの剥離に起因する光学特性の影響について説明する。

光導波路を媒体として情報を光伝送する光モジュールにおいては、光導波路の光入射側端部（あるいは光出射側端部）で、光導波路と発光素子（あるいは受光素子）との光軸アライメントが必要になる。効率よく情報伝達するためには、発光素子（あるいは受光素子）と光導波路との位置関係に高い精度が求められる。また、この光軸アライメントは、結合損失にも影響する。結合損失がばらつくと、Ｓ／Ｎ比の悪化を招く。

図２３に示されるように、光導波路２０が基板１から剥離することにより、光軸のずれが生じ、結合損失が増大してしまう。その結果、光導波路の伝送特性に大きく影響するという問題が生じる。

また、一般的に、光導波路は局所曲げに弱い構成になっている。図２４に示されるように、光導波路２０が基板１から剥離することにより、光導波路２０の局所曲げが発生する。この局所曲げにより、光導波路２０内の伝搬光の反射角度が増大し、光導波路外に伝搬光が漏れてしまう。そのため、局所曲げによる損失が増大し、結合損失がばらつき、Ｓ／Ｎ比の悪化を招く。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ポリマーからなる基板上にポリマー層が形成された有機デバイスにおいて、基板とポリマー層との密着性を向上させることが可能な有機デバイス、及び有機デバイスの製造方法を提供することにある。

本願発明者は、基板におけるポリマー層との接着面を内部より低い結晶化度にすることにより、超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件に置かれた場合であっても、基板とポリマー層との密着性を確保しつつ、引張りにも強い特性を確保できることを見出し、本願発明を完成するに至った。

すなわち、本発明に係る有機デバイスは、上記の課題を解決するために、ポリマーからなる基板を備え、該基板上にポリマー層が接着された有機デバイスであって、上記基板におけるポリマー層との接着面の結晶化度が、基板における内部の結晶化度よりも小さくなっていることを特徴としている。

なお、「結晶化度」とは、接着面におけるある特定の領域において、結晶化した部位の割合のことをいう。すなわち、接着面においては、結晶化した部位と非結晶となっている部位とが混在しており、結晶化度とは、結晶化した部位と非結晶となっている部位との合計に対する結晶化した部位の割合のことをいう。

上記の構成によれば、上記基板におけるポリマー層との接着面の結晶化度が、基板における内部の結晶化度よりも小さくなっているので、基板とポリマー層との密着性が良好になる。それゆえ、上記の構成によれば、超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件に置かれた場合であっても、基板とポリマー層との密着性を確保することが可能になる。

また、上記の構成では、基板におけるポリマー層との接着面と基板内部とで結晶化度が異なっており、基板内部の結晶化度が大きく保たれている。それゆえ、上記の構成によれば、引張りなどに強い構造になっている。従って、上記の構成によれば、密着性を向上させるために接着面の結晶化度が低い構造において、基板におけるポリマー層との接着面と基板内部とで結晶化度が同じである、もしくは基板内部よりも接着面のほうが結晶化度が高い構造と比較して、耐引張り特性が向上するという効果を奏する。

また、本発明に係る有機デバイスでは、上記基板におけるポリマー層との接着面の結晶化度が、基板における接着面と反対側の裏面の結晶化度よりも小さくなっていることが好ましい。

上記の構成により、ポリマー層と基板とにおいて、より密着性が向上するという効果が得られる。

また、本発明に係る有機デバイスでは、上記ポリマー層が光学的機能を有する光機能層であることが好ましい。

このような光機能層が基板に接着された有機デバイスは、特にデバイスのフレキシブル性が要求されている。それゆえ、光機能層と基板との密着性が、デバイスの特性・信頼性に直結する。従って、このような光機能層を備えた有機デバイスに本願発明を適用することにより、基板と光機能層との密着性が向上し、特性・信頼性に優れたフレキシブルな光機能デバイス（有機デバイス）を実現することができる。

特に、本発明に係る有機デバイスでは、上記ポリマー層が、光導波路であることが好ましい。

超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件においても、十分に基板と光導波路との間の密着性を確保することが可能になる。また、光導波路特有使用環境下で応力が集中しても、基板と光導波路との間の剥離を防止することが可能になる。

また、本発明に係る有機デバイスでは、上記基板と上記ポリマー層との間に中間層が設けられていることが好ましい。

上記の構成によれば、上記基板と上記ポリマー層との間に中間層が設けられているので、基板とポリマー層との密着性がさらに向上する。

また、本発明に係る有機デバイスでは、上記基板におけるポリマー層または中間層との接着面にプライマー処理が施されていることが好ましい。

接触面に、さらにプライマー処理を施すことにより、基板とポリマー層との密着性がさらに向上し、より信頼性が高い有機デバイスを実現することができる。

本発明に係る有機デバイスの製造方法は、上記の課題を解決するために、ポリマーからなる基板を備え、該基板上にポリマー層が接着された有機デバイスの製造方法であって、上記基板におけるポリマー層との接着面に、基板における内部の結晶化度よりも結晶化度を低くする低結晶化処理を施す低結晶化工程を含むことを特徴としている。

「低結晶化処理」とは、結晶化度が比較的高い基板表面に対し、元々の結晶化度よりも結晶化度が低くなるように施された処理のことをいう。

上記の構成によれば、上記基板におけるポリマー層との接着面に、基板における内部の結晶化度よりも結晶化度を低くする低結晶化処理を施す低結晶化工程を含むので、基板とポリマー層との密着性を向上させることが可能な有機デバイスを製造することができる。

本発明に係る有機デバイスの製造方法では、上記低結晶化工程は、上記基板を結晶化温度以上に加熱する加熱段階と、上記加熱段階後に、上記基板におけるポリマー層との接着面を冷却する冷却段階とを含むことが好ましい。

「結晶化温度」とは、基板を構成するポリマー分子が規則正しく並んで結晶化し始める温度のことをいう。上記の構成によれば、上記低結晶化工程は、上記基板を結晶化温度以上に加熱する加熱段階と、上記加熱段階後に、上記基板におけるポリマー層との接着面を冷却する冷却段階とを含むので、基板が結晶化温度以上に加熱された後、基板の接着面が急冷されると、基板の接着面を構成するポリマー分子は、比較的規則正しく並ぶことなく、結晶化度が低い状態のまま構成される。つまり、加熱後では、基板の接着面の結晶化度は、比較的低くなっており、急冷後も低い状態が保たれている。それゆえ、該接着面にポリマー層を接着すれば、ポリマー層と基板との密着性が向上した有機デバイスを実現できる。

本発明に係る有機デバイスの製造方法では、上記加熱段階にて、上記基板におけるポリマー層との接着面及びその裏面の両面を結晶化温度以上に加熱し、上記冷却段階にて、上記両面を急冷することが好ましい。

これにより、基板の接着面及び裏面の両面に低結晶化処理を施すことが可能になる。

本発明に係る有機デバイスの製造方法では、上記加熱段階にて、上記基板におけるポリマー層との接着面及びその裏面のうち少なく裏面を結晶化温度以上に加熱し、上記冷却段階にて、接着面のみを急冷することが好ましい。

これにより、接着面の結晶化度と裏面の結晶化度とが異なる基板を実現することが可能になる。

本発明に係る有機デバイスは、上記の課題を解決するために、上述の有機デバイスの製造方法により製造されたことを特徴としている。

これにより、基板とポリマー層との密着性を向上させることが可能な有機デバイスを実現することができる。

本発明に係る有機デバイスは、以上のように、上記基板におけるポリマー層との接着面の結晶化度が、基板における内部の結晶化度よりも小さくなっている構成である。

本発明に係る有機デバイスの製造方法は、以上のように、上記基板におけるポリマー層との接着面に、基板における内部の結晶化度よりも結晶化度を低くする低結晶化処理を施す低結晶化工程を含む構成である。

上記の構成では、基板におけるポリマー層との接着面の結晶化度が、基板における内部の結晶化度よりも小さくなっているので、基板とポリマー層との密着性が良好になる。それゆえ、超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件に置かれた場合であっても、基板とポリマー層との密着性を確保することが可能になる。

本発明の一実施形態について説明すると以下の通りである。

本願発明者は、基板におけるポリマー層との接着面を内部より低い結晶化度にすることにより、超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件に置かれた場合であっても、基板とポリマー層との密着性を確保できることを見出し、本願発明を完成するに至った。すなわち、本願発明の有機デバイスは、ポリマーからなる基板を備え、該基板上にポリマー層が接着された有機デバイスであって、上記基板におけるポリマー層との接着面の結晶化度が、基板における内部の結晶化度よりも小さくなっている構成である。

以下、基板におけるポリマー層との密着性と基板の結晶化度との関係について検討した結果を表１に示す。この検討においては、基板の結晶化度は、Ｘ線回折装置を用いて測定された。また、基板の材料として、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、及びＰＰ（ポリプロピレン）を用いて検討を行った。

また、基板とポリマー層との密着力は、９０°剥離試験により測定された。表１における結晶化度差は、基板におけるポリマー層との接着面を内部より低い結晶化度にする低結晶化処理により、基板の接着面の結晶化度が何％減少したのかを示している（低結晶化処理前の結晶化度と低結晶化処理後の結晶化度との差分）。また、表１における密着力向上割合は、低結晶化処理を行わない場合に測定した基板とポリマー層との密着力を１００％としたとき、基板の低結晶化処理により何％密着力が向上したかを示している。

表１から分かるように、上記低結晶化処理により、ポリマー層との接着面が内部よりも２％（低結晶化処理前の結晶化度と低結晶化処理後の結晶化度との差分）低くなった基板において、ポリマー層との密着力が向上している。特に、基板の材料がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、またはＰＰ（ポリプロピレン）である場合、ポリマー層との密着力が約６０％向上していた。

図１は、本実施形態の有機デバイス（以下、本有機デバイスと記す）の概略構成を示す断面図である。本有機デバイスは、同図に示されるように、ポリマーからなる基板１と、ポリマー層２とを備えている。基板１上には、ポリマー層２が接着されている。また、本有機デバイスでは、基板１におけるポリマー層２との接着面１ａに、結晶化度を低くする低結晶化処理が施されている。なお、「結晶化度」とは、接着面１ａにおけるある特定の領域において、結晶化した部位の割合のことをいう。すなわち、接着面１ａにおいては、結晶化した部位と非結晶となっている部位とが混在しており、結晶化度とは、結晶化した部位と非結晶となっている部位との合計に対する結晶化した部位の割合のことをいう。

さらに、結晶化度を低くする低結晶化処理とは、結晶化度が比較的高い基板表面に対し、元々の結晶化度よりも結晶化度が低くなるように施された処理のことをいう。つまり、基板１の接着面１ａは、低結晶化処理を施す前の結晶化度（すなわち、基板１内部の結晶化度）よりも結晶化度が低くなっている。したがって、低結晶化処理が施されることにより、基板１の接着面１ａの結晶化度が、基板１の内部の結晶化度よりも小さくなる。

このように本有機デバイスでは、基板１の接着面１ａに低結晶化処理が施されているので、基板１とポリマー層２との密着性が良好になる。それゆえ、本有機デバイスによれば、超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件に置かれた場合であっても、基板１とポリマー層２との密着性を確保することが可能になる。

また、本有機デバイスにおいては、基板１におけるポリマー層２との接着面１ａに、さらにプライマー処理が施されていることが好ましい。接触面１ａに低結晶化処理を施し、さらにプライマー処理を施すことにより、基板１とポリマー層２との密着性がさらに向上し、より信頼性が高い有機デバイスを実現することができる。

また、本有機デバイスの製造方法は、基板１におけるポリマー層２との接着面１ａに、基板１における内部の結晶化度よりも結晶化度を低くする低結晶化処理を施す低結晶化工程を含むことを特徴としている。上記低結晶化工程は、基板１を結晶化温度以上に加熱する加熱段階と、加熱段階後に、接着面１ａを冷却する冷却段階とにより実現される。そして、図１に示された有機デバイスにおける基板１の低結晶化処理は、基板１におけるポリマー層２との接着面１ａ及びその裏面の両面を結晶化温度以上に加熱する加熱段階と、加熱段階後に、両面を急冷する冷却段階により実現される。

図２は、上記の低結晶化処理を説明するための概念図である。同図に示されるように、基板１の接着面１ａが結晶化温度以上に加熱されると、結晶化度が小さくなったアモルファス状態になる。そして、その後、急冷されると、基板１の接着面１ａを構成するポリマー分子は、比較的規則正しく並ぶことなく、結晶化度が低い状態のまま構成される。つまり、加熱後では、基板１の接着面１ａの結晶化度は、比較的低くなっており、急冷後も低い状態が保たれている。一方、基板１の接着面１ａが結晶化温度以上に加熱後徐冷されると、基板１の接着面１ａを構成するポリマー分子は、再び規則正しく並び、結晶化度が高い状態になる。

以下、図１に示された有機デバイスにおける、基板１の低結晶化処理の方法について、図３（ａ）・（ｂ）に基づいて説明する。図３（ａ）・（ｂ）は、図１の有機デバイスにおける基板１の低結晶化処理の方法を説明するための説明図である。

図３（ａ）に示されるように、基板１は、基板搬送手段により基板搬送方向Ａに搬送される。そして、基板搬送方向Ａの上流では、加熱器３により基板１の接着面１ａ及びその裏面が加熱される。加熱器３による加熱温度は、結晶化温度以上になっている。なお、「結晶化温度」とは、基板１を構成するポリマー分子が規則正しく並んで結晶化し始める温度のことをいう。

基板１の低結晶化処理においては、基板搬送方向Ａにおける加熱器３よりも下流で、冷却器４により、基板１の接着面１ａ及びその裏面が冷却される。これにより、基板１における接着面１ａ及びその裏面は、加熱後の結晶化度よりも小さい結晶化度になる。

このように、基板搬送方向Ａの上流・下流にそれぞれ、加熱器３及び冷却器４を設置し、基板１を搬送することにより、低結晶化処理が施された基板１が完成する。この低結晶化処理においては、加熱器３及び冷却器４による加熱・冷却のみという簡単な手法で、基板１の接着面１ａの結晶化度を小さくすることが可能になる。

また、加熱器３・冷却器４は、基板１の接着面１ａを加熱・冷却すること可能なものであれば、その形状は限定されない。例えば、図３（ｂ）に示されるように、冷却器４がロール状になっていてもよい。特に、この場合、冷却器４は、熱伝導率が比較的高い材料から構成されていることが好ましい。これにより、加熱により発生した基板１の熱を、速やかに冷却器４に伝導させることができ、冷却器４による冷却の効率を向上させるという効果を奏する。

なお、図１及び図３（ａ）・（ｂ）に示された基板１は、接着面１ａ及びその裏面との両面に低結晶化処理が施された構成であった。しかしながら、本有機デバイスにおける基板は、この構成に限定されず、少なくとも接着面に低結晶化処理が施された構成であればよい。

図４は、本有機デバイスの別の構成を示す断面図である。図４に示された有機デバイスは、基板１におけるポリマー層２との接着面１ａの結晶化度が、基板１における接着面１ａと反対側の裏面１ｂの結晶化度よりも小さくなっている構成である。

一般的に、基板１の結晶化度が低くなるに従い、基板１の引っ張り強度が弱くなる。上記の構成では、接着面１ａと裏面１ｂとで結晶化度が異なっており、裏面１ｂの結晶化度が大きく保たれている。それゆえ、図４に示された有機デバイスは、引っ張りなどに強い構造になっている。従って、図４に示された有機デバイスは、耐引っ張り特性が向上するという効果を奏する。

図５（ａ）〜（ｄ）は、図４の有機デバイスにおける基板１の低結晶化処理の方法を説明するための説明図である。図４の有機デバイスにおける基板１の低結晶化処理は、基板１におけるポリマー層２との接着面１ａ及びその裏面１ｂのうち少なくとも接着面１ａを結晶化温度以上に加熱した（加熱段階）後、接着面１ａのみを急冷する冷却段階により実現される。

まず、図５（ａ）に示されるように、基板１の基板搬送方向Ａの上流では、加熱器３により基板１の接着面１ａのみが結晶化温度以上に加熱される。これにより、加熱器３による加熱後では、基板１の接着面１ａの結晶化度は、比較的低くなっている。

図５（ａ）に示されるように、冷却器４は、加熱器３よりも基板搬送方向下流に配されており、基板１の接着面１ａに面している。このため、基板１の低結晶化処理においては、冷却器４により、基板１の接着面１ａのみが冷却される。一方、基板１の裏面１ｂは、冷却されずに比較的高い結晶化度を保った状態になっている。これにより、基板１における接着面１ａは、裏面１ｂの結晶化度よりも小さい結晶化度になる。

このように、基板搬送方向Ａの上流において、加熱器３を設置し基板１の少なくとも接着面１ａを加熱するともに、基板搬送方向Ａの下流において、冷却器４を設置し基板１の接着面１ａのみを冷却することにより、接着面１ａの結晶化度が裏面１ｂの結晶化度よりも小さくなった基板１が完成する。この低結晶化処理においては、加熱器３及び冷却器４による加熱・冷却のみという簡単な手法で、裏面１ｂの結晶化度よりも接着面１ａの結晶化度を小さくすることが可能になる。

また、加熱器３による加熱に際しては、基板１の裏面１ｂを少なくとも加熱していればよく、例えば図５（ｂ）に示されるように、基板１の接着面１ａ及び裏面１ｂとの両面を加熱器３により加熱してもよい。さらには、図５（ｃ）に示されるように、基板搬送方向Ａの下流において、基板１の接着面１ａを冷却器４により冷却する一方、基板１の裏面１ｂを加熱器４により加熱してもよい。

また、加熱器３・冷却器４は、基板１の接着面１ａを加熱・冷却すること可能なものであれば、その形状は限定されない。例えば、図５（ｄ）に示されるように、冷却器４がロール状になっていてもよい。特に、この場合、冷却器４は、熱伝導率が比較的高い材料から構成されていることが好ましい。

また、本有機デバイスは、ポリマーからなる基板にポリマー層が接着された構成を含むものであれば、特に限定されるものではない。本有機デバイスの変形例としては、例えば図６及び図７に示された構成が挙げられる。図６及び図７に示された有機デバイスは、ポリマー層が複数の基板により取り囲まれた構成になっている。一般的に、ポリマー層は、外部環境に対し弱い。図６及び図７に示される有機デバイスでは、ポリマー層が基板により保護されるので、耐環境性が向上し、デバイスとしての信頼性が向上するという効果を奏する。

具体的には、図６に示された有機デバイスは、２つの基板１及び１’を備えた構成になっている。そして、ポリマー層２は、基板１及び１’により狭持されている。また、基板１及び１’におけるポリマー層２との接着面１ａ及び１’ａには、低結晶化処理が施されている。これにより、基板１の接着面１ａ及び１’ａの結晶化度が、基板１の内部の結晶化度よりも小さくなる。

また、図７に示された有機デバイスは、４つの基板１〜１’’’を備えた構成になっている。そして、この基板１〜１’’’は、ポリマー層２を取り囲むように配されている。また、基板１〜１’’’におけるポリマー層２との接着面１ａ〜１’’’ａには、低結晶化処理が施されている。

また、図８は、本有機デバイスの他の変形例を示す断面図である。図８に示された有機デバイスは、基板が２つのポリマー層により挟持された構成になっている。具体的には、図８に示された有機デバイスは、ポリマー層２及び２’を備えた構成になっている。そして、基板１は、ポリマー層２及び２’により狭持されている。言い換えると、基板１においては、ポリマー層２との接着面１ａと反対側の裏面１’ｂが、ポリマー層２’との接着面になっている。そして、接着面１ａ及び裏面１’ｂには、低結晶化処理が施されている。これにより、基板１の接着面１ａ及び裏面１’ｂの結晶化度が、基板１の内部の結晶化度よりも小さくなる。図８に示されるように、基板１の裏面１’ｂをポリマー層２’との接着面に利用することで、有機デバイスの高密度化や小型化を実現することができる。

図９は、本有機デバイスのさらに他の変形例を示す断面図である。図９に示された有機デバイスは、基板１とポリマー層２との間に中間層６が設けられている構成になっている。このように中間層６が設けられたことにより、基板１とポリマー層２との密着性を向上させることが可能になる。

なお、中間層６の材料は、中間層６と基板１との間の密着力、及び中間層６とポリマー層２との間の密着力＞基板１とポリマー層２との間の密着力（式１）を満たす材料であれば、特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂やＵＶ硬化性樹脂が挙げられる。

ただし、上記式１から、中間層６の材料は、基板１やポリマー層２の材料の特性に応じて適宜設定しうる。例えば、基板１の材料がＰＩ（ポリイミド）であり、ポリマー層２の材料がアクリル樹脂であった場合、中間層６の材料は、シラン変性エポキシ樹脂であることが好ましい。また、基板１の材料がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）であり、ポリマー層２の材料がアクリル樹脂であった場合、中間層６の材料は、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、またはウレタン樹脂であることが好ましい。また、基板１の材料がＰＰ（ポリプロピレン）であり、ポリマー層２の材料がアクリル樹脂であった場合、中間層６の材料は、ポリエチレンイミン樹脂、ポリブタジエン樹脂、またはウレタン樹脂であることが好ましい。

（１）本願発明を適用可能な有機デバイスについて
本願発明を適用可能な有機デバイスとしては、ポリマー層が光学的機能を有する光機能層である有機デバイスが好ましい。光機能層としては、例えば、光導波路、回折素子、または電子ペーパー等が挙げられる。

このような光機能層が基板に接着された有機デバイスは、特にデバイスのフレキシブル性が要求されている。それゆえ、光機能層と基板との密着性が、デバイスの特性・信頼性に直結する。従って、このような光機能層を備えた有機デバイスに本願発明を適用することにより、基板と光機能層との密着性が向上し、特性・信頼性に優れたフレキシブルな光機能デバイス（有機デバイス）を実現することができる。

以下、本願発明を適用可能な有機デバイスについて、具体的に説明する。

（１．１）光導波路としての有機デバイス
本有機デバイスは、光機能層としての光導波路がポリマーからなる基板に接着された有機デバイスであってもよい。まず、ここで、光導波路及び光導波路を備えた光モジュールについて、以下に説明する。

（光導波路としての有機デバイスの構成）
図１０は、ポリマー層としての光導波路２０を備えた本有機デバイスの概略構成を示し、図１０（ａ）は光伝送方向に対し垂直な面における断面図であり、図１０（ｂ）は光伝送方向に平行な面における断面図である。光導波路２０は、光伝送方向を軸とする柱状形状のコア部２０ａと、コア部２０ａ周囲を囲むように設けられたクラッド部２０ｂとを備えた構成となっている。コア部２０ａおよびクラッド部２０ｂは透光性を有する材料によって構成されているとともに、コア部２０ａの屈折率は、クラッド部２０ｂの屈折率よりも高くなっている。コア部２０ａそれぞれに入射した光信号は、コア部２０ａ内部で全反射を繰り返すことによって光伝送方向に伝送される。尚、図１０（ａ）及び（ｂ）においては、光導波路２０の端部付近において、光導波路２０の長手方向（光軸方向）をＸ軸方向、基板１の接着面１ａの法線方向をＹ軸方向とする。

コア部２０ａおよびクラッド部２０ｂを構成する材料としては、ガラスやプラスチックなどを用いることが可能であるが、十分な可撓性を有する光導波路２０を構成するためには、弾性率１０００ＭＰａ以下の柔軟な材料であることが好ましい。光導波路２０を構成する材料としては、例えば、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系、およびシリコーン系等の樹脂材料が挙げられる。また、クラッド部２０ｂを空気などの気体で構成してもよい。さらに、クラッド部２０ｂをコア部２０ａよりも屈折率の小さい液体の雰囲気下において使用しても同様の効果が得られる。

また、図１０（ｂ）に示されるように、光導波路２０における端面は光伝送方向に対して垂直とならず、斜めに切断されて光路変換ミラー面２０ｄを形成する。具体的には、光導波路２０の端面は、ＸＹ平面に対して垂直であり、かつ、Ｘ軸に対しては角度θ（θ＜９０°）をなすように傾斜されている。

これにより、光導波路２０における光の出射側では、コア部２０ａを伝達する信号光は、光路変換ミラー面２０ｄにて反射して、その進行方向を変えて光路変換ミラー面２０ｄから光学素子に向けて出射することが可能になる。

尚、光路変換ミラー面２０ｄの傾斜角度θは、該光路変換ミラー面２０ｄと光学素子との位置合わせが容易となるように、通常は４５°に設定されている。尚、光路変換ミラーは、光導波路２０の端部に対してミラー部を外付けするものであってもよい。

本有機デバイスは、ポリマーからなる基板１に光導波路２０が接着された構成になっている。そして、基板１における光導波路２０との接着面１ａには、上記の低結晶化処理が施されている。これにより、超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件においても、十分に基板１と光導波路２０との間の密着性を確保することが可能になる。

フィルム光導波路は、超屈曲Ｒ＝１ｍｍ・捻回２７０°という特有の環境下で適用される。上記の構成によれば、このようなフィルム光導波路特有の使用環境下で応力が集中しても、基板１と光導波路２０との間の剥離を防止することが可能になる。さらには、Ｒ＝１ｍｍの耐屈曲性１０万回や８５℃８５ＲＨ％、２００時間放置といった光導波路特有の信頼性試験に対しても、基板１と光導波路２０との間の剥離を防止でき、信頼性の高い光導波路を実現することができる。

そのため、例えば、光導波路としての本有機デバイスを携帯電話に適用した場合、携帯電話のヒンジ部分、微小な狭間部分といった超屈曲・超捻回が発生する場所に、光導波路を設置することができる。そして、超屈曲・超捻回が発生する場所における光伝送が良好になるという効果を奏する。

（光導波路としての有機デバイスの製造方法）
光導波路の製造方法としては、例えば以下の２つの製造方法が挙げられる。本願発明は、この４つの製造方法全てに適用可能である。以下、光導波路としての本有機デバイスの製造方法について、具体的に説明する。

図１１（ａ）〜（ｆ）は、金型を用いた光導波路の作製方法（複製法）を示す断面図である。まず、図１１（ａ）に示されるように、光導波路２０との接着面１ａに上記の低結晶化処理が施された基板１を用意する。

そして、図１１（ｂ）に示されるように、基板１の接着面１ａに、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂により構成される樹脂Ｂを滴下する。なお、この樹脂Ｂは、光導波路２０におけるクラッド部２０ｂを構成する材料である。

次に、図１１（ｃ）に示されるように、樹脂Ｂを金型３０で押さえて、金型３０と基板１との間に樹脂Ｂを押し広げる。そして、図１１（ｄ）に示されるように、紫外線照射あるいは加熱により樹脂Ｂを硬化し、下クラッド層２０’ｂを形成する。その後、金型３０をそして、図１１（ｄ）に示されるように、紫外線照射あるいは加熱により樹脂Ｂを硬化し、下クラッド層２０’ｂから離型させる。

金型３０には、凸部３０ａが形成されている。そして、凸部３０ａが樹脂Ｂと接触するように、金型３０で樹脂Ｂを押さえている。それゆえ、樹脂Ｂを硬化後、形成された下クラッド層２０’ｂには、凸部３０ａにより形成されたコア溝２０ｅが形成される。このコア溝２０ｅにコア部２０ａを構成する材料を充填させ硬化することで、コア部２０ａが形成される（図１１（ｅ）参照）。

そして、さらに図１１（ｆ）に示されるように、下クラッド層２０’ｂ及びコア部２０ａの上に、樹脂Ｂを滴下しスタンパで押し広げる。そして、樹脂Ｂを硬化することで、上クラッド層２０’’ｂが形成される。

以上、図１１（ａ）〜（ｆ）に示された手順により、コア部２０ａと、コア部２０ａを取り囲むクラッド部２０ｂ（下クラッド層２０’ｂ及び上クラッド層２０’’ｂ）とを備えた光導波路２０が完成する。図１１（ａ）〜（ｆ）に示された金型を用いた光導波路の作製方法（複製法）は、１つの金型から多数の複製品を作製することができ、作製手順もシンプルである。それゆえ、光導波路の生産性を向上でき、かつローコスト化を実現することができる。さらには、高精度な微細パターンや形成が困難な形状になったコア部であっても、金型を一度製造すれば、安定してコア部を形成することが可能になる。

図１２（ａ）〜（ｅ）は、ドライエッチング法を用いた光導波路の作製方法を示す断面図である。まず、図１２（ａ）に示されるように、光導波路２０との接着面１ａに上記の低結晶化処理が施された基板１を用意する。そして、基板１の接着面１ａに、クラッド部２０ｂの材料である樹脂Ｂから構成される層、及びコア部２０ａの材料である樹脂Ａから構成される層をこの順に形成する。

そして、図１２（ｂ）に示されるように、樹脂Ａから構成される層上にレジストＲを形成した後、レジストＲをフォトマスクＦにより被覆し露光する。そして、レジストＲを現像した（図１２（ｃ））後、樹脂Ｂから構成される層に到達するまで反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行い、コア部２０ａを形成する（図１２（ｄ））。そして、レジストＲを除去後、図１２（ｅ）に示されるように、樹脂Ｂからなる層を形成することにより、光導波路が完成する。

本願発明は、上記の図１１（ａ）〜（ｆ）、及び図１２（ａ）〜（ｅ）に示された光導波路の製造方法に適用可能である。しかしながら、本願発明の適用は、これら２つの製造方法に限定されず、基板表面に光導波路としてのポリマー層を形成する工程を含む製造方法であれば適用可能である。本願発明は、例えば、直接露光法、またはフォトブリーチング法を用いた光導波路の製造方法にも適用可能である。

（光導波路を備えた光モジュールの構成）
図１３は、光導波路２０を備えた光モジュール１００の概略構成を示している。同図に示すように、光モジュール１００は、光送信処理部１０２、光受信処理部１０３、および光導波路２０を備えている。

光送信処理部１０２は、発光駆動部１０５および発光部（光学素子）１０６を備えた構成となっている。発光駆動部１０５は、外部から入力された電気信号に基づいて発光部６の発光を駆動する。この発光駆動部５は、例えば発光駆動用のＩＣ（Integrated Circuit）によって構成される。なお、図示はしていないが、発光駆動部１０５には、外部からの電気信号を伝送する電気配線との電気接続部が設けられている。

発光部１０６は、発光駆動部１０５による駆動制御に基づいて発光する。この発光部１０６は、例えばＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity-Surface Emitting Laser）などの発光素子によって構成される。発光部６から発せられた光は、光信号として光導波路２０の光入射側端部に照射される。

光受信処理部１０３は、増幅部１０７および受光部（光学素子）１０８を備えた構成となっている。受光部１０８は、光導波路２０の光出射側端部から出射された光信号としての光を受光し、光電変換によって電気信号を出力する。この受光部１０８は、例えばＰＤ（Photo-Diode）などの受光素子によって構成される。

増幅部１０７は、受光部１０８から出力された電気信号を増幅して外部に出力する。この増幅部１０７は、例えば増幅用のＩＣによって構成される。なお、図示はしていないが、増幅部７には、外部へ電気信号を伝送する電気配線との電気接続部が設けられている。

光導波路２０は、発光部１０６から出射された光を受光部１０８まで伝送する媒体である。

図１４は、光導波路２０における光伝送の状態を模式的に示している。同図に示すように、光導波路２０は可撓性を有する柱状形状の部材によって構成される。また、光導波路２０の光入射側端部には光入射面２１が設けられているとともに、光出射側端部には光出射面２２が設けられている。

発光部１０６から出射された光は、光導波路２０の光入射側端部に対して、光導波路２０の光伝送方向に対して垂直となる方向から入射される。入射された光は、光入射面２１において反射されることによって光導波路２０内を進行する。光導波路２０内を進行して光出射側端部に到達した光は、光出射面２２において反射されることによって、光導波路２０の光伝送方向に対して垂直となる方向へ出射される。出射された光は、受光部１０８に照射され、受光部１０８において光電変換が行われる。

このような構成によれば、光導波路２０に対して、光伝送方向に対して横方向に光源としての発光部１０６を配置する構成とすることが可能となる。よって、例えば発光部１０６を実装する実装基板面に平行に光導波路２０を配置することが必要とされる場合に、光導波路２０と実装基板面との間に、該実装基板面の法線方向に光を出射するように発光部１０６を設置すればよいことになる。このような構成は、例えば発光部１０６を実装基板面に平行に光を出射するように設置する構成よりも、実装が容易であり、また、構成としてもよりコンパクトにすることができる。これは、発光部６の一般的な構成が、光を出射する方向のサイズよりも、光を出射する方向と垂直な方向のサイズの方が大きくなっていることによるものである。さらに同一面内に電極と発光部がある平面実装向け発光素子を使用する構成にも適用が可能である。

なお、光モジュール１００は、光導波路２０を伝搬する信号光が光出射面２１において反射されることによって受光部１０８へ導くような構成（すなわち、光出射面２２を光路を変換する反射面として利用した構成）であったが、光モジュール１００の構成は、この構成に限定されるものではなく、光出射面２２から出射した信号光を受光部１０８で受光可能な構成であればよい。例えば、光導波路２０は、光出射面２２が反射面として機能せず、光出射面２２から光伝送方向に信号光が出射するような構成であってもよい。この場合、受光部１０８は、その受光面が基板面に対し垂直な方向（すなわち、光伝送方向に対し垂直な方向）に配され、光出射面２２から光伝送方向に出射した信号光を受光するようになっている。

（応用例）
光モジュール１００は、例えば以下のような応用例に適用することが可能である。

まず、第一の応用例として、折り畳み式携帯電話，折り畳み式ＰＨＳ（Personal Handyphone System），折り畳み式ＰＤＡ（Personal Digital Assistant），折り畳み式ノートパソコン等の折り畳み式の電子機器におけるヒンジ部に用いることができる。

図１５（ａ）〜図１５（ｃ）は、光導波路２０を折り畳み式携帯電話４０に適用した例を示している。すなわち、図１５（ａ）は光導波路２０を内蔵した折り畳み式携帯電話４０の外観を示す斜視図である。

図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示した折り畳み式携帯電話４０における、光導波路２０が適用されている部分のブロック図である。この図に示すように、折り畳み式携帯電話４０における本体４０ａ側に設けられた制御部４１と、本体の一端にヒンジ部を軸として回転可能に備えられる蓋（駆動部）４０ｂ側に設けられた外部メモリ４２，カメラ部（デジタルカメラ）４３，表示部（液晶ディスプレイ表示）４４とが、それぞれ光導波路２０によって接続されている。

図１５（ｃ）は、図１５（ａ）におけるヒンジ部（破線で囲んだ部分）の透視平面図である。この図に示すように、光導波路２０は、ヒンジ部における支持棒に巻きつけて屈曲させることによって、本体側に設けられた制御部と、蓋側に設けられた外部メモリ４２，カメラ部４３，表示部４４とをそれぞれ接続している。

光導波路２０を、これらの折り畳み式電子機器に適用することにより、限られた空間で高速、大容量の通信を実現できる。したがって、例えば、折り畳み式液晶表示装置などの、高速、大容量のデータ通信が必要であって、小型化が求められる機器に特に好適である。

第２の応用例として、光導波路２０は、印刷装置（電子機器）におけるプリンタヘッドやハードディスク記録再生装置における読み取り部など、駆動部を有する装置に適用できる。

図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、光導波路２０を印刷装置５０に適用した例を示している。図１６（ａ）は、印刷装置５０の外観を示す斜視図である。この図に示すように、印刷装置５０は、用紙５２の幅方向に移動しながら用紙５２に対して印刷を行うプリンタヘッド５１を備えており、このプリンタヘッド５１に光導波路２０の一端が接続されている。

図１６（ｂ）は、印刷装置５０における、光導波路２０が適用されている部分のブロック図である。この図に示すように、光導波路２０の一端部はプリンタヘッド５１に接続されており、他端部は印刷装置５０における本体側基板に接続されている。なお、この本体側基板には、印刷装置５０の各部の動作を制御する制御手段などが備えられる。

図１６（ｃ）および図１２（ｄ）は、印刷装置５０においてプリンタヘッド５１が移動（駆動）した場合の、光導波路２０の湾曲状態を示す斜視図である。この図に示すように、光導波路２０をプリンタヘッド５１のような駆動部に適用する場合、プリンタヘッド５１の駆動によって光導波路２０の湾曲状態が変化するとともに、光導波路２０の各位置が繰り返し湾曲される。

したがって、光モジュール１００は、これらの駆動部に好適である。また、光モジュール１００をこれらの駆動部に適用することにより、駆動部を用いた高速、大容量通信を実現できる。

図１７は、光導波路２０をハードディスク記録再生装置６０に適用した例を示している。

この図に示すように、ハードディスク記録再生装置６０は、ディスク（ハードディスク）６１、ヘッド（読み取り、書き込み用ヘッド）６２、基板導入部６３、駆動部（駆動モータ）６４、光導波路２０を備えている。

駆動部６４は、ヘッド６２をディスク６１の半径方向に沿って駆動させるものである。ヘッド６２は、ディスク６１上に記録された情報を読み取り、また、ディスク６１上に情報を書き込むものである。なお、ヘッド６２は、光導波路２０を介して基板導入部６３に接続されており、ディスク６１から読み取った情報を光信号として基板導入部６３に伝搬させ、また、基板導入部６３から伝搬された、ディスク６１に書き込む情報の光信号を受け取る。

このように、光導波路２０をハードディスク記録再生装置６０におけるヘッド６２のような駆動部に適用することにより、高速、大容量通信を実現できる。

（１．２）有機発光素子または液晶パネルセルとしての有機デバイス
図１８（ａ）・（ｂ）は、有機発光素子として適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。図１８（ａ）に示されるように、有機発光素子１１０は、基板１上に導電性ポリマーから構成されるポリマー層１１１、発光層１１２がこの順に積層された積層構造を備えている。また、図１８（ｂ）に示されるように、有機発光素子１１０は、基板１上にバッファー樹脂層１１３、電極層１１４、発光層１１２がこの順に積層した積層構造を備えている。本願発明を適用した有機発光素子においては、図１８（ａ）・（ｂ）に示された積層構造における基板１の接着面１ａに低結晶化処理が施されている。

また、図１９は、液晶パネルセルとして適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。同図に示されるように、液晶パネルセル１２０は、基板１とカラーフィルタ１２４により液晶層１２３が狭持された構成になっている。基板１上には、液晶層１２３に向かって、導電性ポリマーから構成されるポリマー層１２１、配向膜１２２がこの順に形成されている。また、カラーフィルタ１２４には、液晶層１２３に向かって、導電性ポリマーから構成されるポリマー層１２５、配向膜１２６がこの順に形成されている。この液晶パネルセルにおいても、基板１におけるポリマー層１２１との接着面１ａに低結晶化処理が施されている。

このように、基板１の接着面１ａに低結晶化処理が施されているので、ポリマー層と基板との密着性が向上する。それゆえ、この構成によれば、屈曲・捻回時の応力集中による基板とポリマー層との剥離を防止できるとともに、耐屈曲性も向上する。また、デバイス動作発熱によるポリマー層と基板との剥離を防止することができる。

特に、本願発明を有機発光素子または液晶パネルセルに適用した場合、例えばフレキシブルディスプレイにおける湾曲部分等といった屈曲・捻回が必要な箇所に、有機発光素子または液晶パネルセルを設置することが可能になる。

（１．３）有機太陽電池としての有機デバイス
図２０は、有機太陽電池として適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。同図に示されるように、有機太陽電池１３０は、対向する２つの基板１・１’を備え、２つの基板１・１’により電解液層１３２が狭持された構成になっている。電解液層１３２を構成する電解液には、酸化チタン（ＴｉＯ_２）や色素が含まれている。

そして、基板１・１’における電解液層１３２側の面には、導電性ポリマーから構成されるポリマー層１３１・１３１’が形成されている。基板１・１’におけるポリマー層１３１・１３１’との接着面１ａ・１’ａには低結晶化処理が施されている。

この構成においても、基板１・１’とポリマー層１３１・１３１’との密着性が向上する。特に、本願発明を有機太陽電池に適用した場合、例えばカーテンやブラインダ等の湾曲部分といった屈曲・捻回が必要な箇所に、有機太陽電池を設置することが可能になる。

（１．４）マイクロレンズとしての有機デバイス
図２１は、ポリマー層としてマイクロレンズとして適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。同図に示されるように、本有機デバイスは、基板１に、ポリマー層としてのマイクロレンズ１４１が形成された構成になっている。なお、基板１におけるマイクロレンズ１４１との接着面１ａには、低結晶化処理が施されている。

これにより、基板１とマイクロレンズ１４１との密着性が向上する。それゆえ、ポリマー層としてマイクロレンズとして適用した場合、屈曲・捻回が必要な箇所でマイクロレンズを使用することができる。

また、図２１に示された有機デバイスは、以下の手順で製造することが好ましい。すなわち、(i)上記の低結晶化処理が施された基板１を準備する。(ii)基板１の接着面１ａに、インクジェットによりマイクロレンズ１４１の材料となるポリマーを塗布し硬化する。

このようにインクジェット法を用いることにより、より簡単に有機デバイスを製造することができる。また、マイクロレンズ１４１を形成するためにフォトマスクを使用する必要がない。それゆえ、（フォトマスク使用に必要な）レジスト等の樹脂を用いる必要がなく、低コストでマイクロレンズを製造することができる。

（１．５）プリント配線基板としての有機デバイス
図２２は、プリント配線基板として適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。同図に示されるように、プリント配線基板１５０は、基板１上に、導電性ポリマーからなる配線層１５１がプリントされた構成になっている。基板１における配線層１５１との接着面１ａには、上記の低結晶化処理が施されている。

これにより、超屈曲状態や超捻回状態といった悪条件においても、十分に基板１と配線層１５１との間の密着性を確保することが可能になる。そして、屈曲・捻回時の応力集中により、基板１と配線層１５１との間の剥離を防止することが可能になる。

そのため、例えば、プリント配線基板としての本有機デバイスを携帯電話に適用した場合、携帯電話のヒンジ部分、微小な狭間部分といった超屈曲・超捻回が発生する場所に、プリント配線基板を設置することができる。そして、超屈曲・超捻回が発生する場所における有機電機伝送が良好になるという効果を奏する。

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明に係る有機モジュールは、基板とポリマー層との密着性を向上させることができるので、小型、薄型の民生機器内に搭載される機器内配線としてのフレキシブルな光配線に適用可能である。

本発明の実施の一形態の有機デバイスの概略構成を示す断面図である。 本発明における低結晶化処理を説明するための概念図である。 （ａ）・（ｂ）は、図１の有機デバイスにおける基板の低結晶化処理の方法を説明するための説明図である。 本発明の有機デバイスの別の構成を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、図４の有機デバイスにおける基板の低結晶化処理の方法を説明するための説明図である。 本発明の有機デバイスの変形例を示した断面図である。 本発明の有機デバイスの変形例を示した断面図である。 本発明の有機デバイスの変形例を示した断面図である。 本発明の有機デバイスの変形例を示した断面図である。 ポリマー層としての光導波路を備えた有機デバイスの概略構成を示し、（ａ）は光伝送方向に対し垂直な面における断面図であり、（ｂ）は光伝送方向に平行な面における断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、金型を用いた光導波路の作製方法（複製法）を示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、ドライエッチング法を用いた光導波路の作製方法を示す断面図である。 光導波路を備えた光モジュールの概略構成を示す図である。 光導波路における光伝送の状態を模式的に示す図である。 （ａ）は、本実施形態に係る光導波路を備えた折り畳み式携帯電話の外観を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した折り畳み式携帯電話における、上記光導波路が適用されている部分のブロック図であり、（ｃ）は、（ａ）に示した折り畳み式携帯電話における、ヒンジ部の透視平面図である。 （ａ）は、本実施形態に係る光導波路を備えた印刷装置の外観を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した印刷装置の主要部を示すブロック図であり、（ｃ）および（ｄ）は、印刷装置においてプリンタヘッドが移動（駆動）した場合の、光導波路の湾曲状態を示す斜視図である。 本実施形態に係る光導波路を備えたハードディスク記録再生装置の外観を示す斜視図である。 （ａ）・（ｂ）は、有機発光素子として適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。 液晶パネルセルとして適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。 有機太陽電池として適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。 ポリマー層としてマイクロレンズとして適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。 プリント配線基板として適用した本有機デバイスの概略構成を示す断面図である。 光導波路の基板からの剥離に起因する光学特性の影響を説明するための説明図である。 光導波路の基板からの剥離に起因する光学特性の影響を説明するための説明図である。

符号の説明

１ 基板
１ａ 接着面
２ ポリマー層
２０ 光導波路

Claims (14)

1. ポリマーからなる基板を備え、該基板上にポリマー層が接着された有機デバイスであって、
   上記基板におけるポリマー層との接着面の結晶化度が、基板における内部の結晶化度よりも小さくなっており、
   上記ポリマー層は、
   基板における接着面に接着され、かつ、その上部に溝が形成された下クラッド層と、
   上記溝にコア材が充填されたコア部と、
   上記コア部の上部に形成された上クラッド層と、からなる光導波路であることを特徴とする有機デバイス。
2. 上記コア部、並びに上記下クラッド層および上記上クラッド層の材料は、弾性率が１０００ＭＰａ以下の材料であることを特徴とする請求項１に記載の有機デバイス。
3. 上記基板の材料がポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンであることを特徴とする請求項１に記載の有機デバイス。
4. 上記基板におけるポリマー層との接着面の結晶化度が、基板における接着面と反対側の裏面の結晶化度よりも小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載の有機デバイス。
5. 上記基板と上記ポリマー層との間に中間層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機デバイス。
6. 上記基板における、中間層との接着面にプライマー処理が施されていることを特徴とする請求項５に記載の有機デバイス。
7. 上記基板における、ポリマー層との接着面にプライマー処理が施されていることを特徴とする請求項１に記載の有機デバイス。
8. ポリマーからなる基板を備え、該基板上に光導波路としてのポリマー層が接着された有機デバイスの製造方法であって、
   上記基板における光導波路との接着面に、基板における内部の結晶化度よりも結晶化度を低くする低結晶化処理を施す低結晶化工程と、
   上記基板の接着面上に上部に溝部を備えた下クラッド層を形成する工程と、
   上記溝部にコア部を構成する材料を充填してコア部を形成する工程と、
   上記下クラッド層と上記コア部の上部に上クラッド層を形成する工程と、
   からなることを特徴する有機デバイスの製造方法。
9. 上記コア部、並びに上記下クラッド層および上記上クラッド層の材料は、弾性率が１０００ＭＰａ以下の材料であることを特徴とする請求項８に記載の有機デバイスの製造方法。
10. 上記基板の材料がポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンであることを特徴とする請求項８に記載の有機デバイスの製造方法。
11. 上記低結晶化工程は、
    上記基板を結晶化温度以上に加熱する加熱段階と、
    上記加熱段階後に、上記基板におけるポリマー層との接着面を冷却する冷却段階とを含むことを特徴とする請求項８に記載の有機デバイスの製造方法。
12. 上記加熱段階にて、上記基板におけるポリマー層との接着面及びその裏面の両面を結晶化温度以上に加熱し、上記冷却段階にて、上記両面を急冷することを特徴とする請求項１１に記載の有機デバイスの製造方法。
13. 上記加熱段階にて、上記基板におけるポリマー層との接着面及びその裏面のうち少なく裏面を結晶化温度以上に加熱し、上記冷却段階にて、接着面のみを急冷することを特徴とする請求項１１に記載の有機デバイスの製造方法。
14. 請求項８に記載の有機デバイスの製造方法により製造されたことを特徴とする有機デバイス。

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