JP4451791B2

JP4451791B2 - 電子回路ユニット

Info

Publication number: JP4451791B2
Application number: JP2005006682A
Authority: JP
Inventors: 文夫渡邊; 浩幸坂本
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2005-01-13
Filing date: 2005-01-13
Publication date: 2010-04-14
Anticipated expiration: 2025-01-13
Also published as: JP2006196690A

Description

本発明は近距離無線装置等の電子機器に使用して好適な電子回路ユニットに関する。

図２は従来の半導体装置の要部の断面図を示し、この従来の半導体装置は、大きな第１の半導体チップ５１の下面には、複数のランド部５２が設けられ、外周部に位置するランド部５２には、半田ボール５３が設けられると共に、中央部に位置するランド部５２には、第２の半導体チップ５４がバンプ５５によって接続されている。

このような従来の半導体装置は、半田ボール５３が回路基板５６の配線パターン（図示せず）上に載置され、半田ボール５３がリフローによって溶融されて、配線パターンに接続されるようになっている。（例えば、特許文献１参照）

しかし、従来の半導体装置は、半田ボール５３が溶融された際、横方向に広がって、高さが低くなるため、第２の半導体チップ５４を削って薄くする加工を必要として、生産性が悪く、また、高さをかせぐために、半田ボール５３の半田量を多くする必要があった。

特開２００２−１７０９１８号公報

従来の半導体装置は、半田ボール５３が溶融された際、横方向に広がって、高さが低くなるため、第２の半導体チップ５４を削って薄くする加工を必要として、生産性が悪く、また、高さをかせぐために、半田ボール５３の半田量を多くする必要があるという問題がある。

そこで、本発明は半田量を多くすること無く、回路基板とマザー基板間の間隔を確実に確保できる電子回路ユニットを提供することを目的とする。

上記課題を解決するための第１の解決手段として、配線パターンが設けられた回路基板と、この回路基板の上下面に搭載された電子部品と、前記配線パターンに接続された状態で、前記回路基板の下面に設けられた複数のランド部と、このランド部に設けられた半田盛り上がり部とを備え、前記回路基板の下面には、前記半田盛り上がり部に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁が設けられ、この抑え壁の先端から突出した前記半田盛り上がりがマザー基板に半田付けされるようにし、前記抑え壁は、前記回路基板の下面から前記回路基板の下面に設けられた前記電子部品の下端部の高さよりも高くした構成とした。

また、第２の解決手段として、前記抑え壁は、熱硬化性の樹脂で形成されると共に、前記抑え壁の内部は、先端部から前記ランド部に向かってすり鉢状に形成された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記抑え壁は、前記半田盛り上がり部の高さの１／２以上にわたって設けられた構成とした。

本発明の電子回路ユニットは、配線パターンが設けられた回路基板と、この回路基板の上下面に搭載された電子部品と、配線パターンに接続された状態で、回路基板の下面に設けられた複数のランド部と、このランド部に設けられた半田盛り上がり部とを備え、回路基板の下面には、半田盛り上がり部に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁が設けられ、この抑え壁の先端から突出した半田盛り上がりがマザー基板に半田付けされるようにした構成とした。
即ち、半田盛り上がり部が溶融されて、半田盛り上がり部がマザー基板に半田付けされる際、半田盛り上がり部の外周に設けられた抑え壁は、半田の横方向に広がりを抑止する作用をなして、回路基板とマザー基板との間の間隔を確実に確保できて、回路基板の下面に設けられた電子部品がマザー基板にぶつかることが無い上に、半田量の少ない半田盛り上がり部によっても、回路基板とマザー基板との間の間隔を確実に確保できる。
また、抑え壁は、回路基板の下面から回路基板の下面に設けられた電子部品の下端部の高さよりも高くしたため、回路基板の下面に設けられた電子部品がマザー基板にぶつかるのを確実に防ぐことができる。

また、抑え壁は、熱硬化性の樹脂で形成されると共に、抑え壁の内部は、先端部からランド部に向かってすり鉢状に形成されたため、抑え壁は、熱硬化性の樹脂を用いることによって、安価で、その形成が容易となり、また、すり鉢状にすることによって、内部での半田の係留と外部への半田の流出防止が確実になる。

また、抑え壁は、半田盛り上がり部の高さの１／２以上にわたって設けられたため、抑え壁の内部での半田の係留と抑え壁外への半田の流出防止が確実にできる。

図１は本発明の電子回路ユニットの要部の断面図であり、次に、本発明の電子回路ユニットの構成を図１に基づいて説明すると、積層基板からなる回路基板１には、上面、積層内、及び下面に設けられた配線パターン２と、下面に設けられた複数のランド部３と、配線パターン２とランド部３を接続する接続導体（スルーホール）４が設けられている。

また、回路基板１の上面には、種々の電子部品５ａが搭載されると共に、回路基板１の下面の中央部には、半導体チップ（ベアチップ）等からなる電子部品５ｂが搭載されて、所望の電気回路が形成されている。
そして、金属板からなる箱形のカバー６は、回路基板１の上面に配置された電子部品５ａを覆った状態で、回路基板１に取り付けられている。

それぞれのランド部３には、半田盛り上がり部７が設けられ、この半田盛り上がり部７は、半田ボールや、ランド部３にクリーム半田が塗布、或いは印刷された後、溶融されてできた略半球状の半田で形成されると共に、回路基板１の下面には、半田盛り上がり部７に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁８が設けられ、半田盛り上がり部７が抑え壁８の先端から下方に突出した状態となっている。

この抑え壁８は、熱硬化性の樹脂で形成されると共に、その高さは、半田盛り上がり部７の高さの１／２以上の高で、回路基板１の下面に配置された電子部品５ｂよりも高くなっている。
また、抑え壁８の先端部が円形の環状をなし、抑え壁８の内部は、先端部からランド部３に向かってすり鉢状に形成されると共に、抑え壁８の内部全体が半田盛り上がり部７に接触した状態となって、本発明の電子回路ユニットが形成されている。

そして、抑え壁８は、半田盛り上がり部７が形成された後、絶縁樹脂が半田盛り上がり部７の外周部を囲むように回路基板１の下面に塗布され、且つ、硬化されて形成されている。

このような本発明の電子回路ユニットは、半田盛り上がり部７が電子機器のマザー基板９に設けられた導電パターン（図示せず）上に載置され、半田盛り上がり部７がリフロー炉によって溶融されて、導電パターンに接続されるようになっている。

そして、半田盛り上がり部７が溶融された際、横方向に広がって、高さが低くなるようになるが、抑え壁８の存在によって、半田の横方向の広がりが抑制され、このため、半田の高さ、即ち、回路基板１の下面とマザー基板９との間の間隔を大きく確保できて、下面の電子部品５ｂがマザー基板９にぶつかることが無くなる。

なお、上記実施例の抑え壁８は、先端部が円形の環状のもので説明したが、先端部の一部が切り欠きされたＣ字状、或いは、半田盛り上がり部７の外周を取り巻くように、複数の絶縁樹脂を点在させて抑え壁８を形成したものでも良い。

本発明の電子回路ユニットの要部の断面図。従来の半導体装置の要部の断面図。

符号の説明

１：回路基板
２：配線パターン
３：ランド部
４：接続導体
５ａ、５ｂ：電子部品
６：カバー
７：半田盛り上がり部
８：抑え壁
９：マザー基板

Claims

配線パターンが設けられた回路基板と、この回路基板の上下面に搭載された電子部品と、前記配線パターンに接続された状態で、前記回路基板の下面に設けられた複数のランド部と、このランド部に設けられた半田盛り上がり部とを備え、前記回路基板の下面には、前記半田盛り上がり部に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁が設けられ、この抑え壁の先端から突出した前記半田盛り上がりがマザー基板に半田付けされるようにし、
前記抑え壁は、前記回路基板の下面から前記回路基板の下面に設けられた前記電子部品の下端部の高さよりも高くしたことを特徴とする電子回路ユニット。
前記抑え壁は、熱硬化性の樹脂で形成されると共に、前記抑え壁の内部は、先端部から前記ランド部に向かってすり鉢状に形成されたことを特徴とする請求項１記載の電子回路ユニット。
前記抑え壁は、前記半田盛り上がり部の高さの１／２以上にわたって設けられたことを特徴とする請求項１、又は２記載の電子回路ユニット。