JP4448004B2 - 物品処理装置 - Google Patents
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 92
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 88
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 71
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 66
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims description 37
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 31
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- -1 titanium ions Chemical class 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
アーク式PVDによる膜形成は、膜の被成膜物品への密着性が良好である、膜形成速度が高く、膜生産性が高いといった利点があり、工具等の表面処理において広く用いられている。
ホルダ2には、成膜時に、該ホルダに支持される被成膜物品Wにバイアス電源PWからバイアス電圧を印加できるようにしてある。このバイアスは、膜形成のためのイオンを引き寄せるためのものである。
カソード31は形成しようとする膜に応じて選択した材料で形成される。カソード31の端面(蒸発面)311はホルダ2に向けられている。このカソードに対するアノードはこの例では接地された成膜チャンバ1がこれを兼ねている。なお、アノードは別途設けてもよい。
アーク放電用電源33はカソード31とアノードとの間にアーク放電用電圧を印加できるように、また、カソード31とアノード間のアーク放電を誘発するためにカソード31とトリガー電極32との間にトリガー用電圧を印加してアーク点弧できるように、カソード31等に配線接続されている。
排気装置4は、成膜チャンバ1内及びこれに連通しているカソード31周囲の領域(筐体351によるダクト内)を所定の成膜圧に減圧維持することができる。
なお、図12においてカソード31と筐体351との間の部材m1や筐体351とチャンバ壁との間の部材m2は絶縁性材料で形成されている。
なお、被成膜物品上に例えばダイアモンド状炭素膜(DLC膜)を形成するようなときは、高純度カーボンからなるカソードを採用するが、この場合はガスを導入しない場合もある。
アーク放電は、放電用電源33によってカソード31、チャンバー1、直流リアクトル36を含む閉ループで持続する。直流リアクトル36は放電を安定化させる。
また、基板Wのエッチング処理対象部分の材質に応じて、カソード31として該エッチング処理対象部分をドライエッチングできるイオンを生成するカソードを採用すれば、基板Wをドライエッチングできる。
アーク式PVDによる膜形成においては、カソードの材質はチタンやカーボンに限定されるものではなく、アルミニウム、クロム等々を用いることもあり、そのようなカソードを採用する場合でも、同様の問題が発生する。
エッチング装置の場合は、エッチング速度が低下したり、被処理物品各部におけるエッチング量が不均一化する。
クリーニング装置の場合は、クリーニング速度が低下したり、被処理物品各部におけるクリーニング状態が不均一化する。
カソードを含む蒸発源を備えており、該カソードの蒸発面に接離可能のトリガー電極を用いてアーク放電用電源により該カソード蒸発面と該トリガー電極との間にアーク点弧し、それにより該カソードとアノード間の真空アーク放電を誘発し、該真空アーク放電によりカソード材料を蒸発させるとともにイオン化したカソード材料を含むプラズマを発生させ、該イオン化したカソード材料であるイオンを被処理物品へ飛翔させて該物品に目的とする処理を施す物品処理装置であって、該カソードの側周面に対し臨設された電流検出部材と、前記真空アーク放電中に該電流検出部材に流れる電流の波形を検出する電流波形検出部と、該電流波形検出部で検出される電流波形が、カソード上アークスポットがカソード蒸発面上にあることを示す正常電流波形か、カソード蒸発面以外のカソード部分にあることを示す異常電流波形かを判定し、異常電流波形であると判定すると、カソード上アークスポットをカソード蒸発面上へ戻すように前記アーク放電用電源及びトリガー電極を制御する制御部とを含んでいる物品処理装置である。
(2)前記イオン化したカソード材料であるイオンを前記被処理物品に飛翔させて該物品にイオンを注入するイオン注入装置。
(3)前記イオン化したカソード材料であるイオンを前記被処理物品に飛翔させて該物品をエッチングするエッチング装置。
(4)前記イオン化したカソード材料であるイオンを前記被処理物品に飛翔させて該物品表面をクリーニングするクリーニング装置。
図1は本発明に係る物品処理装置に属するアーク式PVDによる成膜装置の1例を示している。図1に示す成膜装置Aは、図12に示す従来例の成膜装置において、蒸発源3のカソード31の蒸発面311に近い位置で該カソードの側周面に臨むリング形の電流検出プレート5を設けるとともに、このプレート5に流れる電流の波形を検出する電流波形検出部6及び制御部Contを設けたものである。
例えば、カソード31として高純度チタンからなるカソードを採用し、被成膜基板Wに電源PWからバイアス電圧を印加し、チャンバ1内及びカソード31周囲領域を排気装置4により所定の成膜圧力に減圧維持しつつ、ガス導入ポート11及び(又は)ガス導入ポート38から窒素含有ガス(ここでは窒素ガス)をチャンバ1内に導入する。
これらの場合、電流波形検出部6で検出される電圧V0 の波形(従って電流波形)は、図4に対応する図7や、図5に対応する図8に示す大きく乱れた波形となる。
図6に示す正常波形では、電圧V0 は常時ほぼ−8V以上(絶対値で言えば常時略8V以下)である。しかし、図7に示す異常波形では、V0 =−20V程度の電圧が2秒程度も持続している。図8に示す異常波形では、V0 =−15V程度の電圧が3秒程度も持続している。
その他の点は、図1に示す装置Aと実質上同構成であり、装置Aと同じ部品、部分等には装置Aと同じ参照符号を付してある。
その他の点は、図1や図10に示す装置A、Bと実質上同構成であり、装置A、Bと同じ部品、部分等には装置AやBと同じ参照符号を付してある。
1 成膜チャンバ
11 ガス導入ポート
2 被成膜物品支持ホルダ
3 蒸発源
31、31’ カソード
311、311’ カソード蒸発面
32 トリガー電極
33 アーク放電用電源
35 磁場形成部
35’カソードマグネット
36 リアクトル
37 抵抗
38 ガス導入ポート
4 排気装置
5、5’ 電流検出プレート
5” 電流検出プレートを兼ねるシールドプレート
6、6’、6” 電流波形検出部
61 検出用抵抗
62 RC形積分回路
PW バイアス電源
Claims (9)
- カソードを含む蒸発源を備えており、該カソードの蒸発面に接離可能のトリガー電極を用いてアーク放電用電源により該カソード蒸発面と該トリガー電極との間にアーク点弧し、それにより該カソードとアノード間の真空アーク放電を誘発し、該真空アーク放電によりカソード材料を蒸発させるとともにイオン化したカソード材料を含むプラズマを発生させ、該イオン化したカソード材料であるイオンを被処理物品へ飛翔させて該物品に目的とする処理を施す物品処理装置であって、該カソードの側周面に対し臨設された電流検出部材と、前記真空アーク放電中に該電流検出部材に流れる電流の波形を検出する電流波形検出部と、該電流波形検出部で検出される電流波形が、カソード上アークスポットがカソード蒸発面上にあることを示す正常電流波形か、カソード蒸発面以外のカソード部分にあることを示す異常電流波形かを判定し、異常電流波形であると判定すると、カソード上アークスポットをカソード蒸発面上へ戻すように前記アーク放電用電源及びトリガー電極を制御する制御部とを含んでいることを特徴とする物品処理装置。
- 前記制御部は、前記電流波形検出部で検出される電流波形が、カソード上アークスポットがカソード蒸発面以外のカソード部分にあることを示す異常電流波形であると判定すると、前記アーク放電用電源を一旦オフしたのち再びオンするとともに前記トリガー電極にて真空アーク放電を誘発再開させるように該アーク放電用電源及びトリガー電極を制御する請求項1記載の物品処理装置。
- 前記電流波形検出部は、前記電流検出部材に直列接続された抵抗の両端間の電圧波形を計測することで該電流検出部材に流れる電流の波形を検出する請求項1又は2記載の物品処理装置。
- 前記電流波形検出部は、前記電流検出部材に直列接続された抵抗の両端間の電圧波形を計測することで該電流検出部材に流れる電流の波形を検出し、前記制御部は、該電圧波形における電圧値V0 の絶対値が、前記異常電流波形を示す電圧値か否かを判定するために予め定めた電圧値以上で所定時間以上継続すると、前記異常電流波形が認められると判定し、カソード上アークスポットをカソード蒸発面上へ戻すように前記アーク放電用電源及びトリガー電極を制御する請求項1記載の物品処理装置。
- 前記制御部は、前記異常電流波形が認められると判定すると、前記アーク放電用電源を一旦オフしたのち再びオンするとともに前記トリガー電極にて真空アーク放電を誘発再開させるように該アーク放電用電源及びトリガー電極を制御する請求項4記載の物品処理装置。
- 前記イオン化したカソード材料であるイオンを前記被処理物品に飛翔させて該物品に膜形成する成膜装置である請求項1から5のいずれかに記載の物品処理装置。
- 前記イオン化したカソード材料であるイオンを前記被処理物品に飛翔させて該物品にイオンを注入するイオン注入装置である請求項1から5のいずれかに記載の物品処理装置。
- 前記イオン化したカソード材料であるイオンを前記被処理物品に飛翔させて該物品をエッチングするエッチング装置である請求項1から5のいずれかに記載の物品処理装置。
- 前記イオン化したカソード材料であるイオンを前記被処理物品に飛翔させて該物品表面をクリーニングするクリーニング装置である請求項1から5のいずれかに記載の物品処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004305154A JP4448004B2 (ja) | 2004-10-20 | 2004-10-20 | 物品処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004305154A JP4448004B2 (ja) | 2004-10-20 | 2004-10-20 | 物品処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006117978A JP2006117978A (ja) | 2006-05-11 |
JP4448004B2 true JP4448004B2 (ja) | 2010-04-07 |
Family
ID=36536131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004305154A Active JP4448004B2 (ja) | 2004-10-20 | 2004-10-20 | 物品処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4448004B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5489260B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-05-14 | 株式会社オンワード技研 | 真空アーク放電発生装置及び蒸着装置 |
WO2013015280A1 (ja) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | 日新電機株式会社 | プラズマ装置およびそれを用いたカーボン薄膜の製造方法 |
JP5609848B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2014-10-22 | トヨタ自動車株式会社 | アーク放電評価方法 |
EP2602354A1 (en) * | 2011-12-05 | 2013-06-12 | Pivot a.s. | Filtered cathodic vacuum arc deposition apparatus and method |
JP6350603B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2018-07-04 | トヨタ自動車株式会社 | アーク放電発生装置及び成膜方法 |
-
2004
- 2004-10-20 JP JP2004305154A patent/JP4448004B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006117978A (ja) | 2006-05-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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