WO2013015280A1 - プラズマ装置およびそれを用いたカーボン薄膜の製造方法 - Google Patents

プラズマ装置およびそれを用いたカーボン薄膜の製造方法 Download PDF

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WO2013015280A1
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arc
cathode
evaporation source
substrate
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三上 隆司
▲王奇▼ 孫
正人 ▲高▼橋
智弘 大丸
林 司
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日新電機株式会社
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0605Carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32055Arc discharge
    • HELECTRICITY
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32541Shape
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    • H01J37/3255Material

Definitions

  • the present invention relates to a plasma apparatus and a method for producing a carbon thin film using the plasma apparatus.
  • Patent Document 1 a vacuum arc vapor deposition apparatus that suppresses coarse particles from adhering to a substrate.
  • This vacuum arc deposition apparatus includes a vacuum vessel, a plasma duct, a porous member, a magnetic coil, and an evaporation source.
  • One end of the plasma duct is attached to the vacuum vessel.
  • the evaporation source is attached to the other end of the plasma duct.
  • the magnetic coil is wound around the plasma duct.
  • the magnetic coil guides plasma generated in the vicinity of the evaporation source to the vicinity of the substrate disposed in the vacuum vessel.
  • the porous member is attached to the inner wall of the plasma duct and captures coarse particles that have jumped out of the cathode material attached to the evaporation source.
  • the conventional vacuum arc deposition apparatus connects the evaporation source to the vacuum vessel by the plasma duct, captures the coarse particles jumping out from the cathode material by the porous member provided on the inner wall of the plasma duct, and the coarse particles are formed on the substrate. Suppresses flying in. JP 2002-105628 A
  • the evaporation source is connected to the vacuum vessel via the plasma duct, and a magnetic coil for guiding the plasma generated in the vicinity of the evaporation source to the vicinity of the substrate is provided, so that the apparatus becomes large. There is a problem.
  • an object of the present invention is to provide a plasma apparatus capable of suppressing adhesion of coarse particles to a substrate with a simple configuration.
  • Another object of the present invention is to provide a method for producing a carbon thin film capable of producing a carbon thin film by suppressing coarse particles from adhering to a substrate with a simple structure.
  • the plasma apparatus includes a vacuum vessel, an arc evaporation source, a cathode member, a holding member, and a power source.
  • the arc evaporation source is fixed to the vacuum vessel.
  • the cathode member is attached to an arc evaporation source.
  • the holding member holds the substrate disposed to face the cathode member.
  • the power source applies a negative voltage to the arc evaporation source.
  • the cathode member is made of carbon having a layered structure.
  • the plasma apparatus includes a vacuum vessel, an arc evaporation source, a cathode member, a holding member, and a power source.
  • the arc evaporation source is fixed to the vacuum vessel.
  • the cathode member is attached to an arc evaporation source.
  • the holding member holds the substrate disposed to face the cathode member.
  • the power source applies a first negative voltage to the arc evaporation source at the start of the arc discharge, and applies a second negative voltage lower than the first negative voltage after the arc discharge is started. Apply to.
  • a method for producing a carbon thin film includes a first step of attaching a cathode member to an arc evaporation source fixed to a vacuum vessel facing a substrate, and an arc evaporation source. A second step of applying a negative voltage.
  • the cathode member is made of carbon having a layered structure.
  • the method for producing a carbon thin film applies a first negative voltage to an arc evaporation source fixed to a vacuum vessel opposite to a substrate at the start of arc discharge. And a second step of applying a second negative voltage lower than the first negative voltage to the arc evaporation source after the arc discharge is started.
  • the carbon thin film is formed on the substrate when the arc spot is not moving on the surface of the cathode member.
  • atomic carbon flies from the cathode member to the substrate, and a carbon thin film is formed on the substrate.
  • the cathode member faces the substrate. Therefore, it is possible to manufacture a carbon thin film by suppressing the coarse particles from adhering to the substrate with a simple configuration.
  • the carbon thin film is formed on the substrate when the arc spot does not move on the surface of the cathode member.
  • the carbon thin film can be manufactured with a simple configuration while suppressing the coarse particles from adhering to the substrate.
  • FIG. 1 It is the schematic which shows the structure of the plasma apparatus by Embodiment 1 of this invention. It is a conceptual diagram which shows the structure of the cathode member shown in FIG. It is process drawing which shows the manufacturing method of the carbon thin film using the plasma apparatus shown in FIG. It is a figure which shows the relationship between the growth rate and surface roughness, and the arc current at the time of arc discharge. It is a figure which shows the spectrum of the surface roughness in the in-plane direction of a carbon thin film. It is the schematic which shows the structure of the other plasma apparatus by Embodiment 1 of this invention. It is process drawing which shows the manufacturing method of the carbon thin film using the plasma apparatus shown in FIG. It is the schematic which shows the structure of the plasma apparatus by Embodiment 2. FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XX shown in FIG. 9.
  • 6 is a cross-sectional view showing another cathode member in Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. It is a figure which shows the relationship between the discharge ratio and the arc current which a particle
  • It is process drawing which shows the manufacturing method of the carbon thin film using the plasma apparatus shown in FIG. 10 is a schematic view of still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XVI-XVI shown in FIG. 10 is a schematic view of still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 18 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XVIII-XVIII shown in FIG. 10 is a schematic view of still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 20 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XX-XX shown in FIG. 10 is a schematic view of still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 22 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XXII-XXII shown in FIG.
  • FIG. 21. 10 is a schematic view of still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 24 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XXIV-XXIV shown in FIG. 10 is a schematic view of still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 26 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XXVI-XXVI shown in FIG. 25.
  • 10 is a schematic view of still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 28 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XXVIII-XXVIII shown in FIG. 27. It is the schematic which shows the structure of another plasma apparatus by Embodiment 2.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of the cathode member taken along line XXIV-XXIV shown in FIG. 10 is a schematic view of still another negative electrode member according to Embodiment 2.
  • FIG. It is the schematic which shows the structure of the drive device shown in FIG. It is a perspective view of the uneven
  • process drawing which shows the manufacturing method of the carbon thin film using the plasma apparatus shown in FIG.
  • FIG. It is the schematic which shows the structure of another plasma apparatus by Embodiment 2.
  • FIG. It is process drawing which shows the manufacturing method of the carbon thin film using the plasma apparatus shown in FIG.
  • FIG. It is the schematic which shows the structure of the sending mechanism shown in FIG.
  • FIG. 1 It is process drawing which shows the manufacturing method of the carbon thin film using the plasma apparatus shown in FIG. It is the schematic which shows the structure of the plasma apparatus by Embodiment 4.
  • FIG. It is an enlarged view of the front-end
  • FIG. It is a conceptual diagram of the plasma generated in the plasma apparatus shown in FIG.
  • FIG. It is the schematic of the conventional trigger electrode.
  • FIG. 1 It is process drawing which shows the manufacturing method of the carbon thin film using the plasma apparatus shown in FIG.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a plasma apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • a plasma apparatus according to Embodiment 1 of the present invention includes a vacuum vessel 1, a holding member 2, an arc evaporation source 3, a cathode member 4, a shutter 5, power supplies 6 and 7.
  • the trigger electrode 8 and the resistor 9 are provided.
  • the vacuum vessel 1 has an exhaust port 11 and is evacuated from the exhaust port 11 by an exhaust device (not shown).
  • the vacuum container 1 is connected to the ground node GND.
  • the holding member 2 is disposed in the vacuum vessel 1.
  • the arc evaporation source 3 is fixed to the side wall of the vacuum vessel 1.
  • the cathode member 4 is attached to the arc evaporation source 3.
  • the shutter 5 is disposed between the cathode member 4 and the substrate 20 so as to face the cathode member 4.
  • the power source 6 is connected between the holding member 2 and the ground node GND.
  • the power supply 7 is connected between the arc evaporation source 3 and the ground node GND.
  • a part of the trigger electrode 8 is disposed in the vacuum container 1 through the side wall of the vacuum container 1, and the remaining part is disposed outside the vacuum container 1.
  • the trigger electrode 8 is made of, for example, molybdenum (Mo), and is connected to the ground node GND through the resistor 9.
  • the resistor 9 is connected between the trigger electrode 8 and the ground node GND.
  • the holding member 2 holds the substrate 20.
  • the arc evaporation source 3 causes the cathode member 4 to be locally heated by arc discharge between the cathode member 4 and the vacuum vessel 1 to evaporate the cathode material.
  • the shutter 5 is moved in the direction of the arrow 12 by an opening / closing mechanism (not shown).
  • the power source 6 applies a negative voltage to the substrate 20 via the holding member 2.
  • the power source 7 applies a negative voltage to the arc evaporation source 3.
  • the trigger electrode 8 is brought into contact with or separated from the cathode member 4 by a reciprocating drive device (not shown).
  • the resistor 9 suppresses the arc current from flowing to the trigger electrode 8.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing the structure of the cathode member 4 shown in FIG.
  • cathode member 4 has a structure in which layers A and B are alternately stacked. The distance between layer A and layer B is 3.35 mm.
  • Each of the layers A and B has a structure in which carbon atoms are two-dimensionally arranged in a hexagon. In this case, the length of one side of the hexagon is 1.415 mm.
  • each carbon atom is strongly bonded to another carbon atom by a covalent bond.
  • Layer A is loosely connected to the adjacent layer B by van der Waals forces.
  • the cathode member 4 becomes a very good heat conductor in the direction parallel to the layers A and B, and becomes a heat insulator like the ceramic and phenol resin in the direction perpendicular to the layers A and B.
  • the ratio of the thermal conductivity in the direction parallel to the layers A and B and the thermal conductivity in the direction perpendicular to the layers A and B is about 200: 1.
  • the ratio of the specific resistance in the direction parallel to the layers A and B and the specific resistance in the direction perpendicular to the layers A and B is about 1200: 1. This value is an average value in a temperature range of 21 to 1650 ° C.
  • the cathode member 4 has a remarkable anisotropy in electrical characteristics and thermal characteristics. As described above, this is due to the difference in bonding force between the in-plane direction of the layers A and B and the direction perpendicular to the layers A and B.
  • the cathode member 4 is manufactured by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method using a hydrocarbon gas as a raw material gas.
  • the hydrocarbon gas flows from a direction parallel to the substrate.
  • the layers A and B shown in FIG. 2 are alternately laminated.
  • the bulk carbon produced by this CVD method was purchased from Toyo Carbon Co., Ltd., and the product name is PYROID.
  • FIG. 3 is a process diagram showing a carbon thin film manufacturing method using the plasma apparatus 10 shown in FIG. Referring to FIG. 3, when the production of the carbon thin film is started, the bulk carbon produced by the CVD method is attached to arc-type evaporation source 3 as cathode member 4 (step S1).
  • the inside of the vacuum vessel 1 is evacuated through the exhaust port 11 and the pressure inside the vacuum vessel 1 is set to 5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa.
  • a negative voltage of ⁇ 10V to ⁇ 300V is applied to the substrate 20 by the power source 6 (step S2), and a negative voltage of ⁇ 15V to ⁇ 50V is applied to the arc evaporation source 3 by the power source 7 (step S3). .
  • the trigger electrode 8 is moved by a reciprocating drive device (not shown), the trigger electrode 8 for starting arc discharge is brought into contact with the cathode member 4 (step S4), and then the trigger electrode 8 is separated from the cathode member 4. .
  • arc discharge starts and an arc spot appears on the surface of the cathode member 4.
  • This arc spot is a melting part of the cathode member 4, is shining like a spark, and moves with time.
  • step S5 a carbon thin film (DLC: Dimmed Like Carbon) is formed on the substrate 20.
  • DLC Dimmed Like Carbon
  • step S6 when the arc spot starts moving again on the surface of the cathode member 4, the shutter 5 is closed.
  • the power supply 6 may apply a voltage of 0 V to the substrate 20. Further, the carbon thin film may be manufactured with the shutter 5 opened. Therefore, the carbon thin film manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention only needs to include at least steps S1, S3 and S4 shown in FIG.
  • the carbon thin film is formed on the substrate 20 when the arc spot stops moving on the surface of the cathode member 4. And as a result of measuring the Raman spectroscopy of the formed carbon thin film, it was found that the carbon thin film was composed of an amorphous phase.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the growth rate, surface roughness, and arc current during arc discharge.
  • the vertical axis represents the growth rate and the surface roughness Ra
  • the horizontal axis represents the arc current Iarc during arc discharge.
  • a curve k1 shows the relationship between the growth rate and the arc current Iarc
  • a curve k2 shows the relationship between the surface roughness Ra and the arc current Iarc.
  • the point P1 indicates the growth rate of the carbon thin film manufactured using the conventional arc discharge method
  • the point P2 indicates the surface roughness Ra of the carbon thin film manufactured using the conventional arc discharge method.
  • the conventional arc discharge method is a method of forming a carbon thin film on a substrate by arc discharge using a solidified carbon powder as the cathode member 4 shown in FIG.
  • the relationship between the growth rate and the arc current Iarc and the relationship between the surface roughness Ra and the arc current Iarc shown in FIG. 4 is that the distance between the cathode member 4 and the substrate 20 is 270 mm, and the film thickness of the carbon thin film is Obtained when 50 nm. Further, the growth rate represented by the point P1 and the surface roughness Ra represented by the point P2 were obtained when the film thickness of the carbon thin film was 51 nm.
  • the growth rate increases rapidly as the arc current during arc discharge increases.
  • the arc current is 100 (A)
  • the growth rate increases up to about 15 ( ⁇ m / hr).
  • the surface roughness Ra slightly decreases as the arc current increases.
  • the surface roughness Ra is maintained at a value smaller than 3 (nm).
  • the surface roughness Ra is as small as 1.2 (nm) when the arc current is 80 (A).
  • the surface roughness Ra of the carbon thin film manufactured by the manufacturing method shown in FIG. 3 is 2.3 (nm), and the carbon thin film manufactured by the conventional arc discharge method is used.
  • the surface roughness Ra is very small compared to 7.2 (nm).
  • the surface roughness Ra smaller than 3 (nm) is a value obtained when the growth rate is in the range of 2 to 15 ( ⁇ m / hr).
  • the surface roughness Ra tends to decrease as the growth rate increases. Therefore, the increase in the growth rate is not caused by the fact that coarse particles have come to the substrate 20, but is caused by the fact that more atomic carbon has come from the arc spot of the cathode member 4 to the substrate 20. It is.
  • the carbon thin film has a surface roughness Ra smaller than 3 (nm).
  • step S5 The timing for executing step S5 shown in FIG. 3 will be described.
  • a voltage of about ⁇ 20 V is applied to the arc evaporation source 3 with an arc current of 80 (A).
  • the voltage applied to the arc evaporation source 3 starts to decrease linearly from about ⁇ 20V at an arc current of 80 (A), ⁇ It becomes constant at about 30V or -50V.
  • step S5 may be executed.
  • step S5 may be executed when it is visually confirmed that the arc spot is not moving.
  • a carbon thin film is formed on the substrate 20 when the arc spot stops moving.
  • atomic carbon comes from the cathode member 4 to the substrate 20, and a carbon thin film is formed on the substrate 20.
  • the cathode member 4 is disposed in the vacuum container 1 and faces the substrate 20. Therefore, it is possible to manufacture a carbon thin film by suppressing the coarse particles from adhering to the substrate 20 with a simple configuration.
  • FIG. 5 is a diagram showing a surface roughness spectrum in the in-plane direction of the carbon thin film.
  • FIG. 5A shows the surface roughness of the carbon thin film produced by the production method shown in FIG. In this case, the arc current is 80 (A).
  • FIG. 5 (b) shows the surface roughness of the carbon thin film produced by the conventional arc discharge method. In this case, the arc current is 60 (A).
  • the vertical axis represents the surface roughness
  • the horizontal axis represents the distance in the in-plane direction of the carbon thin film.
  • the carbon thin film produced by the production method shown in FIG. 3 has a very small surface roughness in the in-plane direction (see FIG. 5A).
  • the carbon thin film manufactured by the conventional arc discharge method has a very large surface roughness in the in-plane direction (see FIG. 5B).
  • the surface roughness of a carbon thin film manufactured using arc discharge increases as the arc current increases.
  • the surface roughness of the carbon thin film shown in FIG. 5A is obtained when the arc current is 60 (A) even though the surface current is 80 (A). It is much smaller than the surface roughness of the carbon thin film shown in 5 (b).
  • the surface roughness of the carbon thin film can be made very small as compared with the conventional carbon thin film.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing the configuration of another plasma apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the plasma apparatus according to the embodiment of the present invention may be a plasma apparatus 10A shown in FIG.
  • plasma apparatus 10A is the same as plasma apparatus 10 except that power supply 7 of plasma apparatus 10 shown in FIG.
  • the power supply 7A applies a negative voltage to the arc evaporation source 3 according to the control from the control device 13.
  • the control device 13 controls the power source 7A so that a voltage of about ⁇ 20 V is applied to the arc evaporation source 3 at the start of arc discharge. Then, the control device 13 controls the power source 7A so that a voltage in the range of about ⁇ 30V to ⁇ 50V is applied to the arc evaporation source 3 when a desired time has elapsed after the arc discharge is started, and the shutter An opening / closing mechanism (not shown) is controlled to open 5.
  • FIG. 7 is a process diagram showing a carbon thin film manufacturing method using the plasma apparatus 10A shown in FIG.
  • the process diagram shown in FIG. 7 is the same as the process diagram shown in FIG. 3 except that steps S3 to S6 in the process diagram shown in FIG. 3 are replaced with steps S11 to S15.
  • step S2 the control device 13 controls the power source 7A to apply a first negative voltage having a voltage of about ⁇ 20V to the arc evaporation source 3, and the power source 7A Is applied to the arc evaporation source 3 (step S11).
  • the trigger electrode 8 is moved by a reciprocating drive device (not shown), the trigger electrode 8 for starting arc discharge is brought into contact with the cathode member 4 (step S12), and then the trigger electrode 8 is separated from the cathode member 4. . Thereby, arc discharge starts.
  • the control device 13 When a desired time has elapsed since the start of the arc discharge, the control device 13 causes the power supply 7A to apply a second negative voltage having a voltage in the range of about ⁇ 30V to ⁇ 50V to the arc evaporation source 3.
  • the control device 13 controls an opening / closing mechanism (not shown) so as to open the shutter 5, and the opening / closing mechanism opens the shutter 5 (step S14).
  • control device 13 controls an opening / closing mechanism (not shown) so as to close the shutter 5, and the opening / closing mechanism closes the shutter 5 (step S15).
  • a carbon thin film is formed on the substrate 20 when a voltage in the range of about ⁇ 30 V to ⁇ 50 V is applied to the arc evaporation source 3.
  • atomic carbon comes from the cathode member 4 to the substrate 20, and a carbon thin film is formed on the substrate 20.
  • the cathode member 4 is disposed in the vacuum vessel 1 and faces the substrate 20. Therefore, it is possible to manufacture a carbon thin film by suppressing the coarse particles from adhering to the substrate 20 with a simple configuration.
  • the power supply 6 may apply a voltage of 0 V to the substrate 20. Further, the carbon thin film may be manufactured with the shutter 5 opened. Further, bulk carbon produced by a CVD method may not be used as the cathode member 4, and a carbon powder solidified may be used as the cathode member 4. Therefore, the carbon thin film manufacturing method according to the embodiment of the present invention only needs to include at least steps S11 to S13 shown in FIG.
  • argon (Ar) gas may be introduced into the vacuum vessel 1 and a carbon thin film may be formed on the substrate 20 by arc discharge.
  • Ar gas may be introduced into the vacuum vessel 1 and a carbon thin film may be formed on the substrate 20 by arc discharge.
  • the reason why Ar gas is introduced into the vacuum vessel 1 is to stabilize arc discharge.
  • the cathode member 4 is preferably manufactured so that the in-plane directions of the layers A and B shown in FIG. 2 are perpendicular to the direction from the arc evaporation source 3 to the substrate 20.
  • the thermal conductivity in the direction perpendicular to the in-plane direction of the layers A and B is much smaller than the thermal conductivity in the in-plane direction of the layers A and B. Therefore, the cathode member 4 is heated by arc discharge. This is because heat is difficult to escape from the cathode member 4 to the arc evaporation source 3 and atomic carbon is easily released from the cathode member 4.
  • the weak bonding force between the layer A and the layer B is also considered to be a factor that the atomic carbon is easily released from the cathode member 4.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing the configuration of the plasma apparatus according to the second embodiment.
  • plasma apparatus 10B according to Embodiment 2 is the same as plasma apparatus 10 except that cathode member 4 of plasma apparatus 10 shown in FIG.
  • the cathode member 41 is attached to the arc evaporation source 3.
  • the cathode member 41 is made of carbon having the same layered structure as the cathode member 4 described above. Further, the cathode member 41 has a protrusion protruding to the substrate 20 side.
  • FIG. 9 is a perspective view of the cathode member 41 shown in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the cathode member 41 taken along the line XX shown in FIG.
  • the cathode member 41 includes a main body portion 411 and a protruding portion 412.
  • the main body 411 has a disk shape.
  • the protrusion 412 has a cylindrical shape.
  • the protruding portion 412 is disposed on the main body portion 411 so that the central axis X2 of the protruding portion 412 coincides with the central axis X1 of the main body portion 411.
  • the main body portion 411 and the protruding portion 412 are integrally manufactured.
  • the main body 411 has, for example, a diameter R1 of 64 mm ⁇ and a height H1 of 10 mm.
  • the protrusion 412 has a diameter R2 of several millimeters to several centimeters, for example, and a height H2 of several millimeters to several centimeters.
  • the cathode member 41 is manufactured by the following method. Carbon having a cylindrical shape and having a layered structure (see FIG. 2) is produced by a CVD method using a hydrocarbon gas as a source gas. Thereafter, the produced carbon is turned so as to have the protrusions 412 to produce the cathode member 41.
  • the method of forming the protrusion 412 is not limited to lathe processing, and may be etching (including both wet etching and dry etching), and any method can be used as long as the protrusion 412 can be formed. It may be a method.
  • the first discharge mode is a mode in which particles are generated
  • the second discharge mode is a mode in which particles are not generated.
  • particle refers to a carbon particle having a size of 50 nm to several ⁇ m.
  • the surface roughness of the carbon thin film is very poor.
  • the surface roughness of the carbon thin film is as shown in FIG. As shown in (a), it is very good.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing another cathode member in the second embodiment.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41A shown in FIG.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> A is obtained by adding a support portion 413 to the cathode member 41, and is otherwise the same as the cathode member 41.
  • the support portion 413 is disposed between the main body portion 411 and the protruding portion 412 and is in contact with the main body portion 411 and the protruding portion 412.
  • the support part 413 has a diameter smaller than the diameter R2 of the protrusion part 412.
  • the main body portion 411, the protruding portion 412 and the support portion 413 are integrally manufactured by lathing a layered carbon.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> A is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 411 to the arc evaporation source 3. Accordingly, the protruding portion 412 protrudes toward the substrate 20 side.
  • the cathode member 41A When the cathode member 41A is attached to the arc evaporation source 3 and the trigger electrode 8 is brought into contact with the protrusion 412 of the cathode member 41A to generate an arc discharge, a current flows through the cathode member 41A and the arc evaporation source 3, The cathode member 41A is heated. Since the protruding portion 412 contacts the support portion 413, heat is less likely to escape from the protruding portion 412 to the main body portion 411 via the supporting portion 413 than when the protruding portion 412 contacts the main body portion 411. Therefore, the protrusion 412 can be heated locally.
  • thermoelectrons are emitted from the protrusion 412 and stable arc discharge can be sustained for a long time.
  • atomic carbon is easily released from the protrusion 412, and the flatness of the carbon thin film can be improved.
  • the main body portion 411, the protruding portion 412 and the support portion 413 are integrally manufactured so that the layers A and B shown in FIG. 2 are substantially parallel to the direction DR1 shown in FIG. .
  • the thermal conductivity in the direction perpendicular to the layers A and B is very small compared to the thermal conductivity in the in-plane direction of the layers A and B. Therefore, the layers A and B shown in FIG.
  • heat can be more difficult to escape from the protrusion portion 412 to the main body portion 411, and the protrusion portion 412 is locally heated. Because it can.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing still another cathode member in the second embodiment.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41B shown in FIG.
  • a cathode member 41B is the same as cathode member 41A except that support portion 413 of cathode member 41A shown in FIG. 11 is replaced with metal member 414.
  • the metal member 414 has a cylindrical shape and has a diameter smaller than the diameter R2 of the protrusion 412.
  • the metal member 414 is made of Mo, for example.
  • the metal member 414 is disposed between the main body portion 411 and the protruding portion 412 and is in contact with the main body portion 411 and the protruding portion 412.
  • a specific example of the metal member 414 is a screw having a diameter of 2.7 mm ⁇ , for example.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> B is lathe processed to produce a main body 411 and a protrusion 412, the main body 411 is fixed to one end of the metal member 414, and the protrusion 412 is fixed to the other end of the metal member 414. It is made by fixing.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> B is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 411 to the arc evaporation source 3. Accordingly, the protruding portion 412 protrudes toward the substrate 20 side.
  • the protrusion 412 is fixed to the metal member 414 so that the layers A and B shown in FIG. 2 are substantially parallel to the direction DR1 shown in FIG.
  • the cathode member 41B may not have the main body 411. This is because even if the main body portion 411 is not provided, heat can hardly escape from the protruding portion 412. In this case, the metal member 414 is fixed to the arc evaporation source 3.
  • the protrusion 412 has a larger diameter than the support 413. Therefore, the area of the support part 413 in the direction parallel to the direction DR1 is smaller than the area of the protrusion part 412 in the direction parallel to the direction DR1.
  • the protrusion 412 has a larger diameter than the metal member 414. Accordingly, the area of the metal member 414 in the direction parallel to the direction DR1 is smaller than the area of the protrusion 412 in the direction parallel to the direction DR1.
  • FIG. 13 is a diagram showing the relationship between the discharge rate at which particles are not generated and the arc current.
  • the vertical axis represents the discharge rate at which no particles are generated
  • the horizontal axis represents the arc current.
  • the discharge rate at which no particles are generated is the discharge rate at which no particles are generated in 5 minutes.
  • the black square indicates the relationship between the discharge rate at which particles are not generated when the cathode member 41B is used and the arc current, and the black rhombus is the particles when carbon having a layered structure without protrusions is used as the cathode member. The relationship between the discharge rate at which no arc occurs and the arc current is shown.
  • the discharge ratio (black square) in which particles are not generated when the cathode member 41 is used is an average value of five discharge ratios in which particles are not generated, and the five discharge ratios in which particles are not generated are error bars. Indicated by.
  • the discharge ratio at which particles are not generated is 50% or less (see black diamonds).
  • the discharge rate at which particles are not generated is about 88%, and the range of the discharge rate at which particles are not generated is about 80% to 100%.
  • the discharge rate at which no particles are generated can be dramatically increased.
  • the first discharge mode is 50% or more
  • the second discharge mode is 50% or less.
  • the discharge ratio at which no particles are generated is in the range of 80% to 100%, and therefore, both in the first discharge mode and the second discharge mode. Even if a carbon thin film is formed, the surface roughness does not deteriorate so much. Further, even when the carbon thin film is formed only in the second discharge mode, the number of times the shutter 5 is closed in the first discharge mode is significantly reduced, or the arc discharge is stopped and the arc discharge is started again. Thus, the number of operations for forming the carbon thin film in the second discharge mode is also significantly reduced.
  • the ratio of the particles contributing to the film formation is made extremely low, and mainly the atomic carbon is made to fly to the substrate 20 to produce the carbon thin film. it can. As a result, a carbon thin film having a very small surface roughness can be obtained.
  • FIG. 14 is a process diagram showing a carbon thin film manufacturing method using the plasma apparatus 10B shown in FIG.
  • step S1 in the process diagram shown in FIG. 3 is replaced with step S1A.
  • step S1A when the production of the carbon thin film is started, the bulk carbon produced by the CVD method and having the protrusion 412 is attached to the arc evaporation source 3 as the cathode member 41 (step S1A). .
  • the carbon thin film by manufacturing the carbon thin film according to the process diagram shown in FIG. 14, as described above, the carbon thin film can be manufactured mainly by flying atomic carbon onto the substrate 20. As a result, the flatness of the carbon thin film can be improved.
  • FIG. 15 is a schematic view of still another negative electrode member according to the second embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the cathode member 41C taken along line XVI-XVI shown in FIG.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41C shown in FIGS. 15 and 16 in place of the cathode member 41.
  • cathode member 41 ⁇ / b> C is obtained by replacing protrusion 412 of cathode member 41 shown in FIG. 9 with protrusions 412 ⁇ / b> A, 412 ⁇ / b> B, 412 ⁇ / b> C, 412 ⁇ / b> D. The same.
  • Each of the protrusions 412A, 412B, 412C, and 412D has a cylindrical shape and is made of carbon having a layered structure.
  • Each of the protrusions 412A, 412B, 412C, and 412D has a diameter smaller than the diameter R1 of the main body 411.
  • Each of the protrusions 412A, 412B, 412C, and 412D has a height of, for example, several mm to several cm.
  • the protrusions 412A, 412B, 412C, and 412D are arranged on the main body 411 in a grid pattern, for example. In this case, the interval between the protrusions 412A, 412B, 412C, and 412D is arbitrary.
  • the main body 411 and the protrusions 412A, 412B, 412C, 412D are integrally manufactured.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> C is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 411 to the arc evaporation source 3. Accordingly, the protrusions 412A, 412B, 412C, and 412D protrude toward the substrate 20 side.
  • the cathode member 41C is manufactured by lathing a layered carbon.
  • the protrusions 412A, 412B, 412C, and 412D are not limited to a grid shape, and may be randomly arranged at an arbitrary interval.
  • the cathode member 41C is not limited to the four protrusions 412A, 412B, 412C, and 412D, and may include two protrusions, or may include three protrusions, or five or more. May be provided, and in general, it is sufficient if two or more protrusions are provided. And two or more protrusion parts may be arrange
  • FIG. 17 is a schematic view of still another cathode member in the second embodiment.
  • 18 is a cross-sectional view of the cathode member 41D taken along the line XVIII-XVIII shown in FIG.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41D shown in FIGS. 17 and 18 in place of the cathode member 41.
  • cathode member 41D is the same as cathode member 41 except that projection 412 of cathode member 41 shown in FIG. 9 is replaced with projection 415.
  • the protrusion 415 has a donut shape and is made of carbon having a layered structure.
  • the protrusion 415 has an outer diameter equal to the diameter R1 of the main body 411 and a width of 1 mm to 10 mm, for example. Further, the protrusion 415 has a height of several mm to several cm, for example. Furthermore, the main body 411 and the protrusion 415 are integrally manufactured.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> D is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 411 to the arc evaporation source 3. Therefore, the protrusion 415 protrudes toward the substrate 20 side.
  • the cathode member 41D is manufactured by lathing a layered carbon.
  • the protrusion 415 is not limited to the same outer diameter as the diameter R1 of the main body 411, and may have an outer diameter smaller than the diameter R1 of the main body 411.
  • FIG. 19 is a schematic view of still another cathode member in the second embodiment.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of the cathode member 41E taken along line XX-XX shown in FIG.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41E shown in FIGS. 19 and 20 instead of the cathode member 41.
  • a cathode member 41E is obtained by adding a protrusion 416 to cathode member 41D shown in FIGS. 17 and 18, and is otherwise the same as cathode member 41D.
  • the protrusion 416 has a donut shape and is made of carbon having a layered structure.
  • the protrusion 416 is disposed on the inner peripheral side of the protrusion 415 and has a width of 1 mm to 10 mm, for example. Further, the protrusion 416 has a height of several mm to several cm, for example. Furthermore, the interval between the protrusion 415 and the protrusion 416 is arbitrary. Furthermore, the main body 411 and the protrusions 415 and 416 are integrally manufactured.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> E is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 411 to the arc evaporation source 3. Accordingly, the protrusions 415 and 416 protrude toward the substrate 20 side.
  • the cathode member 41E is manufactured by lathing a layered carbon.
  • the protrusion 415 may have the same width as the protrusion 416 or may have a width different from that of the protrusion 416.
  • FIG. 21 is a schematic view of still another negative electrode member in the second embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view of the cathode member 41F taken along line XXII-XXII shown in FIG.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41F shown in FIGS. 21 and 22 in place of the cathode member 41.
  • the cathode member 41F includes a main body portion 418 and protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F.
  • the main body 418 has a flat plate shape having a square surface 418A, and is made of carbon having a layered structure. And the length of one side of the main-body part 418 is 64 mm, for example.
  • Each of the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F has a columnar shape with a square cross section cut along a plane parallel to the surface 418A, and is made of carbon having a layered structure.
  • Each of the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F has a length of one side shorter than the length of one side of the main body 418, and the length of one side is, for example, several mm to several cm. It is.
  • Each of the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F has a height of, for example, several mm to several cm.
  • the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F are arranged on the main body 418 in a grid pattern, for example.
  • interval of protrusion part 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, 419F is arbitrary.
  • the main body portion 418 and the protrusion portions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F are integrally manufactured.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> F is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 418 to the arc evaporation source 3. Accordingly, the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F protrude toward the substrate 20 side.
  • the cathode member 41F is manufactured by the following method. Carbon having a flat plate shape having a square plane and a layered structure (see FIG. 2) is produced by a CVD method using a hydrocarbon gas as a source gas. After that, the produced carbon is turned so as to have the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F to produce the cathode member 41F.
  • the method of forming the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F is not limited to lathe processing, and may be etching (including both wet etching and dry etching), and the protrusions 419A and 419B. , 419C, 419D, 419E, and 419F, any method may be used.
  • the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F are not limited to a grid pattern, and may be randomly arranged at arbitrary intervals.
  • the cathode member 41F is not limited to the six protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F, and may include one to five protrusions, and may include seven or more protrusions. In general, it is sufficient if one or more protrusions are provided.
  • the cathode member 41F includes two or more protrusions, the two or more protrusions may be arranged in a grid pattern, or may be randomly arranged at an arbitrary interval. Further, the two or more protrusions may have the same side length, or may have different side lengths.
  • the main body 418 may not have a square cross-sectional shape, and may have a rectangular cross-sectional shape. In this case, the lengths of the long side and the short side of the rectangle are set to arbitrary values.
  • each of the protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F may not have a square cross-sectional shape and may have a rectangular cross-sectional shape.
  • the lengths of the long side and the short side of the rectangle are set to arbitrary lengths in a range shorter than the length of one side of the main body 418 or in a range shorter than the long side of the main body 418.
  • the cathode member 41F is not limited to a main body portion having a flat plate shape with a square cross-sectional shape, but a main body portion having a flat plate shape with a cross-sectional shape being a triangle, or a main body portion having a flat plate shape with a cross-sectional shape being a pentagon. In general, it is only necessary to include a main body having a flat plate shape having a polygonal cross-sectional shape.
  • the cathode member 41F is not limited to a protrusion having a columnar shape with a square cross-sectional shape, but a protrusion having a columnar shape with a triangular cross-sectional shape, or a protrusion having a columnar shape with a pentagonal cross-sectional shape. In general, it is only necessary to have a protrusion having a columnar shape with a polygonal cross-sectional shape.
  • FIG. 23 is a schematic view of still another cathode member in the second embodiment.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of the cathode member 41G taken along line XXIV-XXIV shown in FIG.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41G shown in FIGS. 23 and 24 instead of the cathode member 41.
  • cathode member 41G is obtained by replacing protrusions 419A, 419B, 419C, 419D, 419E, and 419F of cathode member 41F shown in FIGS. 21 and 22 with protrusions 420, Others are the same as the cathode member 41F.
  • the protrusion 420 has an annular shape and is made of carbon having a layered structure.
  • the protrusion 420 is disposed on the main body 418 along the periphery of the main body 418. Further, the width of the protrusion 420 is, for example, several mm to 1 cm, and the height of the protrusion 420 is, for example, several mm to several cm. Further, the protrusion 420 is integrally formed with the main body 418.
  • the cathode member 41G has a flat plate shape and is manufactured by lathing a layered carbon.
  • the cathode member 41G is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 418 to the arc evaporation source 3. Therefore, the protrusion 420 protrudes toward the substrate 20 side.
  • FIG. 25 is a schematic view of still another negative electrode member according to the second embodiment.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of the cathode member 41H along the line XXVI-XXVI shown in FIG.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41H shown in FIGS. 25 and 26 in place of the cathode member 41.
  • cathode member 41H is obtained by adding protrusion 421 to cathode member 41G shown in FIGS. 23 and 24, and is otherwise the same as cathode member 41G.
  • the protrusion 421 has a columnar shape having a quadrangular plane 421A and is made of carbon having a layered structure.
  • the protrusion 421 is disposed on the main body 418 on the inner peripheral side of the protrusion 420. Further, the protrusion 421 has the same height as the protrusion 420. Further, the distance between the protrusion 420 and the protrusion 421 is, for example, several mm to 1 cm. Further, the dimension of the flat surface 421A of the protrusion 421 is set to an arbitrary value in consideration of the inner dimension of the protrusion 420 and the distance between the protrusion 420 and the protrusion 421. Furthermore, the main body 418 and the protrusions 420 and 421 are integrally manufactured.
  • the cathode member 41H has a flat plate shape and is manufactured by lathing a layered carbon.
  • the cathode member 41H is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 418 to the arc evaporation source 3. Accordingly, the protrusions 420 and 421 protrude toward the substrate 20 side.
  • FIG. 27 is a schematic view of still another negative electrode member according to the second embodiment.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view of the cathode member 41I taken along line XXVIII-XXVIII shown in FIG.
  • the plasma apparatus 10B may include a cathode member 41I shown in FIGS. 27 and 28 instead of the cathode member 41.
  • cathode member 41I is the same as cathode member 41G except that projection 420 of cathode member 41G shown in FIGS. 23 and 24 is replaced by projections 422 to 427. It is.
  • Each of the protrusions 422 to 427 has a flat plate shape and is made of carbon having a layered structure. Further, each of the protrusions 422 to 427 has a thickness of, for example, several mm, and has a height of, for example, several mm to 1 cm. Further, the projecting portions 422 to 427 are disposed on the main body portion 418 substantially in parallel at a desired interval. Further, the main body 418 and the protrusions 422 to 427 are manufactured integrally.
  • the cathode member 41I has a flat plate shape and is manufactured by lathing so that carbon having a layered structure has protrusions 422 to 427.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> I is attached to the arc evaporation source 3 by fixing the main body 418 to the arc evaporation source 3. Accordingly, the protrusions 422 to 427 protrude toward the substrate 20 side.
  • the number of protrusions is not limited to six and may be one or more.
  • the six protrusions 422 to 427 may not be arranged at the same interval from each other, and may be arranged at random intervals.
  • the cathode member 41I includes a plurality of protrusions
  • the plurality of protrusions may not be arranged in parallel.
  • the cathode member used in the second embodiment may be one in which the same change as the change from the cathode member 41 to the cathode member 41A or the cathode member 41B is applied to the cathode members 41C to 41I.
  • the various cathode members 41, 41A to 41I have been described. Therefore, the cathode member in Embodiment 2 only needs to have at least one protrusion protruding to the substrate 20 side.
  • the carbon thin film is manufactured according to the process diagram shown in FIG.
  • any of the cathode members 41A to 41I is attached to the arc evaporation source 3 in step S1A.
  • FIG. 29 is a schematic diagram showing the configuration of another plasma apparatus according to the second embodiment.
  • the plasma apparatus according to the second embodiment may be a plasma apparatus 10C shown in FIG.
  • plasma apparatus 10C is obtained by replacing trigger electrode 8 of plasma apparatus 10B shown in FIG. 8 with trigger electrode 8A, and adding insulating member 14, bellows 15, holding member 16 and drive device 17. The others are the same as those of the plasma apparatus 10B.
  • the X axis, the Y axis, and the Z axis are defined as shown in FIG.
  • the trigger electrode 8A is disposed through a through-hole 1A provided in the side wall of the vacuum vessel 1, and has one end facing the cathode member 41 and the other end fixed to the holding member 16.
  • the trigger electrode 8A is made of the same material as the trigger electrode 8.
  • the insulating member 14 is fixed to the side wall of the vacuum vessel 1 via an O-ring (not shown) so as to surround the through hole 1A.
  • the bellows 15 is disposed between the insulating member 14 and the holding member 16 and is fixed to the insulating member 14 and the holding member 16.
  • the holding member 16 is fixed to the other end of the trigger electrode 8A and is made of, for example, Mo.
  • the holding member 16 is electrically connected to the ground potential GND through the resistor 9.
  • the bellows 15 can be expanded and contracted in the Z-axis direction, and a portion of the bellows 15 close to the holding member 16 can be moved along with the movement of the holding member 16 in the XY plane.
  • the holding member 16 is moved in the Z-axis direction and moved in the XY plane by the driving device 17.
  • the driving device 17 moves the holding member 16 in the Z-axis direction and moves the holding member 16 in the XY plane by a method described later.
  • the holding member 16 Since the wiring connecting the resistor 9 and the holding member 16 actually has a spiral shape, even if the holding member 16 moves in the Z-axis direction and the XY plane, the holding member 16 The wiring is stably connected to the resistor 9.
  • FIG. 30 is a schematic diagram showing the configuration of the driving device 17 shown in FIG.
  • the driving device 17 includes a bar member 171, uneven members 172, 177, 180, gears 173, 178, 181; motors 174, 179, 182; base members 175, 183; Members 176 and 184.
  • the rod member 171 is made of an insulator and is disposed along the Z axis. One end of the bar member 171 is connected to the holding member 16. The uneven member 172 is fixed to the bar member 171. The gear 173 is fitted to the concavo-convex member 172.
  • the motor 174 is disposed on the base member 175. The rotating shaft 174A of the motor 174 is coupled to the gear 173.
  • the base member 175 is disposed on the support member 176.
  • the uneven member 177 is fixed to the support member 176.
  • the gear 178 is fitted to the concavo-convex member 177.
  • the motor 179 is disposed on the support member 184.
  • the rotating shaft 179A of the motor 179 is connected to the gear 178.
  • the uneven member 180 is fixed to the support member 176.
  • the gear 181 is fitted to the concavo-convex member 180.
  • the motor 182 is disposed on the base member 183.
  • the rotating shaft 182A of the motor 182 is connected to the gear 181.
  • the base member 183 is fixed to the support member 184.
  • the support member 184 is fixed to the side wall of the vacuum container 1.
  • FIG. 31 is a perspective view of the concavo-convex member 177 shown in FIG.
  • FIG. 32 is a perspective view of another uneven member 180 shown in FIG.
  • the concavo-convex member 177 is composed of a plurality of concavo-convex portions having a triangular cross-sectional shape. And a some unevenness
  • Each of the plurality of irregularities has a longer length in the X-axis direction than the range in which the holding member 16 moves in the X-axis direction.
  • the gear 178 is fitted into the plurality of projections and depressions of the projection / depression member 177, and slides in the X-axis direction while being fitted to the projections / depressions of the projection / depression member 177 when the support member 176 moves in the X-axis direction.
  • the concavo-convex member 180 is composed of a plurality of concavo-convex portions having a triangular cross-sectional shape.
  • the plurality of irregularities are arranged along the X-axis direction.
  • corrugation has a length longer than the range to which the holding member 16 moves to a Y-axis direction in the Y-axis direction.
  • the gear 181 is fitted to the plurality of projections and depressions of the projection / depression member 180, and slides in the Y-axis direction while being fitted to the projections / depressions of the projection / depression member 180 when the support member 176 moves in the Y-axis direction.
  • the motor 174 rotates the rotating shaft 174A clockwise or counterclockwise.
  • the gear 173 rotates clockwise or counterclockwise according to the rotation of the rotating shaft 174A.
  • the rod member 171 moves in the positive direction of the Z axis (the direction from the cathode member 41 toward the substrate 20), and when the gear 173 rotates counterclockwise, the negative direction of the Z axis ( Move in the direction from the substrate 20 toward the cathode member 41).
  • the motor 179 rotates the rotating shaft 179A clockwise or counterclockwise.
  • the gear 178 rotates clockwise or counterclockwise according to the rotation of the rotating shaft 179A.
  • the support member 176 moves in the positive direction of the Y axis (the direction from the front to the back in FIG. 30), and when the gear 178 rotates counterclockwise, the Y axis rotates. It moves in the negative direction (the direction from the back to the front in FIG. 30).
  • the gear 181 slides the projections and depressions in the positive or negative direction of the Y axis in a state where the gears 181 are fitted in the projections and depressions of the projection / depression member 180.
  • the motor 182 rotates the rotating shaft 182A clockwise or counterclockwise.
  • the gear 181 rotates clockwise or counterclockwise according to the rotation of the rotating shaft 182A.
  • the support member 176 moves in the negative direction of the X axis (the direction from the upper side to the lower side in FIG. 30), and when the gear 181 rotates in the counterclockwise direction, the X axis In the positive direction (in the direction of the direction from the lower side to the upper side in FIG. 30).
  • the gear 178 slides in the positive and negative directions of the X axis while being engaged with the concave and convex portions of the concave and convex member 177.
  • the driving device 17 moves the holding member 16 along the X axis, the Y axis, and the Z axis.
  • the trigger electrode 8A moves along the X axis, the Y axis, and the Z axis as the holding member 16 moves.
  • FIG. 33 is a plan view for explaining the movement range of the trigger electrode 8A shown in FIG.
  • the cathode member 41 is arranged in parallel to the XY plane.
  • One end (one end opposite to the cathode member 41) of the trigger electrode 8A is moved in the X-axis direction in the plane of the protrusion 412 as the holding member 16 moves in the XY plane by the driving device 17. / Or move in the Y-axis direction.
  • the trigger electrode 8A can be brought into contact with an arbitrary place of the protruding portion 412 of the cathode member 41.
  • the trigger electrode 8A and the protruding portion 412 of the cathode member 41 after the desired time has elapsed from the start of the arc discharge or after the arc discharge is stopped.
  • arc discharge can be generated at a new location. Therefore, the cathode member 41 can be used effectively by sequentially performing the arc discharge at a new location.
  • the cathode members 41A to 41I can be used effectively in the same manner.
  • the cathode members 41C, 41E, 41F, 41H, and 41I having a plurality of protrusions are used, arc discharge can be generated in each of the plurality of protrusions, and all of the plurality of protrusions are utilized. Carbon thin film can be manufactured.
  • FIG. 34 is a process diagram showing a carbon thin film manufacturing method using the plasma apparatus 10C shown in FIG.
  • step S6 it is determined whether or not a new arc discharge is started by determining whether a desired time has elapsed from the start of the arc discharge or whether the arc discharge has been stopped (step S7). ). In this case, it is determined that a new arc discharge is started when a desired time has elapsed from the start of the arc discharge or when the arc discharge is stopped.
  • step S7 When it is determined in step S7 that a new arc discharge is not started, the above-described steps S5 to S7 are sequentially executed.
  • step S7 when it is determined in step S7 that a new arc discharge is started, it is further determined whether or not the thickness of the carbon thin film has reached a desired thickness (step S8).
  • step S8 When it is determined in step S8 that the film thickness of the carbon thin film has not reached the desired film thickness, the trigger electrode 8A is moved in the XY plane by the driving device 17, and the trigger electrode 8A, the cathode member 41, etc. At a different position (step S9), and then the trigger electrode 8A is separated from the cathode member 41 and the like. Then, the above-described steps S5 to S9 are sequentially executed.
  • step S8 when it is determined in step S8 that the film thickness of the carbon thin film has reached the desired film thickness, the production of the carbon thin film ends.
  • arc discharge can be started at any location of the cathode members 41, 41A to 41H, and the cathode members 41, 41A to 41H can be used effectively.
  • FIG. 35 is a schematic diagram showing the configuration of still another plasma apparatus according to the second embodiment.
  • the plasma apparatus according to the second embodiment may be a plasma apparatus 10D shown in FIG.
  • plasma apparatus 10D is the same as plasma apparatus 10C except that resistance 9 of plasma apparatus 10C shown in FIG. 29 is replaced with changeover switch 91 and resistors 92 and 93.
  • the changeover switch 91 includes a switch 911 and terminals 912 and 913.
  • the switch 911 is electrically connected to the holding member 16.
  • Terminal 912 is electrically connected to resistor 92.
  • Terminal 913 is electrically connected to resistor 93.
  • the resistor 92 is connected between the terminal 912 and the power source 7 and the ground potential GND.
  • Resistor 93 is connected between terminal 913 and power supply 7 and ground potential GND.
  • the resistor 92 generally has a resistance value larger than the discharge resistance of arc discharge, and has a resistance value of 2 ⁇ , for example.
  • the resistor 93 generally has a resistance value smaller than the discharge resistance of arc discharge, for example, a resistance value of 0.1 ⁇ .
  • the switch 911 is connected to the terminal 912 during arc discharge according to control from a control device (not shown), and is connected to the terminal 913 when starting a new arc discharge.
  • the resistance inserted between the trigger electrode 8A and the anode potential normally prevents discharge from occurring between the trigger electrode 8A and the cathode (cathode member 41). For this reason, even if the trigger electrode 8A is brought into contact with the surface of the cathode (cathode member 41) during the arc discharge between the cathode (cathode member 41) and the anode, no new arc discharge is generated from the contact point. .
  • the plasma apparatus 10D may include a variable resistor instead of the changeover switch 91 and the resistors 92 and 93.
  • the resistance value of the variable resistor is set to a resistance value larger than the discharge resistance during arc discharge, and is set to a resistance value smaller than the discharge resistance when starting a new arc discharge.
  • FIG. 36 is a process diagram showing a carbon thin film manufacturing method using the plasma apparatus 10D shown in FIG.
  • a process S21 is added between the process S2 and the process S3 in the process diagram shown in FIG. 34
  • a process S22 is added between the process S4 and the process S5
  • Step S23 is added between and the other steps are the same as those in the step diagram shown in FIG.
  • step S21 when the production of the carbon thin film is started, the above-described steps S1A and S2 are sequentially performed, and then the switch 911 is connected via the terminal 913 in accordance with control from a control device (not shown). Connected to the resistor 93 (step S21).
  • step S4 Since arc discharge is generated by the execution of step S4, the switch 911 is connected to the resistor 92 via the terminal 912 in accordance with control from a control device (not shown) (step S22).
  • step S8 If it is determined in step S8 that the film thickness of the carbon thin film has not reached the desired film thickness, the switch 911 is connected to the resistor 93 via the terminal 913 in accordance with control from a control device (not shown). Connected (step S23), step S9 described above is executed. As a result, arc discharge occurs at a new position of the cathode member 41.
  • step S8 When it is determined in step S8 that the carbon thin film has reached a desired film thickness, the production of the carbon thin film is completed.
  • the resistance connected between trigger electrode 8A and the anode potential is smaller than the discharge resistance (see step S23).
  • Arc discharge can be generated stably.
  • a new arc discharge can be generated in the entire region of the protrusion 412 of the cathode member 41, and the cathode member 41 can be used effectively.
  • step S7 If it is determined in step S7 that new discharge is not started, steps S5 and S6 are repeatedly executed. If it is determined in step S7 that new discharge is started, the arc member is not stopped without stopping the arc discharge. Since a new arc discharge is generated at 41 different locations, the arc discharge continues unless it is necessary to stop the arc discharge. As a result, the temperature of the surface of the cathode member 41 does not decrease, and the carbon thin film can be manufactured while suppressing the generation of coarse particles.
  • the plasma apparatus 10D may include any one of the cathode members 41A to 41I instead of the cathode member 41. Even when the plasma apparatus 10D includes any of the cathode members 41A to 41I, the carbon thin film is manufactured according to the process diagram shown in FIG. 36, and the cathode members 41A to 41I can be used effectively as described above.
  • FIG. 37 is a schematic diagram showing the configuration of the plasma device according to the third embodiment.
  • plasma apparatus 10E according to Embodiment 3 replaces arc evaporation source 3 of plasma apparatus 10 shown in FIG. 1 with arc evaporation source 3A, replaces cathode member 4 with cathode member 41J, and insulates.
  • the member 18, the bearing 19, and the delivery mechanism 21 are added, and the rest is the same as the plasma apparatus 10.
  • the X axis, the Y axis, and the Z axis are defined as shown in FIG.
  • the insulating member 18 is fixed to the side wall of the vacuum vessel 1 via an O-ring (not shown) so as to surround the through hole 1B provided on the side wall of the vacuum vessel 1.
  • the arc evaporation source 3 ⁇ / b> A has a hollow cylindrical shape and is fixed to the insulating member 18.
  • the arc evaporation source 3 ⁇ / b> A is electrically connected to the negative electrode of the power source 7.
  • the cathode member 41J is made of the same material as the cathode member 4 and has a cylindrical shape.
  • the cathode member 41J has, for example, a comma several mm to several cm in diameter and several cm to 10 cm in length.
  • the cathode member 41 ⁇ / b> J is disposed through the through hole 1 ⁇ / b> B provided in the side wall of the vacuum container 1, and one end thereof faces the one end of the trigger electrode 8.
  • the bearing 19 is made of a metal material, is in contact with the arc evaporation source 3A and the cathode member 41J, and is disposed between the arc evaporation source 3A and the cathode member 41J. Then, the cathode member 41J is sent out in the Z-axis direction by the sending mechanism 21.
  • the delivery mechanism 21 is arranged inside the arc evaporation source 3A and sends out the cathode member 41J in the Z-axis direction by a method described later.
  • FIG. 38 is a schematic diagram showing the configuration of the delivery mechanism 21 shown in FIG.
  • delivery mechanism 21 includes a bar member 211, a concavo-convex member 212, a gear 213, a motor 214, and a base member 215.
  • the rod member 211 is made of an insulator and is disposed along the Z axis.
  • the rod member 211 has one end connected to the cathode member 41J.
  • the uneven member 212 is fixed to the bar member 211.
  • the gear 213 is fitted to the concavo-convex member 212.
  • the motor 214 is disposed on the base member 215.
  • the rotating shaft 214 ⁇ / b> A of the motor 214 is connected to the gear 213.
  • the base member 215 is disposed on the arc evaporation source 3A.
  • the motor 214 rotates the gear 213 clockwise via the rotating shaft 214A.
  • the bar member 211 is sent out in the Z-axis direction by the rotation of the gear 213. Therefore, the delivery mechanism 21 can send out the cathode member 41J in the Z-axis direction.
  • the arc evaporation source 3A is fixed to the insulating member 18, and the insulating member 18 is fixed to the side wall of the vacuum vessel 1 via the O-ring.
  • the pressure in the container 1 is maintained at the same pressure.
  • the bearing 19 is made of a metal material and is in contact with both the arc evaporation source 3A and the cathode member 41J, when the trigger electrode 8 contacts one end of the cathode member 41J, the cathode member 41J and the anode ( When an arc discharge occurs with the vacuum vessel 1), a current flows through the cathode member 41J, the bearing 19, and the arc evaporation source 3A. As a result, the temperature of the cathode member 41J increases.
  • the cathode member 41J has a diameter smaller than that of the cathode member 4, the temperature of the cathode member 41J is easily increased as compared with the cathode member 4, and in particular, the surface temperature of the cathode member 41J is easily increased. As a result, more thermoelectrons are emitted from the discharge surface of the cathode member 41J, and arc discharge is stabilized. Therefore, the generation of particles can be extremely suppressed.
  • the cathode member 41J when the cathode member 41J is consumed by arc discharge, the cathode member 41J is fed by the delivery mechanism 21 so that the tip portion (tip portion on the substrate 20 side) of the cathode member 41J is at the same position as the tip portion before consumption. To the substrate 20 side.
  • timing for moving the cathode member 41J to the substrate 20 side for example, a timing at which a certain discharge time has elapsed is assumed.
  • the timing when the certain discharge time has elapsed is the timing when one film formation is completed.
  • FIG. 39 is a process diagram showing a carbon thin film manufacturing method using the plasma apparatus 10E shown in FIG.
  • the process diagram shown in FIG. 39 is the same as the process diagram shown in FIG. 3, except that step S1 in the process diagram shown in FIG. 3 is replaced with step S1B and steps S31 to S33 are added.
  • process chart shown in FIG. 39 is a process chart when the cathode member 41J is sent out at the timing when one film formation is completed.
  • step S1B when the production of the carbon thin film is started, bulk carbon produced by a CVD method and having a cylindrical shape is attached to arc-type evaporation source 3A as cathode member 41J (step S1B).
  • step S31 the above-described steps S2 to S6 are sequentially executed, and after step S6, it is determined whether or not one film formation is completed.
  • step S31 when it is determined that one film formation is not completed, steps S5, S6, and S31 are repeatedly executed.
  • step S31 when it is determined in step S31 that one film formation has been completed, it is further determined whether or not the cathode member 41J can be used (step S32).
  • the delivery mechanism 21 sets the position of the tip of the cathode member 41J after consumption to the position of the tip of the cathode member 41J before consumption.
  • the cathode member 41J is sent to the substrate 20 side (step S33).
  • the cathode member 41J when the cathode member 41J is attached to the arc evaporation source 3A once, the cathode member 41J moves toward the substrate 20 until the cathode member 41J becomes unusable. It is sent out repeatedly. As a result, it is not necessary to frequently replace the cathode member, and the productivity of the carbon thin film can be improved.
  • a plurality of carbon thin film depositions are performed before the cathode member 41J becomes unusable.
  • the position of the tip of the cathode member 41J is always constant. Therefore, the arc discharge can be stably maintained for a long time, and the productivity of the carbon thin film can be greatly improved.
  • step S31 by determining whether or not the film thickness of the carbon thin film has reached the desired film thickness, the carbon thin film is repeatedly placed on the substrate 20 until the film thickness of the carbon thin film reaches the desired film thickness.
  • a thick carbon thin film can be manufactured by depositing (see “NO” in steps S5, S6, and S31).
  • the cathode member 41J is not limited to a circular cross section, and the cross section may be a triangle, a quadrangle, a pentagon, or the like. In general, the cross section may be a polygon.
  • the plasma apparatus 10E may include a plurality of cathode members 41J.
  • the same bearing as the bearing 19 is also arranged between two adjacent cathode members 41J so as to contact the cathode member 41J.
  • the plasma apparatus 10E may include any one of the cathode members 41, 41A to 41I instead of the cathode member 41J.
  • FIG. 40 is a schematic diagram showing the configuration of the plasma device according to the fourth embodiment.
  • plasma apparatus 10F according to the fourth embodiment is the same as plasma apparatus 10 except that trigger electrode 8 of plasma apparatus 10 shown in FIG.
  • the trigger electrode 8B is made of a refractory metal such as Mo and tungsten (W), and is arranged in the same manner as the trigger electrode 8.
  • the tip of the trigger electrode 8B facing the cathode member 4 is pointed in the direction toward the cathode member 4.
  • FIG. 41 is an enlarged view of the tip portion on the cathode member 4 side of the trigger electrode 8B shown in FIG.
  • trigger electrode 8B includes a rod-like portion 81 and a needle-like portion 82.
  • the rod-shaped portion 81 has, for example, a diameter of 3 mm ⁇ and a length of 20 mm.
  • the needle-like portion 82 has a diameter of 3 mm ⁇ on the rod-like portion 81 side, and has a diameter of 2 mm ⁇ or less at the tip portion.
  • the needle-like portion 82 has a length of 10 mm, for example.
  • the needle-like portion 82 contacts the cathode member 4.
  • FIG. 42 is a conceptual diagram of plasma generated in the plasma apparatus 10F shown in FIG. Referring to FIG. 42, when the needle-like portion 82 of the trigger electrode 8B contacts the cathode member 4 at a point 4A, plasma PLZ is generated by arc discharge. The plasma PLZ is plasma formed radially from the point 4 ⁇ / b> A of the cathode member 4 toward the substrate 20.
  • plasma PLZ is also generated when the needle-like portion 82 of the trigger electrode 8B comes into contact with a point other than the point 4A of the cathode member 4.
  • FIG. 43 is a schematic view of a conventional trigger electrode.
  • the conventional trigger electrode 80 has a rod-like shape, and has a diameter of 3 mm ⁇ and a length of 30 mm, for example.
  • Table 1 shows the probability of occurrence of the second discharge mode when arc discharge is generated using the trigger electrode 8B and when arc discharge is generated using the trigger electrode 80.
  • the second discharge mode is a discharge mode in which particles are not generated as described above.
  • the probability of occurrence of the second discharge mode is 30%, and when arc discharge is generated using the trigger electrode 8B, the second discharge mode is generated.
  • the probability of occurrence is 90%.
  • the probability of occurrence of the second discharge mode can be dramatically increased.
  • atomic carbon mainly contributes to the formation of the carbon thin film, and the surface of the carbon thin film can be flattened.
  • FIG. 44 is a process diagram showing a carbon thin film manufacturing method using the plasma apparatus 10F shown in FIG.
  • step S4 in the process diagram shown in FIG. 3 is replaced with step S4A.
  • steps S5 and S6 described above are sequentially performed, and the production of the carbon thin film is completed.
  • the occurrence probability of the discharge mode 2 is very high at 90% (see Table 1).
  • the atomic carbon mainly contributes to the formation of the carbon thin film, and the surface of the carbon thin film can be made flat.
  • the radial plasma PLZ is generated from the contact point between the trigger electrode 8B and the cathode member 4, the probability that the carbon emitted from the cathode member 4 contributes to the formation of the carbon thin film becomes very high. Therefore, the utilization efficiency of the cathode member 4 can be increased.
  • the tip of the needle-like portion 82 of the trigger electrode 8B is initially sharp, but when the needle-like portion 82 is brought into contact with the cathode member 4 once, as shown in FIG.
  • the tip of is rounded. However, once rounded, the diameter of the tip of the needle-like portion 82 does not change no matter how many times the needle-like portion 82 is brought into contact with the cathode member 4 thereafter.
  • the plasma apparatus 10F may include any one of the cathode members 41 and 41A to 41J instead of the cathode member 4. Since the cathode members 41, 41A to 41J have protrusions protruding toward the substrate 20, the second discharge mode (discharge in which particles are not generated) is brought into contact with the trigger electrode 8B and the cathode members 41, 41A to 41J. Mode) is further increased, and the proportion of atomic carbon contributing to the formation of the carbon thin film is further increased. Therefore, the surface of the carbon thin film can be further flattened.
  • the plasma device 10F includes the above-described driving device 17, or a set of the changeover switch 91 and the resistors 92 and 93. Thereby, arc discharge can be generated in the plurality of protrusions, and the cathode members 41C, 41E, 41F, 41H, and 41I can be used effectively.
  • the plasma apparatus 10F may include a cathode member made of a sintered structure of carbon powder.
  • the present invention is applied to a plasma apparatus that generates plasma by arc discharge and a carbon thin film manufacturing method using the same.

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Abstract

 プラズマ装置(10)は、真空容器(1)と、アーク式蒸発源(3)と、陰極部材(4)と、シャッター(5)と、電源(7)とを備える。アーク式蒸発源(3)は、真空容器(1)の側壁に基板(20)に対向して固定される。陰極部材(4)は、層状構造のカーボンからなり、アーク式蒸発源(3)に取り付けられる。電源(7)は、アーク式蒸発源(3)に負の電圧を印加する。アーク式蒸発源(3)の近傍でアーク放電が開始されると、アークスポットが陰極部材(4)の表面を移動する。その後、アークスポットが移動しなくなると、シャッター(5)を開け、カーボン薄膜を基板(20)上に形成する。

Description

プラズマ装置およびそれを用いたカーボン薄膜の製造方法
 この発明は、プラズマ装置およびそれを用いたカーボン薄膜の製造方法に関するものである。
 従来、アーク放電を用いて薄膜を形成する真空アーク蒸着装置において、粗大粒子が基板に付着するのを抑制した真空アーク蒸着装置が知られている(特許文献1)。
 この真空アーク蒸着装置は、真空容器と、プラズマダクトと、多孔部材と、磁気コイルと、蒸発源とを備える。プラズマダクトは、その一方端が真空容器に取り付けられる。蒸発源は、プラズマダクトの他方端に取り付けられる。
 磁気コイルは、プラズマダクトの周囲に巻かれている。そして、磁気コイルは、蒸発源の近傍で発生したプラズマを真空容器内に配置された基板の近傍に導く。
 多孔部材は、プラズマダクトの内壁に取り付けられており、蒸発源に取り付けられた陰極物質から飛び出した粗大粒子を捕獲する。
 このように、従来の真空アーク蒸着装置は、蒸発源をプラズマダクトによって真空容器に連結し、陰極物質から飛び出した粗大粒子をプラズマダクトの内壁に設けられた多孔部材によって捕獲して粗大粒子が基板に飛来するのを抑制する。
特開2002-105628号公報
 しかし、従来の真空アーク蒸着装置では、プラズマダクトを介して蒸発源を真空容器に連結するとともに、蒸発源の近傍で発生したプラズマを基板の近傍に導く磁気コイルを備えるので、装置が大掛かりになるという問題がある。
 そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、簡単な構成で粗大粒子が基板に付着するのを抑制可能なプラズマ装置を提供することである。
 また、この発明の別の目的は、簡単な構成で粗大粒子が基板に付着するのを抑制してカーボン薄膜を製造可能なカーボン薄膜の製造方法を提供することである。
 この発明の実施の形態によれば、プラズマ装置は、真空容器と、アーク式蒸発源と、陰極部材と、保持部材と、電源とを備える。アーク式蒸発源は、真空容器に固定される。陰極部材は、アーク式蒸発源に取り付けられる。保持部材は、陰極部材に対向して配置された基板を保持する。電源は、アーク式蒸発源に負の電圧を印加する。そして、陰極部材は、層状構造のカーボンからなる。
 また、この発明の実施の形態によれば、プラズマ装置は、真空容器と、アーク式蒸発源と、陰極部材と、保持部材と、電源とを備える。アーク式蒸発源は、真空容器に固定される。陰極部材は、アーク式蒸発源に取り付けられる。保持部材は、陰極部材に対向して配置された基板を保持する。電源は、アーク放電の開始時に第1の負の電圧をアーク式蒸発源に印加し、アーク放電が開始された後に第1の負の電圧よりも低い第2の負の電圧をアーク式蒸発源に印加する。
 更に、この発明の実施の形態によれば、カーボン薄膜の製造方法は、基板に対向して真空容器に固定されたアーク式蒸発源に陰極部材を取り付ける第1の工程と、アーク式蒸発源に負の電圧を印加する第2の工程とを備える。そして、陰極部材は、層状構造のカーボンからなる。
 更に、この発明の実施の形態によれば、カーボン薄膜の製造方法は、アーク放電の開始時に第1の負の電圧を基板に対向して真空容器に固定されたアーク式蒸発源に印加する第1の工程と、アーク放電が開始された後に第1の負の電圧よりも低い第2の負の電圧をアーク式蒸発源に印加する第2の工程とを備える。
 この発明の実施の形態によるプラズマ装置においては、アークスポットが陰極部材の表面を移動していないとき、カーボン薄膜が基板上に形成される。その結果、原子状のカーボンが陰極部材から基板へ飛来し、カーボン薄膜が基板上に形成される。また、プラズマ装置においては、陰極部材は、基板に対向している。従って、簡単な構成で粗大粒子が基板に付着するのを抑制してカーボン薄膜を製造できる。
 また、この発明の実施の形態によるカーボン薄膜の製造方法においては、アークスポットが陰極部材の表面を移動していないとき、カーボン薄膜が基板上に形成される。
 従って、上述したように、簡単な構成で粗大粒子が基板に付着するのを抑制してカーボン薄膜を製造できる。
この発明の実施の形態1によるプラズマ装置の構成を示す概略図である。 図1に示す陰極部材の構造を示す概念図である。 図1に示すプラズマ装置を用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。 成長速度および表面粗さとアーク放電時のアーク電流との関係を示す図である。 カーボン薄膜の面内方向における表面粗さのスペクトルを示す図である。 この発明の実施の形態1による他のプラズマ装置の構成を示す概略図である。 図6に示すプラズマ装置を用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。 実施の形態2によるプラズマ装置の構成を示す概略図である。 図8に示す陰極部材の斜視図である。 図9に示す線X-X間における陰極部材の断面図である。 実施の形態2における別の陰極部材を示す断面図である。 実施の形態2における更に別の陰極部材を示す断面図である。 パーティクルが発生しない放電割合とアーク電流との関係を示す図である。 図8に示すプラズマ装置を用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。 実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。 図15に示す線XVI-XVI間における陰極部材の断面図である。 実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。 図17に示す線XVIII-XVIII間における陰極部材の断面図である。 実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。 図19に示す線XX-XX間における陰極部材の断面図である。 実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。 図21に示す線XXII-XXII間における陰極部材の断面図である。 実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。 図23に示す線XXIV-XXIV間における陰極部材の断面図である。 実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。 図25に示す線XXVI-XXVI間における陰極部材の断面図である。 実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。 図27に示す線XXVIII-XXVIII間の陰極部材の断面図である。 実施の形態2による別のプラズマ装置の構成を示す概略図である。 図29に示す駆動装置の構成を示す概略図である。 図30に示す凹凸部材の斜視図である。 図30に示す別の凹凸部材の斜視図である。 図29に示すトリガー電極の移動範囲を説明するための平面図である。 図29に示すプラズマ装置を用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。 実施の形態2による更に別のプラズマ装置の構成を示す概略図である。 図35に示すプラズマ装置を用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。 実施の形態3によるプラズマ装置の構成を示す概略図である。 図37に示す送出機構の構成を示す概略図である。 図37に示すプラズマ装置を用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。 実施の形態4によるプラズマ装置の構成を示す概略図である。 図40に示すトリガー電極の陰極部材側の先端部の拡大図である。 図40に示すプラズマ装置において発生するプラズマの概念図である。 従来のトリガー電極の概略図である。 図40に示すプラズマ装置を用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。
 本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
 [実施の形態1]
 図1は、この発明の実施の形態1によるプラズマ装置の構成を示す概略図である。図1を参照して、この発明の実施の形態1によるプラズマ装置は、真空容器1と、保持部材2と、アーク式蒸発源3と、陰極部材4と、シャッター5と、電源6,7と、トリガー電極8と、抵抗9とを備える。
 真空容器1は、排気口11を有し、排気口11から排気装置(図示せず)によって真空に引かれる。そして、真空容器1は、接地ノードGNDに接続される。
 保持部材2は、真空容器1内に配置される。アーク式蒸発源3は、真空容器1の側壁に固定される。陰極部材4は、アーク式蒸発源3に取り付けられる。シャッター5は、陰極部材4と基板20との間に陰極部材4に対向して配置される。
 電源6は、保持部材2と接地ノードGNDとの間に接続される。電源7は、アーク式蒸発源3と接地ノードGNDとの間に接続される。
 トリガー電極8は、一部が真空容器1の側壁を介して真空容器1内に配置され、残部が真空容器1外に配置される。そして、トリガー電極8は、例えば、モリブデン(Mo)からなり、抵抗9を介して接地ノードGNDに接続される。抵抗9は、トリガー電極8と接地ノードGNDとの間に接続される。
 保持部材2は、基板20を保持する。アーク式蒸発源3は、陰極部材4と真空容器1との間のアーク放電によって陰極部材4を局部的に加熱させて陰極物質を蒸発させる。シャッター5は、開閉機構(図示せず)によって矢印12の方向に移動する。
 電源6は、負の電圧を保持部材2を介して基板20に印加する。電源7は、負の電圧をアーク式蒸発源3に印加する。
 トリガー電極8は、往復駆動装置(図示せず)によって陰極部材4に接触または離反する。抵抗9は、アーク電流がトリガー電極8に流れるのを抑制する。
 図2は、図1に示す陰極部材4の構造を示す概念図である。図2を参照して、陰極部材4は、層Aと層Bとが交互に積層された構造からなる。層Aと層Bとの間隔は、3.35Åである。そして、層A,Bの各々は、炭素原子が二次元的に六角形に配列した構造からなる。この場合、六角形の一辺の長さは、1.415Åである。
 各層A,B内において、各炭素原子は、他の炭素原子と共有結合によって強固に結合する。層Aは、ファン・デル・ワールス力によって、隣接する層Bとゆるく結び付いている。
 陰極部材4は、層A,Bに平行な方向においては、極めて良好な熱伝導体となり、層A,Bに垂直な方向においては、セラミックおよびフェノール樹脂のように、熱絶縁体になる。そして、層A,Bに平行な方向における熱伝導率と、層A,Bに垂直な方向における熱伝導率との比は、約200:1である。
 また、陰極部材4は、層A,Bに平行な方向における比抵抗と層A,Bに垂直な方向における比抵抗との比は、約1200:1である。この値は、21~1650℃の温度領域における平均値である。
 このように、陰極部材4は、電気的特性および熱的特性において顕著な異方性を有する。これは、上述したように、層A,Bの面内方向と、層A,Bに垂直な方向とにおける結合力の違いに起因している。
 陰極部材4は、炭化水素ガスを原料ガスとしたCVD(Chemical Vapour Deposition)法によって製造される。この場合、炭化水素ガスは、基板に平行な方向から流す。これによって、図2に示す層A,Bが交互に積層する。
 このCVD法によって製造されたバルク状のカーボンは、東洋炭素株式会社から購入されたものであり、商品名は、PYROIDである。
 このように、この発明の実施の形態においては、CVD法によって製造されたバルク状のカーボンを陰極部材4として用いる。
 図3は、図1に示すプラズマ装置10を用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。図3を参照して、カーボン薄膜の製造が開始されると、CVD法によって製造されたバルク状のカーボンを陰極部材4としてアーク式蒸発源3に取り付ける(工程S1)。
 その後、排気口11を介して真空容器1内を排気し、真空容器1内の圧力を5×10-4Paに設定する。
 そうすると、電源6によって基板20に-10V~-300Vの負の電圧を印加し(工程S2)、電源7によってアーク式蒸発源3に-15V~-50Vの負の電圧を印加する(工程S3)。
 そして、往復駆動装置(図示せず)によってトリガー電極8を移動させ、アーク放電を開始させるトリガー電極8を陰極部材4に接触させ(工程S4)、その後、トリガー電極8を陰極部材4から離反させる。これによって、アーク放電が開始し、アークスポットが陰極部材4の表面に現れる。このアークスポットは、陰極部材4の溶融部であり、火花のように光っており、時間の経過とともに移動する。
 その後、アークスポットの移動が停止すると、シャッター5を開ける(工程S5)。これによって、カーボン薄膜(DLC:Dimond Like Carbon)が基板20上に形成される。
 そして、陰極部材4の表面において、アークスポットが再度移動し始めると、シャッター5を閉じる(工程S6)。
 これによって、カーボン薄膜の製造が終了する。
 なお、この発明の実施の形態1においては、電源6は、0Vの電圧を基板20に印加してもよい。また、シャッター5を開けたままでカーボン薄膜を製造してもよい。従って、この発明の実施の形態1によるカーボン薄膜の製造方法は、図3に示す工程S1,S3,S4を少なくとも備えていればよい。
 このように、カーボン薄膜は、アークスポットが陰極部材4の表面を移動しなくなったときに基板20上に形成される。そして、形成されたカーボン薄膜のラマン分光を測定した結果、カーボン薄膜は、アモルファス相からなることが解った。
 アークスポットが陰極部材4の表面を移動しているときに基板20上にカーボン薄膜を形成した場合、粗大粒子が基板20に付着し、カーボン薄膜の表面が粗くなる。
 しかし、アークスポットが陰極部材4の表面を移動しなくなったときにカーボン薄膜を基板20上に形成した場合、原子状のカーボンが基板20に付着し、カーボン薄膜の表面粗さが低減する。
 図4は、成長速度および表面粗さとアーク放電時のアーク電流との関係を示す図である。図4において、縦軸は、成長速度および表面粗さRaを表し、横軸は、アーク放電時のアーク電流Iarcを表す。また、曲線k1は、成長速度とアーク電流Iarcとの関係を示し、曲線k2は、表面粗さRaとアーク電流Iarcとの関係を示す。
 また、点P1は、従来のアーク放電方式を用いて製造したカーボン薄膜の成長速度を示し、点P2は、従来のアーク放電方式を用いて製造したカーボン薄膜の表面粗さRaを示す。ここで、従来のアーク放電方式とは、カーボンの粉末を固めたものを図1に示す陰極部材4として用いてアーク放電によって基板上にカーボン薄膜を形成する方式である。
 なお、図4に示す成長速度とアーク電流Iarcとの関係、および表面粗さRaとアーク電流Iarcとの関係は、陰極部材4と基板20との距離が270mmであり、カーボン薄膜の膜厚が50nmであるときに得られた。また、点P1によって表される成長速度および点P2によって表される表面粗さRaは、カーボン薄膜の膜厚が51nmであるときに得られた。
 図4を参照して、成長速度は、アーク放電時のアーク電流が増えるに従って急激に大きくなる。そして、アーク電流が100(A)であるとき、成長速度は、約15(μm/hr)まで大きくなる。
 一方、表面粗さRaは、アーク電流が増えるに従って若干低下する。そして、アーク電流が60(A)~100(A)の範囲においては、表面粗さRaは、3(nm)よりも小さい値に保持される。また、表面粗さRaは、アーク電流が80(A)であるときに、1.2(nm)と最も小さくなる。更に、アーク電流が60(A)であるとき、図3に示す製造方法によって製造したカーボン薄膜の表面粗さRaは、2.3(nm)であり、従来のアーク放電方式によって製造したカーボン薄膜の表面粗さRa=7.2(nm)に比べて非常に小さい。
 3(nm)よりも小さい表面粗さRaは、成長速度が2~15(μm/hr)の範囲において得られた値である。そして、表面粗さRaは、成長速度が速くなると、低下する傾向にある。従って、この成長速度の増加は、粗大粒子が基板20に飛来したことに起因するものではなく、より多くの原子状のカーボンが陰極部材4のアークスポットから基板20へ飛来したことに起因するものである。
 このように、図3に示す製造方法によってカーボン薄膜を製造した場合、カーボン薄膜は、3(nm)よりも小さい表面粗さRaを有する。
 図3に示す工程S5を実行するタイミングについて説明する。アークスポットが陰極部材4の表面を移動しているとき、80(A)のアーク電流で-20V程度の電圧がアーク式蒸発源3に印加されている。そして、アークスポットが陰極部材4の表面を移動しなくなり始めると、アーク式蒸発源3に印加された電圧は、80(A)のアーク電流において、-20V程度から直線的に低下し始め、-30V程度または-50V程度で一定になる。
 従って、アーク式蒸発源3に印加された電圧が-20V程度から低下し始めると、工程S5を実行すればよい。
 また、アークスポットは、火花のように光っているので、アークスポットが移動しているか否かを目視で確認できる。従って、アークスポットが移動していないことを目視で確認すると、工程S5を実行してもよい。
 上述したように、アークスポットが移動しなくなったときに、カーボン薄膜が基板20上に形成される。その結果、原子状のカーボンが陰極部材4から基板20へ飛来し、カーボン薄膜が基板20上に形成される。また、プラズマ装置10においては、陰極部材4は、真空容器1内に配置され、基板20に対向している。従って、簡単な構成で粗大粒子が基板20に付着するのを抑制してカーボン薄膜を製造できる。
 図5は、カーボン薄膜の面内方向における表面粗さのスペクトルを示す図である。図5の(a)は、図3に示す製造方法によって製造されたカーボン薄膜の表面粗さを示す。この場合、アーク電流は、80(A)である。また、図5の(b)は、従来のアーク放電方式によって製造されたカーボン薄膜の表面粗さを示す。この場合、アーク電流は、60(A)である。 
 図5の(a),(b)において、縦軸は、表面粗さを表し、横軸は、カーボン薄膜の面内方向における距離を表す。
 図3に示す製造方法によって製造されたカーボン薄膜は、面内方向において表面粗さが非常に小さい(図5の(a)参照)。
 一方、従来のアーク放電方式によって製造されたカーボン薄膜は、面内方向において表面粗さが非常に大きい(図5の(b)参照)。
 通常、アーク放電を用いて製造されたカーボン薄膜の表面粗さは、アーク電流が大きい方が大きくなる。図5の(a)に示すカーボン薄膜の表面粗さは、アーク電流が80(A)であるときに得られたにも拘わらず、アーク電流が60(A)であるときに得られた図5の(b)に示すカーボン薄膜の表面粗さよりも非常に小さい。
 従って、図3に示す製造方法を用いてカーボン薄膜を製造することによって、カーボン薄膜の表面粗さを従来のカーボン薄膜に比べて非常に小さくできる。
 図6は、この発明の実施の形態1による他のプラズマ装置の構成を示す概略図である。この発明の実施の形態によるプラズマ装置は、図6に示すプラズマ装置10Aであってもよい。
 図6を参照して、プラズマ装置10Aは、図1に示すプラズマ装置10の電源7を電源7Aに代え、制御装置13を追加したものであり、その他は、プラズマ装置10と同じである。
 電源7Aは、制御装置13からの制御に従って負の電圧をアーク式蒸発源3に印加する。制御装置13は、アーク放電の開始時に、-20V程度の電圧をアーク式蒸発源3に印加するように電源7Aを制御する。そして、制御装置13は、アーク放電が開始されてから所望の時間が経過すると、-30V~-50V程度の範囲の電圧をアーク式蒸発源3に印加するように電源7Aを制御するとともに、シャッター5を開けるように開閉機構(図示せず)を制御する。
 -20V程度の電圧がアーク式蒸発源3に印加されているとき、アークスポットは、陰極部材4の表面を移動する。
 一方、-30V~-50V程度の範囲の電圧がアーク式蒸発源3に印加されているとき、アークスポットは、陰極部材4の表面を移動しない。従って、アークスポットが移動しなくなるように制御したときにシャッター5を開けてカーボン薄膜を基板20上に形成する。
 図7は、図6に示すプラズマ装置10Aを用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。
 図7に示す工程図は、図3に示す工程図の工程S3~S6を工程S11~S15に代えたものであり、その他は、図3に示す工程図と同じである。
 図7を参照して、カーボン薄膜の製造が開始されると、上述した工程S1,S2が順次実行される。そして、工程S2の後、制御装置13は、-20V程度の電圧からなる第1の負の電圧をアーク式蒸発源3に印加するように電源7Aを制御し、電源7Aは、第1の負の電圧(=-20V程度)をアーク式蒸発源3に印加する(工程S11)。
 そして、往復駆動装置(図示せず)によってトリガー電極8を移動させ、アーク放電を開始させるトリガー電極8を陰極部材4に接触させ(工程S12)、その後、トリガー電極8を陰極部材4から離反させる。これによって、アーク放電が開始する。
 アーク放電が開始されてから所望の時間が経過すると、制御装置13は、-30V~-50V程度の範囲の電圧からなる第2の負の電圧をアーク式蒸発源3に印加するように電源7Aを制御し、電源7Aは、第2の負の電圧(=-30V~-50V程度の範囲の電圧)をアーク式蒸発源3に印加する(工程S13)。また、制御装置13は、シャッター5を開けるように開閉機構(図示せず)を制御し、開閉機構は、シャッター5を開ける(工程S14)。
 その後、一定の時間が経過すると、制御装置13は、シャッター5を閉じるように開閉機構(図示せず)を制御し、開閉機構は、シャッター5を閉じる(工程S15)。
 これによって、カーボン薄膜の製造が終了する。
 このように、-30V~-50V程度の範囲の電圧がアーク式蒸発源3に印加されているときに、カーボン薄膜が基板20上に形成される。その結果、原子状のカーボンが陰極部材4から基板20へ飛来し、カーボン薄膜が基板20上に形成される。また、プラズマ装置10Aにおいては、陰極部材4は、真空容器1内に配置され、基板20に対向している。従って、簡単な構成で粗大粒子が基板20に付着するのを抑制してカーボン薄膜を製造できる。
 なお、この発明の実施の形態1においては、電源6は、0Vの電圧を基板20に印加してもよい。また、シャッター5を開けたままでカーボン薄膜を製造してもよい。更に、CVD法によって製造されたバルク状のカーボンを陰極部材4として用いなくてもよく、カーボンの粉末を固めたものを陰極部材4として用いてもよい。従って、この発明の実施の形態によるカーボン薄膜の製造方法は、図6に示す工程S11~S13を少なくとも備えていればよい。
 また、この発明の実施の形態1においては、アルゴン(Ar)ガスを真空容器1内に導入してアーク放電によってカーボン薄膜を基板20上に形成してもよい。Arガスを真空容器1内に導入するのは、アーク放電を安定化させるためである。
 更に、陰極部材4は、好ましくは、図2に示す層A,Bの面内方向がアーク式蒸発源3から基板20へ向かう方向に垂直になるように製造される。層A,Bの面内方向に垂直な方向における熱伝導率は、上述したように、層A,Bの面内方向における熱伝導率よりも非常に小さいので、陰極部材4がアーク放電によって加熱されると、熱が陰極部材4からアーク式蒸発源3へ逃げ難くなり、原子状のカーボンが陰極部材4から放出され易くなるからである。また、上述したように、層Aと層Bとの結合力が弱いことも、原子状のカーボンが陰極部材4から放出され易くなる要因であると考えられる。
 [実施の形態2]
 図8は、実施の形態2によるプラズマ装置の構成を示す概略図である。図8を参照して、実施の形態2によるプラズマ装置10Bは、図1に示すプラズマ装置10の陰極部材4を陰極部材41に代えたものであり、その他は、プラズマ装置10と同じである。
 陰極部材41は、アーク式蒸発源3に取り付けられる。そして、陰極部材41は、上述した陰極部材4と同じ層状構造のカーボンからなる。また、陰極部材41は、基板20側へ突出した突起部を有する。
 図9は、図8に示す陰極部材41の斜視図である。また、図10は、図9に示す線X-X間における陰極部材41の断面図である。
 図9および図10を参照して、陰極部材41は、本体部411と、突起部412とを含む。本体部411は、円盤形状を有する。突起部412は、円柱形状を有する。そして、突起部412は、突起部412の中心軸X2が本体部411の中心軸X1に一致するように本体部411上に配置される。なお、本体部411および突起部412は、一体的に作製される。
 本体部411は、例えば、64mmφの直径R1を有し、10mmの高さH1を有する。突起部412は、例えば、コンマ数mm~数cmの直径R2を有し、数mm~数cmの高さH2を有する。
 陰極部材41は、次の方法によって作製される。炭化水素ガスを原料ガスとしたCVD法によって、円柱形状を有し、かつ、層状構造(図2参照)からなるカーボンを作製する。その後、その作製したカーボンを突起部412を有するように旋盤加工して陰極部材41を作製する。なお、突起部412を形成する方法は、旋盤加工に限らず、エッチング(ウェットエッチングおよびドライエッチングの両方を含む)であってもよく、突起部412を形成可能な方法であれば、どのような方法であってもよい。
 層状構造のカーボンからなる陰極部材を用いてアーク放電によってカーボン薄膜を形成した場合、アーク放電の放電モードには、2種類の放電モードがある。第1の放電モードは、パーティクルが発生するモードであり、第2の放電モードは、パーティクルが発生しないモードである。
 なお、この明細書においては、パーティクルとは、サイズが50nm~数μmであるカーボンの粒を言う。
 第1の放電モードでカーボン薄膜を形成した場合、カーボン薄膜の表面粗さは、非常に悪いが、第2の放電モードでカーボン薄膜を形成した場合、カーボン薄膜の表面粗さは、図5の(a)に示すように非常に良好である。
 図11は、実施の形態2における別の陰極部材を示す断面図である。実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図11に示す陰極部材41Aを備えていてもよい。
 図11を参照して、陰極部材41Aは、陰極部材41に支持部413を追加したものであり、その他は、陰極部材41と同じである。
 支持部413は、本体部411と突起部412との間に配置され、本体部411および突起部412に接する。そして、支持部413は、突起部412の直径R2よりも小さい直径を有する。
 陰極部材41Aにおいては、本体部411、突起部412および支持部413は、層状構造のカーボンを旋盤加工することによって一体的に作製される。そして、陰極部材41Aは、本体部411をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部412は、基板20側へ突出している。
 陰極部材41Aをアーク式蒸発源3に取り付け、トリガー電極8を陰極部材41Aの突起部412に接触させてアーク放電を発生させると、陰極部材41Aおよびアーク式蒸発源3を介して電流が流れ、陰極部材41Aが熱せられる。そして、突起部412は、支持部413に接するため、熱は、突起部412が本体部411に接する場合よりも突起部412から支持部413を介して本体部411へ逃げ難くなる。従って、突起部412を局部的に加熱できる。その結果、より多くの熱電子が突起部412から放出され、安定したアーク放電を長時間持続できる。また、原子状のカーボンが突起部412から放出され易くなり、カーボン薄膜の平坦性を向上できる。
 好ましくは、陰極部材41Aにおいては、本体部411、突起部412および支持部413は、図2に示す各層A,Bが図11に示す方向DR1と略平行になるように一体的に作製される。
 上述したように、各層A,Bに垂直な方向における熱伝導率は、各層A,Bの面内方向における熱伝導率に比べ非常に小さいため、図2に示す各層A,Bが図11に示す方向DR1と略平行になるように本体部411、突起部412および支持部413を作製することによって、熱が突起部412から本体部411へ更に逃げ難くでき、突起部412を局部的に加熱できるからである。
 図12は、実施の形態2における更に別の陰極部材を示す断面図である。実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図12に示す陰極部材41Bを備えていてもよい。
 図12を参照して、陰極部材41Bは、図11に示す陰極部材41Aの支持部413を金属部材414に代えたものであり、その他は、陰極部材41Aと同じである。
 金属部材414は、円柱形状からなり、突起部412の直径R2よりも小さい直径を有する。また、金属部材414は、例えば、Moからなる。そして、金属部材414は、本体部411と突起部412との間に配置され、本体部411および突起部412に接する。金属部材414の具体例は、例えば、2.7mmφの直径を有するネジである。
 陰極部材41Bは、層状構造のカーボンを旋盤加工して本体部411および突起部412を作製し、金属部材414の一方端に本体部411を固定し、金属部材414の他方端に突起部412を固定することによって作製される。そして、陰極部材41Bは、本体部411をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部412は、基板20側へ突出している。
 陰極部材41Bにおいても、陰極部材41Aと同様に、熱が突起部412から本体部411へ逃げ難くできる。
 好ましくは、陰極部材41Bにおいては、突起部412は、図2に示す各層A,Bが図12に示す方向DR1と略平行になるように金属部材414に固定される。
 これによって、熱が突起部412から本体部411へ更に逃げ難くできる。
 なお、陰極部材41Bにおいては、本体部411が無くてもよい。本体部411が無くても、熱が突起部412から逃げ難くできるからである。この場合、金属部材414がアーク式蒸発源3に固定される。
 上述したように、陰極部材41Aにおいては、突起部412は、支持部413よりも大きい直径を有する。従って、方向DR1に平行な方向における支持部413の面積は、方向DR1に平行な方向における突起部412の面積よりも小さい。
 また、上述したように、陰極部材41Bにおいては、突起部412は、金属部材414よりも大きい直径を有する。従って、方向DR1に平行な方向における金属部材414の面積は、方向DR1に平行な方向における突起部412の面積よりも小さい。
 よって、実施の形態2における陰極部材は、アーク式蒸発源3から基板20へ向かう方向と垂直な方向において第1の面積を有し、層状構造のカーボンからなる突起部412(=陰極部)と、アーク式蒸発源3から基板20へ向かう方向と垂直な方向において第1の面積よりも小さい第2の面積を有するとともに突起部412(=陰極部)とアーク式蒸発源3との間に配置され、突起部412(=陰極部)を支持する支持部413(=金属部材414)とを含むものであればよい。
 図13は、パーティクルが発生しない放電割合とアーク電流との関係を示す図である。図13において、縦軸は、パーティクルが発生しない放電割合を表し、横軸は、アーク電流を表す。そして、パーティクルが発生しない放電割合は、5分間におけるパーティクルが発生しない放電割合である。
 また、黒四角は、陰極部材41Bを用いた場合のパーティクルが発生しない放電割合とアーク電流との関係を示し、黒菱形は、突起部の無い層状構造のカーボンを陰極部材として用いた場合のパーティクルが発生しない放電割合とアーク電流との関係を示す。
 なお、陰極部材41を用いた場合のパーティクルが発生しない放電割合(黒四角)は、パーティクルが発生しない5個の放電割合の平均値であり、パーティクルが発生しない5個の放電割合は、エラーバーによって示されている。
 図13を参照して、突起部の無い層状構造のカーボンを陰極部材として用いた場合、パーティクルが発生しない放電割合は、50%以下である(黒菱形参照)。
 一方、突起部412を有する陰極部材41Bを用いた場合、パーティクルが発生しない放電割合は、88%程度であり、パーティクルが発生しない放電割合の範囲は、約80%~100%の範囲である。
 従って、突起部412を有する陰極部材41Bを用いることによって、パーティクルが発生しない放電割合を飛躍的に大きくできる。
 パーティクルが発生しない放電割合が50%以下である場合、第1の放電モードが50%以上になり、第2の放電モードが50%以下になる。その結果、パーティクルが基板20に飛来するのを避けるためには、第1の放電モードになると、シャッター5を閉じ、第2の放電モードになると、シャッター5を開ける必要がある。また、パーティクルが基板20に飛来するのを避けるためには、第1の放電モードになると、アーク放電を停止し、再度、アーク放電を開始して第2の放電モードによってカーボン薄膜を形成する必要がある。
 従って、非常に煩雑な操作を行う必要があり、実効的な成膜速度が遅くなり、生産性が悪くなるという欠点がある。
 一方、突起部412を有する陰極部材41Bを用いた場合、パーティクルが発生しない放電割合は、80%~100%の範囲に入っているので、第1の放電モードおよび第2の放電モードの両方によってカーボン薄膜を成膜しても、表面粗さは、それほど悪くならない。また、第2の放電モードのみによってカーボン薄膜を成膜する場合でも、第1の放電モードにおいてシャッター5を閉じる回数は、格段に減少し、またはアーク放電を中止し、再度、アーク放電を開始して第2の放電モードでカーボン薄膜を成膜するように操作する回数も、格段に減少する。
 従って、煩雑な操作を必要とする回数は、格段に減少し、実効的な成膜速度もそれほど遅くならず、その結果、生産性の低下も問題にならない。
 このように、突起部412を有する陰極部材41Bを用いることによって、パーティクルが成膜に寄与する割合を非常に低くして、主に、原子状のカーボンを基板20に飛来させてカーボン薄膜を製造できる。その結果、表面粗さが非常に小さいカーボン薄膜を得ることができる。
 図14は、図8に示すプラズマ装置10Bを用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。
 図14に示す工程図は、図3に示す工程図の工程S1を工程S1Aに代えたものであり、その他は、図3に示す工程図と同じである。
 図14を参照して、カーボン薄膜の製造が開始されると、CVD法によって製造され、かつ、突起部412を有するバルク状のカーボンを陰極部材41としてアーク式蒸発源3に取り付ける(工程S1A)。
 その後、上述した工程S2~S6を順次実行する。これによって、カーボン薄膜が基板20上に製造される。
 図14に示す工程図に従ってカーボン薄膜を製造することによって、上述したように、主に、原子状のカーボンを基板20に飛来させてカーボン薄膜を製造できる。その結果、カーボン薄膜の平坦性を向上できる。
 図15は、実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。また、図16は、図15に示す線XVI-XVI間における陰極部材41Cの断面図である。
 実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図15および図16に示す陰極部材41Cを備えていてもよい。
 図15および図16を参照して、陰極部材41Cは、図9に示す陰極部材41の突起部412を突起部412A,412B,412C,412Dに代えたものであり、その他は、陰極部材41と同じである。
 突起部412A,412B,412C,412Dの各々は、円柱形状を有し、層状構造のカーボンからなる。そして、突起部412A,412B,412C,412Dの各々は、本体部411の直径R1よりも小さい直径を有する。また、突起部412A,412B,412C,412Dの各々は、例えば、数mm~数cmの高さを有する。更に、突起部412A,412B,412C,412Dは、例えば、碁盤目状に本体部411上に配置される。この場合、突起部412A,412B,412C,412Dの相互の間隔は、任意である。更に、本体部411および突起部412A,412B,412C,412Dは、一体的に作製される。そして、陰極部材41Cは、本体部411をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部412A,412B,412C,412Dは、基板20側へ突出している。
 陰極部材41Cは、層状構造のカーボンを旋盤加工することによって作製される。
 なお、陰極部材41Cにおいては、突起部412A,412B,412C,412Dは、碁盤目状に限らず、任意の間隔でランダムに配置されていてもよい。
 また、陰極部材41Cは、4個の突起部412A,412B,412C,412Dに限らず、2個の突起部を備えていてもよく、3個の突起部を備えていてもよく、5個以上の突起部を備えていてもよく、一般的には、2個以上の突起部を備えていればよい。そして、2個以上の突起部は、碁盤目状に配置されていてもよく、任意の間隔でランダムに配置されていてもよい。また、2個以上の突起部は、相互に同じ直径を有していてもよく、相互に異なる直径を有していてもよい。
 図17は、実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。また、図18は、図17に示す線XVIII-XVIII間における陰極部材41Dの断面図である。
 実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図17および図18に示す陰極部材41Dを備えていてもよい。
 図17および図18を参照して、陰極部材41Dは、図9に示す陰極部材41の突起部412を突起部415に代えたものであり、その他は、陰極部材41と同じである。
 突起部415は、ドーナツ形状を有し、層状構造のカーボンからなる。そして、突起部415は、本体部411の直径R1に等しい外径と、例えば、1mm~10mmの幅とを有する。また、突起部415は、例えば、数mm~数cmの高さを有する。更に、本体部411および突起部415は、一体的に作製される。そして、陰極部材41Dは、本体部411をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部415は、基板20側へ突出している。
 陰極部材41Dは、層状構造のカーボンを旋盤加工することによって作製される。
 なお、突起部415は、本体部411の直径R1と同じ外径に限らず、本体部411の直径R1よりも小さい外径を有していてもよい。
 図19は、実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。また、図20は、図19に示す線XX-XX間における陰極部材41Eの断面図である。
 実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図19および図20に示す陰極部材41Eを備えていてもよい。
 図19および図20を参照して、陰極部材41Eは、図17及び図18に示す陰極部材41Dに突起部416を追加したものであり、その他は、陰極部材41Dと同じである。
 突起部416は、ドーナツ形状を有し、層状構造のカーボンからなる。そして、突起部416は、突起部415の内周側に配置され、例えば、1mm~10mmの幅を有する。また、突起部416は、例えば、数mm~数cmの高さを有する。更に、突起部415と突起部416との間隔は、任意である。更に、本体部411および突起部415,416は、一体的に作製される。そして、陰極部材41Eは、本体部411をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部415,416は、基板20側へ突出している。
 陰極部材41Eは、層状構造のカーボンを旋盤加工することによって作製される。
 なお、突起部415は、突起部416と同じ幅を有していてもよく、突起部416と異なる幅を有していてもよい。
 図21は、実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。また、図22は、図21に示す線XXII-XXII間における陰極部材41Fの断面図である。
 実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図21および図22に示す陰極部材41Fを備えていてもよい。
 図21および図22を参照して、陰極部材41Fは、本体部418と、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fとを含む。
 本体部418は、正方形である表面418Aを有する平板形状を有し、層状構造のカーボンからなる。そして、本体部418の一辺の長さは、例えば、64mmである。また、本体部418は、本体部411と同じ高さH1(=10mm)を有する。
 突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fの各々は、表面418Aと平行な平面で切断した断面形状が正方形である柱状形状を有し、層状構造のカーボンからなる。そして、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fの各々は、本体部418の一辺の長さよりも短い一辺の長さを有し、一辺の長さは、例えば、数mm~数cmである。また、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fの各々は、例えば、数mm~数cmの高さを有する。更に、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fは、例えば、碁盤目状に本体部418上に配置される。この場合、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fの相互の間隔は、任意である。更に、本体部418および突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fは、一体的に作製される。そして、陰極部材41Fは、本体部418をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fは、基板20側へ突出している。
 陰極部材41Fは、次の方法によって作製される。炭化水素ガスを原料ガスとしたCVD法によって、正方形である平面を有する平板形状を有し、かつ、層状構造(図2参照)からなるカーボンを作製する。その後、その作製したカーボンを突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fを有するように旋盤加工して陰極部材41Fを作製する。なお、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fを形成する方法は、旋盤加工に限らず、エッチング(ウェットエッチングおよびドライエッチングの両方を含む)であってもよく、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fを形成可能な方法であれば、どのような方法であってもよい。
 なお、陰極部材41Fにおいては、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fは、碁盤目状に限らず、任意の間隔でランダムに配置されていてもよい。
 また、陰極部材41Fは、6個の突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fに限らず、1個~5個の突起部を備えていてもよく、7個以上の突起部を備えていてもよく、一般的には、1個以上の突起部を備えていればよい。そして、陰極部材41Fが2個以上の突起部を備える場合、2個以上の突起部は、碁盤目状に配置されていてもよく、任意の間隔でランダムに配置されていてもよい。また、2個以上の突起部は、相互に同じ一辺の長さを有していてもよく、相互に異なる一辺の長さを有していてもよい。
 更に、本体部418は、断面形状が正方形でなくてもよく、断面形状が長方形であってもよい。この場合、長方形の長辺および短辺の長さは、任意の値に設定される。
 更に、突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fの各々は、断面形状が正方形でなくてもよく、断面形状が長方形であってもよい。この場合、長方形の長辺および短辺の長さは、本体部418の一辺の長さよりも短い範囲または本体部418の長辺よりも短い範囲において任意の長さに設定される。
 更に、陰極部材41Fは、断面形状が四角形である平板形状を有する本体部に限らず、断面形状が三角形である平板形状を有する本体部、または断面形状が5角形である平板形状を有する本体部を備えていてもよく、一般的には、断面形状が多角形である平板形状を有する本体部を備えていればよい。
 更に、陰極部材41Fは、断面形状が四角形である柱状形状を有する突起部に限らず、断面形状が三角形である柱状形状を有する突起部、または断面形状が5角形である柱状形状を有する突起部を備えていてもよく、一般的には、断面形状が多角形である柱状形状を有する突起部を備えていればよい。
 図23は、実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。また、図24は、図23に示す線XXIV-XXIV間における陰極部材41Gの断面図である。
 実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図23および図24に示す陰極部材41Gを備えていてもよい。
 図23および図24を参照して、陰極部材41Gは、図21および図22に示す陰極部材41Fの突起部419A,419B,419C,419D,419E,419Fを突起部420に代えたものであり、その他は、陰極部材41Fと同じである。
 突起部420は、環状形状を有し、層状構造のカーボンからなる。そして、突起部420は、本体部418の周縁に沿って本体部418上に配置される。また、突起部420の幅は、例えば、数mm~1cmであり、突起部420の高さは、例えば、数mm~数cmである。更に、突起部420は、本体部418と一体的に作製される。
 陰極部材41Gは、平板形状を有し、かつ、層状構造のカーボンを旋盤加工することによって作製される。そして、陰極部材41Gは、本体部418をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部420は、基板20側へ突出している。
 図25は、実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。図26は、図25に示す線XXVI-XXVI間における陰極部材41Hの断面図である。
 実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図25および図26に示す陰極部材41Hを備えていてもよい。
 図25および図26を参照して、陰極部材41Hは、図23および図24に示す陰極部材41Gに突起部421を追加したものであり、その他は、陰極部材41Gと同じである。
 突起部421は、四角形である平面421Aを有する柱状形状を有し、層状構造のカーボンからなる。そして、突起部421は、突起部420の内周側において本体部418上に配置される。また、突起部421は、突起部420と同じ高さを有する。更に、突起部420と突起部421との間隔は、例えば、数mm~1cmである。更に、突起部421の平面421Aの寸法は、突起部420の内側の寸法、および突起部420と突起部421との間隔を考慮して任意の値に設定される。更に、本体部418および突起部420,421は、一体的に作製される。
 陰極部材41Hは、平板形状を有し、かつ、層状構造のカーボンを旋盤加工することによって作製される。そして、陰極部材41Hは、本体部418をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部420,421は、基板20側へ突出している。
 図27は、実施の形態2における更に別の陰極部材の概略図である。また、図28は、図27に示す線XXVIII-XXVIII間の陰極部材41Iの断面図である。
 実施の形態2においては、プラズマ装置10Bは、陰極部材41に代えて図27および図28に示す陰極部材41Iを備えていてもよい。
 図27および図28を参照して、陰極部材41Iは、図23および図24に示す陰極部材41Gの突起部420を突起部422~427に代えたものであり、その他は、陰極部材41Gと同じである。
 突起部422~427の各々は、平板形状を有し、層状構造のカーボンからなる。また、突起部422~427の各々は、例えば、数mmの厚みを有し、例えば、数mm~1cmの高さを有する。更に、突起部422~427は、所望の間隔で略平行に本体部418上に配置される。更に、本体部418および突起部422~427は、一体的に作製される。
 陰極部材41Iは、平板形状を有し、かつ、層状構造のカーボンを突起部422~427を有するように旋盤加工することによって作製される。そして、陰極部材41Iは、本体部418をアーク式蒸発源3に固定することによってアーク式蒸発源3に取り付けられる。従って、突起部422~427は、基板20側へ突出している。
 なお、陰極部材41Iにおいては、突起部の個数は、6個に限らず、1個以上であればよい。
 また、陰極部材41Iにおいては、6個の突起部422~427は、相互に同じ間隔で配置されていなくてもよく、ランダムな間隔で配置されていてもよい。
 更に、陰極部材41Iが複数の突起部を備える場合、複数の突起部は、平行に配置されていなくてもよい。
 更に、実施の形態2において使用される陰極部材は、陰極部材41から陰極部材41Aまたは陰極部材41Bへの変更と同じ変更が陰極部材41C~41Iに適用されたものであってもよい。
 上記においては、各種の陰極部材41,41A~41Iについて説明した。従って、実施の形態2における陰極部材は、基板20側へ突出した少なくとも1つの突起部を有していればよい。
 プラズマ装置10Bが陰極部材41A~41Iのいずれかを備える場合、カーボン薄膜は、図12に示す工程図に従って製造される。この場合、工程S1Aにおいて、陰極部材41A~41Iのいずれかがアーク式蒸発源3に取り付けられる。
 図29は、実施の形態2による別のプラズマ装置の構成を示す概略図である。実施の形態2によるプラズマ装置は、図29に示すプラズマ装置10Cであってもよい。
 図29を参照して、プラズマ装置10Cは、図8に示すプラズマ装置10Bのトリガー電極8をトリガー電極8Aに代え、絶縁部材14、ベローズ15、保持部材16および駆動装置17を追加したものであり、その他は、プラズマ装置10Bと同じである。
 なお、プラズマ装置10Cにおいては、X軸、Y軸およびZ軸が図29に示すように定義される。
 トリガー電極8Aは、真空容器1の側壁に設けられた貫通孔1Aを通って配置され、一方端が陰極部材41に対向し、他方端が保持部材16に固定される。そして、トリガー電極8Aは、トリガー電極8と同じ材料からなる。
 絶縁部材14は、貫通孔1Aを囲むように真空容器1の側壁にOリング(図示せず)を介して固定される。ベローズ15は、絶縁部材14と保持部材16との間に配置され、絶縁部材14および保持部材16に固定される。保持部材16は、トリガー電極8Aの他方端に固定され、例えば、Moからなる。また、保持部材16は、抵抗9を介して接地電位GNDに電気的に接続される。
 ベローズ15は、Z軸方向に伸縮可能であり、ベローズ15の保持部材16に近い部分は、X-Y平面における保持部材16の移動に伴って移動可能である。
 保持部材16は、駆動装置17によって、Z軸方向に移動するとともに、X-Y平面において移動する。
 駆動装置17は、後述する方法によって、保持部材16をZ軸方向へ移動させるとともに、保持部材16をX-Y平面において移動させる。
 なお、抵抗9と保持部材16とを接続する配線は、実際には、螺旋状の形状を有するので、保持部材16がZ軸方向およびX-Y平面において移動しても、保持部材16は、配線によって抵抗9に安定に接続される。
 図30は、図29に示す駆動装置17の構成を示す概略図である。図30を参照して、駆動装置17は、棒部材171と、凹凸部材172,177,180と、歯車173,178,181と、モータ174,179,182と、台部材175,183と、支持部材176,184とを含む。
 棒部材171は、絶縁物からなり、Z軸に沿って配置される。そして、棒部材171は、一方端が保持部材16に連結される。凹凸部材172は、棒部材171に固定される。歯車173は、凹凸部材172に嵌合する。モータ174は、台部材175上に配置される。そして、モータ174の回転軸174Aは、歯車173に連結される。台部材175は、支持部材176上に配置される。
 凹凸部材177は、支持部材176に固定される。歯車178は、凹凸部材177に嵌合する。モータ179は、支持部材184上に配置される。そして、モータ179の回転軸179Aは、歯車178に連結される。
 凹凸部材180は、支持部材176に固定される。歯車181は、凹凸部材180に嵌合する。モータ182は、台部材183上に配置される。そして、モータ182の回転軸182Aは、歯車181に連結される。台部材183は、支持部材184に固定される。支持部材184は、真空容器1の側壁に固定される。
 図31は、図30に示す凹凸部材177の斜視図である。また、図32は、図30に示す別の凹凸部材180の斜視図である。
 図31を参照して、凹凸部材177は、断面形状が三角形である複数の凹凸からなる。そして、複数の凹凸は、Y軸方向に沿って配置される。そして、複数の凹凸の各々は、X軸方向において、保持部材16がX軸方向に移動する範囲よりも長い長さを有する。また、歯車178は、凹凸部材177の複数の凹凸に嵌合するとともに、支持部材176がX軸方向へ移動したとき、凹凸部材177の凹凸に嵌合した状態でX軸方向へスライドする。
 図32を参照して、凹凸部材180は、断面形状が三角形である複数の凹凸からなる。そして、複数の凹凸は、X軸方向に沿って配置される。そして、複数の凹凸の各々は、Y軸方向において、保持部材16がY軸方向に移動する範囲よりも長い長さを有する。また、歯車181は、凹凸部材180の複数の凹凸に嵌合するとともに、支持部材176がY軸方向へ移動したとき、凹凸部材180の凹凸に嵌合した状態でY軸方向へスライドする。
 モータ174は、回転軸174Aを時計回りまたは反時計回りに回転させる。その結果、歯車173は、回転軸174Aの回転に応じて、時計回りまたは反時計回りに回転する。棒部材171は、歯車173が時計回りに回転すると、Z軸の正方向(陰極部材41から基板20へ向かう方向)へ移動し、歯車173が反時計回りに回転すると、Z軸の負方向(基板20から陰極部材41へ向かう方向)へ移動する。
 モータ179は、回転軸179Aを時計回りまたは反時計回りに回転させる。その結果、歯車178は、回転軸179Aの回転に応じて、時計回りまたは反時計回りに回転する。支持部材176は、歯車178が時計回りに回転すると、Y軸の正方向(図30の紙面上、手前から奥へ向かう方向)へ移動し、歯車178が反時計回りに回転すると、Y軸の負方向(図30の紙面上、奥から手前へ向かう方向)へ移動する。この支持部材176の移動に伴って、歯車181は、凹凸部材180の凹凸に嵌合した状態で凹凸をY軸の正方向または負方向へスライドする。
 モータ182は、回転軸182Aを時計回りまたは反時計回りに回転させる。その結果、歯車181は、回転軸182Aの回転に応じて、時計回りまたは反時計回りに回転する。支持部材176は、歯車181が時計回りに回転すると、X軸の負方向(図30の紙面上、上側から下側へ向かう方向)へ移動し、歯車181が反時計回りに回転すると、X軸の正方向(図30の紙面上、下側から上側へ向かう方向向)へ移動する。この支持部材176の移動に伴って、歯車178は、凹凸部材177の凹凸に嵌合した状態で凹凸をX軸の正方向または負方向へスライドする。
 このように、駆動装置17は、保持部材16をX軸、Y軸およびZ軸に沿って移動させる。その結果、トリガー電極8Aは、保持部材16の移動に伴って、X軸、Y軸およびZ軸に沿って移動する。
 図33は、図29に示すトリガー電極8Aの移動範囲を説明するための平面図である。図33を参照して、陰極部材41は、X-Y平面に平行に配置されている。トリガー電極8Aの一方端(陰極部材41に対向する一方端)は、保持部材16が駆動装置17によってX-Y平面内で移動することに伴って、突起部412の平面内をX軸方向および/またはY軸方向に移動する。
 これによって、トリガー電極8Aを陰極部材41の突起部412の任意の場所に接触させることができる。
 その結果、アーク放電したときのアークスポットが移動しない場合でも、アーク放電の開始から所望の時間が経過した後、またはアーク放電を停止させた後に、トリガー電極8Aと陰極部材41の突起部412とを別の位置で接触させることによって、新たな箇所でアーク放電を発生させることができる。従って、新たな箇所でアーク放電を発生させることを順次行うことによって、陰極部材41を有効に使用することができる。
 また、プラズマ装置10Cが陰極部材41に代えて陰極部材41A~41Iのいずれかを備える場合にも、同様に、陰極部材41A~41Iを有効に使用することができる。特に、複数の突起部を備える陰極部材41C,41E,41F,41H,41Iを用いた場合、複数の突起部の各々においてアーク放電を発生させることができ、複数の突起部の全てを利用してカーボン薄膜を製造できる。
 図34は、図29に示すプラズマ装置10Cを用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。
 図34に示す工程図は、図12に示す工程図に工程S7~S9を追加したものであり、その他は、図12に示す工程図と同じである。
 図34を参照して、カーボン薄膜の製造が開始されると、上述した工程S1A,S2~S6が順次実行される。
 そして、工程S6の後、アーク放電の開始から所望の時間が経過したか、またはアーク放電を停止させたかを判定することによって、新たなアーク放電を開始するか否かが判定される(工程S7)。この場合、アーク放電の開始から所望の時間が経過したとき、またはアーク放電を停止させたとき、新たなアーク放電を開始すると判定される。
 工程S7において、新たなアーク放電を開始しないと判定されたとき、上述した工程S5~S7が順次実行される。
 一方、工程S7において、新たなアーク放電を開始すると判定されたとき、カーボン薄膜の膜厚が所望の膜厚に達したか否かが更に判定される(工程S8)。
 工程S8において、カーボン薄膜の膜厚が所望の膜厚に達していないと判定されたとき、トリガー電極8Aを駆動装置17によってX-Y平面内で移動させ、トリガー電極8Aと陰極部材41等とを別の位置で接触させ(工程S9)、その後、トリガー電極8Aを陰極部材41等から離反する。そして、上述した工程S5~S9が順次実行される。
 そして、工程S8において、カーボン薄膜の膜厚が所望の膜厚に達したと判定されたとき、カーボン薄膜の製造が終了する。
 このように、図34に示す工程図に従ってカーボン薄膜を製造することによって、陰極部材41,41A~41Hの任意の場所でアーク放電を開始でき、陰極部材41,41A~41Hを有効に使用できる。
 図35は、実施の形態2による更に別のプラズマ装置の構成を示す概略図である。実施の形態2によるプラズマ装置は、図35に示すプラズマ装置10Dであってもよい。
 図35を参照して、プラズマ装置10Dは、図29に示すプラズマ装置10Cの抵抗9を切替スイッチ91および抵抗92,93に代えたものであり、その他は、プラズマ装置10Cと同じである。
 切替スイッチ91は、スイッチ911と端子912,913とを含む。スイッチ911は、保持部材16に電気的に接続される。端子912は、抵抗92に電気的に接続される。端子913は、抵抗93に電気的に接続される。
 抵抗92は、端子912と、電源7および接地電位GNDとの間に接続される。抵抗93は、端子913と、電源7および接地電位GNDとの間に接続される。抵抗92は、一般的に、アーク放電の放電抵抗よりも大きい抵抗値を有し、例えば、2Ωの抵抗値を有する。また、抵抗93は、一般的に、アーク放電の放電抵抗よりも小さい抵抗値を有し、例えば、0.1Ωの抵抗値を有する。
 スイッチ911は、制御装置(図示せず)からの制御に従って、アーク放電中、端子912に接続され、新たなアーク放電を開始するとき、端子913に接続される。
 トリガー電極8Aとアノード電位との間に挿入される抵抗は、通常、放電がトリガー電極8Aとカソード(陰極部材41)との間で生じることを抑制する。このため、カソード(陰極部材41)とアノードとの間のアーク放電中にトリガー電極8Aをカソード(陰極部材41)の表面に接触させても、接触点から新たにアーク放電が発生することはない。
 しかし、トリガー時に、トリガー電極8Aとアノード電位との間に挿入される抵抗を放電抵抗よりも小さくすることによって、新たにアーク放電を発生させることができる。
 そこで、プラズマ装置10Dにおいては、アーク放電中、スイッチ911を端子912を介して抵抗92に接続し、新たなアーク放電を開始するとき、スイッチ911を端子913を介して抵抗93(=放電抵抗よりも小さい抵抗)に接続することにした。
 なお、プラズマ装置10Dは、切替スイッチ91および抵抗92,93に代えて可変抵抗器を備えていてもよい。この場合、可変抵抗器の抵抗値は、アーク放電中、放電抵抗よりも大きい抵抗値に設定され、新たなアーク放電を開始するとき、放電抵抗よりも小さい抵抗値に設定される。
 図36は、図35に示すプラズマ装置10Dを用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。
 図36に示す工程図は、図34に示す工程図の工程S2と工程S3との間に工程S21を追加し、工程S4と工程S5との間に工程S22を追加し、工程S8と工程S9との間に工程S23を追加したものであり、その他は、図34に示す工程図と同じである。
 図36を参照して、カーボン薄膜の製造が開始されると、上述した工程S1A,S2が順次実行され、その後、スイッチ911は、制御装置(図示せず)からの制御に従って端子913を介して抵抗93に接続される(工程S21)。
 そして、上述した工程S3,S4が順次実行される。工程S4の実行によって、アーク放電が発生するので、スイッチ911は、制御装置(図示せず)からの制御に従って端子912を介して抵抗92に接続される(工程S22)。
 その後、上述した工程S5~S8が順次実行される。そして、工程S8において、カーボン薄膜の膜厚が所望の膜厚に達していないと判定されると、スイッチ911は、制御装置(図示せず)からの制御に従って、端子913を介して抵抗93に接続され(工程S23)、上述したステップS9が実行される。これによって、陰極部材41の新たな位置でアーク放電が発生する。
 その後、上述した工程S22,S5~S8,S23,S9が繰り返し実行され、工程S8において、カーボン薄膜の膜厚が所望の膜厚に達したと判定されると、カーボン薄膜の製造が終了する。
 このように、プラズマ装置10Dにおいては、新たなアーク放電を開始するとき、トリガー電極8Aとアノード電位との間に接続される抵抗は、放電抵抗よりも小さくなるので(工程S23参照)、新たなアーク放電を安定して発生させることができる。その結果、陰極部材41の突起部412の全領域において新たなアーク放電を発生させることができ、陰極部材41を有効に使用できる。
 また、工程S7において、新たな放電を開始しないと判定されると、工程S5,S6が繰り返し実行され、工程S7において、新たな放電を開始すると判定されると、アーク放電を停止させないで陰極部材41の別の場所で新たなアーク放電が発生するので、アーク放電を停止させる必要が無ければ、アーク放電が持続する。その結果、陰極部材41の表面の温度が下がらず、粗大粒子の発生を抑制してカーボン薄膜を製造できる。
 なお、プラズマ装置10Dは、陰極部材41に代えて、陰極部材41A~41Iのいずれかを備えていてもよい。そして、プラズマ装置10Dが陰極部材41A~41Iのいずれかを備える場合も、カーボン薄膜は、図36に示す工程図によって製造され、上述したように、陰極部材41A~41Iを有効に使用できる。
 [実施の形態3]
 図37は、実施の形態3によるプラズマ装置の構成を示す概略図である。図37を参照して、実施の形態3によるプラズマ装置10Eは、図1に示すプラズマ装置10のアーク式蒸発源3をアーク式蒸発源3Aに代え、陰極部材4を陰極部材41Jに代え、絶縁部材18、ベアリング19および送出機構21を追加したものであり、その他は、プラズマ装置10と同じである。
 なお、プラズマ装置10Eにおいては、X軸、Y軸およびZ軸が図37に示すように定義される。
 絶縁部材18は、真空容器1の側壁に設けられた貫通孔1Bを囲むように真空容器1の側壁にOリング(図示せず)を介して固定される。
 アーク式蒸発源3Aは、中空の円柱形状からなり、絶縁部材18に固定される。そして、アーク式蒸発源3Aは、電源7の負極に電気的に接続される。
 陰極部材41Jは、陰極部材4と同じ材料からなり、円柱形状を有する。また、陰極部材41Jは、例えば、コンマ数mm~数cmの直径および数cm~10cmの長さを有する。そして、陰極部材41Jは、真空容器1の側壁に設けられた貫通孔1Bを通って配置され、一方端がトリガー電極8の一方端に対向する。
 ベアリング19は、金属材料からなり、アーク式蒸発源3Aおよび陰極部材41Jに接し、アーク式蒸発源3Aと陰極部材41Jとの間に配置される。そして、陰極部材41Jは、送出機構21によってZ軸方向へ送り出される。
 送出機構21は、アーク式蒸発源3Aの内部に配置され、後述する方法によって陰極部材41JをZ軸方向へ送り出す。
 図38は、図37に示す送出機構21の構成を示す概略図である。図38を参照して、送出機構21は、棒部材211と、凹凸部材212と、歯車213と、モータ214と、台部材215とを含む。
 棒部材211は、絶縁物からなり、Z軸に沿って配置される。そして、棒部材211は、一方端が陰極部材41Jに連結される。凹凸部材212は、棒部材211に固定される。歯車213は、凹凸部材212に嵌合する。モータ214は、台部材215上に配置される。そして、モータ214の回転軸214Aは、歯車213に連結される。台部材215は、アーク式蒸発源3A上に配置される。
 モータ214は、回転軸214Aを介して歯車213を時計回りに回転させる。その結果、棒部材211は、歯車213の回転によってZ軸方向へ送り出される。従って、送出機構21は、陰極部材41JをZ軸方向へ送り出すことができる。
 上述したように、アーク式蒸発源3Aは、絶縁部材18に固定され、絶縁部材18は、Oリングを介して真空容器1の側壁に固定されるので、アーク式蒸発源3Aの内部は、真空容器1内の圧力と同じ圧力に保持されている。
 また、ベアリング19は、金属材料からなり、アーク式蒸発源3Aおよび陰極部材41Jの両方に接しているので、トリガー電極8が陰極部材41Jの一方端に接触することによって、陰極部材41Jとアノード(真空容器1)との間でアーク放電が発生すると、陰極部材41J、ベアリング19およびアーク式蒸発源3Aを介して電流が流れる。その結果、陰極部材41Jの温度が上昇する。
 この場合、陰極部材41Jは、陰極部材4よりも小さい直径を有するので、陰極部材4に比べて昇温され易く、特に、陰極部材41Jの表面温度が昇温され易くなる。その結果、陰極部材41Jの放電面からより多くの熱電子が放出され、アーク放電が安定化する。従って、パーティクルの発生を極めて抑制できる。陰極部材41Jは、基板20側へ突出した構造を有し、突出した部分でアーク放電が発生すると、パーティクルが発生しない放電割合(=第2の放電モードの発生確率)が飛躍的に高くなるからである(図11参照)。
 プラズマ装置10Eにおいては、アーク放電によって陰極部材41Jが消耗すると、陰極部材41Jの先端部(基板20側の先端部)が消耗前の先端部と同じ位置になるように送出機構21によって陰極部材41Jを基板20側へ送り出す。
 これによって、安定したアーク放電を長時間持続することができる。その結果、膜厚の厚いカーボン薄膜を製造できる。また、生産性を向上できる。
 陰極部材41Jを基板20側へ移動させるタイミングとしては、例えば、一定の放電時間が経過したタイミングが想定される。
 一定の放電時間が経過したタイミングは、より具体的には、1回の成膜が終了したタイミングである。
 図39は、図37に示すプラズマ装置10Eを用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。
 図39に示す工程図は、図3に示す工程図の工程S1を工程S1Bに代え、工程S31~S33を追加したものであり、その他は、図3に示す工程図と同じである。
 なお、図39に示す工程図は、1回の成膜が終了したタイミングで陰極部材41Jを送り出すときの工程図である。
 図39を参照して、カーボン薄膜の製造が開始されると、CVD法によって製造され、円柱形状を有するバルク状のカーボンを陰極部材41Jとしてアーク式蒸発源3Aに取り付ける(工程S1B)。
 そして、上述した工程S2~S6が順次実行され、工程S6の後、1回の成膜が終了したか否かが判定される(工程S31)。
 工程S31において、1回の成膜が終了していないと判定されたとき、工程S5,S6,S31が繰り返し実行される。
 一方、工程S31において、1回の成膜が終了したと判定されたとき、陰極部材41Jが使用可能であるか否かが更に判定される(工程S32)。
 工程S32において、陰極部材41Jが使用可能であると判定されたとき、送出機構21は、消耗後の陰極部材41Jの先端部の位置が消耗前の陰極部材41Jの先端部の位置になるように陰極部材41Jを基板20側へ送り出す(工程S33)。
 そして、上述した工程S2~S6,S31~S33が繰り返し実行され、工程S32において、陰極部材41Jが使用可能でないと判定されると、一連の動作が終了する。
 このように、図39に示す工程図に従えば、陰極部材41Jを、1回、アーク式蒸発源3Aに取り付けると、陰極部材41Jが使用不可能になるまで、陰極部材41Jが基板20側へ繰り返し送り出される。その結果、陰極部材を頻繁に交換する必要がなくなり、カーボン薄膜の生産性を向上できる。
 また、陰極部材41Jが使用不可能になるまでには、複数回のカーボン薄膜の成膜が実行されるが、各回のカーボン薄膜の成膜においては、陰極部材41Jの先端部の位置を常に一定の位置に保持できるので、アーク放電を安定して長時間持続することができ、カーボン薄膜の生産性を極めて向上できる。
 更に、工程S31において、カーボン薄膜の膜厚が所望の膜厚に達したか否かを判定することによって、カーボン薄膜の膜厚が所望の膜厚に達するまで、カーボン薄膜が繰り返し基板20上に堆積されることになり(工程S5,S6,S31の“NO”参照)、膜厚が厚いカーボン薄膜を製造できる。
 なお、プラズマ装置10Eにおいては、陰極部材41Jは、断面が円形に限らず、断面が三角形、四角形および五角形等であってもよく、一般的には、断面が多角形であればよい。
 また、プラズマ装置10Eは、複数個の陰極部材41Jを備えていてもよい。この場合、隣接する2つの陰極部材41J間にも、ベアリング19と同じベアリングが陰極部材41Jに接触するように配置される。
 更に、プラズマ装置10Eは、陰極部材41Jに代えて陰極部材41,41A~41Iのいずれかを備えていてもよい。
 [実施の形態4]
 図40は、実施の形態4によるプラズマ装置の構成を示す概略図である。図40を参照して、実施の形態4によるプラズマ装置10Fは、図1に示すプラズマ装置10のトリガー電極8をトリガー電極8Bに代えたものであり、その他は、プラズマ装置10と同じである。
 トリガー電極8Bは、Moおよびタングステン(W)等の高融点金属からなり、トリガー電極8と同じように配置される。そして、トリガー電極8Bの陰極部材4に対向する先端部は、陰極部材4に向かう方向へ尖っている。
 図41は、図40に示すトリガー電極8Bの陰極部材4側の先端部の拡大図である。図41を参照して、トリガー電極8Bは、棒状部81と、針状部82とを含む。棒状部81は、例えば、3mmφの直径および20mmの長さを有する。針状部82は、棒状部81側で3mmφの直径を有し、尖端部において2mmφ以下の直径を有する。そして、針状部82は、例えば、10mmの長さを有する。
 トリガー電極8Bにおいては、針状部82が陰極部材4に接触する。
 図42は、図40に示すプラズマ装置10Fにおいて発生するプラズマの概念図である。図42を参照して、トリガー電極8Bの針状部82が点4Aで陰極部材4に接触すると、プラズマPLZがアーク放電によって発生する。プラズマPLZは、陰極部材4の点4Aから基板20へ向かって放射状に形成されたプラズマである。
 なお、トリガー電極8Bの針状部82が陰極部材4の点4A以外の点に接触する場合も、プラズマPLZが発生する。
 図43は、従来のトリガー電極の概略図である。図43を参照して、従来のトリガー電極80は、棒状形状を有し、例えば、直径が3mmφであり、長さが30mmである。
 トリガー電極8Bを用いてアーク放電を発生させた場合と、トリガー電極80を用いてアーク放電を発生させた場合とにおける第2の放電モードの発生確率を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 なお、第2の放電モードは、上述したようにパーティクルが発生しない放電モードである。
 従来のトリガー電極80を用いてアーク放電を発生させた場合、第2の放電モードの発生確率は、3割であり、トリガー電極8Bを用いてアーク放電を発生させた場合、第2の放電モードの発生確率は、9割である。
 従って、先端部が尖ったトリガー電極8Bを用いてアーク放電を発生させることによって、第2の放電モードの発生確率を飛躍的に高くできる。その結果、原子状のカーボンが主にカーボン薄膜の成膜に寄与し、カーボン薄膜の表面を平坦にできる。
 図44は、図40に示すプラズマ装置10Fを用いたカーボン薄膜の製造方法を示す工程図である。
 図44に示す工程図は、図3に示す工程図の工程S4を工程S4Aに代えたものであり、その他は、図3に示す工程図と同じである。
 図44を参照して、カーボン薄膜の製造が開始されると、上述した工程S1~S3が順次実行される。そして、工程S3の後、トリガー電極8Bの尖った先端部(=針状部82)を陰極部材4に接触させる(工程S4A)。
 その後、上述した工程S5,S6が順次実行され、カーボン薄膜の製造が終了する。
 図44に示す工程図に従えば、トリガー電極8Bの尖った先端部(=針状部82)を陰極部材4に接触させてアーク放電を発生させるので(工程S4A参照)、パーティクルが発生しない第2の放電モードの発生確率が9割と非常に高くなる(表1参照)。
 その結果、原子状のカーボンが主にカーボン薄膜の成膜に寄与し、カーボン薄膜の表面を平坦にできる。
 また、トリガー電極8Bと陰極部材4との接触点から放射状のプラズマPLZが発生するので、陰極部材4から放出されたカーボンがカーボン薄膜の成膜に寄与する確率が非常に高くなる。従って、陰極部材4の利用効率を高くできる。
 なお、トリガー電極8Bの針状部82の先端部は、最初、尖っているが、針状部82を、1回、陰極部材4に接触させると、図41に示すように、針状部82の先端部は、丸くなる。しかし、一旦、丸くなると、その後、針状部82を、何回、陰極部材4に接触させても、針状部82の先端部の直径は、変化しない。
 また、プラズマ装置10Fは、陰極部材4に代えて、陰極部材41,41A~41Jのいずれかを備えていてもよい。陰極部材41,41A~41Jは、基板20側へ突出した突起部を有するので、トリガー電極8Bと陰極部材41,41A~41Jとを接触させることによって、第2の放電モード(パーティクルが発生しない放電モード)の発生確率が更に高くなり、原子状のカーボンがカーボン薄膜の成膜に寄与する割合が更に高くなる。従って、カーボン薄膜の表面を更に平坦にできる。
 また、複数の突起部を有する陰極部材41C,41E,41F,41H,41Iが用いられる場合、プラズマ装置10Fは、上述した駆動装置17、または切替スイッチ91および抵抗92,93のセットを備える。これによって、複数の突起部においてアーク放電を発生させることができ、陰極部材41C,41E,41F,41H,41Iを有効に使用できる。
 更に、プラズマ装置10Fは、カーボン粉末の焼結構造からなる陰極部材を備えていてもよい。
 今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
 この発明は、アーク放電によってプラズマを発生するプラズマ装置およびそれを用いたカーボン薄膜の製造方法に適用される。

Claims (14)

  1.  真空容器と、
     前記真空容器に固定されたアーク式蒸発源と、
     前記アーク式蒸発源に取り付けられた陰極部材と、
     前記陰極部材に対向して配置された基板を保持する保持部材と、
     前記陰極部材に接触または離反するトリガー電極と、
     前記アーク式蒸発源に負の電圧を印加する電源とを備え、
     前記陰極部材は、層状構造のカーボンからなる、プラズマ装置。
  2.  前記陰極部材は、前記基板側へ突出した少なくとも1つの突起部を有する、請求項1に記載のプラズマ装置。
  3.  前記陰極部材は、
     前記アーク式蒸発源から前記基板へ向かう方向と垂直な方向において第1の面積を有し、前記層状構造のカーボンからなる陰極部と、
     前記アーク式蒸発源から前記基板へ向かう方向と垂直な方向において前記第1の面積よりも小さい第2の面積を有するとともに前記陰極部と前記アーク式蒸発源との間に配置され、前記陰極部を支持する支持部とを含む、請求項1に記載のプラズマ装置。
  4.  前記陰極部材を前記基板側へ送り出す送出機構を更に備える、請求項2または請求項3に記載のプラズマ装置。
  5.  前記トリガー電極は、前記基板から前記陰極部材の方向へ尖った先端部を有する、請求項1に記載のプラズマ装置。
  6.  前記アーク式蒸発源に接続されたスイッチと、
     一方端が前記真空容器に接続され、アーク放電の放電抵抗よりも大きい抵抗値を有する第1の抵抗と、
     一方端が前記真空容器に接続され、アーク放電の放電抵抗よりも小さい抵抗値を有する第2の抵抗とを更に備え、
     前記スイッチは、アーク放電中、前記第1の抵抗の他方端に接続され、アーク放電が発生した後に前記陰極部材の別の場所でアーク放電を発生させるとき、前記第2の抵抗の他方端に接続される、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のプラズマ装置。
  7.  真空容器と、
     前記真空容器に固定されたアーク式蒸発源と、
     前記アーク式蒸発源に取り付けられた陰極部材と、
     前記陰極部材に対向して配置された基板を保持する保持部材と、
     前記陰極部材に接触または離反するトリガー電極と、
     アーク放電の開始時に第1の負の電圧を前記アーク式蒸発源に印加し、前記アーク放電が開始された後に前記第1の負の電圧よりも低い第2の負の電圧を前記アーク式蒸発源に印加する電源とを備えるプラズマ装置。
  8.  基板に対向して真空容器に固定されたアーク式蒸発源に陰極部材を取り付ける第1の工程と、
     前記アーク式蒸発源に負の電圧を印加する第2の工程と、
     前記陰極部材にトリガー電極を接触させる第3の工程とを備え、
     前記陰極部材は、層状構造のカーボンからなる、カーボン薄膜の製造方法。
  9.  前記陰極部材は、前記基板側へ突出した少なくとも1つの突起部を有する、請求項8に記載のカーボン薄膜の製造方法。
  10.  前記陰極部材は、
     前記アーク式蒸発源から前記基板へ向かう方向と垂直な方向において第1の面積を有し、前記層状構造のカーボンからなる陰極部と、
     前記アーク式蒸発源から前記基板へ向かう方向と垂直な方向において前記第1の面積よりも小さい第2の面積を有するとともに前記陰極部と前記アーク式蒸発源との間に配置され、前記陰極部を支持する支持部とを含む、請求項8に記載のカーボン薄膜の製造方法。
  11.  前記陰極部材を前記基板側へ送り出す第3の工程を更に備える、請求項9または請求項10に記載のカーボン薄膜の製造方法。
  12.  前記第3の工程において、前記基板から前記陰極部材の方向へ尖った先端部を有するトリガー電極の前記先端部を前記陰極部材に接触させる、請求項8に記載のカーボン薄膜の製造方法。
  13.  前記アーク放電中、前記アーク式蒸発源と前記真空容器との間にアーク放電の放電抵抗よりも大きい抵抗値を有する第1の抵抗を接続する第4の工程と、
     アーク放電が発生した後に前記陰極部材の別の場所でアーク放電を発生させるとき、前記アーク式蒸発源と前記真空容器との間にアーク放電の放電抵抗よりも小さい抵抗値を有する第2の抵抗を接続する第5の工程とを更に備える、請求項8から請求項12のいずれか1項に記載のカーボン薄膜の製造方法。
  14.  アーク放電の開始時に第1の負の電圧を基板に対向して真空容器に固定されたアーク式蒸発源に印加する第1の工程と、
     前記陰極部材にトリガー電極を接触させる第2の工程と、
     前記アーク放電が開始された後に前記第1の負の電圧よりも低い第2の負の電圧を前記アーク式蒸発源に印加する第3の工程とを備えるカーボン薄膜の製造方法。
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