JP2008297174A - カーボンナノチューブ成長用基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 54
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 53
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 abstract 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
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Abstract
【課題】 限られた数のCNTを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、CNTの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なCNTの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第1工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第2工程と、前記2層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第3工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第4工程とで構成されることを特徴とする。
【選択図】図7
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第1工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第2工程と、前記2層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第3工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第4工程とで構成されることを特徴とする。
【選択図】図7
Description
本発明は、カーボンナノチューブ(CNT)を限定成長させるための基板の製造方法に関わり、具体的には金属針の先端部に触媒金属を効率的に形成する技術に関わる。
カーボンナノチューブ(CNT)を平面ディスプレイや集積回路など、エレクトロニクス分野に応用する試みが、国内はもとより世界各国で活発に進められている。このようなCNTのエレクトロニクス応用に際しては、CNTをシリコンやガラス等の平面基板上に、必要な場所に必要な量だけ成長させる技術が重要である。ところでCNTの電子デバイスへの応用の代表的用途例として、FED(フィールド・エミッション・ディスプレー)用陰極(電子放出源)、原子間力顕微鏡、ナノマシンおよびリチウムイオン電池用の負極等がある。例えばFED用としては、CNTの成長方向を制御すること及び直径をできるだけ細くすることが、低電力消費の上から好ましいことが知られている(例えば非特許文献1)。ここで、非特許文献1においては、以下の方法でCNTを成長させている。1.シリコン基板表面をエッチングし、円錐状のシリコンチップを作成する。2.基板表面に金属触媒を堆積させる。3.熱化学気相成長法により該シリコンチップ上にCNTを成長させる方法が紹介されている。
ETL NEWS(工業技術院電子技術総合研究所)「超低電圧動作カーボンナノチューブ・フィールドエミッタの開発に成功」、日本、2000年、603巻、P8−11
ところで、CNTの成長方向を揃えようという試みやその現象に関する研究は、これまでに幾つか報告されている。例えば、株式会社富士通研究所は、MOSFETの電極となるシリサイド層上に多層CNTを垂直配向成長させる技術を開発している(平成14年7月8日付けプレスリリース)。これによれば、プラズマCVD法を用いて、基板に垂直な電界をCNTの成長中に印加することによって、その電界と同じ方向に多層CNTを成長させている。
又、本発明者らは、必要な場所のみに選択的にCNTを垂直配向もしくはランダムな方向に成長させるため、次の技術を開発した。
すなわち、Siやガラス等の固体表面に微細な突起を形成し、この突起の先端などの必要な部分のみを露出させて、残りの部分をレジスト膜で覆い、露出部分のみにCNT形成に必要な触媒を塗布することにより、ごく限られた部分にのみCNTを成長させる(特許文献1)というものである。
すなわち、Siやガラス等の固体表面に微細な突起を形成し、この突起の先端などの必要な部分のみを露出させて、残りの部分をレジスト膜で覆い、露出部分のみにCNT形成に必要な触媒を塗布することにより、ごく限られた部分にのみCNTを成長させる(特許文献1)というものである。
その他のCNT成長方法として、基板上に触媒金属の薄膜を形成し、これを1×10−4トール以下の減圧下で600〜1000℃に加熱する前処理を行った後、プラズマCVD法により基板上にCNTを垂直配向成長させる(特許文献2)方法、及び、単独では触媒作用を持たない元素を被覆し他の触媒作用を持つ金属元素あるいはその化合物を担持させた基板を用いて、炭素化合物を分解することにより基板表面上に垂直方向にCNTを成長させる方法(特許文献3)等が公知である。
上述のように限られた数のCNTを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、CNTの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なCNTの限定成長方法を提供することにある。
本発明者らは上記の課題を解決するため、先端が針状の基板の先端部のみに触媒金属を露出させる実用的な方法を考案し、本発明に至った。
すなわち本発明は、先端曲率半径がサブミクロン以下の針状基板に、カーボンナノチューブ成長時に触媒として作用する金属から選ばれる触媒用金属を、その膜厚が0.5nm〜500nmとなるように蒸着する触媒薄膜層形成のための第1工程と、該触媒薄膜層上に、カーボンナノチューブ成長時にカーボンナノチューブ成長用触媒として作用しない金属から選ばれる非触媒用金属を、その膜厚が0.5nm〜500nmとなるように蒸着し触媒被覆層を形成する第2工程と、前記2層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第3工程と、第3工程終了後に針状基板先端部の露出触媒薄膜を微粒子化する第4工程とで構成されることを特徴とする、カーボンナノチューブ成長用基板の製造方法である。
更に本発明は、 前記触媒用金属がFe,Co,Ni、Au、Pt、Ag及びCuの何れか1種類以上から選ばれ、更には前記非触媒用金属がW、Mo、Al,Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Crの何れか1種類以上から選ばれることを特徴とし、又、前記針状基板の表面に、予めその膜厚が0.5nm〜500nmとなるようにTi又はCrの何れかの金属薄膜層を蒸着する下地層形成工程を施した後、前記第1工程〜第4工程を順次実施する方法であること、又さらには、 前記針状基板が耐熱性の針状金属であることを特徴とするカーボンナノチューブ配向成長用基板の製造方法である。
本発明により針状基板上に限定成長した細径カーボンナノチューブが得られ、該細径カーボンナノチューブを利用した集積回路用層間配線材、高分解能電子顕微鏡用電界放射陰極又は走査型プローブ顕微鏡用探針用等の用途が期待できる。
以下に本発明の実施形態を図を用いて具体的に説明する。
少数又は単数のCNTを成長させる基板としては、CNTが成長する基地面積を可能な限り少なくしておくことが良い。従って、先端半径が0.1μm以下に尖った針状基板例えば耐熱性の針状金属、より具体的にはW又はMoを用いることが好ましい。この場合、先端が鋭角状に尖った金属針は電界研磨法によって得られるが、他の方法として機械的研磨法、化学的研磨法等がある(図1)。又、基板として耐熱性の金属を用いるのは、後工程で施す高温熱処理によって溶融しないこと、及び、下地蒸着金属層又は触媒金属層と合金化しない条件を満たす必要があるためである。
少数又は単数のCNTを成長させる基板としては、CNTが成長する基地面積を可能な限り少なくしておくことが良い。従って、先端半径が0.1μm以下に尖った針状基板例えば耐熱性の針状金属、より具体的にはW又はMoを用いることが好ましい。この場合、先端が鋭角状に尖った金属針は電界研磨法によって得られるが、他の方法として機械的研磨法、化学的研磨法等がある(図1)。又、基板として耐熱性の金属を用いるのは、後工程で施す高温熱処理によって溶融しないこと、及び、下地蒸着金属層又は触媒金属層と合金化しない条件を満たす必要があるためである。
次に、上記の針状金属の先端近傍にTi,V,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo、Al又はTa等をスパッタリング法等によってその膜厚が0.5nm〜500nmとなるように蒸着し、下地層を形成する(図2)。この目的は、次の工程で蒸着する触媒金属と金属基板(例えば金属針)との密着性を高めるためである。この下地層形成工程は本発明に必ずしも必要な工程でなはないものの、実施したほうがより良い。
次工程として、Fe,Co,Ni、Au、Pt、Ag及びCuの何れか1種類以上から選ばれる触媒金属を、スパッタリング法等によってその膜厚が0.5nm〜500nmとなるように蒸着する(図3)。その後、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属であるW、Mo、Al,Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Crの何れか1種類以上から選ばれる金属、特に耐熱性金属例えばW、Mo等の金属を、その膜厚が0.5nm〜500nmとなるように蒸着し触媒被覆層を形成する(図4)。ここで、触媒被覆層に用いる金属としては、次工程の電解エッチング法によってエッチングされること、及び、触媒金属と合金を形成しにくいW又はMo金属が望ましい。
次に、電解エッチングによって極先端部の触媒被覆層を剥離し、触媒層を露出させる(図5)。この後、金属針の先端部を500〜1000℃に加熱熱処理し(実際には、この熱処理は後のCVDプロセスの一部として行われる)、露出触媒薄膜を微粒子化する(図6)。触媒を微粒子化する目的は、少数のCNTを該微粒子触媒上で配向的に成長させるためである(図7)。
ここで先端エッチングのための電解研磨法の概要を図8に示す。図に示すように、ステンレス製リングに電解液を張って陰極とし、この電解液滴にW針等の針状基板先端を接触させて陽極とする回路を組み、該回路に定電流を流して電解エッチングを行う。
以上のように先端部のみに触媒微粒子が付着するように調整した基板上に、CNTを成長させる。CNTの成長方法としては各種の方法があるが、通常CVD法(化学的気相堆積法)アーク放電法、レーザー法が用いられ、中でもCVD法が一般的である。
CVD法としては、熱CVD法、光CVD法およびプラズマCVD法等があるが、本発明においては熱CVDが好適に用いられる。
CVD法としては、熱CVD法、光CVD法およびプラズマCVD法等があるが、本発明においては熱CVDが好適に用いられる。
以下に本発明の好適な一実施の形態を実施例によって説明するが、本発明の技術的範囲は下記の実施形態によって限定されるものでなく、その要旨を変更することなく様々に改変して実施することができる。
金属基板として以下の形状のW針を用いた。
先端曲率半径:約0.1μm、針の長さ:10mm、シャンク部(針先のテーパー形状部分)の長さ:200μm
そして該W針上に、下地金属としてのAlを、Ar圧力:8.4x10-1Pa、放電電力:200Wでスパッタリングし、膜厚20nmの薄膜を施した。
次に、上記下地金属蒸着処理済みW針上に、触媒金属としてのNiを、Ar圧力:8.4x10-1Pa、放電電力:100Wでスパッタリングし、膜厚6nmの触媒金属薄膜層を施した。
次に、上記触媒金属蒸着処理済みW針上に、触媒被覆層としてMoを、Ar圧力:8.4x10-1Pa、放電電力:50Wでスパッタリングし、膜厚50nmの触媒被覆層を施した。
以上の蒸着済みW針を、以下の電解エッチング条件で処理した。
エッチング液: 水酸化カリウム水溶液 濃度1 mol/L
電流: 0.1mA
時間: 約1秒
なお、触媒微粒子形成のための熱処理は、下記CNT成長時に用いる熱CVD処理の中で並行して行われる。
先端曲率半径:約0.1μm、針の長さ:10mm、シャンク部(針先のテーパー形状部分)の長さ:200μm
そして該W針上に、下地金属としてのAlを、Ar圧力:8.4x10-1Pa、放電電力:200Wでスパッタリングし、膜厚20nmの薄膜を施した。
次に、上記下地金属蒸着処理済みW針上に、触媒金属としてのNiを、Ar圧力:8.4x10-1Pa、放電電力:100Wでスパッタリングし、膜厚6nmの触媒金属薄膜層を施した。
次に、上記触媒金属蒸着処理済みW針上に、触媒被覆層としてMoを、Ar圧力:8.4x10-1Pa、放電電力:50Wでスパッタリングし、膜厚50nmの触媒被覆層を施した。
以上の蒸着済みW針を、以下の電解エッチング条件で処理した。
エッチング液: 水酸化カリウム水溶液 濃度1 mol/L
電流: 0.1mA
時間: 約1秒
なお、触媒微粒子形成のための熱処理は、下記CNT成長時に用いる熱CVD処理の中で並行して行われる。
<カーボンナノチューブの成長>
カーボンナノチューブの成長方法として、熱CVD法を用い、以下の条件でカーボンナノチューブを成長させた。この時の圧力1.013x105 Pa、プロセスガス H2,C2H2,Ar、流量 H2/C2H2/Ar=30/5/120
ml/min、処理時間 10分であった。
カーボンナノチューブの成長方法として、熱CVD法を用い、以下の条件でカーボンナノチューブを成長させた。この時の圧力1.013x105 Pa、プロセスガス H2,C2H2,Ar、流量 H2/C2H2/Ar=30/5/120
ml/min、処理時間 10分であった。
上記の条件で成長させたカーボンナノチューブは、従来法によるものに比べ結晶性が良く又平均直径も細かった(平均20μm)。
Claims (5)
- 先端曲率半径がサブミクロン以下の針状基板に、カーボンナノチューブ成長時に触媒として作用する金属から選ばれる触媒用金属を、その膜厚が0.5nm〜500nmとなるように蒸着する触媒薄膜層形成のための第1工程と、該触媒薄膜層上にカーボンナノチューブ成長時にカーボンナノチューブ成長用触媒として作用しない金属から選ばれる非触媒用金属を、その膜厚が0.5nm〜500nmとなるように蒸着し触媒被覆層を形成する第2工程と、前記2層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第3工程と、第3工程終了後に針状基板先端部の露出触媒薄膜を微粒子化する第4工程とで構成されることを特徴とする、カーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
- 請求項1に記載の触媒用金属がFe,Co,Ni、Au、Pt、Ag及びCuの何れか1種類以上から選ばれ、非触媒用金属がW、Mo、Al,Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Crの何れか1種類以上から選ばれることを特徴とする、カーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
- 前記第3工程におけるエッチング法が電解エッチング法である請求項1乃至2に記載のカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
- 前記針状基板の表面に、予めその膜厚が0.5nm〜500nmとなるようにTi,V,Cr,Mn,Zr,Nb,Mo、Al又はTaの何れかから選ばれる金属薄膜層を蒸着する下地層形成工程を施した後、前記第1工程〜第4工程を順次実施することを特徴とする請求項1乃至3に記載のカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
- 前記針状基板が耐熱性の針状金属であることを特徴とする請求項1乃至4に記載のカーボンナノチューブ成長用基板の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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