JP4443029B2 - スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法 - Google Patents
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4443029B2 JP4443029B2 JP2000392583A JP2000392583A JP4443029B2 JP 4443029 B2 JP4443029 B2 JP 4443029B2 JP 2000392583 A JP2000392583 A JP 2000392583A JP 2000392583 A JP2000392583 A JP 2000392583A JP 4443029 B2 JP4443029 B2 JP 4443029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- source
- drain
- flash memory
- erasing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
- G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法に係り、特にコントロールゲートにネガティブ電圧を印加しセレクトゲートに高電圧を印加してソースを介して消去を行い、セレクトゲートが低電圧になると、消去を行なわないようにする方法であり、バイトまたはワード単位で消去を行なうことができるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
EEPROMはバイトまたはワード単位でプログラムまたは消去を行なう不揮発性メモリ素子であり、セルの模様は図1に示すように、2つのトランジスタが必要である。即ち、EEPROMセルのドレイン端子とNMOSトランジスタのソース端子とが接続されており、NMOSトランジスタのドレイン端子はビットラインに接続され、ゲート端子はワードラインに接続される。このように2つのトランジスタが接続された形態でセルを構成する理由は、選択されたセルを消去するとき、選択されてない隣接した他のセルに影響を与えないために、選択されたセル以外には消去条件とならないように分離するためである。これにより、EEPROMセルは2つのトランジスタからなり、セルのトランジスタを一つ使用するときに比べてレイアウト面積が2倍とならなければならない。
【0003】
かかる短所を補完するためにセルのトランジスタが1つであるフラッシュメモリ素子が登場してきたが、フラッシュメモリ素子はチップを一定サイズ(或いはサイズが互いに異なる)の多数個のブロックに分けて、消去はブロック単位で行ない、プログラムはバイトまたはワード単位で行なってセルにデータを格納する。フラッシュメモリ素子は2つのトランジスタからなる従来のEEPROMセルに比べてセルのトランジスタを一つ使用するため、セルのレイアウト面積を半分に減らすことができた。
【0004】
しかし、フラッシュメモリ素子はバイトまたはワード単位の消去ができないという短所がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的はバイトまたはワード単位で消去を行なうことができるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明は、ソース、ドレイン、フローティングゲート、コントロールゲート、及び前記ソース側に設けられるセレクトゲートからなるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法において、選択されたセルのコントロールゲートにネガティブ電圧、セレクトゲートにポジティブ高電圧、ソースに電源電圧をそれぞれ印加し、ドレインはフローティングさせて、前記選択されたセルとコントロールゲート、ソース及びドレインを共通とする選択されていない第1隣接セルのコントロールゲートにはネガティブ高電圧、セレクトゲートには0V、ソースには電源電圧を印加し、ドレインはフローティング状態にして、前記選択されたセルとセレクトゲートを共通とする選択されていない第2隣接セルのコントロールゲートには0V、セレクトゲートにはポジティブ高電圧を印加し、ソースとドレインはそれぞれフローティング状態にして、バイトまたはワード単位の消去を行うことができるようにすることを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、添付図に基づいて本発明を詳細に説明する。
【0008】
図2はスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法を説明するためのセルの概略図である。
【0009】
図2に示すように、スプリットゲート型フラッシュメモリセルはソース、ドレイン、フローティングゲート、コントロールゲート及びセレクトゲート(ワードライン)から構成される。
【0010】
表1は従来の消去方法による各端子に印加されるバイアス条件を示す。
【0011】
【表1】
【0012】
表1から分かるように、消去時の既存の方法は、一定サイズのブロックの全てのコントロールゲートにネガティブ高電圧(−9V)を印加し、ドレインは電源電圧を印加し、セレクトゲートは全て0Vを印加した。
【0013】
表2は本発明に係るバイトまたはワード消去のための各端子に印加されるバイアス条件を示す。
【0014】
【表2】
【0015】
表2に示すように、本発明に係るバイトまたはワード単位の消去を可能にするためのバイアス条件は、コントロールゲートにはネガティブ高電圧(−9V)を印加し、ドレインはフローティングさせ、セレクトゲートにはポジティブ高電圧(9V)を印加し、ソースには電源電圧Vccを印加する。セレクトゲートにポジティブ高電圧(9V)を印加する理由はソース電圧が十分伝達できるようにするためである。
【0016】
この際、選択されてない隣接したセルの条件は、第1に、図3の第1トランジスタから明かなように、コントロールゲートにはネガティブ高電圧、セレクトゲートには0V、ソースには電源電圧が印加され、ドレインはフローティング状態にする。第2に、図3の第2トランジスタから明かなように、コントロールゲートには0V、セレクトゲートには9Vが印加され、ソースとドレインはフローティング状態にする。
【0017】
第1トランジスタの場合を考えると、セレクトゲートが0Vなので、セレクトゲートを介してソース電圧が伝達されないので、消去条件ではない。第2トランジスタの場合はセレクトゲートを介してソース電圧は伝達できるが、ソースをフローティングさせて電源の供給がないので、消去条件ではない。
【0018】
【発明の効果】
上述した本発明によれば、フラッシュメモリ素子もバイトまたはワード単位の消去が可能なので、消去時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 EEPROMセルの概略図である。
【図2】 スプリットゲート型フラッシュメモリセルの概略図である。
【図3】 スプリットゲート型フラッシュメモリセルアレイの概略図である。
Claims (3)
- ソース、ドレイン、フローティングゲート、コントロールゲート、及び前記ソース側に設けられるセレクトゲートからなるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法において、
選択されたセルのコントロールゲートにネガティブ電圧、セレクトゲートにポジティブ高電圧、ソースに電源電圧をそれぞれ印加し、ドレインはフローティングさせて、
前記選択されたセルとコントロールゲート、ソース及びドレインを共通とする選択されていない第1隣接セルのコントロールゲートにはネガティブ高電圧、セレクトゲートには0V、ソースには電源電圧を印加し、ドレインはフローティング状態にして、
前記選択されたセルとセレクトゲートを共通とする選択されていない第2隣接セルのコントロールゲートには0V、セレクトゲートにはポジティブ高電圧を印加し、ソースとドレインはそれぞれフローティング状態にして、
バイトまたはワード単位の消去を行うことができるようにすることを特徴とするスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法。 - 前記選択されたセルのコントロールゲートには−9Vのネガティブ高電圧、セレクトゲートには9V、ソースには電源電圧をそれぞれ印加し、ドレインはフローティング状態にすることを特徴とする請求項1に記載のスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法。
- 前記第1隣接セルのコントロールゲートには−9V、セレクトゲートには0Vをそれぞれ印加し、ソースには電源電圧を印加し、ドレインはフローティング状態にし、
前記第2隣接セルのコントロールゲートには0Vを印加し、セレクトゲートには9Vを印加し、ソース及びドレインはそれぞれフローティング状態にすることを特徴とする請求項1記載のスプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR99-64005 | 1999-12-28 | ||
KR10-1999-0064005A KR100383767B1 (ko) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 플래쉬 메모리 소자의 소거 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001189086A JP2001189086A (ja) | 2001-07-10 |
JP4443029B2 true JP4443029B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=19631324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000392583A Expired - Fee Related JP4443029B2 (ja) | 1999-12-28 | 2000-12-25 | スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6377489B1 (ja) |
JP (1) | JP4443029B2 (ja) |
KR (1) | KR100383767B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003068086A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4124635B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリセルアレイの消去方法 |
JP2006164447A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US7668018B2 (en) * | 2007-04-03 | 2010-02-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Electronic device including a nonvolatile memory array and methods of using the same |
KR20150054225A (ko) | 2013-11-11 | 2015-05-20 | 삼성전자주식회사 | 로직 임베디드 불휘발성 메모리 장치 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5912842A (en) * | 1995-11-14 | 1999-06-15 | Programmable Microelectronics Corp. | Nonvolatile PMOS two transistor memory cell and array |
-
1999
- 1999-12-28 KR KR10-1999-0064005A patent/KR100383767B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-11-28 US US09/722,492 patent/US6377489B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-25 JP JP2000392583A patent/JP4443029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100383767B1 (ko) | 2003-05-14 |
JP2001189086A (ja) | 2001-07-10 |
KR20010061509A (ko) | 2001-07-07 |
US6377489B1 (en) | 2002-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100292361B1 (ko) | 반도체불휘발성메모리의데이타기입방법 | |
KR100496797B1 (ko) | 반도체메모리장치의프로그램방법 | |
US6108240A (en) | Implementation of EEPROM using intermediate gate voltage to avoid disturb conditions | |
KR100331563B1 (ko) | 낸드형 플래쉬 메모리소자 및 그 구동방법 | |
US5812454A (en) | Nand-type flash memory device and driving method thereof | |
US20080266970A1 (en) | Programming and/or erasing a memory device in response to its program and/or erase history | |
JP3940570B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7355903B2 (en) | Semiconductor device including memory cells and current limiter | |
KR960035654A (ko) | 낸드구조를 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램장치 및 방법 | |
TW326537B (en) | Multi-state nonvolatile semiconductor memory device and its driving methods | |
KR950015395A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리장치 | |
JP2002334588A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置のプログラム方法 | |
JP4047001B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置、そのローカルロウデコーダ構造、及び半導体メモリ装置、同装置でのワードライン駆動方法 | |
EP0913833A3 (en) | Non-volatile semiconductor memory device | |
JP2003036686A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR970063271A (ko) | 불휘발성 반도체 기억 장치 | |
EP1214715B1 (en) | 1 transistor cell for eeprom application | |
KR101458792B1 (ko) | 플래시 메모리 장치 | |
US5422843A (en) | Method of erasing information in memory cells | |
JP3843869B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP3419969B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP4443029B2 (ja) | スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の消去方法 | |
US6151250A (en) | Flash memory device and verify method thereof | |
US7046551B2 (en) | Nonvolatile memories with asymmetric transistors, nonvolatile memories with high voltage lines extending in the column direction, and nonvolatile memories with decoding circuits sharing a common area | |
KR20010013737A (ko) | 비휘발성 반도체 저장 장치용 구동 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060512 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090526 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130122 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |