JP4438456B2 - 電波吸収体およびその製造方法 - Google Patents
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しかしながら、カーボンナノチューブ同士が架橋された構造体の用途に関して、絶縁物となる可能性の高いアルコキシド膜を用いて実用的な導電性や、カーボンナノチューブの諸特性を発揮させることができるのかに関しては十分な検討がなされていない。
すなわち、本発明の電波吸収体は、複数のカーボンナノチューブと、少なくともその一端がそれぞれ異なる前記カーボンナノチューブに結合された複数の官能基同士の化学結合により形成された架橋部位と、からなる網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体を含むベタ状の電波吸収層が、基体表面にタイル状に配置されてなることを特徴とする。
またこの場合、前記架橋部位としては、−COO(CH2)2OCO−、−COOCH2CHOHCH2OCO−、−COOCH2CH(OCO−)CH2OHおよび−COOCH2CH(OCO−)CH2OCO−からなる群より選ばれるいずれかの化学構造であることが好ましい。
前記カーボンナノチューブ構造体層を上記第2の構造とすることで、カーボンナノチューブに結合された官能基同士を化学結合させることにより架橋部位を形成して、前記複数のカーボンナノチューブ同士を結合し、網目状の構造体を形成しているため、結合させる官能基によってカーボンナノチューブ間を結合させる架橋部位のサイズが一定となる。カーボンナノチューブは極めて安定な化学構造であるため、修飾させようとした官能基以外の官能基等が結合する可能性は低く、この官能基同士を化学結合させた場合は、架橋部位を設計した構造とすることができ、得られるカーボンナノチューブ構造体を均質なものとすることができる。
この場合の架橋部位としては、−COOCO−、−O−、−NHCO−、−COO−、−NCH−、−NH−、−S−、−NHCOO−および−S−S−からなる群より選ばれる少なくともいずれか1つの化学構造であることが好ましい。
少なくとも、官能基を有する複数のカーボンナノチューブを前記基体表面に供給する供給工程と、
前記官能基間を化学結合させることにより架橋部位を形成し、前記カーボンナノチューブ構造体を形成する架橋工程と、
を含むことを特徴とする。
前記基体の前記カーボンナノチューブ構造体およびレジスト層が積層された面に、ドライエッチングを行う(好ましくは、酸素分子のラジカルを照射。当該酸素分子のラジカルは、酸素分子に紫外線を照射することにより、酸素ラジカルを発生させ、これを利用することができる。)ことで、前記領域以外の領域で表出しているカーボンナノチューブ構造体を除去する除去工程と、
の2つの工程に分かれている態様が挙げられる。
この場合、除去工程に引き続いてさらに、レジスト層形成工程で設けられた前記レジスト層を剥離するレジスト層剥離工程を含むことで、パターニングされたカーボンナノチューブ構造体を表出させることができる。
当該手法は製造コストを下げることができる点で好ましい。
このとき、架橋剤同士の自己重合性による反応の程度を制御することは事実上困難であるため、カーボンナノチューブ相互間の架橋構造が、架橋剤同士の重合状態のばらつきに応じて、ばらついてしまう。
上記好ましい前記官能基として例示された群、および、上記好ましい前記架橋剤として例示された群より、それぞれ少なくともいずれか1つの官能基および架橋剤を、相互に架橋反応を起こし得る組み合わせとなるように選択することが好ましい。
この方法によれば、結合させる官能基によってカーボンナノチューブ相互間を結合させる架橋部位のサイズが一定となる。カーボンナノチューブは極めて安定な化学構造であるため、修飾させようとした官能基以外の官能基等が結合する可能性は低く、この官能基同士を化学結合させた場合は、設計した架橋部位の構造とすることができ、カーボンナノチューブ構造体を均質なものとすることができる。
なお、特に本発明の電波吸収体の製造方法においては、上記官能基を含む分子をカーボンナノチューブに結合させて、上に列挙した官能基部分で化学結合して架橋部位を構成してもよい。
前記官能基同士を化学結合させる反応が脱水縮合である場合には、前記添加剤として縮合剤を添加することが好ましい。このとき好適に使用可能な前記縮合剤としては、硫酸、N−エチル−N'−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミドおよびジシクロヘキシルカルボジイミドからなる群より選ばれる少なくともいずれか1つを挙げることができる。
脱水縮合で用いる前記官能基としては、−COOHを特に好適なものとして挙げることができる。カーボンナノチューブにカルボキシル基を導入することは、比較的容易であり、しかも得られる物質(カーボンナノチューブカルボン酸)は、反応性に富む。このため網目構造を形成するための官能基を、一本のカーボンナノチューブの複数箇所に導入しやすく、さらにこの官能基は脱水縮合しやすいことから、カーボンナノチューブ構造体の形成に適している。
前記官能基同士を化学結合させる反応が酸化反応である場合、前記官能基としては、−SHであることが好ましい。また、この場合、必ずしも前記添加剤が要求されるわけではないが、前記添加剤として酸化反応促進剤を添加することも好ましい態様である。好適に添加することができる酸化反応促進剤としては、ヨウ素を挙げることができる。
[電波吸収体]
本発明の電波吸収体の特徴的な点は、電波吸収体の構成のうち、ベタ状の電波吸収層を、複数のカーボンナノチューブと、少なくともその一端がそれぞれ異なる前記カーボンナノチューブに結合された複数の官能基同士の化学結合により形成された架橋部位と、からなる網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体で構成することである。
図1において、1は誘電体基板(基体)を表し、その表面に矩形状の電波吸収層2が形成され、その裏面側に接地電極となる金属面3が配置されている。本発明の一例である本実施形態の電波吸収体においては、電波吸収層2が、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体により形成されている。そのため、網目構造に起因する複数の多角形形状と様々な大きさを持つ電流経路が生じており、かつ、これらの電流経路が様々な静電容量とインダクタンスを有する。したがって、応答可能な周波数範囲が極めて広く、電波の吸収効率が極めて良好な電波吸収体となる。
誘電体基板(基体)1の材質としては、特に限定されるものではないが、電波吸収層2を担持するには、ガラスエポキシ樹脂、ガラス、シリコン、アルミナ、サファイア、ポリカーボネート、ポリフルオレン等を利用することができる。
接地電極を構成する金属面3の形成方法に特に制限はなく、従来公知の方法を問題なく採用することができる。
本実施形態において、電波吸収層2は、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体からなる層である。相互に架橋した網目構造を構成するようにカーボンナノチューブ構造体の層を形成することができれば、当該電波吸収層2は如何なる方法で形成されたものであっても構わないが、後述する本発明の電波吸収体の製造方法により製造されたものであることが、容易に製造可能であるとともに、低コストでしかも高性能な電波吸収層を得ることができ、さらに、特性の均一化や制御が容易であるといった各種利点を有するため、特に好ましい。本実施形態では、かかる製造方法により形成したカーボンナノチューブ構造体により電波吸収層2が構成されている。
以下、かかる構成のカーボンナノチューブ構造体を中心に説明する。
本発明において、主要な構成要素であるカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブでも、二層以上の多層カーボンナノチューブでも構わない。いずれのカーボンナノチューブを用いるか、あるいは双方を混合するかは、電波吸収体の用途により、あるいはコストを考慮して、適宜、選択すればよい。
これらカーボンナノチューブの合成は、従来から公知のアーク放電法、レーザーアブレーション法、CVD法のいずれの方法によっても行うことができ、本発明においては制限されない。これらのうち、高純度なカーボンナノチューブが合成できるとの観点からは、磁場中でのアーク放電法が好ましい。
一方、一般的にカーボンナノチューブの直径の下限としては、その構造から見て、0.3nm程度であるが、あまりに細すぎると合成時の収率が低くなる点で好ましくない場合もあるため、1nm以上とすることがより好ましく、10nm以上とすることがさらに好ましい。
以下、第1の方法と第2の方法に分けて、カーボンナノチューブ構造体の形成に供し得る構成成分について説明する。
架橋剤を用いて架橋部位を形成する前記第1の方法では、カーボンナノチューブが有する官能基としては、カーボンナノチューブに化学的に付加させることができ、かつ、何らかの架橋剤により架橋反応を起こし得るものであれば、特に制限されず、如何なる官能基であっても選択することができる。具体的な官能基としては、−COOR、−COX、−MgX、−X(以上、Xはハロゲン)、−OR、−NR1R2、−NCO、−NCS、−COOH、−OH、−NH2、−SH、−SO3H、−R'CHOH、−CHO、−CN、−COSH、−SR、−SiR'3(以上、R、R1、R2およびR'は、それぞれ独立に、置換または未置換の炭化水素基)等の基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記第1の方法では、架橋剤が必須成分となる。カーボンナノチューブの有する前記官能基と架橋反応を起こすものであればいずれも用いることができる。換言すれば、前記官能基の種類によって、選択し得る架橋剤の種類は、ある程度限定されてくる。また、これらの組み合わせにより、その架橋反応による硬化条件(加熱、紫外線照射、可視光照射、自然硬化等)も、自ずと定まってくる。
また、具体的なカーボンナノチューブの割合としては、既述の如く一概には言えないが、官能基の質量は含めないで、架橋溶液全量に対し0.01〜10g/l程度の範囲から選択され、0.1〜5g/l程度の範囲が好ましく、0.5〜1.5g/l程度の範囲がより好ましい。
架橋剤によらず、複数の前記官能基同士を直接化学結合させて架橋部位を形成する前記第2の方法では、カーボンナノチューブが有する官能基としては、カーボンナノチューブに化学的に付加させることができ、かつ、何らかの添加剤により官能基同士を反応させ得るものであれば、特に制限されず、如何なる官能基であっても選択することができる。具体的な官能基としては、−COOR、−COX、−MgX、−X(以上、Xはハロゲン)、−OR、−NR1R2、−NCO、−NCS、−COOH、−OH、−NH2、−SH、−SO3H、−R'CHOH、−CHO、−CN、−COSH、−SR、−SiR'3(以上、R、R1、R2およびR'は、それぞれ独立に、置換または未置換の炭化水素基)等の基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、これらの官能基を一部に含む分子をカーボンナノチューブに結合させ、先に列挙した好ましい官能基部分で化学結合させることも可能である。この場合においても、カーボンナノチューブに結合させる分子量の大きい官能基は意図したように結合されているので、架橋部位の長さは制御可能となる。
また、脱水縮合で用いる前記官能基としては、−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)、−COOH、−COX(Xはハロゲン原子)、−OH、−CHO、−NH2からなる群より選ばれる少なくともいずれか1つであることが好ましい。
前記官能基同士を化学結合させる反応が酸化反応である場合も、必ずしも添加剤は必要としないが、前記添加剤として酸化反応促進剤を添加することが好ましい。添加するのに好適な酸化反応促進剤としては、ヨウ素を挙げることができる。また、このとき前記官能基としては、−SHであることが好ましい。
前記架橋塗布液における前記添加剤の含有量としては、前記添加剤の種類は勿論、カーボンナノチューブの長さ・太さ、単層か多層か、有する官能基の種類・量、溶剤やその他添加剤の有無・種類・量、等により一概には言えない。
前記架橋溶液において、溶剤は、前記架橋剤もしくは官能基結合用の添加剤のみでは塗布適性が十分で無い場合に添加する。使用可能な溶剤としては、特に制限は無く、用いる添加剤の種類に応じて選択すればよい。具体的な溶剤の種類おより添加量としては、第1の方法で述べた溶剤の場合と同様である。
前記架橋溶液(第1の方法と第2の方法の双方を含む)においては、粘度調整剤、分散剤、架橋促進剤等の各種その他の添加剤が含まれていてもよい。
粘度調整剤は、前記架橋剤もしくは官能基結合用の添加剤のみでは塗布適性が十分で無い場合に添加する。使用可能な粘度調整剤としては、特に制限は無く、用いる架橋剤の種類に応じて選択すればよい。具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n−プロパノール、ブタノール、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、アセトン、クロロホルム、塩化メチレン、アセトニトリル、ジエチルエーテル、THF等が挙げられる。
次に、架橋溶液の調製方法について説明する。
前記架橋溶液は、官能基を有するカーボンナノチューブに、前記官能基と架橋反応を起こす架橋剤、あるいは、官能基同士を化学結合させる添加剤を必要に応じて混合することで調製される(混合工程)。当該混合工程に先立ち、カーボンナノチューブに官能基を導入する付加工程を含んでもよい。
前記付加工程は、カーボンナノチューブに所望の官能基を導入する工程である。官能基の種類によって導入方法が異なり、一概には言えない。直接的に所望の官能基を付加させてもよいが、一旦、付加が容易な官能基を導入した上で、その官能基ないしその一部を置換したり、その官能基に他の官能基を付加させたり等の操作を行い、目的の官能基としても構わない。
また、カーボンナノチューブにメカノケミカルな力を与えて、カーボンナノチューブ表面のグラフェンシートをごく一部破壊ないし変性させて、そこに各種官能基を導入する方法もある。
前記官能基の中でも、特に好適な−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)を導入する方法について説明する。カーボンナノチューブに−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)を導入するには、一旦、カーボンナノチューブにカルボキシル基を付加し(i)、さらにこれをエステル化(ii)すればよい。
カーボンナノチューブにカルボキシル基を導入するには、酸化作用を有する酸とともに還流すればよい。この操作は比較的容易であり、しかも反応性に富むカルボキシル基を付加することができるため、好ましい。当該操作について、簡単に説明する。
酸化作用を有する酸としては、濃硝酸、過酸化水素水、硫酸と硝酸の混合液、王水等が挙げられる。特に濃硝酸を用いる場合には、その濃度としては、5質量%以上が好ましく、60質量%以上がより好ましい。
還流の後の反応液には、カルボキシル基が付加したカーボンナノチューブ(カーボンナノチューブカルボン酸)が生成しており、室温まで冷却し、必要に応じて分離操作ないし洗浄を行うことで、目的のカーボンナノチューブカルボン酸が得られる。
得られたカーボンナノチューブカルボン酸に、アルコールを添加し脱水してエステル化することで、目的の官能基−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)を導入することができる。
前記エステル化に用いるアルコールは、上記官能基の式中におけるRに応じて決まる。すなわち、RがCH3であればメタノールであるし、RがC2H5であればエタノールである。
一般にエステル化には触媒が用いられるが、本発明においても従来公知の触媒、例えば、硫酸、塩酸、トルエンスルホン酸等を用いることができる。本発明では、副反応を起こさないという観点から触媒として硫酸を用いることが好ましい。
エステル化の後の反応液から反応物を分離し、必要に応じて洗浄することで、官能基−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)が付加したカーボンナノチューブを得ることができる。
前記炭化水素の炭素数としては2〜10個とすることが好ましく、2〜5個とすることがより好ましく、2〜3個とすることがさらに好ましい。なお、前記連結基としては、2価以上であれば特に制限は無い。
また、前記官能基−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)とグリセリンとの架橋反応では、前記複数のカーボンナノチューブが相互に架橋する架橋部位が、OH基2つが架橋に寄与すれば−COOCH2CHOHCH2OCO−あるいは−COOCH2CH(OCO−)CH2OHとなり、OH基3つが架橋に寄与すれば−COOCH2CH(OCO−)CH2OCO−となる。
さらに、電波吸収層(電波吸収層2)全体のパターン自体は補完的なものとなるため、第1の方法や第2の方法等その形成方法によらず、形成されるカーボンナノチューブ構造体のパターンの自由度が高く、電波吸収層として多様な形状とすることができる。
本発明の電波吸収体の製造方法(以下、単に「本発明の製造方法」という場合がある。)は、上記本発明の電波吸収体を製造するのに適した方法である。具体的には、複数のカーボンナノチューブが相互に電気的に接続された網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体を含むベタ状の電波吸収層が、基体表面にタイル状に配置されてなる電波吸収体を製造するための方法であって、前記電波吸収層を前記基体表面に形成する方法として、(A)少なくとも、官能基を有する複数のカーボンナノチューブを前記基体表面に供給する供給工程と、(B)前記官能基間を化学結合させることにより架橋部位を形成し、前記カーボンナノチューブ構造体を形成する架橋工程と、を含む。
前記架橋工程に引き続いてさらに、(C)形成されたカーボンナノチューブ構造体を、所望の形状にパターニングするパターニング工程等、他の工程を含めてもよい。
ここで図3は、本発明の製造方法における、前記電波吸収層を前記基体表面に形成する方法の一例(後述する(C−A−2))を説明するための、製造工程中の基体の模式断面図である。図中、12は平板状の基体、14はカーボンナノチューブ構造体層、16はレジスト層である。
本発明において、「供給工程」とは、前記基体の表面に、少なくとも、官能基を有する複数のカーボンナノチューブを前記基体表面に供給する工程である。既述の架橋溶液を用いて行えばよく、薄膜状の電波吸収体を形成したい場合には、それを前記基体表面に塗布すればよい。
また、供給は、前記架橋溶液を前記基体の表面における所望の領域に、配置ないし接液できる方法であれば、各種方法を採用する事ができるが、塗布する事が最も容易で、かつ精密であり、しかも薄膜のカーボンナノチューブ構造体を形成できるので、最も好ましい。
なお、基体、官能基を有するカーボンナノチューブ、架橋剤、添加剤並びに架橋溶液の内容については、[電波吸収体]の項で説明した通りである。
本発明において、「架橋工程」とは、供給後の前記カーボンナノチューブにおける前記官能基間を化学結合させることにより架橋部位を形成し、前記カーボンナノチューブ構造体を形成する工程である。供給工程が架橋溶液を塗布する構成の場合には、塗布後の前記架橋溶液を硬化して、前記複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体を形成する工程である。なお、架橋工程で、カーボンナノチューブ構造体を形成すべき領域は、前記所望の領域(電波吸収体の電波吸収層を形成すべき領域)を全て含んでさえいればよく、前記基体の表面に塗布された前記架橋溶液を全て硬化しなければならないわけではない。図3(a)に、当該(B)架橋工程を経た後の基体表面の状態を表す模式断面図を示す。図3(a)においては、基体12の表面にカーボンナノチューブ構造体14が形成された状態が示されている。
本発明において、「パターニング工程」とは、前記カーボンナノチューブ構造体を所望の形状にパターニングする工程である。図3(e)に、当該(C)パターニング工程を経た後の基体表面の状態を表す模式断面図を示す。
パターニング工程の操作に特に制限はないが、好適なものとして、以下(C−A)および(C−B)の2つの態様を挙げることができる。
前記基体表面における前記電波吸収層に応じたパターン以外の領域のカーボンナノチューブ構造体に、ドライエッチングを行うことで、当該領域のカーボンナノチューブ構造体を除去し、前記カーボンナノチューブ構造体を前記電波吸収層に応じたパターンにパターニングする工程である態様。
直接前記パターン以外の領域の前記カーボンナノチューブ構造体にラジカル等を照射する方式とは、詳しくは、本パターニング工程が、前記基体表面における前記電波吸収層に応じたパターン以外の領域のカーボンナノチューブ構造体に、ガス分子のイオンをイオンビームにより選択的に照射することで、当該領域のカーボンナノチューブ構造体を除去し、前記カーボンナノチューブ構造体を前記電波吸収層に応じたパターンにパターニングする態様である。
イオンビームによれば、数nmオーダー程度の緻密さで、選択的にガス分子のイオンを照射することができ、電波吸収層に応じたパターンのパターニングが一度の操作で容易にできる点で好ましい。
イオンビームとは、真空中ガス分子に電圧をかけることで加速させイオン化し、ビームとして照射する方式であり、エッチングの対象とする物質および照射精度は、使用するガスの種類により変更することができる。
前記パターン以外の領域をレジスト層で被覆した上で、前記基体表面の全面にラジカル等を照射する方式とは、詳しくは、本パターニング工程が、
前記基体表面における前記電波吸収層に応じたパターンの領域のカーボンナノチューブ構造体の上に、レジスト層を設けるレジスト層形成工程(C−A−2−1)と、
前記基体の前記カーボンナノチューブ構造体およびレジスト層が積層された面に、ドライエッチングを行うことで、前記領域以外の領域で表出しているカーボンナノチューブ構造体を除去する除去工程(C−A−2−2)と、を含む態様であり、除去工程に引き続いてさらに、
レジスト層形成工程で設けられた前記レジスト層を剥離するレジスト層剥離工程(C−A−2−3)を含む場合もある。
レジスト層形成工程では、前記基体表面における前記電波吸収層に応じたパターンの領域のカーボンナノチューブ構造体の上に、レジスト層を設ける。当該工程は、一般にフォトリソグラフィープロセスと称されるプロセスに従って為されるものであり、前記電波吸収層に応じたパターンの領域のカーボンナノチューブ構造体の上に直接レジスト層を設けるのではなく、図3(b)に示されるように一旦基体12のカーボンナノチューブ構造体14が形成された表面全面にレジスト層16を形成し、前記電波吸収層に応じたパターンの領域を露光して、その後、現像することで露光部以外の部位が除去され、最終的に前記電波吸収層に応じたパターンの領域のカーボンナノチューブ構造体の上にレジスト層が設けられた状態となる。
レジスト層の形成方法は、従来公知の方法で行えばよい。具体的には、レジスト剤を基板上にスピンコーター等を使用して塗布し、加熱することでレジスト層を形成させる。
当該樹脂層を主として構成する樹脂材料としては、ノボラック樹脂、ポリメチルメタクリレート、およびこれらの樹脂の混合物等を挙げることができるが、勿論これらに限定されるものではない。
レジスト層を形成するためのレジスト材料は、上記樹脂材料あるいはその前駆体と感光材料等の混合物であり、本発明では従来公知のあらゆるレジスト材料を使用しても差し支えない。例えば、東京応化工業製OFPR800、長瀬産業製NPR9710等を例示することができる。
除去工程では、前記基体の前記カーボンナノチューブ構造体およびレジスト層が積層された面に、ドライエッチングを行うことで、前記領域以外の領域で表出している(図3(c)を参照。カーボンナノチューブ構造体14は、レジスト層16が除去された部分から表出している。)カーボンナノチューブ構造体を除去する。図3(d)に、当該(C−A−2−2)除去工程を経た後の基体表面の状態を表す模式断面図を示す。
選択可能なガス種やその他装置および操作環境等は(C−A−1)の項で述べた通りである。
ガス種として酸素を選択する場合には、酸素分子に紫外線を照射することにより、酸素ラジカルを発生させ、これを利用することができる。この方式で酸素ラジカルを生ずる装置が、UVアッシャーとの商品名で市販されており、容易に入手することができる。
本発明の電波吸収体の製造方法は、以上の(C−A−2−2)除去工程までの操作が完了した段階で終了とすることもでき、それでも本発明の電波吸収体の一態様(図3(d)に示される態様)のものを得ることができる。しかし、レジスト層16を除去したい場合には、上記除去工程に引き続いてさらに、レジスト層形成工程で設けられたレジスト層16を剥離するレジスト層剥離工程の操作を施すことが必要となる。図3(e)に、当該(C−A−2−3)レジスト層剥離工程を経た後の基体表面の状態を表す模式断面図を示す。
前記基体表面における前記電波吸収層に応じたパターンの領域のカーボンナノチューブ構造体層の上に、レジスト層を設けるレジスト層形成工程と、
前記基体の前記カーボンナノチューブ構造体およびレジスト層が積層された面に、エッチング液を接液させることで、前記領域以外の領域で表出しているカーボンナノチューブ構造体層を除去する除去工程と、を含む工程である態様。
この態様は、一般的にウェットエッチング(薬液=エッチング液を使用して任意の部分を取り除く方法)と称される方法である。
ここで、本発明において「接液」とは、対象物を液体に接触させる行為全てを含む概念であり、浸漬、スプレー、流し掛け等、いずれの方法で液体に対象物を接触させても構わない。
以上の各工程を経ることで、本発明の電波吸収体を製造することができるが、本発明の電波吸収体の製造方法においては、その他の工程を含めることもできる。
例えば、前記供給工程(特に、塗布による場合)に先立ち、前記基体の表面を予め処理する表面処理工程を設けるのも好適である。表面処理工程は、例えば、供給(塗布)される架橋溶液の吸着性を高めるため、上層として形成されるカーボンナノチューブ構造体と基体表面との接着性を高めるため、基体表面を清浄化するため、基体表面の電気伝導度を調整するため、等の目的で行われる。
また、保護層や電極層等その他の層を別途積層する場合には、これらの層を形成するための工程が必要となる。これら各層は、その目的に応じた材料・方法を従来公知の方法から選択して、あるいは、本発明のために新たに開発した物ないし方法により、適宜形成すればよい。
本発明の電波吸収体の製造方法の有用な応用例として、電波吸収層を基体表面に形成するに際して、仮基板の表面に一旦カーボンナノチューブ構造体をパターニングした後、所望とする基体に転写(転写工程)する方法がある。また、当該転写工程において、当該仮基板から中間転写体表面にパターニングされたカーボンナノチューブ構造体を一旦転写し、さらに所望とする基体(第2の基体)に転写する構成としても構わない。
当該応用例において使用可能な仮基板としては、[電波吸収体]の項で説明した基体と同様の材質のものが使用可能であり、好ましいものである。ただし、転写工程における転写適性を考慮すると、少なくとも1つの平面を有することが望まれ、平板状ないし膜状であることがより好ましい。
当該応用例によれば、本発明の電波吸収体を容易に製造することができる。
あるいは、仮基板(もしくは中間転写体)の表面にカーボンナノチューブ構造体が担持されたカーボンナノチューブ転写体を用いて、電波吸収体を構成する基体の表面に前記カーボンナノチューブ構造体だけを転写し、仮基板(もしくは中間転写体)を除去するようにすれば、利用者は架橋工程を省略しても、電波吸収体の電波吸収層を作製できるようになる。なお、ここではプロセス上中間転写体がカーボンナノチューブ転写体の仮基板となる場合があるが、カーボンナノチューブ転写体自体としては区別する必要はないので、この場合も含むものとする。
次に、図4(b)に示されように、例えば粘着テープの如き基体28を用意し、その粘着面をカーボンナノチューブ構造体24が形成された仮基板22側に向けて、基体28を矢印X方向に移動させて、図4(c)に示すように、両者を貼り合わせる。
以上のようにして、仮基板22を介して、基体28にカーボンナノチューブ構造体24がパターニングされ、本発明の電波吸収体が製造される。
例えば、前記架橋工程で、供給後の前記溶液を硬化するために加熱する温度が、電波吸収体の基体にしようとしている材料の融点ないしガラス転移点以上となってしまう場合に、上記応用例は有効である。このとき、前記加熱温度を前記仮基板の融点よりも低く設定することで、硬化のために必要な加熱温度を確保することができ、適切に本発明の電波吸収体を製造することができる。
接地電極を設ける場合、上記実施形態のように、基体の電波吸収層を支持する表面と異なる表面(基体が板状である場合には裏面)に設けてもよい。基体自体に厚みがある場合には、当該基体の内部に接地電極を設けても構わない。
[実施例1]
実施例1では、図3に記載の電波吸収体の製造方法の流れにより、図1および図2に示される構成の電波吸収体を製造した。
なお、本実施例の説明においては、図1〜3の符号を用いる場合がある。
(A−1)架橋溶液の調製(付加工程)
(i)カルボキシル基の付加・・・カーボンナノチューブカルボン酸の合成
多層カーボンナノチューブ粉末(純度90%、平均直径30nm、平均長さ3μm;サイエンスラボラトリー製)30mgを濃硝酸(60質量%水溶液、関東化学製)20mlに加え、120℃の条件で還流を20時間行い、カーボンナノチューブカルボン酸を合成した。以上の反応スキームを図5に示す。なお、図5中カーボンナノチューブ(CNT)の部分は、2本の平行線で表している(反応スキームに関する他の図に関しても同様)。
また、回収された沈殿物を中性の純水に添加してみると、分散性が良好であることが確認された。この結果は、親水性のカルボキシル基がカーボンナノチューブに導入されたという、赤外吸収スペクトルの結果を支持する。
上記工程で調製されたカーボンナノチューブカルボン酸30mgを、メタノール(和光純薬製)25mlに加えた後、濃硫酸(98質量%、和光純薬製)5mlを加えて、65℃の条件で還流を6時間行い、メチルエステル化した。以上の反応スキームを図6に示す。
上記工程で得られたメチルエステル化したカーボンナノチューブカルボン酸30mgを、グリセリン(関東化学製)4gに加え、超音波分散機を用いて混合した。さらに、これを粘度調整剤としてのメタノール4gに加え、架橋溶液(1)を調製した。
基体12(誘電体基板1)としてのガラス基板(100mm×100mm、厚さ1.2mm)を用意した。この上に塗布する架橋溶液(1)と、当該シリコンウエハーとの吸着性を上げるために、アミノプロピルトリエトキシシランにより、ガラス基板の表面処理を行った。
アミノプロピルトリエトキシシランによる表面処理は、密閉したシャーレ内で、上記基体12をアミノプロピルトリエトキシシラン(アルドリッチ社製)50μlの蒸気に3時間程度晒すことで行った。
工程(A−1)で調製された架橋溶液(1μl)を、表面処理が施された基体112表面にスピンコーター(ミカサ社製、1H−DX2)を用い、100rpm,30秒の条件で塗布した。
架橋溶液を塗布した後、当該架橋体膜が形成された基体12(誘電体基板1)を、200℃で2時間加熱し架橋体膜を硬化し、カーボンナノチューブ構造体を形成した。反応スキームを図7に示す。
得られたカーボンナノチューブ構造体の状態を光学顕微鏡で確認したところ、極めて均一な硬化膜となっていた。
(C−1)レジスト層形成工程
カーボンナノチューブ構造体14が形成された基体12の当該カーボンナノチューブ構造体14側の表面に、スピンコーター(ミカサ社製、1H−DX2)を用い、レジスト剤(長瀬産業製、NPR9710、粘度50mPa・s)を、2000rpm、20秒の条件で塗布し、ホットプレートにより2分間、100℃で加熱して製膜させて、レジスト層116を形成した(図3(b))。
なお、レジスト剤NPR9710の組成は、以下の通りである。
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート:50〜80質量%
・ノボラック樹脂: 20〜50質量%
・感光剤: 10質量%未満
以上のようにしてレジスト層16が所定のパターンの形状に形成された基体12を、UVアッシャー(エキシマ真空紫外線ランプ、アトム技研製、EXM−2100BM、波長172nm)により、混合ガス(酸素10mL/min,窒素40mL/min)中200℃で加熱し、5時間紫外線(172nm)を照射することで酸素ラジカルを発生させカーボンナノチューブ構造体14におけるレジスト層116で保護されていない部分を除去した。その結果、レジスト層16で覆われた状態でカーボンナノチューブ構造体14が、図2に示されるような電波吸収層2の形状に形成された(図3(d))。このとき、レジスト層16は、カーボンナノチューブ構造体14を介して基体12の表面に残存している。
上記「所定のパターン」の形状に形成されたカーボンナノチューブ構造体14の上層として残存しているレジスト層16を、アセトンで洗い流すことにより洗浄して除去し(図3(e))、本実施例において電波吸収体の電波吸収層として機能する電波吸収層2(24mm×24mm正方形が縦横4個ずつ計16個、1mm間隔でタイル状に配置。)を得た。
一般に、電波吸収体において、厚さが薄ければ薄いほど、また、反射減衰量が大きければ大きいほど、優れた電波吸収体であると言うことができる。本発明者らは、現実的な要求仕様として、反射減衰量は垂直方向で−6dB(25%)以下、−14dB(4%)以下の2つの設定で評価を行った。
実施例2では、実施例1の「(A−1)架橋溶液の調製」で得られた架橋溶液を用いて、実施例1の手順に従い、電波吸収層の形状および配置のみ「4mm×4mm正方形が縦10個横20個計200個、1mm間隔でタイル状に配置。」に代えた他は、実施例1と同様にして電波吸収層を得た。さらに実施例1と同様にして、アルミ箔を接着することにより接地電極を構成する金属面を形成し、本実施例の電波吸収体を得た。
次に、実施例1と同様の装置を用い、同様の操作を行うことにより、本実施例の電波吸収体について反射減衰率(S11)の評価を行った。
その結果、4.3GHz〜58GHzの周波数範囲で−6dB以下の反射減衰率が得られた。また、23GHz〜57.5GHzの周波数範囲で−14dB以下の反射減衰率が得られた。
Claims (45)
- 複数のカーボンナノチューブと、少なくともその一端がそれぞれ異なる前記カーボンナノチューブに結合された複数の官能基同士の化学結合により形成された架橋部位と、からなる網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体を含むベタ状の電波吸収層が、基体表面にタイル状に配置されてなることを特徴とする電波吸収体。
- 前記基体が、板状または膜状であることを特徴とする請求項1に記載の電波吸収体。
- 前記基体の前記電波吸収層を支持する表面と異なる表面に、接地電極が設けられてなることを特徴とする請求項1に記載の電波吸収体。
- 前記カーボンナノチューブ構造体が、官能基を有するカーボンナノチューブと、前記官能基と架橋反応を起こす架橋剤と、の硬化により、前記カーボンナノチューブが有する前記官能基と前記架橋剤とを架橋反応させて前記架橋部位が形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の電波吸収体。
- 前記架橋部位が、架橋反応後に残存する前記官能基の残基同士を、前記架橋剤の残基である炭化水素を骨格とする連結基により連結した架橋構造であることを特徴とする請求項4に記載の電波吸収体。
- 前記連結基が、2〜10個の炭素を有する炭化水素を骨格とすることを特徴とする請求項5に記載の電波吸収体。
- 前記架橋部位が、−COO(CH2)2OCO−、−COOCH2CHOHCH2OCO−、−COOCH2CH(OCO−)CH2OHおよび−COOCH2CH(OCO−)CH2OCO−からなる群より選ばれるいずれかの化学構造であることを特徴とする請求項4に記載の電波吸収体。
- 前記架橋部位が、複数の前記官能基同士の化学結合により形成された構造からなることを特徴とする請求項1に記載の電波吸収体。
- 前記架橋部位が、−COOCO−、−O−、−NHCO−、−COO−、−NCH−、−NH−、−S−、−NHCOO−および−S−S−からなる群より選ばれる少なくともいずれか1つの化学構造であることを特徴とする請求項8に記載の電波吸収体。
- 複数のカーボンナノチューブが相互に電気的に接続された網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体を含むベタ状の電波吸収層が、基体表面にタイル状に配置されてなる電波吸収体を製造するための方法であって、前記電波吸収層を前記基体表面に形成する方法として、
少なくとも、官能基を有する複数のカーボンナノチューブを前記基体表面に供給する供給工程と、
前記官能基間を化学結合させることにより架橋部位を形成し、前記カーボンナノチューブ構造体を形成する架橋工程と、
を含むことを特徴とする電波吸収体の製造方法。 - 前記架橋工程に引き続いてさらに、形成されたカーボンナノチューブ構造体を、所望の形状にパターニングするパターニング工程を含むことを特徴とする請求項10に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記パターニング工程が、前記基体表面における前記所望の形状に応じたパターン以外の領域のカーボンナノチューブ構造体に、ドライエッチングを行うことで、当該領域のカーボンナノチューブ構造体を除去し、前記カーボンナノチューブ構造体を前記電波吸収層に応じたパターンにパターニングする工程であることを特徴とする請求項11に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記パターニング工程が、
前記基体表面における前記所望の形状に応じたパターンの領域のカーボンナノチューブ構造体の上に、レジスト層を設けるレジスト層形成工程と、
前記基体の前記カーボンナノチューブ構造体およびレジスト層が積層された面に、ドライエッチングを行うことで、前記領域以外の領域で表出しているカーボンナノチューブ構造体を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする請求項11に記載の電波吸収体の製造方法。 - 前記除去工程において、前記基体の前記カーボンナノチューブ構造体およびレジスト層が積層された面に、酸素分子のラジカルを照射することを特徴とする請求項13に記載の電波吸収体の製造方法。
- 酸素分子に紫外線を照射することにより、酸素ラジカルを発生させ、これを前記基体の前記カーボンナノチューブ構造体およびレジスト層が積層された面に照射するラジカルとして用いることを特徴とする請求項14に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記パターニング工程が、除去工程に引き続いてさらに、レジスト層形成工程で設けられた前記レジスト層を剥離するレジスト層剥離工程を含むことを特徴とする請求項13に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記レジスト層が、樹脂層であることを特徴とする請求項13に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記パターニング工程が、前記基体表面における前記所望の形状に応じたパターン以外の領域のカーボンナノチューブ構造体に、ガス分子のイオンをイオンビームにより選択的に照射することで、当該領域のカーボンナノチューブ構造体を除去し、前記カーボンナノチューブ構造体を前記電波吸収層に応じたパターンにパターニングする工程であることを特徴とする請求項11に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記供給工程において、前記基体表面にさらに、前記官能基間を架橋する架橋剤を供給することを特徴とする請求項10に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記架橋剤が、非自己重合性の架橋剤であることを特徴とする請求項19に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記官能基が、−OH、−COOH、−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)、−COX(Xはハロゲン原子)、−NH2および−NCOからなる群より選ばれる少なくともいずれか1つの基であり、前記架橋剤が、選択された前記官能基と架橋反応を起こし得る架橋剤であることを特徴とする請求項20に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記架橋剤が、ポリオール、ポリアミン、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸エステル、ポリカルボン酸ハライド、ポリカルボジイミドおよびポリイソシアネートからなる群より選ばれる少なくともいずれか1つの架橋剤であり、前記官能基が、選択された前記架橋剤と架橋反応を起こし得る官能基であることを特徴とする請求項21に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記官能基が、−OH、−COOH、−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)、−COX(Xはハロゲン原子)、−NH2および−NCOからなる群より選ばれる少なくともいずれか1つの基であり、
前記架橋剤が、ポリオール、ポリアミン、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸エステル、ポリカルボン酸ハライド、ポリカルボジイミドおよびポリイソシアネートからなる群より選ばれる少なくともいずれか1つの架橋剤であり、
前記官能基と前記架橋剤とが、相互に架橋反応を起こし得る組み合わせとなるようにそれぞれ選択されたことを特徴とする請求項20に記載の電波吸収体の製造方法。 - 前記官能基が、−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)であることを特徴とする請求項19に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記架橋剤が、ポリオールであることを特徴とする請求項24に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記架橋剤が、グリセリン、エチレングリコール、ブテンジオール、ヘキシンジオール、ヒドロキノンおよびナフタレンジオールからなる群より選ばれる少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項24に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記供給工程において、前記官能基を有する複数のカーボンナノチューブ、前記架橋剤および溶剤を含む溶液を前記基体表面に供給することを特徴とする請求項10に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記架橋剤が、溶剤を兼ねることを特徴とする請求項27に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記化学結合を生ずる反応が、複数の前記官能基同士を化学結合させる反応であることを特徴とする請求項10に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記供給工程で、前記官能基同士の化学結合を生じさせる添加剤をさらに前記基体表面に供給することを特徴とする請求項29に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記反応が脱水縮合であって、前記添加剤が縮合剤であることを特徴とする請求項30に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記縮合剤が、硫酸、N−エチル−N'−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミドおよびジシクロヘキシルカルボジイミドからなる群より選ばれる少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項31に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記官能基が、−COOR(Rは、置換または未置換の炭化水素基)、−COOH、−COX(Xはハロゲン原子)、−OHおよび−CHO、−NH2からなる群より選ばれる少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項31に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記官能基が−COOHであることを特徴とする請求項31に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記反応が置換反応であって、前記添加剤が塩基であることを特徴とする請求項30に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記塩基が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ピリジンおよびナトリウムエトキシドからなる群より選ばれる少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項35記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記官能基が、−NH2、−X(Xはハロゲン原子)、−SH、−OH、−OSO2CH3および−OSO2(C6H4)CH3からなる群より選ばれる少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項35に記載電波吸収体の製造方法。
- 前記反応が、付加反応であることを特徴とする請求項29に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記官能基が、−OHおよび/または−NCOであることを特徴とする請求項38に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記反応が、酸化反応であることを特徴とする請求項30に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記官能基が、−SHであることを特徴とする請求項40に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記添加剤が、酸化反応促進剤であることを特徴とする請求項40に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記酸化反応促進剤が、ヨウ素であることを特徴とする請求項42に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記供給工程において、前記官能基を有する複数のカーボンナノチューブおよび溶剤を含む溶液を前記基体表面に供給することを特徴とする請求項29に記載の電波吸収体の製造方法。
- 前記供給工程において、前記官能基を有する複数のカーボンナノチューブ、前記添加剤および溶剤を含む溶液を前記基体表面に供給することを特徴とする請求項29に記載の電波吸収体の製造方法。
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