JP4437301B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 83
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 44
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 27
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 20
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 20
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 2
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009958 sewing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/482—Bit lines
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/48—Data lines or contacts therefor
- H10B12/488—Word lines
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
101a 活性領域
102 素子分離領域
103 ドレイン
104 ソース
105 ワード配線
105a ゲート絶縁膜
105b ゲート電極
105c、105e 保護絶縁膜
105d、105f、111c サイドウォール
106 第1層間絶縁膜
107、108 コンタクトホール
107a、108a コンタクトプラグ
109 第2層間絶縁膜
110 ビット配線コンタクトプラグ
110a 第2コンタクトプラグ
111 ビット配線
111a タングステン膜
111b 酸化シリコン膜
112 第3層間絶縁膜
113 容量コンタクトプラグ
113a 容量コンタクトホール
114 第4層間絶縁膜
115 キャパシタの下部電極
116 容量絶縁膜
117 上部電極
118 第5層間絶縁膜
119 配線層
130、133 ハードマスク
131 ホトレジストパターン
132a、132b 有機塗布膜
134 バリヤ層
134a シリコン膜
134b チタン膜
134c 窒化チタン膜
134d チタンシリサイド膜
135 タングステン膜
136 タングステン膜
137 酸化シリコン膜
Claims (13)
- (1)半導体基板上に素子分離領域で囲まれた活性領域を形成する工程と、
(2)前記活性領域を横切り、夫々の表面に保護絶縁膜が形成された複数の配線を形成する工程と、
(3)前記活性領域内で、前記配線間の前記半導体基板表面に第1絶縁膜を形成する工程と、
(4)全面に第2絶縁膜を形成し、この第2絶縁膜を前記第1絶縁膜を残存したままエッチバックして前記配線の側壁にサイドウォールを形成する工程と、
(5)半導体基板上に有機塗布膜を形成する工程と、
(6)前記有機塗布膜をベーク処理する工程と、
(7)前記有機塗布膜にコンタクトホールを形成し、さらに前記残存した前記第1絶縁膜を除去して前記配線間の前記半導体基板表面部分を露出する工程と、
(8)前記コンタクトホール内に前記半導体基板表面部分に接してコンタクトプラグを形成する工程と、
(9)前記有機塗布膜を選択的に除去して、前記コンタクトプラグの側壁の少なくとも一部を露出させる工程と、
(10)全面に無機絶縁膜を形成し、前記コンタクトプラグを埋め込む工程と、
(11)前記無機絶縁膜の表面を研磨し、前記コンタクトプラグの表面を露出させる工程と、
を上記の順に少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、前記有機塗布膜は、シリコンを含有しない有機塗布膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記配線は、ダイナミックランダムアクセスメモリのワード配線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記保護絶縁膜および前記第2絶縁膜は窒化シリコン膜であり、前記第1絶縁膜は熱酸化法で形成される酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記コンタクトプラグは、下層のバリヤ層および上層の金属膜で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項5において、前記バリヤ層は、シリコン膜、金属膜、金属シリサイド膜、金属窒化物膜から選択される材料で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項5において、前記コンタクトプラグを形成する工程は、前記有機塗布膜にコンタクトホールを形成した後、
(1)シリコン膜を全面に形成する工程と、
(2)前記シリコン膜を形成した後、第1の金属膜および金属窒化物膜を全面に形成する工程と、
(3)前記第1の金属膜および金属窒化物膜を全面に形成した後、前記コンタクトホールを埋め込むように、全面に第2の金属膜を形成する工程と、
(4)前記有機塗布膜上に形成された前記シリコン膜、前記第1の金属膜および金属窒化物膜、前記第2の金属膜を除去し、前記有機塗布膜の表面を露出させる工程と、
(5)表面が露出した前記有機塗布膜を選択的に除去する工程と、
(6)熱処理により、前記シリコン膜と前記第1の金属膜を反応させ、金属シリサイド膜を形成する工程と、
を、上記の順に少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6又は7において、前記シリコン膜は、シランとジボランを原料ガスとするボロンドープ非晶質シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項7において、前記第2の金属膜は、6フッ化タングステンを原料ガスとして形成するタングステン膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記有機塗布膜に前記コンタクトホールを形成する工程はアンモニアプラズマを用いた異方性ドライエッチングにより形成し、前記有機塗布膜を選択的に除去する工程は酸素プラズマを用いた等方性エッチングにより除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- (1)半導体シリコン基板上に素子分離領域で囲まれた活性領域を形成する工程と、
(2)前記活性領域を横切り、ゲート電極と窒化シリコン保護膜からなる複数のワード配線を形成する工程と、
(3)前記活性領域内で、前記ワード配線間の前記シリコン基板表面に熱酸化膜を形成する工程と、
(4)全面に窒化シリコン膜を形成し、前記熱酸化膜が消滅しないようにエッチバックすることにより前記ワード配線の側壁にサイドウォールを形成する工程と、
(5)半導体基板上に全面に回転塗布法により有機塗布膜を形成する工程と、
(6)前記有機塗布膜をベーク処理する工程と、
(7)前記有機塗布膜上にハードマスクを形成する工程と、
(8)前記ハードマスク上にホトレジストのホールパターンを形成する工程と、
(9)前記ホールパターンを前記ハードマスクに転写する工程と、
(10)前記ハードマスクを用いて、アンモニアもしくは酸素プラズマにより前記有機塗布膜をドライエッチングすることにより、前記ワード配線間にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの底部に前記熱酸化膜を露出させる工程と、
(11)前記コンタクトホールの底部に露出した前記熱酸化膜を除去する工程と、
(12)前記コンタクトホール内面を覆うように、全面に、シランとジボランを原料ガスとするボロンドープ非晶質シリコン膜、第1の金属膜および金属窒化物膜からなるバリヤ層を形成する工程と、
(13)前記コンタクトホール内を埋めるように、全面にタングステンからなる第2の金属膜をCVD法により形成する工程と、
(14)前記有機塗布膜の表面に形成された、前記バリヤ層および前記第2の金属膜を除去してコンタクトプラグを形成すると同時に前記有機塗布膜の表面を露出させる工程と、
(15)前記表面が露出した前記有機塗布膜を、アンモニアもしくは酸素プラズマによるドライエッチングで除去し、前記コンタクトプラグの柱を形成する工程と、
(16)前記コンタクトプラグの柱を覆うように、全面に無機絶縁膜を形成する工程と、
(17)前記無機絶縁膜を表面から研磨し、前記コンタクトプラグの表面を露出させる工程と、
を上記の順に少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11において、前記工程(12)で形成する前記ボロンドープ非晶質シリコン膜は、前記第1の金属膜を形成する前にn型不純物を注入し、n型不純物ドープ非晶質シリコン膜に変換される工程をさらに有する半導体装置の製造方法。
- 請求項11又は12において、前記工程(15)以降の工程で熱処理し、前記非晶質シリコン膜と前記第1の金属膜を反応させて、少なくとも前記金属窒化物膜と前記半導体基板の間に金属シリサイド膜を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007048515A JP4437301B2 (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
US12/037,118 US7592249B2 (en) | 2007-02-28 | 2008-02-26 | Method for manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007048515A JP4437301B2 (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008211119A JP2008211119A (ja) | 2008-09-11 |
JP4437301B2 true JP4437301B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=39787141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007048515A Active JP4437301B2 (ja) | 2007-02-28 | 2007-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7592249B2 (ja) |
JP (1) | JP4437301B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8283259B2 (en) * | 2010-08-31 | 2012-10-09 | Micron Technology, Inc. | Methods of removing a metal nitride material |
JP5989673B2 (ja) * | 2011-02-01 | 2016-09-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板テーブル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 |
US8551877B2 (en) * | 2012-03-07 | 2013-10-08 | Tokyo Electron Limited | Sidewall and chamfer protection during hard mask removal for interconnect patterning |
TWI649838B (zh) | 2018-04-10 | 2019-02-01 | 華邦電子股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR20210103143A (ko) * | 2020-02-13 | 2021-08-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
CN113224058B (zh) * | 2021-04-07 | 2023-03-10 | 芯盟科技有限公司 | 半导体结构及半导体结构的形成方法 |
CN114400205A (zh) * | 2022-01-13 | 2022-04-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体结构及其制造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0430450A (ja) | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Hitachi Ltd | 多層配線の製造方法 |
JPH1187493A (ja) | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001102550A (ja) | 1999-09-02 | 2001-04-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 自己整合コンタクトを有する半導体メモリ装置及びその製造方法 |
KR100704469B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2007-04-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
JP2006108452A (ja) | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4956919B2 (ja) * | 2005-06-08 | 2012-06-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-02-28 JP JP2007048515A patent/JP4437301B2/ja active Active
-
2008
- 2008-02-26 US US12/037,118 patent/US7592249B2/en active Active - Reinstated
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008211119A (ja) | 2008-09-11 |
US20080299760A1 (en) | 2008-12-04 |
US7592249B2 (en) | 2009-09-22 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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