JP4430435B2 - カスケード式有機電場発光デバイス - Google Patents
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Description
a)アノード、
b)カソード、
c)該アノードと該カソードの間に配置された、少なくとも正孔輸送層及び電子輸送層を含む複数の有機電場発光ユニット、並びに
d)各隣接有機電場発光ユニット間に配置された、順にn型ドープト有機層及びp型ドープト有機層を含む連結ユニット
を含んで成り、
e)該p型ドープト有機層がジヒドロフェナジン誘導体系化合物を含む
ことを特徴とするカスケード式有機電場発光デバイスによって達成される。
R1は、水素、ハロゲン、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、もしくはアミノであるか、又はR2に連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R4は、水素、ハロゲン、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、もしくはアミノであるか、又はR3に連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R5は、水素、ハロゲン、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、もしくはアミノであるか、又はR6に連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R8は、水素、ハロゲン、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、もしくはアミノであるか、又はR7に連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R2及びR3は、各々独立に、水素、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、ハロゲン、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、チオアリール、もしくはチオアルキルであるか、又は連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R6及びR7は、各々独立に、水素、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、ハロゲン、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、チオアリール、もしくはチオアルキルであるか、又は連結して5員もしくは6員の環系を形成し、そして
R9及びR10は、各々独立に、水素、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、又はアルケニルもしくは置換アルケニルである。
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン
4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメタン
N,N,N-トリ(p-トリル)アミン
4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-スチリル]スチルベン
N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラ-1-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラ-2-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニル
N-フェニルカルバゾール
4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン
2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン
2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン
N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-ターフェニル
4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]アミノ}ビフェニル
4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェニル
2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4',4"-トリス[(3-メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン
CO-1:アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-2:マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノリノラト)マグネシウム(II)〕
CO-3:ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II)
CO-4:ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)
CO-5:インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)インジウム〕
CO-6:アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-7:リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチウム(I)〕
CO-8:ガリウムオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)ガリウム(III)〕
CO-9:ジルコニウムオキシン〔別名、テトラ(8-キノリノラト)ジルコニウム(IV)〕
本明細書において引用した特許明細書その他の刊行物の内容全体を本明細書の一部とする。
ジヒドロフェナジン誘導体は2段階で合成することができる。第1段階では、アリールジヒドロキシ誘導体とアリールジアミノ誘導体との間で縮合反応を行いジヒドロフェナジン中間体を得る。これらの中間体は、適切な予防手段を講じなければ酸化を受けやすいので、周知のPd触媒交差カップリング法でN-アルキル化又はN-アリール化を施す。表1に、各種ジヒドロフェナジン系化合物を列挙する。
化合物I〜IVの合成を合成スキームで説明する。次いで、化合物I〜IVを適当な臭化アリールと反応させて化合物V〜XVIIを得る。
Mikulla、Markus、Mulhaupt、Rolf(Macromol. Chem. Phys., 199, 795-805, 1998)に従い合成した。
窒素雰囲気下の丸底フラスコに、2,3-ジヒドロキシナフタレン(10g、62.5ミリモル)、1,2-フェニレンジアミン(6.75g、62.5ミリモル)及びN,N-ジメチルアニリン(54mL)を入れた。混合物を還流しながら攪拌した。反応を、TLC(CH2Cl2:ヘプタン/1:1)で、2,3-ジヒドロキシナフタレンが全部反応するまで(〜3時間)監視した。室温まで冷却した後、トルエン(100mL)を添加して固形分を真空濾過法で集めた。トルエン(50mL)、エタノール(100mL)及びヘキサン(50mL)で洗浄した後、生成物を真空乾燥させ、淡黄色固体11.0g(収率76%)を得た。
窒素雰囲気下の丸底フラスコに、2,3-ジヒドロキシナフタレン(10g、62.5ミリモル)、4,5-ジメチル-1,2-フェニレンジアミン(8.5g、62.5ミリモル)及びN,N-ジメチルアニリン(54mL)を入れた。混合物を還流しながら攪拌した。反応を、TLC(CH2Cl2:ヘプタン/1:1)で、2,3-ジヒドロキシナフタレンが全部反応するまで(〜3時間)監視した。室温まで冷却した後、トルエン(100mL)を添加して固形分を真空濾過法で集めた。トルエン(50mL)、エタノール(100mL)及びヘキサン(50mL)で洗浄した後、生成物を真空乾燥させ、淡黄色固体23.3g(収率33%)を得た。
窒素雰囲気下の丸底フラスコに、2,3-ジヒドロキシナフタレン(10g、62.5ミリモル)、2,3-ジアミノナフタレン(9.9g、62.5ミリモル)及びN,N-ジメチルアニリン(54mL)を入れた。混合物を還流しながら攪拌した。反応を、TLC(CH2Cl2:ヘプタン/1:1)で、2,3-ジヒドロキシナフタレンが全部反応するまで(〜3時間)監視した。室温まで冷却した後、トルエン(100mL)を添加して固形分を真空濾過法で集めた。トルエン(50mL)、エタノール(100mL)及びヘキサン(50mL)で洗浄した後、生成物を真空乾燥させ、淡黄色固体11.5g(収率65%)を得た。
窒素雰囲気下の丸底フラスコに、ジヒドロフェナジン誘導体(1当量)、臭化アリール(2.2当量)、ナトリウムt-ブトキシド(3.0当量)、[Pd2(dba)3]トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(ジヒドロフェナジン誘導体の3モル%)、トリ-t-ブチルホスフィン(Pd触媒の0.8当量)及びナトリウムt-ブトキシド(3当量)を全部入れた。カニューレを用いて無水トルエンを添加し、混合物を一晩かけて加熱還流させた。当該生成物のトルエンへの溶解度に応じて2つの仕上げ手順を採用した。
反応混合物を室温まで冷却した後、析出した固形分を、真空濾過法で集め、追加のトルエンで洗浄した。次いで、フィルターケークを水でよく洗浄し、その後エタノール、常温テトラヒドロフラン、そして最後にヘキサンで洗浄した。次いで、生成物を炉内で乾燥し、純物質を得た。
反応混合物を高温のまま濾過し、そのフィルターを追加のトルエンで洗浄した。濾液を濃縮して濃色固体にした。CH2Cl2に溶かしてシリカゲルパッドに通した後、溶媒をロータリーエバポレータで除去した。ヘキサンを加え、そして生成物を濾過法で集めて炉内で乾燥して、純物質を得た。
生成物を濾過法で集めて徹底的に乾燥した後、すべての材料を600ミリトルのトレイン昇華法(train sublimation)で昇華させた。
合成例1(化合物VI)
上記の一般手順を、化合物(II)[3.0g、12.9ミリモル]、4-ブロモトルエン[4.86g、28.5ミリモル]、ナトリウムt-ブトキシド[3.2g、33.3ミリモル]、Pd2(dba)3[300mg、0.32ミリモル]、トリ-t-ブチルホスフィン(数滴)及びトルエン[50mL]を使用して実施した。仕上げ手順2を採用し、昇華後に化合物VIが褐色固体として3.1g(収率58%)得られた。
FD-MS(m/z):412
上記の一般手順を、化合物(II)[3.0g、12.9ミリモル]、4-ブロモビフェニル[6.63g、28.4ミリモル]、ナトリウムt-ブトキシド[3.2g、33.3ミリモル]、Pd2(dba)3[300mg、0.32ミリモル]、トリ-t-ブチルホスフィン(数滴)及びトルエン[50mL]を使用して実施した。仕上げ手順2を採用し、昇華後に化合物VIIIが橙色固体として5.1g(収率74%)得られた。
FD-MS(m/z):536
上記の一般手順を、化合物(III)[3.0g、11.5ミリモル]、4-ブロモナフタレン[4.95g、23.0ミリモル]、ナトリウムt-ブトキシド[3.4g、35.4ミリモル]、Pd2(dba)3[300mg、0.32ミリモル]、トリ-t-ブチルホスフィン(数滴)及びトルエン[50mL]を使用して実施した。仕上げ手順1を採用し、昇華後に化合物Xが黄色固体として4.0g(収率68%)得られた。
FD-MS(m/z):512
上記の一般手順を、化合物(IV)[3.0g、10.6ミリモル]、4-ブロモトルエン[4.0g、23.4ミリモル]、ナトリウムt-ブトキシド[3.2g、33.3ミリモル]、Pd2(dba)3[300mg、0.32ミリモル]、トリ-t-ブチルホスフィン(数滴)及びトルエン[50mL]を使用して実施した。仕上げ手順1を採用し、昇華後に化合物XIIIが黄色固体として3.2g(収率65%)得られた。
FD-MS(m/z):462
上記の一般手順を、化合物(IV)[2.6g、9.2ミリモル]、4-ブロモナフタレン[4.0g、19.3ミリモル]、ナトリウムt-ブトキシド[3.0g、31.2ミリモル]、Pd2(dba)3[300mg、0.32ミリモル]、トリ-t-ブチルホスフィン(数滴)及びトルエン[50mL]を使用して実施した。仕上げ手順1を採用し、昇華後に化合物XIVが橙色固体として4.2g(収率85%)得られた。
FD-MS(m/z):534
上記の一般手順を、化合物(IV)[3.0g、10.6ミリモル]、2-ブロモ-6-メトキシナフタレン[5.55g、23.4ミリモル]、ナトリウムt-ブトキシド[3.2g、33.3ミリモル]、Pd2(dba)3[300mg、0.32ミリモル]、トリ-t-ブチルホスフィン(数滴)及びトルエン[50mL]を使用して実施した。仕上げ手順1を採用し、昇華後に化合物XVが黄色固体として4.0g(収率63%)得られた。
FD-MS(m/z):594
上記の一般手順を、化合物(III)[3.0g、11.5ミリモル]、4-ブロモ-N,N-ビス(4-メチルフェニル)-ベンゼンアミン[8.5g、24ミリモル]、ナトリウムt-ブトキシド[3.4g、35.4ミリモル]、Pd2(dba)3[300mg、0.32ミリモル]、トリ-t-ブチルホスフィン(数滴)及びトルエン[50mL]を使用して実施した。仕上げ手順1を採用し、昇華後に化合物XVIIが黄色固体として5.0g(収率54%)得られた。
FD-MS(m/z):802
以下の実施例は本発明のさらなる理解のために提供されるものである。簡略化のため、材料及びそれから得られた層を、以下の略号で記載する。
ITO:インジウム錫酸化物;ガラス基板上に透明アノードを形成する際に使用
CFx:フルオロカーボン重合体層;ITO上に正孔注入層を形成する際に使用
NPB: N,N'-ジ(ナフタレン-1-イル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジン;有機ELユニットの正孔輸送層を形成する際に使用し、また連結ユニットのp型ドープト有機層を形成する際にホストとして使用
Alq:トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム(III);有機ELユニットの電子輸送層及び発光層の双方を形成する際に使用し、また連結ユニットのn型ドープト有機層を形成する際にホストとして使用
F4-TCNQ:2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7',8,8'-テトラシアノキノジメタン;連結ユニットのp型ドープト有機層を形成する際にp型ドーパントとして使用
Li:リチウム;連結ユニットのn型ドープト有機層を形成する際にn型ドーパントとして使用
Mg:Ag:容積比10:0.5のマグネシウム:銀;カソードを形成する際に使用
従来型の非カスケード式OLEDを以下のように製作した。市販のガラススクラバーツールを使用して、透明ITO導電層を被覆した厚さ約1.1mmのガラス基板を洗浄して乾燥した。ITOの厚さは約42nmであり、ITOのシート抵抗は約68Ω/□である。次いで、そのITO面を酸化的プラズマで処理して当該表面をアノードとして状態調節した。きれいなITO面上に、RFプラズマ処理チャンバ内でCHF3ガスを分解させることにより、HILとして厚さ1nmのCFx層を付着させた。次いで、基板を真空蒸着チャンバ内に移送して、該基板上にその他すべての層を付着させた。下記の層を、約10-6Torrの真空下で加熱ボートから昇華させ、下記の順序で付着させた。
(1)NPBからなる厚さ75nmのHTL
(2)Alqからなる厚さ60nmのETL(発光層としても作用)
(3)Mg:Agからなる厚さ約210nmのカソード
カスケード式OLEDを以下のように製作した。市販のガラススクラバーツールを使用して、透明ITO導電層を被覆した厚さ約1.1mmのガラス基板を洗浄して乾燥した。ITOの厚さは約42nmであり、ITOのシート抵抗は約68Ω/□である。次いで、そのITO面を酸化的プラズマで処理して当該表面をアノードとして状態調節した。きれいなITO面上に、RFプラズマ処理チャンバ内でCHF3ガスを分解させることにより、HILとして厚さ1nmのCFx層を付着させた。次いで、基板を真空蒸着チャンバ内に移送して、該基板上にその他すべての層を付着させた。下記の層を、約10-6Torrの真空下で加熱ボートから昇華させ、下記の順序で付着させた。
(2)Alqからなる厚さ30nmのETL(発光層としても作用)
[NPB(90nm)/Alq(30nm)、EL1と表示、第1ELユニットを構成]
(3)Alqホストに1.2体積%のLiをドープしてなる厚さ30nmのn型ドープト有機層
(4)NPBホストに6体積%のF4-TCNQをドープしてなる厚さ60nmのp型ドープト有機層
[Liドープ型Alq(30nm)/F4-TCNQドープ型NPB(60nm)が第1連結ユニットを構成]
(5)NPBからなる厚さ30nmのHTL
(6)Alqからなる厚さ30nmのLEL
(7)Alqホストに1.2体積%のLiをドープしてなる厚さ30nmのETL
[NPB(30nm)/Alq(30nm)/Alq:Li(30nm)、EL2と表示、第2ELユニットを構成]
(8)Mg:Agからなる厚さ約210nmのカソード
カスケード式OLEDを例2と同様に製作したが、但し、NPBを化合物VIに置き換えた。
本カスケード式デバイス構造をITO/CFx/EL1/Alq:Li(30nm)/(化合物VI):F4-TCNQ(60nm)/EL2/Mg:Agと表示する。
カスケード式OLEDを例2と同様に製作したが、但し、NPBを化合物VIIに置き換えた。
本カスケード式デバイス構造をITO/CFx/EL1/Alq:Li(30nm)/(化合物VII):F4-TCNQ(60nm)/EL2/Mg:Agと表示する。
カスケード式OLEDを例2と同様に製作したが、但し、NPBを化合物Xに置き換えた。
本カスケード式デバイス構造をITO/CFx/EL1/Alq:Li(30nm)/(化合物X):F4-TCNQ(60nm)/EL2/Mg:Agと表示する。
カスケード式OLEDを例2と同様に製作したが、但し、NPBを化合物XIIIに置き換えた。
本カスケード式デバイス構造をITO/CFx/EL1/Alq:Li(30nm)/(化合物XIII):F4-TCNQ(60nm)/EL2/Mg:Agと表示する。
カスケード式OLEDを例2と同様に製作したが、但し、NPBを化合物XIVに置き換えた。
本カスケード式デバイス構造をITO/CFx/EL1/Alq:Li(30nm)/(化合物XIV):F4-TCNQ(60nm)/EL2/Mg:Agと表示する。
カスケード式OLEDを例2と同様に製作したが、但し、NPBを化合物XVに置き換えた。
本カスケード式デバイス構造をITO/CFx/EL1/Alq:Li(30nm)/(化合物XV):F4-TCNQ(60nm)/EL2/Mg:Agと表示する。
カスケード式OLEDを例2と同様に製作したが、但し、NPBを化合物XIVに置き換え、かつ、連結ユニット内のLiドープトAlq層とF4-TCNQドープト化合物XIV層との間に厚さ4nmのSb2O5層を配置した。
本カスケード式デバイス構造をITO/CFx/EL1/Alq:Li(30nm)/Sb2O5(4nm)/(化合物XIV):F4-TCNQ(60nm)/EL2/Mg:Agと表示する。
Claims (9)
- a)アノード、
b)カソード、
c)該アノードと該カソードの間に配置された、少なくとも正孔輸送層及び電子輸送層を含む複数の有機電場発光ユニット、並びに
d)各隣接有機電場発光ユニット間に配置された、順にn型ドープト有機層及びp型ドープト有機層を含む連結ユニット
を含んで成り、
e)該p型ドープト有機層がジヒドロフェナジン誘導体系化合物を含む
ことを特徴とするカスケード式有機電場発光デバイス。 - a)アノード、
b)カソード、
c)該アノードと該カソードの間に配置された、少なくとも正孔輸送層及び電子輸送層を含む複数の有機電場発光ユニット、並びに
d)各隣接有機電場発光ユニット間に配置された、順にn型ドープト有機層及びp型ドープト有機層を含む連結ユニット
を含んで成り、
e)該p型ドープト有機層が下式の化合物を含む
ことを特徴とするカスケード式有機電場発光デバイス。
R1は、水素、ハロゲン、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、もしくはアミノであるか、又はR2に連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R4は、水素、ハロゲン、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、もしくはアミノであるか、又はR3に連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R5は、水素、ハロゲン、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、もしくはアミノであるか、又はR6に連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R8は、水素、ハロゲン、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、もしくはアミノであるか、又はR7に連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R2及びR3は、各々独立に、水素、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、ハロゲン、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、チオアリール、もしくはチオアルキルであるか、又は連結して5員もしくは6員の環系を形成し、
R6及びR7は、各々独立に、水素、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、ハロゲン、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、アルケニルもしくは置換アルケニル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、チオアリール、もしくはチオアルキルであるか、又は連結して5員もしくは6員の環系を形成し、そして
R9及びR10は、各々独立に、水素、分枝、非分枝もしくは環状の炭素原子数1〜24のアルキル、炭素原子数5〜24のアリールもしくは置換アリール、複素環もしくは置換複素環、又はアルケニルもしくは置換アルケニルである。 - a)アノード、
b)カソード、
c)該アノードと該カソードの間に配置された、少なくとも正孔輸送層及び電子輸送層を含む複数の有機電場発光ユニット、並びに
d)各隣接有機電場発光ユニット間に配置された、順にn型ドープト有機層、界面層及びp型ドープト有機層を含む連結ユニット
を含んで成り、
e)該p型ドープト有機層がジヒドロフェナジン誘導体系化合物を含む
ことを特徴とするカスケード式有機電場発光デバイス。
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US20050282307A1 (en) * | 2004-06-21 | 2005-12-22 | Daniels John J | Particulate for organic and inorganic light active devices and methods for fabricating the same |
US7214600B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method to improve transmittance of an encapsulating film |
WO2006007313A2 (en) | 2004-06-25 | 2006-01-19 | Applied Materials, Inc. | Improving water-barrier performance of an encapsulating film |
US7220687B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology |
DE602005003425T2 (de) | 2004-10-11 | 2008-10-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Organische elektrolumineszierende Vorrichtung und deren Herstellungsmethode |
JP5036164B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2012-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置および電子機器 |
WO2006049323A1 (en) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light emitting device using the same |
US8202630B2 (en) * | 2004-11-05 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
US7351999B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-04-01 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer structure |
US7494722B2 (en) * | 2005-02-23 | 2009-02-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having an organic intermediate connector |
US20060240277A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED device |
US20060244370A1 (en) * | 2005-05-02 | 2006-11-02 | Eastman Kodak Company | Light-emitting layer spacing in tandem OLED devices |
US7728517B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Intermediate electrodes for stacked OLEDs |
US8017252B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic appliance using the same |
KR100712296B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 복수 발광단위를 구비하는 유기 전계 발광 소자 |
KR100672535B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
KR100806812B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2008-02-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
JP4837958B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-12-14 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20070046189A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Eastman Kodak Company | Intermediate connector for a tandem OLED device |
KR101384046B1 (ko) * | 2006-05-11 | 2014-04-09 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 |
CN101931056B (zh) | 2006-06-01 | 2014-07-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光器件和电子器件 |
DE102006051745B4 (de) * | 2006-09-28 | 2024-02-08 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
US9397308B2 (en) * | 2006-12-04 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
US20080241355A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistor devices having high electron mobility and stability |
US7911133B2 (en) * | 2007-05-10 | 2011-03-22 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
US20090001885A1 (en) * | 2007-06-27 | 2009-01-01 | Spindler Jeffrey P | Tandem oled device |
KR101462534B1 (ko) * | 2007-08-06 | 2014-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 혼합위상층을 구비한 백색 유기발광소자 및 그 제조방법 |
KR20090092051A (ko) | 2008-02-26 | 2009-08-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
US8385436B2 (en) * | 2008-07-16 | 2013-02-26 | Honeywell International Inc. | Apparatus and method for modifying transmissions on specified wireless channels to reduce interference with higher-priority transmitters |
US8372526B2 (en) | 2008-07-16 | 2013-02-12 | Universal Display Corporation | Intermediate connector for stacked organic light emitting devices |
JP5457847B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-04-02 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
US20110037054A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-02-17 | Chan-Long Shieh | Amoled with cascaded oled structures |
DE102010061013B4 (de) | 2010-12-03 | 2019-03-21 | Novaled Gmbh | Organisches elektro-optisches Bauelement |
KR101941084B1 (ko) * | 2011-11-24 | 2019-01-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR101894332B1 (ko) * | 2011-12-29 | 2018-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN102898388B (zh) * | 2012-09-26 | 2014-12-03 | 浙江工业大学 | 一种合成取代苯并[α]吩嗪类化合物的方法 |
US10461269B2 (en) * | 2013-12-20 | 2019-10-29 | Molecular Glasses, Inc. | Crosslinkable, /polymerizable and combinations thereof charge-transporting molecular glass mixtures, luminescent molecular glass mixtures, or combinations thereof for organic light emitting diodes and other organic electronics and photonics applications and method of making same |
US10593886B2 (en) | 2013-08-25 | 2020-03-17 | Molecular Glasses, Inc. | OLED devices with improved lifetime using non-crystallizable molecular glass mixture hosts |
KR102639569B1 (ko) * | 2016-06-20 | 2024-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
CN112079786B (zh) * | 2019-06-14 | 2024-05-21 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物、包含其的有机电子发光器件及其应用 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3172862A (en) * | 1960-09-29 | 1965-03-09 | Dow Chemical Co | Organic electroluminescent phosphors |
US3173050A (en) * | 1962-09-19 | 1965-03-09 | Dow Chemical Co | Electroluminescent cell |
US3710167A (en) * | 1970-07-02 | 1973-01-09 | Rca Corp | Organic electroluminescent cells having a tunnel injection cathode |
US4356429A (en) * | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
US4505841A (en) * | 1982-11-17 | 1985-03-19 | Chevron Research Company | Fused 6,6,6-membered heterocyclic electroactive polymers |
US4769292A (en) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
US5703436A (en) * | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
US6337492B1 (en) * | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
CN1293785C (zh) * | 1998-06-26 | 2007-01-03 | 出光兴产株式会社 | 发光器件 |
JP2000021574A (ja) | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Canon Inc | 発光素子 |
US6274980B1 (en) * | 1998-11-16 | 2001-08-14 | The Trustees Of Princeton University | Single-color stacked organic light emitting device |
JP2000260565A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-22 | Futaba Corp | 有機el素子 |
US6717358B1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-06 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability |
US6869699B2 (en) * | 2003-03-18 | 2005-03-22 | Eastman Kodak Company | P-type materials and mixtures for electronic devices |
-
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