JP2000260565A

JP2000260565A - 有機ｅｌ素子

Info

Publication number: JP2000260565A
Application number: JP11057217A
Authority: JP
Inventors: Hisamitsu Takahashi; 尚光高橋; Yasuhiro Iiizumi; 安広飯泉
Original assignee: Futaba Corp
Current assignee: Futaba Corp
Priority date: 1999-03-04
Filing date: 1999-03-04
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】有機層にドープしても水素結合による凝集等
の不都合を起さず、またホール輸送層材料に用いても銅
フタロシアニンと比較して可視光域での透過率が良く、
高輝度・高効率な発光を得る。【解決手段】少なくとも一方が透明である一対の電極
間に有機化合物からなる有機層が積層された有機ＥＬ素
子において、下記化学式で示される化合物を有機層に含
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方が
透明である一対の電極間に有機化合物からなる有機層が
積層された有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、
有機ＥＬ素子という）に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を陰極と陽極の間に挟んだ構造を有し、前記薄膜
に電子およびホール（正孔）を注入して再結合させるこ
とにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子
が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して表示
を行う表示素子である。

【０００３】図３は前記有機ＥＬ素子の基本構成を示す
図である。この有機ＥＬ素子２１は、基板２２上の陽極
（アノード）２３にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を使用
し、ホール輸送層２４に下記化学式（化２）の構造式で
示すDiamine を使用し、有機発光層２５に下記化学式
（化３）の構造式で示すトリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) （Ａｌｑ₃）を使用し、陰極（カソー
ド）２６にマグネシウムと銀の合金を使用している。有
機の各層の厚みは５０ｎｍ程度である。各層の成膜は真
空蒸着で行っている。この有機ＥＬ素子２１に直流１０
Ｖを加えると１０００ｃｄ／ｍ²程度の緑色の発光が得
られる。この発光はＩＴＯの陽極２３側から取り出す。

【０００４】

【化２】

【０００５】

【化３】

【０００６】下記化学式（化４）は車の塗装材料として
有名な高級赤色顔料であるキナクリドンの構造式を示し
ている。このキナクリドンを有機ＥＬ素子の発光層のＡ
ｌｑ ₃に１ｍｏｌ％以下でドーピングすることにより、
高効率１９１ｍ／Ｗ、高輝度１０万ｃｄ／ｍ²が得られ
たとの報告もなされている。

【０００７】

【化４】

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、キナク
リドンをドープした有機ＥＬ素子は、ドープしない場合
に比べて寿命が悪化するという問題があり、色純度や耐
久性の点において改善すべき所があった。これは、キナ
クリドン分子のイミノ基とカルボニル基が他のキナクリ
ドン分子と水素結合することで有機ＥＬ素子の動作中に
膜の凝集を起こしやすいからであり、またキナクリドン
分子が上記の理由で多量体を形成して発光しなくなるか
らであると考えられる。

【０００９】ところで、有機ＥＬ素子の信頼性の向上を
図るべく、下記化学式（５）の構造式で示される銅フタ
ロシアニン（ＣｕＰｃ）をホール注入層として用いた有
機ＥＬ素子も知られている。

【００１０】

【化５】

【００１１】しかしながら、ホール注入材料として銅フ
タロシアニンを使用した場合、銅フタロシアニンはその
蒸着膜に青い体色があるため、ＥＬ発光スペクトルの黄
色から赤色の部分の吸収が大きく、外部量子収率が低く
なる。また、銅フタロシアニンは、遊離した銅イオンが
有機ＥＬ素子中を動くため、リーク電流等を生じ易いと
いう問題があった。

【００１２】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、有機層にドープしても水素結合によ
る凝集等の不都合を起こすことなく、またホール輸送層
材料に用いても銅フタロシアニンと比較して可視光域で
の透過率が良く、高輝度・高効率な発光が得られる有機
ＥＬ素子を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、少なくとも一方が透明である一
対の電極間に有機化合物からなる有機層が積層された有
機ＥＬ素子において、前記化学式（化１）で示される化
合物を前記有機層に含有することを特徴とする。

【００１４】請求項２の発明は、請求項１の有機ＥＬ素
子において、前記一対の電極のうちの陰極と前記有機層
の発光層との間に有機化合物からなる電子輸送層が配さ
れたことを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１は本発明による有機ＥＬ素子
の構造を示す図である。

【００１６】図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、絶
縁性および透光性を有するガラス等の基板２の上に陽極
（アノード）３としてのＩＴＯが成膜されている。陽極
３の上には有機層４が成膜されている。

【００１７】有機層４は、陽極３の上に成膜されるホー
ル注入層４ａ、ホール注入層４ａの上に成膜されるホー
ル輸送層４ｂ、ホール輸送層４ｂの上に成膜される発光
層４ｃ、発光層４ｃの上に成膜される電子輸送層４ｄか
ら構成される。

【００１８】ホール注入層４ａは、前記化学式（化５）
の構造式で示すＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、又は前
記化１で示す化合物からなり、陽極３の上に成膜され
る。

【００１９】なお、前記化１のＲ₁〜Ｒ₂₂は、それぞれ
独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト
基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、置換もしくは無置
換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、
置換もしくは無置換のアルキルチオ基、置換もしくは無
置換のＮ−モノアルキルアミノ基、置換もしくは無置換
のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の
アリール基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無
置換の複素環基を示す。ただし、さらに隣接した置換基
同士で結合して置換もしくは無置換の芳香族環または置
換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。

【００２０】ホール輸送層４ｂは、下記化学式（化６）
の構造式で示すα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナ
フチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）からな
り、ホール注入層４ａの上に成膜される。

【００２１】

【化６】

【００２２】発光層４ｃは、下記化学式（化７）の構造
式で示すホスト材料のＤＰＶＢｉからなり、正孔輸送層
４ｂの上に成膜される。ＤＰＶＢｉは、フォトルミネッ
センスのピークが４５０ｎｍ前後にある。また、前記化
１で示す化合物は、ドーパントとして用いる場合に前記
ＤＰＶＢｉに添加される。

【００２３】

【化７】

【００２４】電子輸送層４ｄは、前記化学式（化３）の
構造式で示すＡｌｑ₃からなり、発光層４ｃの上に成膜
される。

【００２５】有機層４（電子輸送層４ｄ）の上には、電
子注入層５としてのＬｉＦが成膜されている。電子注入
層５の上には、陰極（カソード）６としての金属薄膜か
らなるＡｌが成膜されている。

【００２６】

【実施例】（実施例１）ガラスからなる基板２の上にＩ
ＴＯをストライプ状にパターン形成（パターン幅２ｍ
ｍ）して陽極３を形成し、このＩＴＯ付き基板２をアセ
トン等で湿式洗浄して乾燥する。その後、ＩＴＯ付き基
板２を蒸着装置にセットし、チャンバー内を１０^-5ｔｏ
ｒｒの真空にする。続いて、ＩＴＯ付き基板２の陽極３
の上にマスクを介して１０ｍｍ²角に２０ｎｍの膜厚で
ホール注入層４ａとしてのＣｕＰｃを蒸着する。さらに
ＣｕＰｃの上に６０ｎｍの膜厚でホール輸送層４ｂとし
てのα−ＮＰＤを蒸着する。そして、α−ＮＰＤの上に
下記化学式（化８）で示す構造式からなる化合物とＤＰ
ＶＢｉを共蒸着する。

【００２７】

【化８】

【００２８】このとき、化合物（化８）はＤＰＶＢｉに
対して０．５ｍｏｌ％とする。そして、全体の膜厚が４
０ｎｍからなる発光層４ｃとした。さらに発光層４ｃの
上に電子輸送層４ｄとしてのＡｌｑ₃を２０ｎｍの膜厚
で蒸着する。その後、マスクを介して０．５ｎｍの膜厚
でストライプ状（パターン幅２ｍｍ）に電子注入層５と
してのＬｉＦを蒸着し、ＬｉＦの上に陰極６としてのＡ
ｌを膜厚１２０ｎｍで蒸着する。

【００２９】上記実施例において、ＤＰＶＢｉに添加さ
れる化合物（化８）は以下のようにして合成される。

【００３０】フラスコにインダンスレン（東京化成製）
をジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と共に入れ、攪拌
溶解する。続いて、この溶液にナトリウムメトキシド
（ＮａＯＭｅ）を加え、室温で３０分間攪拌する。次
に、この混合溶液に塩化ベンジルを加えて８０℃で１時
間混合攪拌する。反応終了後、溶液を氷水の中に投入す
る。この水溶液中から反応生成物をトルエンで抽出す
る。さらに、エバポレーターによりトルエンを除去、真
空乾燥して固形物を得る。この固形物をトルエンで再溶
解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで分離・精
製して目的の化合物（化８）が得られる。

【００３１】このようにして得られる化合物（化８）の
フォトルミネッセンスを図２に示す。この図２におい
て、実線は励起スペクトルを示し、破線は蛍光スペクト
ルを示している。また、上記化合物（化８）の同定は、
フーリエ変換赤外分光光度計（ＩＲ）や核磁気共鳴分光
法（１Ｈ−ＮＭＲ）および質量分析により行った。その
結果、上記化合物（化８）の分子量は５８７であった。

【００３２】そして、上記のようにして完成された素子
の陽極３側にプラス、陰極６側にマイナスの直流電圧を
印加したところ、この素子から５１０ｎｍにピークを持
つＥＬスペクトルが得られた。また、駆動寿命も改善さ
れた。

【００３３】（実施例２）ガラスからなる基板２の上に
ＩＴＯをストライプ状にパターン形成（パターン幅２ｍ
ｍ）して陽極３を形成し、このＩＴＯ付き基板２をアセ
トン等で湿式洗浄して乾燥する。その後、ＩＴＯ付き基
板２を蒸着装置にセットし、チャンバー内を１０^-5ｔｏ
ｒｒの真空にする。続いて、ＩＴＯ付き基板２の陽極３
の上にマスクを介して１０ｍｍ²角にホール注入層４ａ
としてのＣｕＰｃを２０ｎｍの膜厚で蒸着する。さらに
ＣｕＰｃの上にホール輸送層４ｂとしてのα−ＮＰＤを
６０ｎｍの膜厚で蒸着する。そして、α−ＮＰＤの上に
下記化学式（化９）で示す構造式からなる化合物とＤＰ
ＶＢｉを共蒸着する。

【００３４】

【化９】

【００３５】このとき、化合物（化９）はＤＰＶＢｉに
対して０．５ｍｏｌ％とする。そして、全体の膜厚が４
０ｎｍからなる発光層４ｃとした。さらに発光層４ｃの
上に電子輸送層４ｄとしてのＡｌｑ₃を２０ｎｍの膜厚
で蒸着する。その後、マスクを介して０．５ｎｍの膜厚
でストライプ状（パターン幅２ｍｍ）に電子注入層５と
してのＬｉＦを蒸着し、ＬｉＦの上に陰極６としてのＡ
ｌを膜厚１２０ｎｍで蒸着する。

【００３６】上記実施例において、ＤＰＶＢｉに添加さ
れる化合物（化９）は以下のようにして合成される。

【００３７】フラスコにインダンスレン（東京化成製）
をジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と共に入れ、攪拌
溶解する。続いて、この溶液にナトリウムメトキシド
（ＮａＯＭｅ）を加え、室温で３０分間攪拌する。次
に、この混合溶液に１−（クロロメチル）ナフタレンを
加えて８０℃で１時間混合攪拌する。反応終了後、溶液
を氷水の中に投入する。この水溶液中から反応生成物を
トルエンで抽出する。さらに、エバポレーターによりト
ルエンを除去、真空乾燥して固形物を得る。この固形物
をトルエンで再溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで分離・精製して目的の化合物（化９）が得られ
る。

【００３８】また、上記化合物（化９）の同定は、フー
リエ変換赤外分光光度計（ＩＲ）や核磁気共鳴分光法
（１Ｈ−ＮＭＲ）および質量分析により行った。その結
果、上記化合物（化９）の分子量は７０２であった。

【００３９】そして、上記のようにして完成された素子
の陽極３側にプラス、陰極６側にマイナスの直流電圧を
印加したところ、この素子から５１０ｎｍにピークを持
つＥＬスペクトルが得られた。また、駆動寿命も改善さ
れた。

【００４０】（実施例３）ガラスからなる基板２の上に
ＩＴＯをストライプ状にパターン形成（パターン幅２ｍ
ｍ）して陽極３を形成し、このＩＴＯ付き基板２をアセ
トン等で湿式洗浄して乾燥する。その後、ＩＴＯ付き基
板２を蒸着装置にセットし、チャンバー内を１０^-5ｔｏ
ｒｒの真空にする。続いて、ＩＴＯ付き基板２の陽極３
の上にマスクを介して１０ｍｍ²角にホール注入層４ａ
としての前記化合物（化８）を２０ｎｍの膜厚で蒸着す
る。さらに化合物（化８）の層の上にホール輸送層４ｂ
としてのα−ＮＰＤを６０ｎｍの膜厚で蒸着する。そし
て、α−ＮＰＤの上に発光層兼電子輸送層４ｃ，４ｄと
してのＡｌｑ₃を５０ｎｍの膜厚で蒸着する。その後、
マスクを介して０．５ｎｍの膜厚でストライプ状（パタ
ーン幅２ｍｍ）に電子注入層５としてのＬｉＦを蒸着
し、ＬｉＦの上に陰極６としてのＡｌを膜厚１２０ｎｍ
で蒸着する。

【００４１】そして、上記のようにして完成された素子
の陽極３側にプラス、陰極６側にマイナスの直流電圧を
印加したところ、この素子から５２０ｎｍにピークを持
つＥＬスペクトルが得られた。

【００４２】ところで、上記実施例では、ホスト材料の
ＤＰＶＢｉに化合物（化８又は化９）を発光材料として
ドーピングした場合と、化合物（化８）をホール注入層
とした場合について説明したが、前記化学式（化１）の
具体的構造を示す下記の化合物（化１０〜化２７）をホ
スト材料にドーピングしたり、ホール注入層として用い
ることもできる。

【００４３】

【化１０】

【００４４】上記化合物（化１０）を合成する場合に
は、フラスコに２，１１−ジメチルインダンスレンをジ
メチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と共に入れ、攪拌溶解
する。続いて、この溶液にナトリウムメトキシド（Ｎａ
ＯＭｅ）を加え、室温で３０分間攪拌する。次に、この
混合溶液に塩化ベンジンを加えて８０℃で１時間混合攪
拌する。反応終了後、溶液を氷水の中に投入する。この
水溶液中から反応生成物をトルエンで抽出する。さら
に、エバポレーターによりトルエンを除去、真空乾燥し
て固形物を得る。この固形物をトルエンで再溶解し、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで分離・精製して目
的の化合物（化１０）が得られる。

【００４５】また、上記化合物（化１０）の同定は、フ
ーリエ変換赤外分光光度計（ＩＲ）や核磁気共鳴分光法
（１Ｈ−ＮＭＲ）および質量分析により行った。その結
果、上記化合物（化１０）の分子量は６３０であった。

【００４６】

【化１１】

【００４７】上記化合物（化１１）は、出発原料として
２，１１−ジメチルインダンスレンの代わりに、２，１
１−ジフルオロインダンスレンを使用すること以外は化
合物（化８）の合成方法と同様の合成方法によって得ら
れる。そして、上記化合物（化１１）の分子量は６３８
であった。

【００４８】

【化１２】

【００４９】上記化合物（化１２）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）ナフタレンを使用すること以外は化合物
（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得られ
る。そして、上記化合物（化１２）の分子量は７０２で
あった。

【００５０】

【化１３】

【００５１】上記化合物（化１３）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、１−（ク
ロロメチル）ビフェニルを使用すること以外は化合物
（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得られ
る。そして、上記化合物（化１３）の分子量は７５４で
あった。

【００５２】

【化１４】

【００５３】上記化合物（化１４）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）ビフェニルを使用すること以外は化合物
（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得られ
る。そして、上記化合物（化１４）の分子量は７５４で
あった。

【００５４】

【化１５】

【００５５】上記化合物（化１５）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、９−（ク
ロロメチル）アントラセンを使用すること以外は化合物
（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得られ
る。そして、上記化合物（化１５）の分子量は８０２で
あった。

【００５６】

【化１６】

【００５７】上記化合物（化１６）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、９−（ク
ロロメチル）フェナンスレンを使用すること以外は化合
物（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得られ
る。そして、上記化合物（化１６）の分子量は８０２で
あった。

【００５８】

【化１７】

【００５９】上記化合物（化１７）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）−９−ジメチルフルオレンを使用すること
以外は化合物（化９）の合成方法と同様の合成方法によ
って得られる。そして、上記化合物（化１７）の分子量
は８３４であった。

【００６０】

【化１８】

【００６１】上記化合物（化１８）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）ジベンゾチオフェンを使用すること以外は
化合物（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得
られる。そして、上記化合物（化１８）の分子量は８１
４であった。

【００６２】

【化１９】

【００６３】上記化合物（化１９）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、３−（ク
ロロメチル）−９−エチルカルバゾールを使用すること
以外は化合物（化９）の合成方法と同様の合成方法によ
って得られる。そして、上記化合物（化１９）の分子量
は８３６であった。

【００６４】

【化２０】

【００６５】上記化合物（化２０）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）ジベンゾフランを使用すること以外は化合
物（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得られ
る。そして、上記化合物（化２０）の分子量は７８２で
あった。

【００６６】

【化２１】

【００６７】上記化合物（化２１）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）−１−フェニルベンズイミダゾールを使用
すること以外は化合物（化９）の合成方法と同様の合成
方法によって得られる。そして、上記化合物（化２１）
の分子量は８３４であった。

【００６８】

【化２２】

【００６９】上記化合物（化２２）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）ベンズオキサゾールを使用すること以外は
化合物（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得
られる。そして、上記化合物（化２２）の分子量は６８
４であった。

【００７０】

【化２３】

【００７１】上記化合物（化２３）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）ベンゾチアゾールを使用すること以外は化
合物（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得ら
れる。そして、上記化合物（化２３）の分子量は７１６
であった。

【００７２】

【化２４】

【００７３】上記化合物（化２４）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）アントラキノンを使用すること以外は化合
物（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得られ
る。そして、上記化合物（化２４）の分子量は８６２で
あった。

【００７４】

【化２５】

【００７５】上記化合物（化２５）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、２−（ク
ロロメチル）チオフェンを使用すること以外は化合物
（化９）の合成方法と同様の合成方法によって得られ
る。そして、上記化合物（化２５）の分子量は６１４で
あった。

【００７６】

【化２６】

【００７７】上記化合物（化２６）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、１−（ク
ロロメチル）ピレンを使用すること以外は化合物（化
９）の合成方法と同様の合成方法によって得られる。そ
して、上記化合物（化２６）の分子量は８５０であっ
た。

【００７８】

【化２７】

【００７９】上記化合物（化２７）は、出発原料として
１−（クロロメチル）ナフタレンの代わりに、３−（ク
ロロメチル）−２（３Ｈ）−ベンゾチアゾールを使用す
ること以外は化合物（化９）の合成方法と同様の合成方
法によって得られる。そして、上記化合物（化２７）の
分子量は７４８であった。

【００８０】このように、前記化学式（化１）の具体的
構造を示す化合物（化８〜化２７）の有機化合物を用い
た有機ＥＬ素子によれば、ホスト材料に添加されるドー
パントとして用いた場合、従来のキナクリドンのような
水素結合による凝集が無いため、素子寿命の改善が期待
できる。

【００８１】また、上記化合物（化８〜化２７）は、蛍
光の量子収率が高いため、高輝度、高効率で、長期に渡
り良好な発光性能を持続する有機ＥＬ素子の作製が可能
である。

【００８２】さらに、上記化合物（化８〜化２７）をホ
ール輸送層材料として用いれば、銅フタロシアニンと比
較して、可視光域での透過率が良いので、ＥＬ発光の取
り出し効率が向上する。また、メタルフリーなため、有
機ＥＬ素子のリーク電流が無くなる。

【００８３】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
有機ＥＬ素子によれば、水素結合による凝集が起こりに
くく、従来に比べて寿命の改善を図ることができる。ま
た、銅フタロシアニンと比較した場合、可視光域での透
過率が良いので、ＥＬ発光の取り出し効率が向上し、ま
た、メタルフリーなため、有機ＥＬ素子のリーク電流が
無くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による有機ＥＬ素子の構造を示す図

【図２】発光材料又はホール注入層材料として使用され
る化合物（化８）のフォトルミネッセンスを示す図

【図３】従来の有機ＥＬ素子の構造を示す図

【符号の説明】

１…有機ＥＬ素子、２…基板、３…陽極、４…有機層、
４ａ…ホール注入層、４ｂ…ホール輸送層、４ｃ…発光
層、４ｄ…電子輸送層、５…電子注入層、６…陰極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB00 AB02 AB03 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 4C050 AA02 AA07 BB04 CC04 DD02 EE02 FF02 FF05 GG02 GG03 HH01 HH02 HH03 HH04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方が透明である一対の電極
間に有機化合物からなる有機層が積層された有機ＥＬ素
子において、下記化学式（化１）で示される化合物を前記有機層に含
有することを特徴とする有機ＥＬ素子。【化１】（式中、Ｒ₁〜Ｒ₂₂はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、アミノ
基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
アルキルチオ基、置換もしくは無置換のＮ−モノアルキ
ルアミノ基、置換もしくは無置換のＮ，Ｎ−ジアルキル
アミノ基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もし
くは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の
アリールチオ基、置換もしくは無置換の複素環基を示
す。ただし、さらに隣接した置換基同士で結合して置換
もしくは無置換の芳香族環または置換もしくは無置換の
複素環を形成してもよい。）
【請求項２】前記一対の電極のうちの陰極と前記有機
層の発光層との間に有機化合物からなる電子輸送層が配
されたことを特徴とする有機ＥＬ素子。