JP4423180B2 - 電磁気的物性値測定法 - Google Patents
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A. Nakayama, Y. Terashi, H. Uchimura and, A. Fukuura, "Conductivity measurement at the interface between the sintered conductor and dielectric substrate at microwave frequencies," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-50, No.7, pp. 1665-1674, July 2002.
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有し、厚さの異なる第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有するライン状の第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の他方の面に前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、共振導体のライン端面の導電率、前記共振導体と誘電体基板との界面の導電率及び前記誘電体基板の誘電正接のうち二種類を算出することを特徴とする。このような測定法に用いられる共振器としては、マイクロストリップライン共振器がある。
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有し、厚さの異なる第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有するライン状の第2共振導体と、該第2共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、共振導体のライン端面の導電率、前記共振導体と誘電体基板との界面の導電率及び前記誘電体基板の誘電正接のうち二種類を算出することを特徴とする。このような測定法に用いられる共振器としては、コプレナー共振器がある。
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有し、厚さの異なる第2誘電体基板の内部に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有するライン状の第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の両面に、前記第2共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、共振導体のライン端面の導電率、前記共振導体と誘電体基板との界面の導電率及び前記誘電体基板の誘電正接のうち二種類を算出することを特徴とする。このような測定法に用いられる共振器としては、ストリップライン共振器がある。
2、2a、2b・・・誘電体基板
3、3a、3b・・・グラウンド導体
4、4a、4b・・・支持基板
5・・・遮蔽導体
A・・・第1のリング共振器
B・・・第2のリング共振器
Claims (10)
- 第1誘電体基板の一方の面にライン状の第1共振導体が形成され、前記第1誘電体基板の他方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体が形成された第1共振器の共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有し、厚さの異なる第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有するライン状の第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の他方の面に前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、共振導体のライン端面の導電率、前記共振導体と誘電体基板との界面の導電率及び前記誘電体基板の誘電正接のうち二種類を算出することを特徴とする電磁気的物性値測定法。 - 第1誘電体基板の一方の面にライン状の第1共振導体と、該第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体が形成された第1共振器の共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有し、厚さの異なる第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有するライン状の第2共振導体と、該第2共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、共振導体のライン端面の導電率、前記共振導体と誘電体基板との界面の導電率及び前記誘電体基板の誘電正接のうち二種類を算出することを特徴とする電磁気的物性値測定法。 - 第1誘電体基板の内部にライン状の第1共振導体が形成され、前記第1誘電体基板の両面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体が形成された第1共振器の共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有し、厚さの異なる第2誘電体基板の内部に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有するライン状の第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の両面に、前記第2共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、共振導体のライン端面の導電率、前記共振導体と誘電体基板との界面の導電率及び前記誘電体基板の誘電正接のうち二種類を算出することを特徴とする電磁気的物性値測定方法。 - 前記第1、第2誘電体基板がセラミックス又はガラスセラミックスからなり、該第1、第2誘電体基板と前記第1、第2共振導体が同時焼成されて一体化されていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の電磁気的物性値測定法。
- 支持基板及び前記第1、第2共振器が同時焼成されて一体化されていることを特徴とする請求項4記載の電磁気的物性値測定法。
- 前記第1、第2共振器は、ループアンテナ、マイクロストリップライン、ストリップライン、コプレナーライン及びNRDガイドのうちいずれかにより励振されることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれかに記載の電磁気的物性値測定法。
- 前記第1、第2共振器はリング共振器であることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれかに記載の電磁気的物性値測定法。
- 前記第1、第2共振器はマイクロストリップライン共振器であることを特徴とする請求項1記載の電磁気的物性値測定法。
- 前記第1、第2共振器はコプレナー共振器であることを特徴とする請求項2記載の電磁気的物性値測定法。
- 前記第1、第2共振器はストリップライン共振器であることを特徴とする請求項3記載の電磁気的物性値測定法。
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