JP6999271B2

JP6999271B2 - 評価方法

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Publication number: JP6999271B2
Application number: JP2017005720A
Authority: JP
Inventors: 一郎桑山; 貴徳福永; 傑山岸; 和夫村田; 聡志木谷
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd; Sumitomo Electric Printed Circuits Inc
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd; Sumitomo Electric Printed Circuits Inc
Priority date: 2017-01-17
Filing date: 2017-01-17
Publication date: 2022-01-18
Anticipated expiration: 2037-01-17
Also published as: JP2018115905A

Description

本発明は、評価方法に関する。

従来、自動車の車載レーダ等では、たとえばプリント基板上に形成されたミリ波帯のアンテナが使用される。たとえば、特開２０１０－４３８７２号公報（特許文献１）には、車両に搭載され、該車両の周囲に存在する物体を検出するレーダ装置であって、平板状のプリント基板と、予め設定された第１周波数の第１電磁波を送受信するべく、前記プリント基板上に形成されたアンテナと、前記プリント基板上に形成され、該レーダ装置の光軸調整において外部から照射される第２電磁波を反射可能に構成された鏡面部とを備える、レーダ装置が記載されている。

特開２０１０－４３８７２号公報

車載レーダ等の車載機器は、非常に高温または非常に低温な環境であっても安定した性能が求められる。このため、特許文献１に記載のアンテナ基板等を車載機器に用いる場合、基板を加熱または冷却して温度特性を評価する必要がある。

しかしながら、基板を加熱または冷却した場合、基板と測定器との間で熱が移動することにより測定器が故障したり誤動作したりする可能性があり、基板の温度特性に関する正確な評価結果を得ることが困難な場合がある。

この発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、その目的は、基板の温度特性をより安定して評価することのできる評価方法を提供することである。

（１）上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わる評価方法は、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う基板を支持し、かつ第１導波管を含む支持部と、第２導波管を含み、前記支持部と他の部材とを接続する接続部とを備える評価システムを用いた評価方法であって、前記支持部のうち、前記接続部と対向する第１対向面を含む第１対向部分、および前記接続部のうち、前記支持部と対向する第２対向面を含む第２対向部分の少なくともいずれか一方に溝部が形成され、前記第１対向部分に前記溝部が形成されている場合、前記第１対向部分における前記溝部は、前記第１導波管の周りの一部または全部に形成されており、前記第２対向部分に前記溝部が形成されている場合、前記第２対向部分における前記溝部は、前記第２導波管の周りの一部または全部に形成されており、前記第１導波管と前記第２導波管との間で前記信号の伝達が可能となり、かつ前記第１対向面と前記第２対向面との間に間隙が設けられるように前記支持部と前記接続部とを接続するステップと、前記基板の特性を評価するステップとを含む。

本発明によれば、基板の温度特性をより安定して評価することができる。

図１は、本発明の実施の形態に係る評価システムの構成を示す図である。図２は、本発明の実施の形態に係る基板、ベースプレート、コンバータおよび第１連結部の構成を示す図である。図３は、本発明の実施の形態に係る第１連結部の詳細な構成を示す図である。図４は、本発明の実施の形態に係るベースプレートと第１連結部との接続状態を示す図である。図５は、本発明の実施の形態に係る第１連結部とコンバータとの接続状態を示す図である。図６は、図２に示す位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の各位置の温度の計測結果の一例を示すグラフである。図７は、図６に示すグラフの一部を拡大したグラフである。図８は、図４に示すベースプレートと第１連結部との間の間隙Ｓ１の大きさＬ１と、間隙Ｓ１を通過する信号のＶＳＷＲとの関係のシミュレーション結果を示すグラフである。図９は、図４に示すベースプレートと第１連結部との間の間隙Ｓ１の大きさＬ１と、間隙Ｓ１を通過する信号の伝送損失との関係のシミュレーション結果を示すグラフである。図１０は、本発明の実施の形態の変形例２に係るベースプレートと第１連結部との接続状態を示す図である。図１１は、図１０に示すベースプレートと第１連結部との間隙Ｓ３の大きさＬ３と、間隙Ｓ３を通過する信号のＶＳＷＲとの関係のシミュレーション結果を示すグラフである。図１２は、図１０に示すベースプレートと第１連結部との間隙Ｓ３の大きさＬ３と、間隙Ｓ３を通過する信号の伝送損失との関係のシミュレーション結果を示すグラフである。図１３は、本発明の実施の形態の変形例３に係る第１連結部の詳細な構成を示す図である。図１４は、本発明の実施の形態の変形例４に係る基板およびベースプレートを示す図である。

最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。

（１）本発明の実施の形態に係る評価方法は、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う基板を支持し、かつ第１導波管を含む支持部と、第２導波管を含み、前記支持部と他の部材とを接続する接続部とを備える評価システムを用いた評価方法であって、前記支持部のうち、前記接続部と対向する第１対向面を含む第１対向部分、および前記接続部のうち、前記支持部と対向する第２対向面を含む第２対向部分の少なくともいずれか一方に溝部が形成され、前記第１対向部分に前記溝部が形成されている場合、前記第１対向部分における前記溝部は、前記第１導波管の周りの一部または全部に形成されており、前記第２対向部分に前記溝部が形成されている場合、前記第２対向部分における前記溝部は、前記第２導波管の周りの一部または全部に形成されており、前記第１導波管と前記第２導波管との間で前記信号の伝達が可能となり、かつ前記第１対向面と前記第２対向面との間に間隙が設けられるように前記支持部と前記接続部とを接続するステップと、前記基板の特性を評価するステップとを含む。

このように、第１対向面と第２対向面との間に間隙が設けられることにより、支持部と接続部との接触面積を少なくすることができるので、基板の温度特性に関する評価を行う際、接続部を介した支持部と測定器との間における熱の移動を抑えることができ、測定器が故障したり誤動作したりすることを防ぐことができる。

また、第１対向部分および第２対向部分の少なくともいずれか一方に、導波管の周りにおける溝部が形成されているため、間隙が設けられるように支持部と接続部とを接続しても、当該間隙を通過する信号の伝送損失等を低く抑えることができる。したがって、基板の温度特性をより安定して評価することができる。

（２）好ましくは、前記溝部のサイズは、前記信号の波長に基づいて決定される。

このような構成により、間隙を通過する信号の伝送損失等を効果的に抑えることができる。

（３）好ましくは、前記接続部の熱伝導率は、前記支持部の熱伝導率よりも小さい。

このような構成により、接続部を介した支持部と測定器側との間における熱の移動をより確実に抑えることができる。

（４）好ましくは、前記接続部の熱伝導率は１５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。

このような熱伝導率とすることにより、接続部を介した支持部と測定器側との間における熱の移動をさらに確実に抑えることができる。

（５）好ましくは、前記接続部は、ステンレススチールを含む材料を用いて形成されている。

このような構成により、接続部を介した支持部と測定器側との間における熱の移動をより確実に抑え、さらに、加工作業の容易化およびコスト増加の抑制を実現することができる。

（６）好ましくは、前記支持部を挟んで前記基板と対向する位置に加熱部材または冷却部材が設けられ、前記支持部の熱伝導率は２３６Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。

このように、支持部側から基板を加熱または冷却する構成において、支持部の熱伝導率が高いことにより、基板の加熱または冷却を効率よく行うことができる。

（７）好ましくは、前記支持部を挟んで前記基板と対向する位置に加熱部材または冷却部材が設けられ、前記支持部は、アルミニウムを含む材料を用いて形成されている。

このような構成により、基板の加熱または冷却を効率よく行うことができ、さらに、加工作業の容易化およびコスト増加の抑制を実現することができる。

（８）好ましくは、前記支持部の厚さは５ｍｍ以上である。

このように、支持部の厚さが大きいことにより、たとえば、支持部の表面に基板が設けられ、支持部の裏面を加熱または冷却する場合、支持部の表面の温度をより確実に均一化することができる。したがって、支持部に設けられた基板の温度をより確実に均一化し、より正確な評価結果を得ることができる。

（９）好ましくは、前記支持部と前記接続部とを接続するステップにおいて、前記支持部と前記接続部との位置関係をネジを用いて固定し、前記ネジの熱伝導率は、前記支持部の熱伝導率よりも小さい。

このような構成により、支持部と接続部との位置関係を固定することができ、かつ支持部と接続部との間における熱の移動を抑えることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。また、以下に記載する実施の形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。

＜構成および基本動作＞
［評価システム］
本発明の実施の形態に係る評価システムは、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う基板に関する評価を行うシステムであり、測定器と、基板を支持する支持部と、測定器と支持部とを接続する接続部とを備える。基板の温度特性を評価する場合、たとえば、支持部を加熱または冷却することにより、基板全体を高温または低温にする。

図１は、本発明の実施の形態に係る評価システムの構成を示す図である。

図１を参照して、評価システム２０１は、ネットワークアナライザ１０２と、コンバータ１０３ａ，１０３ｂと、端末装置１０４と、ベースプレート１２１と、第１連結部１２２ａ，１２２ｂとを備える。

図１に示す例では、温度特性の評価時において加熱または冷却される部材である支持部が、ベースプレート１２１に相当する。また、支持部と測定器とを接続する部材である接続部が、第１連結部１２２ａ，１２２ｂに相当する。

ベースプレート１２１は、評価対象である基板１０１を支持する。基板１０１は、伝送路１５１を有する。第１連結部１２２ａは、ベースプレート１２１とコンバータ１０３ａとを接続する。第１連結部１２２ｂは、ベースプレート１２１とコンバータ１０３ｂとを接続する。

ネットワークアナライザ１０２は、たとえば、センチメートル波（ＳＨＦ（ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎｃｙ））帯の試験信号をコンバータ１０３ａへ送信する。コンバータ１０３ａは、ネットワークアナライザ１０２から受信した試験信号を、たとえばミリ波の信号にアップコンバートし、第１連結部１２２ａおよびベースプレート１２１を介して基板１０１へ送信する。

コンバータ１０３ｂは、基板１０１の伝送路１５１を通過した試験信号を、ベースプレート１２１および第２連結部１２２ｂを介して受信し、受信した試験信号をＳＨＦ帯の信号にダウンコンバートしてネットワークアナライザ１０２へ送信する。

ネットワークアナライザ１０２は、コンバータ１０３ｂから受信した試験信号に基づいて、基板１０１の温度特性、たとえば高温時または低温時における伝送損失を評価する。そして、ネットワークアナライザ１０２は、評価結果を示す評価情報を端末装置１０４へ送信する。

なお、コンバータ１０３ａが、アップコンバートして送信したミリ波の信号の反射波を基板１０１から受信し、受信した反射波をＳＨＦ帯の信号にダウンコンバートしてネットワークアナライザ１０２へ送信する機能を併せ持つと、ネットワークアナライザ１０２は、コンバータ１０３ａから受信した反射波に基づいて、基板１０１の反射特性を評価することができる。

また、コンバータ１０３ｂがコンバータ１０３ａと同様のアップコンバート機能を有する場合、逆方向の伝送特性、すなわちネットワークアナライザ１０２、コンバータ１０３ｂ、基板１０１、コンバータ１０３ａの順で経由してネットワークアナライザ１０２へ戻る試験信号に基づく伝送特性の評価を行うことができる。また、この場合、基板１０１からコンバータ１０３ｂを経由してネットワークアナライザ１０２へ到達する反射波に基づく反射特性を評価することもできる。

端末装置１０４は、たとえば、ネットワークアナライザ１０２から受信した評価情報に基づく内容を自己のモニタ等に表示する。

［基板、ベースプレート、コンバータおよび第１連結部］
図２は、本発明の実施の形態に係る基板、ベースプレート、コンバータおよび第１連結部の構成を示す図である。

基板１０１は、たとえば、ＬＣＰ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＰｏｌｙｍｅｒ）またはフッ素樹脂を含む材料を用いて形成され、ストリップライン等の伝送路１５１が設けられている。

ベースプレート１２１は、たとえば、直方体であって２つの主表面を有し、一方の主表面に基板１０１が設けられている。基板１０１が設けられている主表面を「表面１２１Ｆ」とし、他方の主表面を「裏面１２１Ｂ」とする。

また、ベースプレート１２１は、熱伝導率の大きい材料を用いて形成される。具体的には、ベースプレート１２１は、熱伝導率が２３６Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、たとえばアルミニウム、金、銀、銅および黄銅の少なくともいずれか１つを含む材料を用いて形成される。より好ましくは、ベースプレート１２１は、アルミニウムを含む材料を用いて形成される。

また、ベースプレート１２１の厚さは、大きい方が好ましく、たとえば５ｍｍ以上、より好ましくは１０ｍｍ以上に形成される。また、ベースプレート１２１は、内部に導波管６３ａ，６３ｂが設けられている。

コンバータ１０３ａは、本体部１３１ａと、第２連結部１３２ａとを含み、第２連結部１３２ａは、本体部１３１ａから突出した導波管８１ａと、導波管８１ａの端部であって本体部１３１ａとは反対側の位置に設けられた連結フランジ８２ａとを有する。

コンバータ１０３ｂは、本体部１３１ｂと、第２連結部１３２ｂとを含み、第２連結部１３２ｂは、本体部１３１ｂから突出した導波管８１ｂと、導波管８１ｂの端部であって本体部１３１ｂとは反対側の位置に設けられた連結フランジ８２ｂとを有する。

また、第２連結部１３２ａ，１３２ｂは、基板１０１の温度特性に関する評価を行う際の基板１０１とコンバータ１０３ａ，１０３ｂとの間における熱の移動を抑えるために、熱伝導率の小さい材料を用いて形成されることが好ましい。具体的には、第２連結部１３２ａ，１３２ｂは、熱伝導率が１５Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが好ましく、たとえばステンレススチールの一種であるＳＵＳ３０４、ニクロム、鉄およびチタンの少なくともいずれか１つを含む材料を用いて形成される。より好ましくは、第２連結部１３２ａ，１３２ｂは、ＳＵＳ３０４を含む材料を用いて形成される。

なお、第２連結部１３２ａ，１３２ｂの材料は、熱伝導率の小さいものに限定されない。たとえば、第２連結部１３２ａ，１３２ｂの材料が熱伝導率の大きいものであっても、後述する第１連結部１２２ａ，１２２ｂが、ＳＵＳ３０４などの熱伝導率の小さい材料を用いて形成される場合、基板１０１とコンバータ１０３ａ，１０３ｂとの間の温度勾配を確保することができる。

連結フランジ８２ａおよび連結フランジ８２ｂは、たとえば、円形の平板状の部材であり、フランジ規格の「ＵＧ－３８７／Ｕ（ＭＩＬ－Ｆ－３９２２／６７Ｂ－０１０）に従う寸法で形成される。

連結フランジ８２ａは２つの主表面を有し、導波管８１ａと反対側の主表面を「表面８２ａＦ」とし、導波管８１ａ側の主表面を「裏面８２ａＢ」とする。また、連結フランジ８２ｂは２つの主表面を有し、導波管８１ｂと反対側の主表面を「表面８２ｂＦ」とし、導波管８１ｂ側の主表面を「裏面８２ｂＢ」とする。

第１連結部１２２ａ，１２２ｂは、ベースプレート１２１よりも熱伝導率の小さい材料を用いて形成されることが好ましい。具体的には、第１連結部１２２ａ，１２２ｂは、熱伝導率が１５Ｗ／ｍ・Ｋ以下であることが好ましく、たとえばステンレススチールの一種であるＳＵＳ３０４、ニクロム、鉄およびチタンの少なくともいずれか１つを含む材料を用いて形成される。より好ましくは、第１連結部１２２ａ，１２２ｂは、ＳＵＳ３０４を含む材料を用いて形成される。

第１連結部１２２ａは、第１端および第２端を有する導波管１１ａと、導波管１１ａの第１端に設けられた上部チョークフランジ１２ａと、導波管１１ａの第２端に設けられた下部チョークフランジ１３ａとを有する。

第１連結部１２２ｂは、第１端および第２端を有する導波管１１ｂと、導波管１１ｂの第１端に設けられた上部チョークフランジ１２ｂと、導波管１１ｂの第２端に設けられた下部チョークフランジ１３ｂとを有する。

［第１連結部の詳細な構成］
図３は、本発明の実施の形態に係る第１連結部の詳細な構成を示す図である。図３では、第１連結部１２２ａを示しており、第１連結部１２２ｂは第１連結部１２２ａと同様の構成である。

図３を参照して、第１連結部１２２ａは、上述のとおり、導波管１１ａと、上部チョークフランジ１２ａと、下部チョークフランジ１３ａとを含む。導波管１１ａの内部に形成された貫通孔２１を信号波が伝送する。

導波管１１ａの長さは、自己の第１連結部１２２ａがベースプレート１２１とコンバータ１０３ａとを接続した状態において、ベースプレート１２１からコンバータ１０３ａへの温度勾配を確保することができ、かつ貫通孔２１を通る信号の減衰を低く抑えることができるような長さに設定されている。具体的には、導波管１１ａの長さは、たとえば５０ｍｍ～６０ｍｍである。

導波管１１ａの内径寸法は、たとえば、導波管規格の「ＷＲ－１０」に従う寸法で形成される。具体的には、導波管１１ａの内径寸法は、２．５４ｍｍ×１．２７ｍｍであり、導波管１１ａの肉厚は、上記の規格における肉厚よりも薄い０.６５ｍｍである。このように導波管１１ａの肉厚が薄く形成されていることにより、温度勾配を確保することができる、すなわちベースプレート１２１からコンバータ１０３ａへの熱伝導を低く抑えることができる。このため、導波管１１ａの肉厚は薄い方が好ましい。

上部チョークフランジ１２ａおよび下部チョークフランジ１３ａは、たとえば、円形の平板状の部材であり、中心が導波管１１ａの軸と一致する。上部チョークフランジ１２ａおよび下部チョークフランジ１３ａは、たとえば、フランジ規格の「ＵＧ－３８７／Ｕ（ＭＩＬ－Ｆ－３９２２／６７Ｂ－０１０）に従う寸法で形成されたフランジにチョーク溝２６，３１を形成することにより製作される。

具体的には、上部チョークフランジ１２ａは２つの主表面を有し、導波管１１ａと反対側の主表面を「表面１２Ｆ」とし、導波管１１ａ側の主表面を「裏面１２Ｂ」とする。

上部チョークフランジ１２ａには、たとえば、４つのネジ穴２２が形成されている。また、上部チョークフランジ１２ａの表面１２Ｆには、２つの位置決めピン２３と、凸部２４とが設けられている。なお、ネジ穴２２の数は４つに限定されない。また、位置決めピン２３の数は２つに限定されない。

上部チョークフランジ１２ａにおける位置決めピン２３は、たとえば棒形状であり、上部チョークフランジ１２ａの表面１２Ｆから突出している。

上部チョークフランジ１２ａにおける凸部２４は、たとえば、厚さが０.７６ｍｍである円形の平板状である。また、凸部２４の中心が、上部チョークフランジ１２ａの中心、および導波管１１ａの軸と一致する。すなわち、上部チョークフランジ１２ａと凸部２４とは互いに同心円の関係にある。また、凸部２４の中心付近に開口２５が形成されており、開口２５は導波管１１ａの貫通孔２１と連通している。

また、凸部２４には、導波管１１ａの周りにチョーク溝２６が形成されている。具体的には、チョーク溝２６は、導波管１１ａの軸を中心とする円形に形成されている。なお、チョーク溝２６は、導波管１１ａの軸を中心とする円形の一部であってもよい。

下部チョークフランジ１３ａは２つの主表面を有し、導波管１１ａと反対側の面を「表面１３Ｆ」とし、導波管１１ａ側の面を「裏面１３Ｂ」とする。

下部チョークフランジ１３ａには、上部チョークフランジ１２ａと同様に、たとえば、４つのネジ穴２７が形成されている。また、下部チョークフランジ１３ａの表面１３Ｆには、上部チョークフランジ１２ａと同様に、２つの位置決めピン２８と、凸部２９とが設けられている。なお、ネジ穴２７の数は４つに限定されない。また、位置決めピン２８の数は２つに限定されない。

下部チョークフランジ１３ａにおける位置決めピン２８は、たとえば棒形状であり、下部チョークフランジ１３ａの表面１３Ｆから突出している。

下部チョークフランジ１３ａにおける凸部２９は、凸部２４と同様に、たとえば、厚さが０.７６ｍｍである円形の平板状である。また、凸部２９の中心が、下部チョークフランジ１３ａの中心、および導波管１１ａの軸と一致する。すなわち、下部チョークフランジ１３ａと凸部２９とは互いに同心円の関係にある。また、凸部２９の中心付近に開口３０が形成されており、開口３０は導波管１１ａの貫通孔２１と連通している。

また、凸部２９には、導波管１１ａの周りにチョーク溝３１が形成されている。具体的には、チョーク溝３１は、導波管１１ａの軸を中心とする円形に形成されている。なお、チョーク溝３１は、導波管１１ａの軸を中心とする円形の一部であってもよい。

チョーク溝２６，３１のサイズは、たとえば、基板１０１を通過する信号の波長に基づいて決定される。具体的には、チョーク溝２６，３１は、たとえば、外径が４．４ｍｍであり、内径が３．１ｍｍであり、深さが１ｍｍであるように形成される。なお、チョーク溝２６，３１のサイズは、基板１０１を通過する信号のある程度良好な特性が確保されていれば、必ずしも信号の波長に基づいて正確に決定されなくてもよい。

＜基板の評価方法＞
［ベースプレートと第１連結部との接続］
図４は、本発明の実施の形態に係るベースプレートと第１連結部との接続状態を示す図である。図４では、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの接続状態を示しており、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ｂとの接続状態も同様に、図４に示すような接続状態となる。

図４を参照して、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとを接続する場合、まず、作業者は、第１連結部１２２ａにおける２つの位置決めピン２３を、ベースプレート１２１の裏面１２１Ｂに形成された２つの位置決め穴６１にそれぞれ挿入する。

これにより、ベースプレート１２１における導波管６３ａと、第１連結部１２２ａにおける導波管１１ａとの間で信号の伝達が可能となる。たとえば、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの位置関係は、導波管６３ａの軸と導波管１１ａの軸とが一致するような位置関係となる。

次に、作業者は、ベースプレート１２１における導波管６３ａの周りの部分と、上部チョークフランジ１２ａにおける導波管１１ａの周りの部分とをネジ４１を用いて固定する。

具体的には、作業者は、ネジ４１を、上部チョークフランジ１２ａにおけるネジ穴２２を介して、ベースプレート１２１の裏面１２１Ｂに形成されたネジ穴６２に挿入する。これにより、ベースプレート１２１に対する第１連結部１２２ａの位置が固定される。

このとき、作業者は、上部チョークフランジ１２ａにおける凸部（第２対向部分）２４の表面（第２対向面）２４Ｆと、ベースプレート（第１対向部分）１２１の裏面（第１対向面）１２１Ｂとの間に間隙Ｓ１が設けられるような位置関係で、ベースプレート１２１に対する第１連結部１２２ａの位置を固定する。

より詳細には、間隙Ｓ１は、ベースプレート１２１における導波管６３ａと、第１連結部１２２ａにおける導波管１１ａとの間に設けられる。間隙Ｓ１の大きさＬ１、すなわち凸部２４の表面２４Ｆとベースプレート１２１の裏面１２１Ｂとの距離は、たとえば０.２ｍｍである。

なお、凸部２４の表面２４Ｆとベースプレート１２１の裏面１２１Ｂとの間に、たとえば、内部にネジ４１を挿入可能な筒形状であって、間隙Ｓ１の大きさＬ１を確保するためのスペーサが設けられてもよい。

また、ネジ４１は、ベースプレート１２１よりも熱伝導性の小さい材料を用いて形成されることが好ましく、たとえば、ポリカーボネートなどを含む材料を用いて形成される。

［第１連結部とコンバータとの接続］
図５は、本発明の実施の形態に係る第１連結部とコンバータとの接続状態を示す図である。図５では、第１連結部１２２ａとコンバータ１０３ａとの接続状態を示しており、第１連結部１２２ｂとコンバータ１０３ｂとの接続状態も同様に、図５に示すような接続状態となる。

図５を参照して、第１連結部１２２ａとコンバータ１０３ａとを接続する場合、まず、作業者は、第１連結部１２２ａにおける２つの位置決めピン２８を、コンバータ１０３ａにおける連結フランジ８２ａの表面８２ａＦに形成された２つの位置決め穴７１にそれぞれ挿入する。

これにより、第２連結部１３２ａにおける導波管８１ａと、第１連結部１２２ａにおける導波管１１ａとの間で信号の伝達が可能となる。たとえば、コンバータ１０３ａと第１連結部１２２ａとの位置関係は、導波管８１ａの軸と導波管１１ａの軸とが一致するような位置関係となる。

次に、作業者は、下部チョークフランジ１３ａにおける導波管１１ａの周りの部分と、連結フランジ８２ａにおける導波管８１ａの周りの部分とをネジ４２を用いて固定する。

具体的には、作業者は、ネジ４２を、下部チョークフランジ１３ａにおけるネジ穴２７を介して、連結フランジ８２ａの表面８２ａＦに形成されたネジ穴７２に挿入する。これにより、コンバータ１０３ａに対する第１連結部１２２ａの位置が固定される。

このとき、作業者は、下部チョークフランジ１３ａにおける凸部２９の表面２９Ｆと、連結フランジ８２ａの表面８２ａＦとの間に間隙Ｓ２が設けられるような位置関係で、コンバータ１０３ａに対する第１連結部１２２ａの位置を固定する。

より詳細には、間隙Ｓ２は、第１連結部１２２ａにおける導波管１１ａと、第２連結部１３２ａにおける導波管８１ａとの間に設けられる。間隙Ｓ２の大きさＬ２、すなわち凸部２９の表面２９Ｆと連結フランジ８２ａの表面８２ａＦとの距離は、たとえば０.２ｍｍである。

なお、凸部２９の表面２９Ｆと連結フランジ８２ａの表面８２ａＦとの間に、たとえば、内部にネジ４２を挿入可能な筒形状であって、間隙Ｓ２の大きさＬ２を確保するためのスペーサが設けられてもよい。

また、ネジ４２は、連結フランジ８２ａよりも熱伝導性の小さい材料を用いて形成されることが好ましく、たとえば、ポリカーボネートなどを含む材料を用いて形成される。

ここでは、上部チョークフランジ１２ａにおける凸部２４の表面２４Ｆと、ベースプレート１２１の裏面１２１Ｂとの間に間隙Ｓ１が設けられ、かつ、下部チョークフランジ１３ａにおける凸部２９の表面２９Ｆと、連結フランジ８２ａの表面８２ａＦとの間に間隙Ｓ２が設けられる構成であるとしたが、このような接続形態に限定されない。

たとえば、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとは、間隙Ｓ１が設けられるように接続され、第１連結部１２２ａとコンバータ１０３ａとは、間隙Ｓ２が設けられることなく接続されてもよい。この場合、下部チョークフランジ１３ａの代わりに、チョーク溝が形成されていないフランジが用いられてもよい。

［基板の加熱または冷却、および温度特性の評価］
再び図２を参照して、基板１０１の高温時における温度特性を評価する場合、作業者は、たとえば、ベースプレート１２１の裏面にラバーヒータ（加熱部材）１６１を付着させて、ラバーヒータ１６１を７０Ｗで１２０℃以上の温度に設定することにより、基板１０１を加熱する。

ここで、温度特性に関する正確な評価結果を得るためには、基板１０１の表面温度が均一であることが好ましい。

そこで、たとえば、基板１０１の裏面、すなわちラバーヒータ１６１の付着箇所の一部分を位置Ｐ１、基板１０１の表面の中央付近の一部分を位置Ｐ２、基板１０１の表面の端付近の一部分を位置Ｐ３として、ラバーヒータ１６１を用いて基板１０１を加熱した場合における位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の温度をそれぞれ計測することにより、基板１０１の表面を均一に温度上昇させることができるか否かを確認する。

図６は、図２に示す位置Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の各位置の温度の計測結果の一例を示すグラフであり、図７は、図６に示すグラフの一部を拡大したグラフである。図６および図７に示す各グラフの縦軸は温度［℃］を示し、横軸は時間［分］を示す。

図６に示すように、基板１０１の裏面に付着したラバーヒータ１６１の温度を上昇させていくと、時刻ｔ＝０分から時刻ｔ＝３０分までの３０分間に、位置Ｐ１の温度は約１２５℃から約１６０℃まで上昇し、位置Ｐ２の温度は約９５℃から約１３０℃まで上昇し、位置Ｐ３の温度は約９０℃から約１２５℃まで上昇した。

そして、図７に示すように、時刻ｔ＝３０分以降は、位置Ｐ１の温度が約（１５９±２）℃であり、位置Ｐ２の温度が約（１２７±２）℃であり、位置Ｐ３の温度が約（１２３±３）℃である状態が継続した。

このような計測結果から、基板１０１の裏面に付着したラバーヒータ１６１を用いて基板１０１を加熱する方法を用いることで、基板１０１の表面を１２０℃以上の略均一な温度に加熱することが可能であることを確認できた。

そして、このように、基板１０１の表面が１２０℃以上の略均一な温度となっている状態において、基板１０１の伝送路１５１を通過した試験信号を測定することにより、基板１０１の高温時における温度特性をより正確に評価することができる。

なお、基板１０１の加熱方法は、ラバーヒータ１６１を用いる方法に限定されず、たとえば、基板１０１の付近に熱源設備を配置するような方法を用いてもよい。この場合、熱源設備による熱がコンバータ１０３側へ伝わることを防ぐため、熱源設備は、コンバータ１０３から離れた位置であり、かつ第１連結部１２２ａ，１２２ｂよりも基板１０１側の位置に配置されることが好ましい。

また、基板１０１の低温時における温度特性を評価する場合、たとえばペルチェ素子（冷却部材）を基板１０１の裏面に付着させることにより、基板１０１の表面を－４０℃以下の略均一な温度にすることが可能である。

そして、このように、基板１０１の表面が－４０℃以下の略均一な温度となっている状態において、基板１０１の伝送路１５１を通過した試験信号を測定することにより、基板１０１の低温時における温度特性をより正確に評価することができる。

＜間隙の大きさ＞
図８は、図４に示すベースプレートと第１連結部との間の間隙Ｓ１の大きさＬ１と、間隙Ｓ１を通過する信号のＶＳＷＲとの関係のシミュレーション結果を示すグラフである。

図８は、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの間に間隙Ｓ１が設けられ、第１連結部１２２ａとコンバータ１０３ａとの間に間隙Ｓ２が設けられていない場合に対応するシミュレーション結果を示している。図８に示すグラフの縦軸はＶＳＷＲを示し、横軸は周波数［ＧＨｚ］を示す。

図８を参照して、たとえば、間隙Ｓ１を通過する信号、すなわちコンバータ１０３ａによりアップコンバートされた信号の周波数が８０ＧＨｚである場合、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０ｍｍ～０.１ｍｍにするとＶＳＷＲ（ＶｏｌｔａｇｅＳｔａｎｄｉｎｇＷａｖｅＲａｔｉｏ）は約１となり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.２ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.０１となり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.３ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.０３となり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.５ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.１４となる。

また、たとえば、間隙Ｓ１を通過する信号の周波数が８５ＧＨｚである場合、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０ｍｍにするとＶＳＷＲは約１となり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.１ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.０１となり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.２ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.０４となり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.３ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.１となり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.５ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.３５となる。

図９は、図４に示すベースプレートと第１連結部との間の間隙Ｓ１の大きさＬ１と、間隙Ｓ１を通過する信号の伝送損失との関係のシミュレーション結果を示すグラフである。

図９は、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの間に間隙Ｓ１が設けられ、第１連結部１２２ａとコンバータ１０３ａとの間に間隙Ｓ２が設けられていない場合に対応するシミュレーション結果を示している。図９に示すグラフの縦軸は伝送損失［ｄＢ］を示し、横軸は周波数［ＧＨｚ］を示す。

図９を参照して、たとえば、間隙Ｓ１を通過する信号の周波数が８０ＧＨｚである場合、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０ｍｍ～０.２ｍｍにすると伝送損失は約０ｄＢとなり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.３ｍｍにすると伝送損失は約０.００２ｄＢとなり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.５ｍｍにすると伝送損失は約０.０２４ｄＢとなる。

また、たとえば、間隙Ｓ１を通過する信号の周波数が８５ＧＨｚである場合、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０ｍｍ～０.１ｍｍにすると伝送損失は約０ｄＢとなり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.２ｍｍにすると伝送損失は約０.００２ｄＢとなり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.３ｍｍにすると伝送損失は約０.０１１ｄＢとなり、間隙Ｓ１の大きさＬ１を０.５ｍｍにすると伝送損失は約０.１２８ｄＢとなる。

上述のとおり、第１連結部１２２ａにおける上部チョークフランジ１２ａにはチョーク溝２６が形成されているため、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの間に間隙Ｓ１が設けられている場合でも、図８および図９に示すシミュレーション結果から、ＶＳＷＲおよび伝送損失を抑制可能であることが分かる。

すなわち、ベースプレートと導波管とを接続する場合、通常、金属で形成された導波管のフランジをベースプレートに直接接触させる。これに対して、本発明の実施の形態に係る評価システム２０１では、チョークフランジというフランジ構造を採用したことにより、非接触でも良好な伝送特性を確保することができる。

また、図８および図９に示すシミュレーション結果から、間隙Ｓ１の大きさＬ１を大きくするほどＶＳＷＲおよび伝送損失が大きくなる傾向にあることが分かる。このため、ＶＳＷＲおよび伝送損失を低く抑えるためには、大きさＬ１を小さくすることが好ましい。

一方、間隙Ｓ１の大きさＬ１を大きくするほど、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの間における熱の移動を抑制することができるため、第１連結部１２２ａを介したベースプレート１２１からコンバータ１０３ａへの熱伝導を抑え、コンバータ１０３ａが故障したり誤動作したりすることなどを防ぐことができる。このため、間隙Ｓ１を通過させる信号の周波数などに応じて、間隙Ｓ１の大きさＬ１を決定することが好ましい。

＜変形例＞
［変形例１］
再び図２を参照して、基板１０１の裏面にラバーヒータ１６１を付着させて基板１０１を加熱する代わりに、たとえば、基板１０１全体を恒温槽の内部に収容し、恒温槽の内部の高温にすることにより、基板１０１を加熱してもよい。

より詳細には、たとえば、第１連結部１２２ａ，１２２ｂの一部または全部、基板１０１、およびベースプレート１２１を恒温槽に収容して、恒温槽の内部を１２０℃以上にすることにより、基板１０１を加熱することができる。

上述のとおり、第１連結部１２２ａと第２連結部１３２ａとの間、および第１連結部１２２ｂと第２連結部１３２ｂとの間には、それぞれ間隙Ｓ２が設けられているため、第１連結部１２２ａ，１２２ｂを恒温槽に収容した場合でも、第１連結部１２２ａ，１２２ｂから第２連結部１３２ａ，１３２ｂへの熱の移動を抑制することができる。

このような方法で評価を行う場合、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとは、間隙Ｓ１が設けられることなく接続されてもよい。すなわち、上部チョークフランジ１２ａの代わりに、チョーク溝が形成されていないフランジが用いられてもよい。

ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとが、間隙Ｓ１が設けられることなく接続される場合、基板１０１を支持する部材である支持部が、ベースプレート１２１および第１連結部１２２ａ，１２２ｂに相当する。また、支持部と測定器とを接続する部材である接続部が、第２連結部１３２ａ，１３２ｂに相当する。

また、この場合、下部チョークフランジ１３ａ，１３ｂの凸部２９が第１対向部分に相当し、凸部２９の表面２９Ｆが第１対向面に相当する。また、連結フランジ８２ａ，８２ｂが第２対向部分に相当し、連結フランジ８２ａ，８２ｂの表面８２ａＦ，８２ｂＦが第２対向面に相当する。

［変形例２］
第１接続部１２２ａ，１２２ｂに加えて、さらに他の部材、具体的には、ベースプレート１２１および第２連結部１３２ａ，１３２ｂの少なくともいずれか一方にもチョーク溝が形成されてもよい。

図１０は、本発明の実施の形態の変形例２に係るベースプレートと第１連結部との接続状態を示す図である。

図１０を参照して、たとえば、ベースプレート１２１の一部分であって、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの接続状態において第１連結部１２２ａにおけるチョーク溝２６に対向する位置に、チョーク溝７６が形成されている。

チョーク溝７６のサイズは、チョーク溝２６と同様に、たとえば、基板１０１を通過する信号の波長に基づいて決定される。具体的には、チョーク溝７６は、たとえば、外径が４．４ｍｍであり、内径が３．１ｍｍであり、深さが１ｍｍであるように形成される。なお、チョーク溝７６のサイズは、基板１０１を通過する信号のある程度良好な特性が確保されていれば、必ずしも信号の波長に基づいて正確に決定されなくてもよい。

このように、ベースプレート１２１および第１連結部１２２ａの両方にチョーク溝が形成されている場合、ベースプレート１２１の裏面１２１Ｂと凸部２４の表面２４Ｆとの間の間隙Ｓ３の大きさＬ３と、間隙Ｓ３を通過する信号のＶＳＷＲおよび伝送損失との関係は、以下のようになる。

図１１は、図１０に示すベースプレートと第１連結部との間隙Ｓ３の大きさＬ３と、間隙Ｓ３を通過する信号のＶＳＷＲとの関係のシミュレーション結果を示すグラフである。

図１１は、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの間に間隙Ｓ３が設けられ、第１連結部１２２ａとコンバータ１０３ａとの間に間隙Ｓ２が設けられていない場合に対応するシミュレーション結果を示している。図１１に示すグラフの縦軸はＶＳＷＲを示し、横軸は周波数［ＧＨｚ］を示す。

図１１を参照して、たとえば、間隙Ｓ３を通過する信号の周波数が８５ＧＨｚである場合、間隙Ｓ３の大きさＬ３を０ｍｍ～０.１ｍｍにするとＶＳＷＲは約１となり、間隙Ｓ３の大きさＬ３を０.２ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.０２となり、間隙Ｓ３の大きさＬ３を０.３ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.０５となり、間隙Ｓ３の大きさＬ３を０.５ｍｍにするとＶＳＷＲは約１.１５となる。

図１２は、図１０に示すベースプレートと第１連結部との間隙Ｓ３の大きさＬ３と、間隙Ｓ３を通過する信号の伝送損失との関係のシミュレーション結果を示すグラフである。

図１２は、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａとの間に間隙Ｓ３が設けられ、第１連結部１２２ａとコンバータ１０３ａとの間に間隙Ｓ２が設けられていない場合に対応するシミュレーション結果を示している。図１２に示すグラフの縦軸は伝送損失［ｄＢ］を示し、横軸は周波数［ＧＨｚ］を示す。

図１２を参照して、たとえば、間隙Ｓ３を通過する信号の周波数が８５ＧＨｚである場合、間隙Ｓ３の大きさＬ３を０ｍｍ～０.２ｍｍにすると伝送損失は約０ｄＢとなり、間隙Ｓ３の大きさＬ３を０.３ｍｍにすると伝送損失は約０.００２ｄＢとなり、間隙Ｓ３の大きさＬ３を０.５ｍｍにすると伝送損失は約０.０１５ｄＢとなる。

このように、ベースプレート１２１および第１連結部１２２ａの両方にチョーク溝が形成されている場合におけるＶＳＷＲおよび伝送損失は、第１接続部１２２ａのみにチョーク溝が形成されている場合におけるＶＳＷＲおよび伝送損失、すなわち図８および図９に示すＶＳＷＲおよび伝送損失と比較して、低くなる傾向にある。このため、ベースプレート１２１および第１連結部１２２ａの両方にチョーク溝が形成されている構成が、より好ましい。

［変形例３］
第１連結部１２２ａ，１２２ｂにおける凸部２４に、複数のチョーク溝が形成されてもよい。

図１３は、本発明の実施の形態の変形例３に係る第１連結部の詳細な構成を示す図である。

図１３を参照して、たとえば、第１連結部１２２ａにおける凸部２４に、チョーク溝２６およびチョーク溝５６が形成されている。チョーク溝５６は、チョーク溝２６と同様に、導波管１１ａの軸を中心とする円形に形成されている。すなわち、チョーク溝２６とチョーク溝５６とは互いに同心円の関係にある。

このように、たとえば凸部２４に複数のチョーク溝が形成されることにより、たとえば、ＶＳＷＲおよび伝送損失を低く抑えることが可能となる周波数の帯域を広くすることができる。

また、凸部２４と同様に、凸部２９にも複数のチョーク溝が形成されてもよい。また、凸部２４および凸部２９のいずれか一方に複数のチョーク溝が形成されてもよい。

［変形例４］
図１４は、本発明の実施の形態の変形例４に係る基板およびベースプレートを示す図である。

図１４を参照して、基板１０１には、信号の入力および出力を行う伝送路１５１の代わりに、信号の入力および出力のいずれか一方を行う伝送路１５２が設けられてもよい。

ところで、車載レーダ等の車載機器は、非常に高温または非常に低温な環境であっても安定した性能が求められる。このため、特許文献１に記載のアンテナ基板等を車載機器に用いる場合、基板を加熱または冷却して温度特性を評価する必要がある。

しかしながら、基板を加熱または冷却した場合、基板と測定器との間で熱が移動することにより測定器が故障したり誤動作したりする可能性があり、基板の温度特性に関する正確な評価結果を得ることが困難な場合がある。また、評価対象である基板において入力または出力される信号が外乱を受けやすいミリ波の信号等である場合、正確な評価結果を得ることが特に困難である。

そこで、基板と測定器との間に設けられた導波管を冷却または加熱することにより測定器の動作温度を確保するという方法が考えられるが、このような方法では設備が複雑になるという問題がある。また、このような方法では、冷却する場所と加熱する場所との間の温度勾配が大きくなるため、基板の温度が安定しない可能性がある。

これに対して、本発明の実施の形態に係る評価方法は、ベースプレート１２１と、第１連結部１２２ａ，１２２ｂとを備える評価システム２０１を用いた評価方法である。ベースプレート１２１は、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う基板１０１を支持し、かつ導波管６３ａ，６３ｂを含む。第１連結部１２２ａ，１２２ｂは、導波管１１ａ，１１ｂを含み、ベースプレート１２１とコンバータ１０３ａ，１０３ｂとを接続する。ベースプレート１２１のうち、第１連結部１２２ａ，１２２ｂと対向する裏面１２１Ｂを含む部分、および第１連結部１２２ａ，１２２ｂのうち、ベースプレート１２１と対向する表面２４を含む上部チョークフランジ１２ａ，１２ｂの少なくともいずれか一方に溝部２６，７６が形成されている。ベースプレート１２１に溝部７６が形成されている場合、溝部７６は、導波管６３ａ，６３ｂの周りの一部または全部に形成されている。上部チョークフランジ１２ａ，１２ｂに溝部２６が形成されている場合、溝部２６は、導波管１１ａ，１１ｂの周りの一部または全部に形成されている。そして、評価方法は、導波管６３ａ，６３ｂと導波管１１ａ，１１ｂとの間で信号の伝達が可能となり、かつベースプレート１２１の裏面１２１Ｂと凸部２４の表面２４Ｆとの間に間隙Ｓ１が設けられるようにベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとを接続するステップと、基板１０１の特性を評価するステップとを含む。

このように、ベースプレート１２１の裏面１２１Ｂと凸部２４の表面２４Ｆとの間に間隙Ｓ１が設けられることにより、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとの接触面積を少なくすることができ、基板１０１の温度特性に関する評価を行う際、第１連結部１２２ａ，１２２ｂを介したベースプレート１２１とコンバータ１０３との間における熱の移動を抑えて、コンバータ１０３またはネットワークアナライザ１０２が故障したり誤動作したりすることを防ぐことができる。

また、ベースプレート１２１および上部チョークフランジ１２ａ，１２ｂの少なくともいずれか一方に、導波管１１ａ，１１ｂ周りの溝部２６，７６が形成されているため、間隙Ｓ１が設けられるようにベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとを接続しても、間隙Ｓ１を通過する信号の伝送損失等を低く抑えることができる。したがって、基板１０１の温度特性をより安定して評価することができる。

また、本発明の実施の形態の変形例１に係る評価方法は、ベースプレート１２１と、第１連結部１２２ａ，１２２ｂと、第２連結部１３２ａ，１３２ｂとを備える評価システム２０１を用いた評価方法である。ベースプレート１２１は導波管６３ａ，６３ｂを含む。ベースプレート１２１および第１連結部１２２ａ，１２２ｂは、信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う基板１０１を支持する。第２連結部１３２ａ，１３２ｂは、導波管８１ａ，８１ｂを含み、第１連結部１２２ａ，１２２ｂとコンバータ１０３ａ，１０３ｂとを接続する。第１連結部１２２ａ，１２２ｂのうち、第２連結部１３２ａ，１３２ｂと対向する表面２９Ｆを含む凸部２９、および第２連結部１３２ａ，１３２ｂのうち、第１連結部１２２ａ，１２２ｂと対向する表面８２ａＦ，８２ｂＦを含む連結フランジ８２ａ，８２ｂの少なくともいずれか一方に溝部３１が形成されている。第１連結部１２２ａ，１２２ｂに溝部３１が形成されている場合、溝部３１は、導波管１１ａ，１１ｂの周りの一部または全部に形成されている。連結フランジ８２ａ，８２ｂに溝部が形成されている場合、当該溝部は、導波管８１ａ，８１ｂの周りの一部または全部に形成されている。そして、評価方法は、導波管１１ａ，１１ｂと導波管８１ａ，８１ｂとの間で信号の伝達が可能となり、かつ凸部２９の表面２９Ｆと連結フランジ８２ａ，８２ｂの表面８２ａＦ，８２ｂＦとの間に間隙Ｓ２が設けられるように第１連結部１２２ａ，１２２ｂと第２連結部１３２ａ，１３２ｂとを接続するステップと、基板１０１の特性を評価するステップとを含む。

このように、凸部２９の表面２９Ｆと連結フランジ８２ａ，８２ｂの表面８２ａＦ，８２ｂＦとの間に間隙Ｓ２が設けられることにより、第１連結部１２２ａ，１２２ｂと第２連結部１３２ａ，１３２ｂとの接触面積を少なくすることができるので、基板１０１の温度特性に関する評価を行う際、第２連結部１３２ａ，１３２ｂを介したベースプレート１２１とコンバータ１０３との間における熱の移動を抑えることができ、コンバータ１０３またはネットワークアナライザ１０２が故障したり誤動作したりすることを防ぐことができる。

また、凸部２９および連結フランジ８２ａ，８２ｂの少なくともいずれか一方に、導波管１１ａ，１１ｂの周りにおける溝部３１が形成されているため、間隙Ｓ２が設けられるように第１連結部１２２ａ，１２２ｂと第２連結部１３２ａ，１３２ｂとを接続しても、間隙Ｓ２を通過する信号の伝送損失等を低く抑えることができる。したがって、基板１０１の温度特性をより安定して評価することができる。

また、本発明の実施の形態に係る評価システム２０１における溝部２６，３１，７６のサイズは、基板１０１を通過する信号の波長に基づいて決定される。

このような構成により、間隙Ｓ１を通過する信号および間隙Ｓ２を通過する信号の少なくともいずれか一方の伝送損失等を効果的に抑えることができる。

また、本発明の実施の形態に係る評価システム２０１では、第１連結部１２２ａ，１２２ｂおよび第２連結部１３２ａ，１３２ｂの熱伝導率は、ベースプレート１２１の熱伝導率よりも小さい。

このような構成により、ベースプレート１２１とコンバータ１０３側との間における熱の移動をより確実に抑えることができる。

また、本発明の実施の形態に係る評価システム２０１では、第１連結部１２２ａ，１２２ｂおよび第２連結部１３２ａ，１３２ｂの熱伝導率は、１５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。

このような熱伝導率とすることにより、ベースプレート１２１とコンバータ１０３側との間における熱の移動をさらに確実に抑えることができる。

また、本発明の実施の形態に係る評価システム２０１では、第１連結部１２２ａ，１２２ｂおよび第２連結部１３２ａ，１３２ｂは、ステンレススチールを含む材料を用いて形成されている。

このような構成により、ベースプレート１２１とコンバータ１０３側との間における熱の移動をより確実に抑え、さらに、加工作業の容易化およびコスト増加の抑制を実現することができる。

また、本発明の実施の形態に係る評価システム２０１では、ベースプレート１２１を挟んで基板１０１と対向する位置にラバーヒータ１６１またはペルチェ素子が設けられる。また、ベースプレート１２１の熱伝導率は２３６Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。

このように、ベースプレート１２１側から基板１０１を加熱または冷却する構成において、ベースプレート１２１の熱伝導率が高いことにより、基板１０１の加熱または冷却を効率よく行うことができる。

また、本発明の実施の形態に係る評価システム２０１では、ベースプレート１２１は、アルミニウムを含む材料を用いて形成されている。

このような構成により、基板１０１の加熱または冷却を効率よく行うことができ、さらに、加工作業の容易化およびコスト増加の抑制を実現することができる。

また、本発明の実施の形態に係る評価システム２０１では、ベースプレート１２１の厚さは５ｍｍ以上である。

このように、ベースプレート１２１の厚さが大きいことにより、たとえば、ベースプレート１２１の表面１２１Ｆに基板１０１が設けられ、ベースプレート１２１の裏面１２１Ｂを加熱または冷却する場合、ベースプレート１２１の表面１２１Ｆの温度をより確実に均一化することができる。したがって、ベースプレート１２１に設けられた基板１０１の温度をより確実に均一化し、より正確な評価結果を得ることができる。

また、本発明の実施の形態に係る評価方法では、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとを接続するステップにおいて、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとの位置関係をネジ４１を用いて固定する。また、第１連結部１２２ａ，１２２ｂと第２連結部１３２ａ，１３２ｂとを接続するステップにおいて、第１連結部１２２ａ，１２２ｂと第２連結部１３２ａ，１３２ｂの位置関係をネジ４２を用いて固定する。また、ネジ４１，４２の熱伝導率は、ベースプレート１２１の熱伝導率よりも小さい。

このような構成により、ベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとの位置関係、および第１連結部１２２ａ，１２２ｂと第２連結部１３２ａ，１３２ｂとの位置関係を固定することができ、かつベースプレート１２１と第１連結部１２２ａ，１２２ｂとの間における熱の移動、および第１連結部１２２ａ，１２２ｂと第２連結部１３２ａ，１３２ｂとの間における熱の移動を抑えることができる。

上記実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

以上の説明は、以下に付記する特徴を含む。

［付記１］
信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う基板を支持し、かつ第１導波管を含む支持部と、
第２導波管を含み、前記支持部と他の部材とを接続する接続部とを備える評価システムを用いた評価方法であって、
前記支持部のうち、前記接続部と対向する第１対向面を含む第１対向部分、および前記接続部のうち、前記支持部と対向する第２対向面を含む第２対向部分の少なくともいずれか一方に溝部が形成され、
前記第１対向部分に前記溝部が形成されている場合、前記第１対向部分における前記溝部は、前記第１導波管の周りの一部または全部に形成されており、
前記第２対向部分に前記溝部が形成されている場合、前記第２対向部分における前記溝部は、前記第２導波管の周りの一部または全部に形成されており、
前記第１導波管と前記第２導波管との間で前記信号の伝達が可能となり、かつ前記第１対向面と前記第２対向面との間に間隙が設けられるように前記支持部と前記接続部とを接続するステップと、
前記基板の特性を評価するステップとを含み、
前記信号はミリ波の信号であり、
前記溝部はチョーク溝であり、
前記間隙は、前記第１導波管と前記第２導波管との間に設けられ、
前記支持部における前記第１導波管の周りの部分と、前記接続部における前記第２導波管の周りの部分とを固定することにより、前記支持部と前記接続部との位置関係を固定する、評価方法。

１１ａ，１１ｂ導波管
１２ａ，１２ｂ上部チョークフランジ
１２Ｆ表面
１２Ｂ裏面
１３ａ，１３ｂ下部チョークフランジ
１３Ｆ表面
１３Ｂ裏面
２１貫通孔
２２，２７ネジ穴
２３位置決めピン
２４凸部（第２対向部分）
２４Ｆ表面（第２対向面）
２９凸部（第１対向部分）
２９Ｆ表面（第１対向面）
２４Ｂ裏面
２５，３０開口
２６，３１，５６，７６チョーク溝（溝部）
２８位置決めピン
４１，４２ネジ
６１，７１位置決め穴
６２，７２ネジ穴
６３ａ，６３ｂ導波管
８１ａ，８１ｂ導波管
８２ａ，８２ｂ連結フランジ（第２対向部分）
８２ａＦ，８２ｂＦ表面（第２対向面）
８２ａＢ，８２ｂＢ裏面
１０１基板
１０２ネットワークアナライザ
１０３ａ，１０３ｂコンバータ
１０４端末装置
１２１ベースプレート（支持部および第１対向部分）
１２１Ｆ表面
１２１Ｂ裏面（第１対向面）
１２２ａ，１２２ｂ第１連結部（接続部または支持部）
１３１ａ，１３１ｂ本体部
１３２ａ，１３２ｂ第２連結部（接続部）
１５１，１５２伝送路
１６１ラバーヒータ
２０１評価システム

Claims

信号の入力および出力の少なくともいずれか一方を行う伝送路を有する評価対象を支持し、かつ第１導波管を含む支持部と、
第２導波管を含み、前記支持部と他の部材とを接続する接続部とを備える評価システムを用いた評価方法であって、
前記支持部のうち、前記接続部と対向する第１対向面を含む第１対向部分、および前記接続部のうち、前記支持部と対向する第２対向面を含む第２対向部分の少なくともいずれか一方に溝部が形成され、
前記第１対向部分に前記溝部が形成されている場合、前記第１対向部分における前記溝部は、前記第１導波管の周りの一部または全部に形成されており、
前記第２対向部分に前記溝部が形成されている場合、前記第２対向部分における前記溝部は、前記第２導波管の周りの一部または全部に形成されており、
前記第１導波管と前記第２導波管との間で前記信号の伝達が可能となり、かつ前記第１対向面と前記第２対向面との間に間隙が設けられるように前記支持部と前記接続部とを接続するステップと、
前記評価対象を加熱または冷却するステップと、
前記伝送路を通過する信号の高温時または低温時における伝送特性を評価するステップとを含む、評価方法。
前記溝部のサイズは、前記信号の波長に基づいて決定される、請求項１に記載の評価方法。
前記接続部の熱伝導率は、前記支持部の熱伝導率よりも小さい、請求項１または請求項２に記載の評価方法。
前記接続部の熱伝導率は１５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の評価方法。
前記接続部は、ステンレススチールを含む材料を用いて形成されている、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の評価方法。
前記支持部を挟んで前記評価対象と対向する位置に加熱部材または冷却部材が設けられ、
前記支持部の熱伝導率は２３６Ｗ／ｍ・Ｋ以上である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の評価方法。
前記支持部を挟んで前記評価対象と対向する位置に加熱部材または冷却部材が設けられ、
前記支持部は、アルミニウムを含む材料を用いて形成されている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の評価方法。
前記支持部の厚さは５ｍｍ以上である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の評価方法。
前記支持部と前記接続部とを接続するステップにおいて、前記支持部と前記接続部との位置関係をネジを用いて固定し、
前記ネジの熱伝導率は、前記支持部の熱伝導率よりも小さい、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の評価方法。