JP4418552B2 - 脱アセチル化キチン誘導体及びその合成方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、脱アセルチル化キチンのアミノ基に位置選択的に第4級アンモニウム塩を有する置換基を導入した脱アセチル化キチン誘導体及びその合成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
キチン並びにアセチル化キチン(キトサン)は、生理・生物的活性を有するとともに吸保湿性に優れた天然の多糖類である。しかしその反面、溶解性に乏しくその工業的利用の妨げとなっている。また脱アセチル化キチンは、それぞれ反応性に富む3種類の官能基である置換基、即ち2位のアミノ基、6位の第1級水酸基、及び3位の第2級水酸基を有し、化学修飾により数多くの誘導体が合成されている。
【0003】
しかし、これらの置換基は反応性が類似しているため位置選択性に乏しく、そのため多くは、反応系を複雑化して官能基を保護するか、或いは、置換基の導入される位置を制限しないために、副反応の生成を招き、分子精密設計の妨げとなっている。
他方、脱アセチル化キチンは、アミノ基を持つことからカチオン性の高分子であり、更にこのアミノ基をトリアルキル化した第4級アンモニウム化物は、水溶性、抗菌活性、繊維などとの親和性などを示して、その応用が期待される(Kim,Chun,Ho等,Polm,Bull(Berlin),38(4),387(1997))。
【0004】
一方で、従来の化学修飾方法では、置換基の導入、位置選択性、合成化合物の解析等で、天然高分子である脱アセチル化キチンの異なる3種類の官能基の存在が、トリメチル化の際に、水酸基のメチル化を伴い、分子設計に沿った化合物の構築を困難なものとしてきた。そこで、あらかじめ導入する置換基に第4級アンモニウム基と、ハロゲンや、エポキシの反応基の両方を持つ化合物によって、主鎖の官能基の修飾も行われている(戸倉清一ら,キチン・キトサン研究,3(2)、152(1997))、(特公平1−31761)、(Young Ho Kim等,Textile Res.J.,68(6),428(1998))。これにより、1段階で第4級アンモニウム化脱アセチル化キチンが得られ水溶性を示している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの方法においても、導入基の反応性が高いために、置換基の位置選択性を得るに至ってはいない。
本発明の目的は、アミノ基に位置選択的に置換基を導入した水溶性の脱アセチル化キチン誘導体及びその合成方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、主鎖の一部分又は主鎖の全てのアミノ基が脱アセチル化した脱アセチル化キチンの前記主鎖の一部の糖残基D−グルコサミンの2位のアミノ基に第4級アンモニウム基を構成単位に有する置換基を位置選択的に導入したことを特徴とする、次の式(1)又は式(2)で示される脱アセチル化キチン誘導体である。
【化6】
【化7】
但し、式(1)及び式(2)中 、nは重合度を示す。
請求項1に係る脱アセチル化キチン誘導体は、アミノ基に第4級アンモニウム基を構成単位に有する置換基を位置選択的に導入しているため、カチオン性の置換基に対し低分子の無機、有機のアニオン、又は両性イオンを対イオンにすると水溶性を示し、また水溶性のタンパク質や、カルボキシメチルセルロースのような高分子アニオンを対イオンとして用いると、凝集性を示す。
【0007】
請求項2に係る発明は、主鎖の一部分又は主鎖の全てのアミノ基が脱アセチル化した脱アセチル化キチンと、次の式(3)又は式(4)で示されるアルデヒド基と第4級アンモニウム基の両方を1つずつその構成単位に有する化学修飾剤或いは次の式(5)で示される修飾剤とを混合する工程と、この混合溶液に還元剤を添加して前記脱アセチル化キチンのD−グルコサミンの2位のアミノ基に還元的アルキル化反応により第4級アンモニウム基を構成単位に有する置換基を位置選択的に導入する工程とを含む脱アセチル化キチン誘導体の合成方法である。
【化8】
【化9】
【化10】
但し、式(3)〜式(5)中 、R 2 、R 3 、R 4 、R 5 の置換基は、メチル基、エチル基、芳香族の電子供与性基の置換基を示す。
請求項2に係る発明では、工業的に有用な脱アセチル化キチンの第4級アンモニウム化誘導体の合成に際し、別に合成したアルデヒド基と第4級アンモニウム基の両方を持つ修飾剤を用い、脱アセチル化キチンの水酸基を保護することなく、位置選択的にD−グルコサミンの2位のアミノ基に第4級アンモニウム基を有する置換基を導入する。これにより、分子設計における多様な置換基導入を達成することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明の脱アセチル化キチン誘導体の合成方法は、先ず図1(a)に示される脱アセチル化キチンを酸水溶液に溶解するかその他の溶媒に溶解する。この脱アセチル化キチンは、特に限定されないが、R(アルキル)のアセチル化度が0〜70%である。この重合度(n)は、8〜20程度のオリゴマーからn=104以上のポリマーが用いられる。また図1(a)に示した脱アセチル化キチンの水酸基や、そのアミノ基の一部にそれぞれ予め異なる化学修飾を施した脱アセチル化キチン誘導体に対しても図1(a)に示した脱アセチル化キチンと同様に用いられる。
【0009】
修飾剤は、図1(b)に示される一般的な化学構造式を持ち、アルデヒド基と第4級アンモニウム基の両方を少なくとも1つずつ持つ。具体的には、修飾剤はアルデヒド基と第4級アンモニウム基の両方を有し、このときのアルデヒド基又は第4級アンモニウム塩の数はそれぞれ1又は2以上である。R1は特に限定しないが、複数の原子団を構成単位に取る場合を含む。例えば上記式(3)及び式(4)、或いは図1(c)及び図1(d)に示す化学式が挙げられる。これらの化学式以外に、R1には、−CH2,−CH2CH2−,−CH2CH2CH2−,−CH2CH(CH3)CH2−などの一般式CmH2mで示される飽和脂肪族、或いは不飽和脂肪族、−(CH2CH2O)−,−(CH2CH(CH3)O)−などのグリコール類、フェニル基、ベンジル基などの芳香族やヘテロ芳香族、或いはそれらの組み合わせなどが用いられる。R2,R3,R4,R5には、メチル基、エチル基、芳香族などの電子供与性基の任意の置換基が用いられる。それら以外の修飾剤として、グルコサミン、ガラクトサミン、マンノサミンなどのアミノ基を持った還元糖をN,N,N−トリアルキル化した上記式(5)又は図1(e)に示すような第4級アンモニウム化還元糖を用いることができる。
【0010】
図1(a)に示した脱アセチル化キチンをこの脱アセチル化キチンの単糖残基当たり1〜5倍モル量の有機酸を含む溶液に溶解する。溶媒としては、特に制限はないが、水又は水に可溶な有機溶媒などを用いる。この脱アセチル化キチンの濃度は、脱アセチル化キチンの分子量によって異なるが、平均重合度が103〜104程度のものは、0.1〜5%程度で低い粘度を選択して用いる。平均分子量がそれよりも低い脱アセチル化キチンは、更に高い濃度で用いることができる。
脱アセチル化キチンが完全に溶解した溶液は、修飾剤を添加して反応中間体を形成させる。修飾剤の添加量は、用いた脱アセチル化キチンのアミノ残基のモル数に対し0.1〜20倍モル量を添加し、0.5〜2時間程度撹拌する。修飾剤が溶液に対して溶解しにくい場合は、脱アセチル化キチン溶液に混和可能な1〜50%量のアルコールなどに予め溶解して用いる。良く混合された修飾剤と脱アセチル化キチン溶液は、希薄アルカリ水溶液によってpH4.5〜5.0に調整した後、還元剤によって還元アルキル化反応を室温で行う。
用いる還元剤としては特に限定しないが、水素化ホウ素ナトリウム、水素化シアノホウ素ナトリウムなどを用い、修飾剤の種類により選択して用いる。添加量は、修飾剤の1〜5倍モル量を用い、0.5〜1時間程かけて徐々に添加する。更に室温で1〜72時間反応を行った後、アルカリ水溶液で、pH10に調整する。反応液は、透析、限外ろ過、又は溶媒沈殿などを行い塩やアルカリ成分を除去する。溶媒成分は減圧乾燥、凍結乾燥などにより除去し目的物を回収する。回収された誘導体は、対イオンにOH-イオンを持ち、修飾基の導入率が0.1〜1.0を示す。
このようにして得られた位置選択的に第4級アンモニウム塩を有する置換基を導入した脱アセチル化キチン誘導体は、カチオン性の置換基に対し低分子の無機、有機のアニオン、又は両性イオンを対イオンにすると水溶性を示し、また水溶性のタンパク質や、カルボキシメチルセルロースのような高分子アニオンを対イオンとして用いると、凝集性を示す。
【0011】
【実施例】
次に本発明の具体的な実施例を述べる。
<実施例1>
脱アセチル化キチン(フナコシChitosan10B、脱アセチル化度96%、重量平均分子量1.9×104)2.0gに0.5%酢酸水溶液100mlを加え室温で0.5〜2時間撹拌して、脱アセチル化キチンを溶解した。修飾剤として、4−[3−(ジメチルアミノ)プロポキシ]−ベンズアルデヒドのNをヨウ化メチルでメチル化した4−[3−(トリメチルアンモニウム)プロポキシ]−ベンズアルデヒドヨウ化物塩を用いた。即ち、4−[3-(ジメチルアミノ)プロポキシ]−ベンズアルデヒドに、2倍のモル量のヨウ化メチルを添加し2時間撹拌した後、減圧下、未反応のヨウ化メチルを除去した。次にクロロホルム10mlを加え生成物を洗浄し、これを数回繰り返した後、減圧乾燥した後、4−[3−(トリメチルアンモニウム)プロポキシ]−ベンズアルデヒドヨウ化物塩を収率70%で得た。修飾剤は、脱アセチル化キチンのアミノ基のモル数に対して0.5倍モル量をメタノール100mlに溶解し脱アセチル化キチン水溶液に加え0.5時間よく混和させた。脱アセチル化キチンと修飾剤の混合液は0.2M水酸化ナトリウム水溶液でpH5.3に調整し、次いで0.05g/mlの水素化ホウ素ナトリウム水溶液40mlを徐々に添加し、還元アルキル化反応を行った。更に2時間撹拌した後、水酸化ナトリウム水溶液でpH10に調整し、蒸留水で透析を透析外液がpH7になるまで行った。低分子成分が除去された生成物は、凍結乾燥により白色で綿状の生成物を収率95%以上で得られた。得られた誘導体は、1H NMRの解析から上記式(1)又は図2に示す脱アセチル化キチン誘導体であった。この誘導体の置換度は0.2であった。この誘導体は水に対して溶解性を示した。
【0012】
この脱アセチル化キチン誘導体の1H NMRの解析結果を次に示す。
1H NMR(270MHz,D2O)
δ=2.06(0.12H,s,N−Ac),
2.3(0.4H,m,C−CH2−C),
3.2〜3.3(2.2H,m,C2 proton and N+Me3),
3.57(0.4H,m,N+−CH2−C),
3.7〜4.1(5H,m,C3〜C6 protons),
4.21(0.4H,s,N−CH2−Bz),
4.3〜4.5(0.3H,m,O−CH2−C),
4.6〜5.0(1H,m,C1 proton),及び
7.07〜7.10(0.8H,d,C6H4−)
<実施例2>
脱アセチル化キチン(フナコシChitosan10B、脱アセチル化度96%)2.0gに0.5%酢酸水溶液100mlを加え室温で0.5〜2時間撹拌して、脱アセチル化キチンを溶解した。
修飾剤として、4ピリジアルデヒドのNをヨウ化メチルでメチル化した4−(N−メチル)ピリジニウムアルデヒド ヨウ化物塩を用いた。即ち、4ピリジアルデヒドに、2倍モル量のヨウ化メチルを添加し2時間撹拌した後、減圧下、未反応のヨウ化メチルを除去した。次にクロロホルム10mlを加え生成物を洗浄し、これを数回繰り返した後、減圧乾燥した後、4−(N−メチル)ピリジニウムアルデヒドヨウ化物塩を収率60%で得た。
【0013】
修飾剤は、脱アセチル化キチンのアミノ基のモル数に対して3.0倍モル量をメタノール100mlに溶解し脱アセチル化キチン水溶液に加え0.5時間室温でよく混和させた。脱アセチル化キチンと修飾剤の混合溶液は0.2M水酸化ナトリウム水溶液でpH5.3に調整し、次いで0.06g/ml水素化シアノホウ素ナトリウム水溶液40mlを徐々に添加し、還元アルキル化反応を行った。更に24時間撹拌した後、水酸化ナトリウム水溶液で、pH10に調整し、蒸留水で透析を透析外液がpH7になるまで行った。低分子成分が除去された生成物は、凍結乾燥により白色で綿状の生成物を収率95%以上で得られた。得られた誘導体は、1H NMRの解析から上記式(2)又は図3に示す脱アセチル化キチン誘導体であった。この誘導体の置換度は0.2であった。この誘導体は水に対して溶解性を示した。
【0014】
この脱アセチル化キチン誘導体の1H NMRの解析結果を次に示す。
1H NMR(270MHz,D2O added DCl)
δ=2.06(0.12H,s,N−Ac),
3.19(0.6H,s,N+Me),
3.4〜4.2(6H,m,C2〜C6 protons),
4.43(0.4H,s,N−CH2−C),
4.6〜5.2(1H,m,C1 proton),及び
8.2〜8.9(0.8H,d×2,C5HN4)
【0015】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の合成方法で得られた位置選択的に第4級アンモニウム塩を有する置換基を導入した脱アセチル化キチン誘導体は、カチオン性の置換基に対し低分子の無機、有機のアニオン、又は両性イオンを対イオンにすると水溶性を示し、また水溶性のタンパク質や、カルボキシメチルセルロースのような高分子アニオンを対イオンとして用いると、凝集性を示す優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a) 脱アセチル化キチンの化学構造式を示す図。
(b)〜(e) 本発明の修飾剤の化学構造式を示す図。
【図2】 実施例1の脱アセチル化キチン誘導体の化学構造式を示す図。
【図3】 実施例2の脱アセチル化キチン誘導体の化学構造式を示す図。
Claims (2)
- 主鎖の一部分又は主鎖の全てのアミノ基が脱アセチル化した脱アセチル化キチンと、次の式(3)又は式(4)で示されるアルデヒド基と第4級アンモニウム基の両方を1つずつその構成単位に有する化学修飾剤或いは次の式(5)で示される修飾剤とを混合する工程と、前記混合溶液に還元剤を添加して前記脱アセチル化キチンのD−グルコサミンの2位のアミノ基に還元的アルキル化反応により第4級アンモニウム基を構成単位に有する置換基を位置選択的に導入する工程とを含む脱アセチル化キチン誘導体の合成方法。
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