JP4416876B2 - Semiconductor chip and method for manufacturing semiconductor chip - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体チップ及びその製造方法に関し、特に接続信頼性の高い半導体チップ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図13に従来技術に係る半導体チップ330及びその実装形態を示す。半導体チップ330のアルミニウム電極パッド332には、ニッケルめっき層334及び金めっき層338を介して、バンプ310を形成するハンダ344が設けられている。ここで、半導体チップ330は、該バンプ310を介して、パッケージ350側の電極パッド352に電気的に接続されている。
【0003】
ところで、半導体チップ330とパッケージ350とは、熱膨張率が異なるため、両者の間に発生する応力を緩和することが必要であり、上記図13に示した実装形態においては、半導体チップ330とパッケージ350との間にアンダーフィル336を配設し、両者を固着させることにより、電気的接続部に応力を集中させないようにすることで、電気的接続部に破断が発生しないように構成されている。
【0004】
しかしながら、近年の半導体チップの高集積化に伴い、半導体チップのバンプが小型化され、上述した実装形態によっても、半導体チップ330とパッケージ350との間の応力により、小型化された電気的接続部が破断することがあった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このような問題点に対し、前記アルミニウム電極パッド332上に形成されたバリアメタル膜を介して柔軟性のある銅ポストを形成し、半導体チップ330とパッケージとの間に発生する応力を銅ポストにより吸収することが提案されているが、バリアメタル膜は、生産性に劣るばかりでなく、残留応力を有しており、アルミニウム電極パッド付近の半導体チップ機能に悪影響を及ぼすため、エリアパッド方式のアルミニウム電極パッドが形成された半導体チップに適用することが困難であった。
【0006】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、高い信頼性で実装することのできる半導体チップ及び該半導体チップの製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1の半導体チップは、上記目的を達成するため、
半導体チップの電極パッド側に、第1の絶縁層と導体回路層と第2の絶縁層が順に積層されてなり、
前記第1の絶縁層は、半導体チップの電極パッドと導体回路層を電気的に接続するインナービアが形成されており、
前記第2の絶縁層は、軟質絶縁層であって、導体回路層に至る非貫通孔が設けられてなり、その非貫通孔の底部および壁面に形成された無電解銅めっき膜とその内部に充填された樹脂からなるフィルドビアが形成されてなることを技術的特徴とする。
【0008】
請求項7の半導体チップの製造方法は、以下の(1)〜(6)の工程を少なくとも含むことを技術的特徴とする:
(1)半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に第1の絶縁層を形成し、次いで前記アルミニウム電極パッドに至る非貫通孔を形成する工程、
(2)前記非貫通孔の底部のアルミニウム電極パッドにジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
(3)前記非貫通孔内および第1の絶縁層の表面に銅めっきして、インナービアと導体回路層を形成する工程、
(4)前記第1の絶縁層および導体回路層を軟質樹脂で被覆して第2の絶縁層を形成する工程、
(5)前記第2の絶縁層に導体回路層に至る非貫通孔を形成する工程、
(6)前記非貫通孔の底部と壁面に無電解銅めっき膜を形成した後、その内部に樹脂を充填し、フィルドビアを形成する工程。
【0009】
請求項8の半導体チップの製造方法は、以下の(1)〜(6)の工程を少なくとも含むことを技術的特徴とする:
(1)半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
(2)前記半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に第1の絶縁層を形成し、次いで前記ニッケルと銅の複合めっき層に至る非貫通孔を形成する工程、
(3)前記非貫通孔内および第1の絶縁層の表面に銅めっきして、インナービアと導体回路層を形成する工程、
(4)前記第1の絶縁層および導体回路層を軟質樹脂で被覆して第2の絶縁層を形成する工程、
(5)前記第2の絶縁層に導体回路層に至る非貫通孔を形成する工程、
(6)前記非貫通孔の底部と壁面に無電解銅めっき膜を形成した後、その内部に樹脂を充填し、フィルドビアを形成する工程。
【0010】
請求項1の半導体チップ及び請求項7,8の半導体チップの製造方法では、弾性率(引張弾性率)が1.0〜3.5GPaの軟質樹脂で構成された第2の絶縁層に非貫通孔が形成され、該非貫通孔の底部と壁面に析出された無電解銅めっき膜と内部に充填された樹脂とからなるフィルドビアが形成されており、該フィルドビア及び軟質樹脂で構成された第2の絶縁層が半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力を吸収できるため、電気接続部にクラックを発生させることがなく、半導体チップを高い接続信頼性でもって基板に実装することができる。
【0011】
請求項2、11では、前記第2の絶縁層は、弾性率が1.0〜3.5GPaの樹脂絶縁層であり、半導体チップと基板との熱膨張差によりフィルドビアに発生する応力をより好適に吸収する。
【0012】
請求項3、14では、前記第2の絶縁層は、厚さが15〜200μm、非貫通孔は、直径が20〜250μm、銅めっき膜は、厚さが5〜25μmであり、フィルドビアが柔軟性に優れるため、半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力をより小さくできる。
【0013】
請求項4、5、13では、ジンケート処理されたアルミニウム電極パッドの表面に、ニッケルと銅との複合めっき層を形成させるため、該複合めっき層の上に銅めっきでインナービアを形成することができる。ここで、複合めっき層は、0.01〜5μmの厚さで、該めっき層の銅めっき側表面は、ニッケルが1〜70重量%とし、残部が実質的に銅とすることにより、銅めっきによるインナービアをより好適に形成することができる。
【0014】
請求項9では、第1の絶縁層は、感光性樹脂であり、露光現像して非貫通孔を形成できるため、レーザと異なり電極パッドの表面を変質させることがない。
【0015】
請求項10では、インナービアは、無電解銅めっきによって形成されるため、電流を流す必要がなく、半導体チップを損傷させる危険性がない。
【0016】
請求項12では、第2の絶縁層にレーザにより非貫通孔を設けるため、厚みのある第2の絶縁層に小径の非貫通孔を穿設することができる。
【0017】
請求項6、15では、内部に樹脂が充填されたフィルドビアの表面に金属膜が形成されるため、フィルドビア上に直接バンプを形成することができる。なお、本願明細書で説明する弾性率は、いずれも引張弾性率である。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について図を参照して説明する。
図1は本発明の第1実施形態に係る半導体チップを示している。
半導体チップ30の下面には、パッシベーション膜34の開口にジンケート処理されたアルミニウム電極パッド32が形成されている。本実施形態では、パッシベーション膜34の下面に第1の絶縁層136が配設され、該第1の絶縁層136には、該アルミニウム電極パッド32に至る非貫通孔136aが形成されている。そして、該非貫通孔136aの底部のアルミニウム電極パッド32には、ニッケルめっき層38,ニッケルと銅との複合めっき層40を介在して、銅めっきによるインナーインナービア142が前記アルミニウム電極パッド32に電気的に接続して形成されており、該第1の絶縁層136の表面の導体回路層143に電気的に接続している。
本発明において、前記第1の絶縁層としては、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ポリイミド樹脂等を使用することができる。
【0019】
該第1の絶縁層136及び導体回路層143は、第2の絶縁層236で被覆され、該第2の絶縁層236には、前記導体回路層143に至る非貫通孔236aが設けられてなり、その非貫通孔236aの底部および側面に形成された銅めっき膜243とその内部に充填された樹脂239からなるフィルドビアが形成されている。そして、該内部に充填された樹脂239の表面には金属膜245が形成され、さらに半田等の低融点金属からなる突起状導体(バンプ)44が配設されている。該半導体チップ30は、バンプ44を介して基板50側のパッド52への接続されている。
本発明において、前記低融点金属としては、Pb−Sn系半田、Ag−Sn系半田、インジウム系半田を使用することができる。
【0020】
ここで、第2の絶縁層236は、弾性率が1.0〜3.5GPaの軟質樹脂で、厚さが15〜200μmに形成されており、第2の絶縁層236に設けられる非貫通孔236aの直径を20μm〜250μm、銅めっき膜243の厚さを5〜25μmとすることで、フィルドビアが柔軟性に優れ、半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力をより好適に吸収できるため、電気接続部にクラックを発生させることがなく、半導体チップを高い接続信頼性でもって基板に実装することができる。
本発明において、前記第2の絶縁層としては、熱硬化性のエポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂等を使用することができる。
【0021】
前記ニッケルと銅の複合めっき層40は、0.01〜5μmの厚さで、該複合めっき層の銅めっき側のニッケル含有量を1〜70重量%とし、残部が実質的に銅とすることにより、銅めっきによるインナービア142をより好適に形成することができる。
【0022】
引き続き、図2〜図4を参照して第1実施形態に係る半導体チップ30の製造方法について説明する。
図2の工程(A)に示すパッシベーション膜34の開口にアルミニウム電極パッド32が形成された半導体チップ30に対して後述する工程でバンプを形成する。
【0023】
ここでは、先ず、図2の工程(B)に示すように、アルミニウム電極パッド32の表面にニッケルめっき層或いはニッケルと銅との複合めっき層の析出を容易ならしめるジンケート処理を施す。このジンケート処理としては、例えば、半導体チップ30を常温で10〜30秒間、金属塩である酸化亜鉛と還元剤としての水酸化ナトリウムの混合液中に浸漬することにより行うことができる。
【0024】
引き続き、図2の工程(C)に示すように、半導体チップ30を無電解ニッケルめっき液中に浸けて、アルミニウム電極パッド32の表面にニッケルめっき層38を析出させる。なお、このニッケルめっき層を形成する工程は後述する複合めっき層を速やかかつより強固に形成することを目的とするものであり、省略して複合めっき層をアルミニウム電極パッド32に直接形成することも可能である。
【0025】
そして、図2の工程(D)に示すように、該半導体チップ30を、ニッケルと銅の無電解複合めっき液に浸漬し、ニッケルと銅の複合めっき層40を形成する。この場合、複合めっき層を0.01μm〜5μmの厚さで、表面のニッケル含有量が、1〜70重量%の範囲とし、残部を実質的に銅からなる組成とすることにより、その後のインナービア142を形成する際の銅めっきを形成することが可能となる。
前記ニッケルと銅の複合めっき液としては、例えば、硫酸ニッケル、硫酸銅及び次亜燐酸ナトリウムの水溶液を使用することができる。
【0026】
図3の工程(E)に示すように絶縁樹脂を塗布する。この絶縁樹脂としては、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用することができる。樹脂を塗布する代わりに、ドライフィルムを貼り付けて形成することもできる。次に、図3の工程(F)に示すように露光・現像処理により非貫通孔136aを形成する。第1の絶縁層として感光性樹脂を用い、露光現像して非貫通孔を形成できるため、レーザと異なり電極パッド32の表面を変質させたり、半導体チップを損傷させる危険性が少ない。そしてさらに、加熱処理してアルミニウム電極パッド32に至る非貫通孔136aを有する第1の絶縁層136を形成する。
【0027】
次に、図3の工程(G)に示すように、非貫通孔136a内に無電解銅めっきを充填してインナービア142を形成すると共に、第1の絶縁層136上に導体回路143を形成する。無電解めっきは、電流を流す必要がなく、半導体チップを損傷させる危険性がない。
【0028】
次に、熱硬化性樹脂を塗布し、硬化処理して厚さ15〜200μmの第2の絶縁層236を形成してから、図4の工程(H)に示すようにCO2レーザにより非貫通孔236aを形成する。レーザを用いることで、厚さの厚い(15〜200μm)第2の絶縁層236に小径(20〜250μm)の非貫通孔を穿設できる。
【0029】
次に、図4の工程(I)に示すように非貫通孔236a内に厚さ5〜25μmの無電解銅めっき膜243αを形成し、内部に銅フィラーの添加された熱硬化性樹脂を充填する。その後、加熱処理する。半導体チップ30を無電解銅めっき液に浸漬し、無電解銅めっき膜245αを形成し、次に、工程(J)に示すように該無電解銅めっき膜245α、無電解銅めっき膜243αをエッチングで除去することでフィルドビア243の開口に蓋めっき245を形成する。ここで、充填された樹脂239は、上述したように銅フィラーを含むため、容易に蓋めっき245を形成することができる。
【0030】
図4の工程(K)にて、レジスト47を形成した後、蓋めっき245の表面にバンプ(突起状導体)44を形成する。このバンプの高さとしては、3〜60μmが望ましい。この理由は、3μm未満では、バンプの変形により、バンプの高さのばらつきを許容することができず、また、60μmを越えると、バンプが溶融した際に横方向に拡がってショートの原因となる。
【0031】
半導体チップ30のバンプ44と基板50のパッド52が対応するよう半導体チップ30を載置させて、リフローすることにより、図1に示すように半導体チップ30を基板50に取り付ける。
【0032】
この第1実施形態では、バンプ44をリフローすることにより基板への取り付けを行っているが、接着剤を介して、基板へ取り付けることもできる。
【0033】
この第1実施形態に係る半導体チップの改変例について、図5を参照して説明する。上述した構成では、銅フィラーの添加された熱硬化性のエポキシ樹脂239を充填して、フィルドビアを形成した。これに対して、図5(A)に示す改変例では、銅フィラーを含まない熱硬化性のエポキシ樹脂239Bを先ず充填し、開口部の近傍のみに銅フィラーの添加された熱硬化性のエポキシ樹脂239を存在させた。
【0034】
図5(B)に示す改変例では、銅フィラーの添加さない熱硬化性のエポキシ樹脂239Bを充填し、未硬化の該エポキシ樹脂239Bの表面に銅粉末333を押し当てた後、加熱して当該エポキシ樹脂239Bを硬化させる。
【0035】
この改変例の構成では、フィルドビア243の開口に銅フィラー、銅粉末を存在させることで、無電解めっきにより無電解銅めっき膜243αを容易に形成することができ、また、銅フィラーを混入させないことで、フィルドビア243内の樹脂の柔軟性を高めることができる。
【0036】
引き続き、本発明の第2実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について図を参照して説明する。
図6は本発明の第2実施形態に係る半導体チップを示している。
半導体チップ30の下面には、パッシベーション膜34の開口にジンケート処理されたアルミニウム電極パッド32が形成されている。本実施形態では、パッシベーション膜34の下面に第1の絶縁層136が配設され、該第1の絶縁層136には、該アルミニウム電極パッド32に至る非貫通孔136aが形成されている。そして、該非貫通孔136aの底部のアルミニウム電極パッド32には、ニッケルめっき層38,ニッケルと銅との複合めっき層40を介在させて、銅めっきを充填してなるインナービア142が形成されている。
【0037】
該第1の絶縁層136の上には、樹脂239の充填されたフィルドビア243の形成された第2の絶縁層236が第1実施形態と同様に形成されている。ここで、前記第2の絶縁層を形成する樹脂と該フィルドビア243に充填された樹脂は、いずれも酸化剤に可溶性のエポキシフィラーが含まれており、当該フィルドビア243の開口には無電解銅めっきからなる蓋めっき(金属膜)245が形成されている。そして、該蓋めっき245には、半田等の低融点金属からなる突起状導体(バンプ)44が配設されている。該半導体チップ30は、突起状導体(バンプ)44を介して基板50側のパッド52への接続されている。
【0038】
なお、可溶性のフィラーとして本実施形態では、エポキシフィラーを用いているが、他の樹脂フィラー、シリコンゴムフィラー等のゴムフィラーを用いることも可能である。
【0039】
引き続き、図7〜図9を参照して第2実施形態に係る半導体チップ30の製造方法について説明する。
図7の工程(A)に示すパッシベーション膜34の開口にアルミニウム電極パッド32が形成された半導体チップ30に対して後述する工程でバンプを形成する。
【0040】
ここでは、先ず、図7の工程(B)に示すようにジンケート処理を施す。
【0041】
引き続き、図7の工程(C)に示すように、半導体チップ30をニッケル無電解めっき液中に浸けて、アルミニウム電極パッド32の表面にニッケルめっき層38を析出させる。なお、このニッケルめっき層を形成する工程は省略しても後述する複合めっき層をアルミニウム電極パッド32に直接形成することも可能である。
【0042】
そして、図7の工程(D)に示すように、該半導体チップ30を、ニッケルと銅の複合めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層38の上に0.01〜5μmのニッケルと銅の複合めっき層40を形成する。
【0043】
図8の工程(E)に示すように感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂を塗布する。次に、図8の工程(F)に示すように露光・現像処理により非貫通孔136aを形成する。そしてさらに、加熱処理してアルミニウム電極パッド32に至る非貫通孔136aを有する第1の絶縁層136を形成する。
【0044】
次に、図8の工程(G)に示すように、非貫通孔136a内に銅めっきを充填してインナービア142を形成すると共に、第1の絶縁層136上に導体回路143を形成する。これらは、無電解めっきにより形成する。
【0045】
次に、フィラーを含むエポキシアクリレート樹脂組成物を塗布し、硬化処理を施し厚さ15〜200μmの第2の絶縁層236を形成する。
【0046】
次に、図9の工程(H)に示すようにCO2レーザにより第2の絶縁層236に非貫通孔236aを形成する。ついで、第2の絶縁層236の表面に存在するエポキシフィラーを酸化剤で選択的に溶解除去することにより、表面を粗化する。
【0047】
次に、図9の工程(I)に示すように非貫通孔236a内に厚さ5〜25μmの無電解銅めっき243αによりフィルドビア243を形成し、該フィルドビア243の内部に、上述した組成物を充填し、加熱する。次いで、フィルドビアに充填された樹脂の表面に存在するエポキシフィラーを酸化剤で選択的に溶解除去することにより、表面を粗化する。
【0048】
半導体チップ30を無電解銅めっき液に浸漬し、無電解銅めっき膜245αを形成する。その後、工程(J)に示すように該無電解銅めっき膜245α、無電解銅めっき膜243αをエッチングで除去することでフィルドビア243の開口に蓋めっき245を形成する。ここで、樹脂239の表面を粗化してあるため、該フィルドビア243の開口と蓋めっき245とを密着させることができる。
【0049】
図9の工程(K)にて、第1実施形態と同様にバンプ(突起状導体)44を形成する。このバンプの高さとしては、3〜60μmが望ましい。この理由は、3μm未満では、バンプの変形により、バンプの高さのばらつきを許容することができず、また、60μmを越えると、バンプが溶融した際に横方向に拡がってショートの原因となる。
【0050】
半導体チップ30のバンプ44と基板50のパッド52が対応するよう半導体チップ30を載置させて、リフローすることにより、図6に示すように半導体チップ30を基板50に取り付ける。
【0051】
引き続き、本発明の第3実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について図10、図11を参照して説明する。
図10は本発明の第3実施形態に係る半導体チップを示している。この第3実施形態の半導体チップは、第2実施形態の半導体チップと同様である。但し、第2実施形態では、アルミニウム電極パッド32にニッケルめっき層38,ニッケルと銅との複合めっき層40を形成してから第1の絶縁層136を形成した。これに対して、第3実施形態では、第1の絶縁層136を形成してから、ニッケルめっき層38,ニッケルと銅との複合めっき層40を形成する。
【0052】
図11を参照して第3実施形態に係る半導体チップ30の製造方法について説明する。
まず、図11の工程(A)に示すように、半導体チップに絶縁樹脂を塗布する。この絶縁樹脂としては、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用することができる。次に、工程(B)に示すように露光・現像処理により非貫通孔136aを形成する。そしてさらに、加熱処理してアルミニウム電極パッド32に至る非貫通孔136aを有する第1の絶縁層136を形成する。
【0053】
その後、アルミニウム電極パッド32の表面にニッケルめっき層或いはニッケルと銅との複合めっき層の析出を容易ならしめるジンケート処理を施す。引き続き、図11の工程(C)に示すように、半導体チップ30をニッケル無電解めっき液中に浸けて、アルミニウム電極パッド32の表面にニッケルめっき層38を析出させる。
【0054】
そして、図11の工程(D)に示すように、該半導体チップ30を、ニッケルと銅の複合めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層38の上に0.01〜5μmのニッケルと銅の複合めっき層40を形成する。工程(E)に示すように、非貫通孔136a内に銅めっきを充填してインナービア142を形成すると共に、第1の絶縁層136上に導体回路143を形成する。以降の製造工程は、図9を参照して上述した第2実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【0055】
引き続き、本発明の第4実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について図12を参照して説明する。
まず、図12の工程(A)に示すように、半導体チップに絶縁樹脂を塗布する。次に、工程(B)に示すように露光・現像処理により非貫通孔136aを有する第1の絶縁層136を形成する。その後、アルミニウム電極パッド32の表面にジンケート処理を施す。引き続き、工程(C)に示すように、アルミニウム電極パッド32の表面にニッケルと銅の複合めっき層40を直接形成する。工程(D)に示すように、非貫通孔136a内に銅めっきを充填してインナービア142を形成すると共に、第1の絶縁層136上に導体回路143を形成する。以降の製造工程は、図9を参照して上述した第2実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【0056】
なお、本発明の第1実施形態の図面において、フィルドビア形状はいずれも円柱状に描かれているが、円錐台状に広がった形状とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る半導体チップの断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図3】本発明の第1実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図4】本発明の第1実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図5】図5(A)、図5(B)は、本発明の第1実施形態の改変例に係る半導体チップの断面図である。
【図6】本発明の第2実施形態に係る半導体チップの断面図である。
【図7】本発明の第2実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図8】本発明の第2実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図9】本発明の第2実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図10】本発明の第3実施形態に係る半導体チップの断面図である。
【図11】本発明の第3実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図12】本発明の第3実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図13】従来技術に係る半導体チップの断面図である。
【符号の説明】
30 半導体チップ
32 アルミニウム電極パッド
34 パッシベーション膜
36 めっきレジスト層
39 樹脂
40 複合めっき層
44 突起状導体(バンプ)
50 基板
52 パッド
136 第1の絶縁層
142 インナービア
236 第2の絶縁層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor chip and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor chip having high connection reliability and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
FIG. 13 shows a
[0003]
Incidentally, since the
[0004]
However, with the recent high integration of semiconductor chips, the bumps of the semiconductor chip have been downsized, and the electrical connection portion reduced in size due to the stress between the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
To solve such a problem, a flexible copper post is formed through a barrier metal film formed on the
[0006]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor chip that can be mounted with high reliability and a method for manufacturing the semiconductor chip.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the semiconductor chip of claim 1
A first insulating layer, a conductor circuit layer, and a second insulating layer are sequentially stacked on the electrode pad side of the semiconductor chip,
The first insulating layer is formed with an inner via that electrically connects the electrode pad of the semiconductor chip and the conductor circuit layer,
The second insulating layer is a soft insulating layer, and is provided with a non-through hole reaching the conductor circuit layer, and an electroless copper plating film formed on the bottom and wall surface of the non-through hole and the inside thereof A technical feature is that a filled via made of a filled resin is formed.
[0008]
The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 7 is characterized by including at least the following steps (1) to (6):
(1) forming a first insulating layer on the surface of the semiconductor chip on the aluminum electrode pad side, and then forming a non-through hole reaching the aluminum electrode pad;
(2) A step of forming a composite plating layer of nickel and copper after performing a zincate treatment on the aluminum electrode pad at the bottom of the non-through hole,
(3) a step of forming an inner via and a conductor circuit layer by copper plating the inside of the non-through hole and the surface of the first insulating layer;
(4) a step of forming a second insulating layer by covering the first insulating layer and the conductor circuit layer with a soft resin;
(5) forming a non-through hole reaching the conductor circuit layer in the second insulating layer;
(6) A step of forming a filled via by forming an electroless copper plating film on the bottom and wall surfaces of the non-through hole and then filling the inside with a resin.
[0009]
The semiconductor chip manufacturing method according to claim 8 is technically characterized by including at least the following steps (1) to (6):
(1) A step of forming a composite plating layer of nickel and copper after the zincate treatment is performed on the surface of the aluminum electrode pad of the semiconductor chip;
(2) forming a first insulating layer on the surface of the semiconductor chip on the side of the aluminum electrode pad, and then forming a non-through hole reaching the composite plating layer of nickel and copper;
(3) a step of forming an inner via and a conductor circuit layer by copper plating the inside of the non-through hole and the surface of the first insulating layer;
(4) a step of forming a second insulating layer by covering the first insulating layer and the conductor circuit layer with a soft resin;
(5) forming a non-through hole reaching the conductor circuit layer in the second insulating layer;
(6) A step of forming a filled via by forming an electroless copper plating film on the bottom and wall surfaces of the non-through hole and then filling the inside with a resin.
[0010]
In the semiconductor chip of claim 1 and the method of manufacturing the semiconductor chip of claims 7 and 8, the second insulating layer made of a soft resin having an elastic modulus (tensile elastic modulus) of 1.0 to 3.5 GPa is not penetrated. A hole is formed, and a filled via made of an electroless copper plating film deposited on the bottom and wall surface of the non-through hole and a resin filled therein is formed, and a second made of the filled via and the soft resin is formed. Since the insulating layer can absorb the stress generated due to the difference in thermal expansion between the semiconductor chip and the substrate, the semiconductor chip can be mounted on the substrate with high connection reliability without causing cracks in the electrical connection portion.
[0011]
In Claims 2 and 11, the second insulating layer is a resin insulating layer having an elastic modulus of 1.0 to 3.5 GPa, and more preferably stress generated in the filled via due to a difference in thermal expansion between the semiconductor chip and the substrate. To absorb.
[0012]
In Claims 3 and 14, the second insulating layer has a thickness of 15 to 200 μm, the non-through hole has a diameter of 20 to 250 μm, the copper plating film has a thickness of 5 to 25 μm, and the filled via is flexible. Due to the excellent properties, the stress generated by the difference in thermal expansion between the semiconductor chip and the substrate can be further reduced.
[0013]
According to claims 4, 5 and 13, in order to form a composite plating layer of nickel and copper on the surface of the zinc electrode treated aluminum electrode pad, an inner via can be formed on the composite plating layer by copper plating. it can. Here, the composite plating layer has a thickness of 0.01 to 5 μm, the copper plating side surface of the plating layer has a nickel plating content of 1 to 70% by weight, and the balance is substantially copper, thereby copper plating. The inner via can be more suitably formed.
[0014]
According to the ninth aspect of the present invention, the first insulating layer is a photosensitive resin and can be exposed and developed to form a non-through hole. Therefore, unlike the laser, the surface of the electrode pad is not altered.
[0015]
According to the tenth aspect, since the inner via is formed by electroless copper plating, it is not necessary to pass an electric current and there is no risk of damaging the semiconductor chip.
[0016]
According to the twelfth aspect, since the non-through hole is provided in the second insulating layer by the laser, the non-through hole having a small diameter can be formed in the thick second insulating layer.
[0017]
In the sixth and fifteenth aspects, since the metal film is formed on the surface of the filled via filled with the resin, the bump can be formed directly on the filled via. In addition, all the elastic moduli demonstrated by this-application specification are tensile elastic moduli.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a semiconductor chip and a method for manufacturing the semiconductor chip according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a semiconductor chip according to a first embodiment of the present invention.
On the lower surface of the
In the present invention, an epoxy resin, an epoxy acrylate resin, a polyimide resin, or the like can be used as the first insulating layer.
[0019]
The first insulating
In the present invention, Pb—Sn solder, Ag—Sn solder, and indium solder can be used as the low melting point metal.
[0020]
Here, the second insulating
In the present invention, as the second insulating layer, a thermosetting epoxy resin, an epoxy acrylate resin, a polyolefin resin, or the like can be used.
[0021]
The nickel-copper
[0022]
Subsequently, a method of manufacturing the
Bumps are formed in a process described later on the
[0023]
Here, first, as shown in step (B) of FIG. 2, a zincate treatment for facilitating precipitation of a nickel plating layer or a composite plating layer of nickel and copper is performed on the surface of the
[0024]
Subsequently, as shown in step (C) of FIG. 2, the
[0025]
Then, as shown in step (D) of FIG. 2, the
As the nickel-copper composite plating solution, for example, an aqueous solution of nickel sulfate, copper sulfate and sodium hypophosphite can be used.
[0026]
Insulating resin is applied as shown in step (E) of FIG. As this insulating resin, a photosensitive epoxy resin or polyimide resin can be used. Instead of applying the resin, a dry film can be attached to form. Next, as shown in step (F) of FIG. 3,
[0027]
Next, as shown in step (G) of FIG. 3, the inner via 142 is formed by filling the
[0028]
Next, a thermosetting resin is applied and cured to form a second insulating
[0029]
Next, as shown in step (I) of FIG. 4, an electroless copper plating film 243α having a thickness of 5 to 25 μm is formed in the
[0030]
In step (K) of FIG. 4, after forming the resist 47, bumps (projecting conductors) 44 are formed on the surface of the lid plating 245. The height of the bump is preferably 3 to 60 μm. The reason for this is that if the thickness is less than 3 μm, variation in bump height cannot be allowed due to the deformation of the bump, and if it exceeds 60 μm, when the bump melts, it spreads in the lateral direction and causes a short circuit. .
[0031]
The
[0032]
In the first embodiment, the
[0033]
A modification of the semiconductor chip according to the first embodiment will be described with reference to FIG. In the above-described configuration, the filled via is formed by filling the thermosetting
[0034]
In the modified example shown in FIG. 5 (B), a thermosetting
[0035]
In the configuration of this modified example, the presence of the copper filler and copper powder in the opening of the filled via 243 allows the electroless copper plating film 243α to be easily formed by electroless plating, and does not include the copper filler. Thus, the flexibility of the resin in the filled via 243 can be increased.
[0036]
Subsequently, a semiconductor chip and a method for manufacturing the semiconductor chip according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 6 shows a semiconductor chip according to the second embodiment of the present invention.
On the lower surface of the
[0037]
On the first insulating
[0038]
In the present embodiment, an epoxy filler is used as a soluble filler, but other resin fillers, rubber fillers such as silicon rubber fillers, and the like can also be used.
[0039]
Next, a method for manufacturing the
Bumps are formed in a process described later on the
[0040]
Here, first, a zincate process is performed as shown in step (B) of FIG.
[0041]
Subsequently, as shown in step (C) of FIG. 7, the
[0042]
Then, as shown in step (D) of FIG. 7, the
[0043]
As shown in step (E) of FIG. 8, a resin such as a photosensitive epoxy resin or polyimide resin is applied. Next, as shown in step (F) of FIG. 8,
[0044]
Next, as shown in step (G) of FIG. 8, the inner via 142 is formed by filling the
[0045]
Next, an epoxy acrylate resin composition containing a filler is applied and cured to form a second insulating
[0046]
Next, as shown in step (H) of FIG. 9, a
[0047]
Next, as shown in step (I) of FIG. 9, a filled via 243 is formed by electroless copper plating 243α having a thickness of 5 to 25 μm in the
[0048]
The
[0049]
In the step (K) of FIG. 9, bumps (protruding conductors) 44 are formed as in the first embodiment. The height of the bump is preferably 3 to 60 μm. The reason for this is that if the thickness is less than 3 μm, variation in bump height cannot be allowed due to the deformation of the bump, and if it exceeds 60 μm, when the bump melts, it spreads in the lateral direction and causes a short circuit. .
[0050]
The
[0051]
Subsequently, a semiconductor chip and a method for manufacturing the semiconductor chip according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 10 shows a semiconductor chip according to the third embodiment of the present invention. The semiconductor chip of the third embodiment is the same as the semiconductor chip of the second embodiment. However, in the second embodiment, the first insulating
[0052]
A method for manufacturing the
First, as shown in step (A) of FIG. 11, an insulating resin is applied to the semiconductor chip. As this insulating resin, a photosensitive epoxy resin or polyimide resin can be used. Next, as shown in the step (B), the
[0053]
Thereafter, a zincate treatment for facilitating the deposition of a nickel plating layer or a composite plating layer of nickel and copper on the surface of the
[0054]
Then, as shown in step (D) of FIG. 11, the
[0055]
Subsequently, a semiconductor chip and a method for manufacturing the semiconductor chip according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
First, as shown in step (A) of FIG. 12, an insulating resin is applied to the semiconductor chip. Next, as shown in step (B), a first insulating
[0056]
In the drawings of the first embodiment of the present invention, the filled via shapes are all drawn in a columnar shape, but may be a shape spreading in a truncated cone shape.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor chip according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the semiconductor chip according to the first embodiment of the invention.
FIG. 3 is a manufacturing process diagram of the semiconductor chip according to the first embodiment of the invention.
FIG. 4 is a manufacturing process diagram of the semiconductor chip according to the first embodiment of the invention.
5A and 5B are cross-sectional views of a semiconductor chip according to a modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor chip according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a manufacturing process diagram of the semiconductor chip according to the second embodiment of the invention.
FIG. 8 is a manufacturing process diagram of the semiconductor chip according to the second embodiment of the invention.
FIG. 9 is a manufacturing process diagram of the semiconductor chip according to the second embodiment of the invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor chip according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a manufacturing process diagram of the semiconductor chip according to the third embodiment of the invention.
FIG. 12 is a manufacturing process diagram of the semiconductor chip according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor chip.
[Explanation of symbols]
30
50
Claims (17)
前記第1の絶縁層は、半導体チップの電極パッドと導体回路層を電気的に接続するインナービアが形成されており、
前記第2の絶縁層は、軟質絶縁層であって、導体回路層に至る非貫通孔が設けられてなり、その非貫通孔の底部および壁面に形成された無電解銅めっき膜とその内部に充填された樹脂からなるフィルドビアが形成されてなることを特徴とする半導体チップ。A first insulating layer, a conductor circuit layer, and a second insulating layer are sequentially stacked on the electrode pad side of the semiconductor chip,
The first insulating layer is formed with an inner via that electrically connects the electrode pad of the semiconductor chip and the conductor circuit layer,
The second insulating layer is a soft insulating layer, and is provided with a non-through hole reaching the conductor circuit layer, and an electroless copper plating film formed on the bottom and wall surface of the non-through hole and the inside thereof A semiconductor chip comprising a filled via made of a filled resin.
(1)半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に第1の絶縁層を形成し、次いで前記アルミニウム電極パッドに至る非貫通孔を形成する工程、
(2)前記非貫通孔の底部のアルミニウム電極パッドにジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
(3)前記非貫通孔内および第1の絶縁層の表面に銅めっきして、インナービアと導体回路層を形成する工程、
(4)前記第1の絶縁層および導体回路層を軟質樹脂で被覆して第2の絶縁層を形成する工程、
(5)前記第2の絶縁層に導体回路層に至る非貫通孔を形成する工程、
(6)前記非貫通孔の底部と壁面に無電解銅めっき膜を形成した後、その内部に樹脂を充填し、フィルドビアを形成する工程。A semiconductor chip manufacturing method comprising at least the following steps (1) to (6):
(1) forming a first insulating layer on the surface of the semiconductor chip on the aluminum electrode pad side, and then forming a non-through hole reaching the aluminum electrode pad;
(2) A step of forming a composite plating layer of nickel and copper after performing a zincate treatment on the aluminum electrode pad at the bottom of the non-through hole,
(3) a step of forming an inner via and a conductor circuit layer by copper plating the inside of the non-through hole and the surface of the first insulating layer;
(4) a step of forming a second insulating layer by covering the first insulating layer and the conductor circuit layer with a soft resin;
(5) forming a non-through hole reaching the conductor circuit layer in the second insulating layer;
(6) A step of forming a filled via by forming an electroless copper plating film on the bottom and wall surfaces of the non-through hole and then filling the inside with a resin.
(1)半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
(2)前記半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に第1の絶縁層を形成し、次いで前記ニッケルと銅の複合めっき層に至る非貫通孔を形成する工程、
(3)前記非貫通孔内および第1の絶縁層の表面に銅めっきして、インナービアと導体回路層を形成する工程、
(4)前記第1の絶縁層および導体回路層を軟質樹脂で被覆して第2の絶縁層を形成する工程、
(5)前記第2の絶縁層に導体回路層に至る非貫通孔を形成する工程、
(6)前記非貫通孔の底部と壁面に無電解銅めっき膜を形成した後、その内部に樹脂を充填し、フィルドビアを形成する工程。A semiconductor chip manufacturing method comprising at least the following steps (1) to (6):
(1) was subjected to a gin to case preparative treatment to the surface of the aluminum electrode pads of the semiconductor chip, forming a composite plating layer of nickel and copper,
(2) forming a first insulating layer on the surface of the semiconductor chip on the side of the aluminum electrode pad, and then forming a non-through hole reaching the composite plating layer of nickel and copper;
(3) a step of forming an inner via and a conductor circuit layer by copper plating the inside of the non-through hole and the surface of the first insulating layer;
(4) a step of forming a second insulating layer by covering the first insulating layer and the conductor circuit layer with a soft resin;
(5) forming a non-through hole reaching the conductor circuit layer in the second insulating layer;
(6) A step of forming a filled via by forming an electroless copper plating film on the bottom and wall surfaces of the non-through hole and then filling the inside with a resin.
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