JP4402707B2

JP4402707B2 - 磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具

Info

Publication number: JP4402707B2
Application number: JP2007178540A
Authority: JP
Inventors: 一田村; 肇田邉
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2007-07-06
Filing date: 2007-07-06
Publication date: 2010-01-20
Anticipated expiration: 2027-07-06
Also published as: US7884605B2; JP2009011652A; US20090009171A1

Description

この発明は、磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具に関するものである。

磁気共鳴画像診断装置には、超電導マグネットを有する磁場発生装置が使用される。この超電導マグネットは、筒状に構成され、その内部空間に静磁場を発生する。この静磁場内に被検体が配置され、被検体の画像診断が行なわれる。

静磁場には、磁場強度が高く、かつ内部空間で均一な磁場強度を有し、しかも時間的に安定度の高い磁場が要求される。超電導マグネットは、このような静磁場を発生するのに、使用される。具体的には、磁気共鳴画像診断装置に使用される超電導マグネットには、磁場の中心付近の磁場空間で、例えば３ｐｐｍ以下の極めて均一な磁場強度を有する磁場を発生することが要求され、この要求に対応して、超電導マグネットには、高い精度の設計がなされる。しかし、実際には、超電導マグネットの製造過程における製作寸法誤差、および超電導マグネットを設置した場所の周辺に存在する磁性体の影響などにより、磁場空間における磁場の均一性が低下する。

このため、超電導マグネットには、磁場強度の微細な調整を行なう磁場調整装置が付加される。この磁場調整装置は、例えば高透磁率の磁性材料からなる磁性体シムを用いる。この磁性体シムは、超電導マグネットが発生した静磁場の磁場強度の乱れを補正するものであり、磁場強度の分布評価に基づいて配置調整され、磁場強度の分布評価に基づいて指定された指定体積を持ち、また、その分布評価に基づいて指定された指定位置に配置される。この磁性体シムの磁化により発生する磁場を用いて、超電導マグネットで発生された静磁場の乱れを補正し、高い均一磁場を得る。この磁性体シムについて、下記特許文献１、２、３が知られている。

特許文献１の図１、図２には、磁性体シムを保持するホルダの両側に、板ばねを介して一対の突起部を形成し、この突起部を使用して、ホルダを保持部材の所定位置に配置する磁場強度補正装置が開示されている。また、特許文献２の図２には、一対の溝形部材の間にスライド板を設け、このスライド板の上に磁性体シムを配置して、磁性体シムの取付位置を自由に設定できるようにした磁石装置が開示されている。さらに、特許文献３には、長さ、厚さおよび幅が等しい複数の板状磁性体に穴を形成して、所望の磁場補正成分を出力する磁場補正装置が開示されている。

特開昭６３−１２２４４１号公報、とくに第１図、第２図とその説明特開平５−２２０１２７号公報、とくに図２とその説明特開平５−３２９１２８号公報

特許文献１、２は、磁性体シムの取付位置を設定するものであり、特許文献３は、磁性体シムの磁場補正成分を調整するものである。一般に超電導マグネットが励磁されて静磁場を発生した状態では、磁性体シムには、強力な電磁力が作用するので、安全に、磁性体シムの配置調整をすることができない。したがって、特許文献１、２による磁性体シムの位置調整、および特許文献３による磁性体量の調整は、超電導マグネットを一旦消磁した状態で行ない、その後に超電導マグネットを再度励磁して、磁場強度を確認する必要がある。しかし、超電導マグネットの消磁と励磁には、それぞれ長時間、例えば約１時間の時間が必要であり、一度消磁して再励磁するには、２時間以上の時間が必要となる。併せて、超電導マグネットの消磁と励磁には、常伝導体である電流リードに大電流を流す必要があり、この大電流によって、超電導マグネットの内部にジュール熱が発生し、このジュール熱により、液体ヘリウムが蒸発し減少する問題もある。

この発明は、超電導マグネットが磁場を発生した状態で、磁性体シムを外部に引出し、挿入することができる磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具を提案するものである。

この発明による磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具は、筒状に構成されその内部空間に磁場を発生する超電導マグネット、および前記内部空間に配置され前記磁場の磁場強度を調整する磁性体シムを収納するための複数のシムサポートを備えた磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具であって、前記複数のシムサポートは、それぞれ矩形状断面を有する非磁性の帯状体で構成されたシムトレイを有し、前記シムサポートガイド治具は、所定長さで連続する非磁性体のシムサポートガイド管を有し、前記シムサポートガイド管は、その内周に、前記シムサポートの回転を阻止しながらその移動を許容する大きさの断面が矩形状のガイド通路を有し、このガイド通路は、前記シムサポートガイド管の内端部と外端部との間に連続して形成され、前記シムサポートガイド治具は、さらに、前記ガイド通路を通じて、前記複数のシムサポートの中の指定されたシムサポートに連結される非磁性体のシムサポート連結棒と、このシムサポート連結棒に結合された操作部材を有し、前記操作部材により、前記シムサポート連結棒を介して、前記指定されたシムサポートを前記ガイド通路を通じてその回転を阻止しながら前記内部空間から引出し、また、前記指定されたシムサポートを前記ガイド通路を通じてその回転を阻止しながら前記内部空間に挿入することを特徴とする。

この発明によるシムサポートガイド治具を使用することにより、超電導マグネットが内部空間に磁場を発生した状態において、指定されたシムサポートを前記内部空間から前記磁場の影響が小さくなる場所まで引出し、この場所で指定されたシムサポートに磁性体シムの配置調整を行ない、その指定されたシムサポートを内部空間に挿入することができるので、超電導マグネットが静磁場を発生した状態で、磁性体シムの配置調整を行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シムの配置調整において、超電導マグネットの消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

以下この発明のいくつかの実施の形態について、図面を参照して説明する。

実施の形態１．
図１は、磁気共鳴画像診断装置の磁場調整状態を示す一部断面した斜視図である。図２は、この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態１を示す断面図である。図３は、実施の形態１によるシムサポートガイド治具とシムサポートを示す斜視図である。図４は、実施の形態１によるシムサポートガイド治具により、シムサポートを引出した状態を示す断面図である。

図１に示す磁気共鳴画像診断装置１００は、磁場発生装置と、この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態１を含む。磁場発生装置は符号１０で示され、また、実施の形態１のシムサポートガイド治具は符号５０で示される。

磁場発生装置１０は、図１に示すように、超電導マグネット２０と、磁場調整装置３０を備えている。超電導マグネット２０はほぼ円筒状に構成されるが、図１では、内部構成を解り易くするために、その一部を切断して図示している。超電導マグネット２０は、中心軸線Ｏ−Ｏの周りに円筒状に構成され、その内周に内部空間２１を有し、この内部空間２１に静磁場Ｍを発生する。この静磁場Ｍの中で、とくにその中心部の磁場空間ＭＣでは、均一性の高い磁場が要求される。中心軸線Ｏ−Ｏと平行な方向における内部空間２１の長さをＬとする。

超電導マグネット２０は周知であるので、その構造を簡単に説明する。この超電導マグネット２０は、円筒状に構成された低温容器２２を備える。この低温容器２２は、ヘリウム槽２３と、熱シールド槽２５と、真空槽２６とによって構成される。ヘリウム槽２３は、円筒状に構成され、その内部には、複数の超電導コイル２４が液体ヘリウムとともに収納されている。超電導コイル２４は、例えばＮｂＴｉを超電導体とする超電導線材を巻回して構成され、この超電導コイル２４を超電導状態に保つために、液体ヘリウムが冷媒として収納される。熱シールド槽２５は、ヘリウム槽２３に侵入する外部からの熱を遮断するもので、ヘリウム槽２３の外表面を覆うように円筒状に構成される。真空槽２６は、熱シールド槽２５の外表面をさらに覆うように円筒状に構成され、内部を真空状態に保持する。なお、ヘリウム槽２３内の液体ヘリウムの消費を抑えるために、低温容器２２には冷凍機（図示せず）が接続されることが多い。

磁場調整装置３０は、超電導マグネット２０の内周面に配置され、超電導マグネット２０により内部空間２１に発生された静磁場Ｍの磁場強度を補正する。この磁場調整装置３０は、超電導マグネット２０の内周面に配置された複数のシムサポート３１と、静磁場Ｍの補正に必要な磁性体シム４０を有する。磁性体シム４０は、シムサポート３１の内部に収納され、図１には図示されないが、後で図３を参照して説明する。

複数のシムサポート３１は、超電導マグネット２０の内周面に配置される。これらの各シムサポート３１は、中心軸線Ｏ−Ｏと平行に、互いに等しい間隔で、超電導マグネット２０の内周面の所定位置（ＰＰ）に固定される。各シムサポート３１の長さＬは、超電導マグネット２０の内周面の軸線方向の長さＬとほぼ等しい。所定位置（ＰＰ）では、それぞれのシムサポート３１が、その全長Ｌに亘り、超電導マグネット２０の内周面に接触する。各シムサポート３１は、静磁場Ｍの磁場強度を補正する磁性体シム４０を収納するためのものである。

超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で、磁場空間ＭＣの磁場強度の分布が評価され、この評価に基づいて、静磁場Ｍを補正するために、磁性体シム４０の配置が決定される。具体的には、複数のシムサポート３１の中で、磁性体シム４０を収納する少なくとも１つのシムサポート３１が指定され、加えて指定されたシムサポート３１に対し、磁性体シム４０を収納する位置と、その磁性体シム４０の体積が指定される。指定された磁性体シム４０の収納位置を指定位置（ＤＰ）と呼び、また、指定された磁性体シム４０の体積を指定体積（ＤＶ）と呼ぶ。複数のシムサポート３１の中で、磁性体シム４０を収納する複数のシムサポート３１が指定される場合には、この複数の指定されたシムサポート３１のそれぞれに対して、指定位置（ＤＰ）が指定され、また、それぞれの指定位置（ＤＰ）に対応して磁性体シム４０の指定体積（ＤＶ）が指定される。

複数のシムサポート３１は、それぞれ図３に示すように構成される。各シムサポート３１は、図３に示すように、シムトレイ３２と、一対のサポートエンド部３４と、シムホルダ３８を有する。シムトレイ３２は、矩形状の断面を有する帯状体で構成され、直線状に細長く延びている。一対のサポートエンド部３４は、シムトレイ３２の両端部に、シムトレイ３２と一体に構成される。シムトレイ３２と、サポートエンド３４は、非磁性材料の樹脂により、一体に構成される。シムホルダ３８も、非磁性材料の樹脂により構成される。

一対のサポートエンド部３４には、それぞれと一体に取付板３５が形成される。この一対の取付板３５に形成された取付穴３５ａを利用して、図示しないねじにより、シムサポート３１が超電導マグネット２０の内周面の所定位置（ＰＰ）に固定される。各シムサポート３１は、そのシムトレイ３２の裏面３２ａが超電導マグネット２０の内周面に接触するようにして、超電導マグネット２０に固定される。所定位置（ＰＰ）では、一対の取付板３５が、超電導マグネット２０の内周面の両端部に位置し、シムサポート３１がその全長Ｌに亘り、超電導マグネット２０の内周面に接触する。

シムトレイ３２の表面３２ｂには、その延長方向に沿って、複数のシムポケット３３が等間隔に形成される。この複数のシムポケット３３の中で、指定位置（ＤＰ）に対応するシムポケット３３に、指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０が収納される。この磁性体シム４０は、指定体積（ＤＶ）に対応する枚数の薄い磁性板とされ、非磁性材料で構成された薄いシムスペーサ４１とともに、指定位置（ＤＰ）に対応するシムポケット３３に収納される。磁性体シム４０を構成する薄い磁性板は、互いに同じ大きさの複数の種類の厚さを持った薄い磁性板の中から選択され、指定体積（ＤＶ）に見合った枚数の磁性板が選択される。シムスペーサ４１は、磁性体シム４０と同じ大きさの非磁性板を必要な枚数だけ組み合わせて構成される。シムホルダ３８は、磁性体シム４０とシムスペーサ４１が収納されたシムポケット３３を覆い、磁性体シム４０とシムスペーサ４１を保持する。このシムホルダ３８は、その両端部が、シムサポート３１のシムポケット３３に対応する取付穴３３ａに挿入され、シムトレイ３２に取付けられる。シムスペーサ４１は、シムホルダ３８で覆われたシムポケット３３内で磁性体シム４０を押圧し、磁性体シム４０がそのシムポケット３３内で移動するのを抑制する。

シムサポート３１の一対のサポートエンド部３４には、連結穴３４ａと連結ピン挿入穴３４ｂが形成され、連結ピン挿入穴３４ｂには、連結ピン３６が挿入される。静磁場Ｍの磁場強度を調整する場合に、これらの連結穴３４ａと連結ピン挿入穴３４ｂと連結ピン３６を用いて、磁性体シム４０の配置調整を行なう必要のある指定されたシムサポート３１に、シムサポートガイド治具５０が連結される。シムサポートガイド治具５０が連結されるシムサポート３１は、静磁場Ｍの磁場強度の分布評価に基づいて指定される。

シムサポートガイド治具５０は、図２に示すように、シムサポートガイド管５１と、ガイド管固定座５３と、シムサポート連結棒５４と、固定蓋５６と、操作ナット５７を有する。シムサポートガイド治具５０は、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で使用されるので、このシムサポートガイド治具５０を構成するシムサポートガイド管５１と、ガイド管固定座５３と、シムサポート連結棒５４と、固定蓋５６と、操作ナット５７は、静磁場Ｍに引き付けられないように、また、静磁場Ｍの電磁力で変形しないように、高剛性の非磁性材料で構成される。この高剛性の非磁性材料には、ステンレス材、例えばＳＵＳ３０４、またはガラスエポキシ樹脂などが使用される。

シムサポートガイド管５１は、長さＬ１の矩形管であり、その内周に断面が矩形状のガイド通路５２を有する。シムサポートガイド管５１は、内端部５１ａと外端部５１ｂを有し、ガイド通路５２は、内端部５１ａと外端部５１ｂとの間に連続して形成されている。内端部５１ａではガイド通路５２が開放され、このガイド通路５２が、磁性体シム４０の配置調整を必要とする指定されたシムサポート３１に対向するように、シムサポートガイド管５１がガイド管固定座５３によって、超電導マグネット２０に固定される。

ガイド管固定座５３は、シムサポートガイド管５１の内端部５１ａの外周に取付けられる。このガイド管固定座５３は、例えばねじ、または両面接着テープなどを用いて、超電導マグネット２０の端面の内周に固定され、シムサポートガイド管５１を超電導マグネット２０に固定する。このガイド管固定座５３により、シムサポートガイド管５１を超電導マグネット２０に固定する作業は、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で行なわれるが、シムサポートガイド管５１およびガイド管固定座５３が、ともに非磁性材料で構成されていて、それらが静磁場Ｍの電磁力で引寄せられることがないので、指定されたシムサポート３１の端部に容易に、シムサポートガイド管５１を固定することができる。

ガイド通路５２には、シムサポート３１が挿入され、シムサポート３１は、ガイド通路５２を通り、このガイド通路５２に沿って移動される。ガイド通路５２は、このシムサポート３１の移動をガイドする。ガイド通路５２は空間であるが、その断面が矩形状であり、その断面の大きさは、シムサポート３１の移動を許容する大きさとされる。しかし、ガイド通路５２の断面の大きさは、シムサポート３１がガイド通路３２の中で回転するのを阻止する大きさとされ、また、シムサポート３１がガイド通路５２を移動するときに、シムホルダ３８が外れるのを阻止する大きさとされる。シムサポート３１がガイド通路５２に沿って移動するときに、シムサポート３８が外れると、シムポケット３３に収納された磁性体シム４０が飛散する結果になるので、ガイド通路５２はシムホルダ３８が外れるのを阻止しながら、シムサポート３１の移動をガイドする。

シムサポート連結棒５４は、断面が円形の細長い棒であり、その内端部５４ａには、図３に示すように、連結ピン挿入穴５４ｂが形成される。このシムサポート連結棒５４の内端部５４ａは、シムサポート３１の一方のサポートエンド部３４に形成された連結穴３４ａに挿入され、この状態において、連結ピン３６を連結ピン挿入穴３４ｂと連結ピン挿入穴５４ｂとに跨って挿入することにより、シムサポート３１にシムサポート連結棒５４が連結される。連結ピン３６は、シムサポート３１とシムサポート連結棒５４を連結し、併せて、シムサポート連結棒５４がシムサポート３１に対して回転するのを阻止する。

シムサポート連結棒５４は、シムサポートガイド管５１のガイド通路５２を通り、連結ピン３６により、シムサポート３１のシムトレイ３２に連結される。このシムサポート連結棒５４とシムトレイ３２の連結作業も、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で行なわれるが、シムサポート連結棒５４も、非磁性材料で構成されているので、シムサポート連結棒５４に静磁場Ｍの電磁力が働くことがなく、その連結作業も容易に実行することができる。

シムサポート連結棒５４の外周には、ねじ５５が形成される。このねじ５５は、雄ねじであり、シムサポート連結棒５４のぼぼ全長に亘り形成される。具体的には、シムサポート連結棒５４の内端部５４ａを除く、その全長に亘りネジ５５が連続して形成される。

固定蓋５６は、シムサポートガイド管５１の外端部５１ｂに配置される。この固定蓋５６は、シムサポートガイド管５１の外端部５１ｂにおいて、ガイド通路５２を塞ぐようにシムサポートガイド管５１に圧入され、シムサポートガイド管５１に固定される。操作ナット５７は、固定蓋５６の外端部の内周に、回転可能に支持される。この操作ナット５７の内周には雌ねじが形成され、操作ナット５７はシムサポート連結棒５４のネジ５５にねじ込まれる。操作ナット５７は、手動により回転される。しかし、操作ナット５７を、モーターなどの駆動源を用いて回転するように構成することもできる。

操作ナット５７は、固定蓋５６に回転可能に支持されるので、固定蓋５６がシムサポートガイド管５１の外端部５１ｂに支持された状態で、操作ナット５７を回転することができる。この操作ナット５７は、固定蓋５６に保持されるので、この操作ナット５７の回転に基づいて、ねじ５５が送られ、シムサポート連結棒５４がその延長線に沿って移動され、このシムサポート連結棒５４とともにシムサポート３１を移動することができる。操作ナット５７をシムサポート連結棒５４の内端５４ａに向かってねじ込む方向に回転することにより、シムサポート連結棒５４と、シムサポート３１は、ガイド通路５２を通り、ガイド通路５２内に引出される。このシムサポート連結棒５４とシムサポート３１の移動も、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で行なわれるが、シムサポート３１とシムサポート連結棒５４が非磁性材料で構成されているので、静磁場Ｍからの電磁力がそれらに加わることはなく、容易に、それらを移動することができる。図４は、操作ナット５７の回転によって、シムサポート３１の全体が、シムサポートガイド管５１に収納された状態を示す。

図４に示す状態において、固定蓋５６をシムサポートガイド管５１から外し、シムサポートガイド管５１の外端部５１ｂから、シムサポート３１を抜出す。シムサポートガイド管５１の長さＬ１は、超電導マグネット２０の軸線方向の長さＬよりも大きくされる。シムサポート３１の長さＬは、超電導マグネット２０の軸線方向の長さＬとほぼ等しく、したがって、シムサポートガイド管５１は、シムサポート３１の全体を収納することができる。

加えて、シムサポートガイド管５１の長さＬ１は、その内端部５１ａを超電導マグネット２０に固定した状態で、その外端部５１ｂが、超電導マグネット２０が発生した静磁場Ｍの影響を殆ど受けないような長さとされる。具体的には、シムサポートガイド管５１の長さＬ１は、約１．５メートルとされ、このシムサポートガイド管５１の外端部５１ｂから引出されたシムサポート３１に対する静磁場Ｍの影響は殆どない。このシムサポートガイド管５１の外端部５１ｂから引出された場所で、磁性体シム４０の配置調整が行なわれる。この磁性体シム４０の配置調整は、シムホルダ３８を外し、指定位置（ＤＰ）に対応するシムポケット３３に、指定体積（ＤＶ）に対応する磁性体シム４０とシムスペーサ４１を収納する。この磁性体シム４０とシムスペーサ４１の収納が終わると、磁性体シム４０とシムスペーサ４１を収納したシムポケット３３に、シムホルダ３８を取付ける。

磁性体シム４０の配置調整が完了した後、指定されたシムサポート３１を再びシムサポートガイド管５１の外端部５１ｂからガイド通路５２に挿入する。このシムサポート３１に続き、それに連結されたシムサポート連結棒５４をガイド通路５２に挿入する。このシムサポート連結棒５４には、固定蓋５６に保持された操作ナット５７がねじ込まれており、固定蓋５６を再びシムサポートガイド管５１の外端部５１ｂに固定した状態で、操作ねじ５７を、シムサポート連結棒５４の内端部５４ａから引出す方向に回転することにより、シムサポート連結棒５４とシムサポート３１を、超電導マグネット２０に向かって移動させることができる。シムサポート３１の全長が、超電導マグネット２０の内周面に接触する所定位置（ＰＰ）まで挿入された状態で、シムサポート３１は、その取付板３５の取付穴３５ａを利用して、超電導マグネット２０の内周面に固定される。

磁場調整作業は、超電導マグネット２０を最初に磁気共鳴画像診断装置１００に組み込んだ後の初期調整工程で実施される。また、磁気共鳴画像診断装置１００の稼動後の点検調整工程でも、必要があれば、磁場調整作業が実施される。初期調整工程は、磁場調整装置３０のすべてのシムサポート３１に磁性体シム４０が収納されていない状態で実行される。点検調整工程では、所定のシムサポート３１に所定体積の磁性体シム４０が所定位置に収納された状態で実行される。初期調整工程および点検調整工程では、まず、磁場空間ＭＣに多数の磁場測定手段を配置した後、超電導マグネット２０を励磁し、静磁場Ｍを発生させた状態で、磁場空間ＭＣの磁場強度分布を測定し、その磁場均一性を評価する。この磁場均一性は、周知のルジャンドル（Legendre）関数展開を用い、誤差成分を複数の成分項に分解して評価する。

磁場均一性の評価に基づき、具体的には磁性体シム４０を配置調整するシムサポータ３１が指定され、また磁性体シム４０を収納する指定位置（ＤＰ）と、その指定位置に対応する指定体積（ＤＶ）が決定される。複数のシムサポート３１が指定され、これらの複数のシムサポート３１に対して、複数の指定位置（ＤＰ）を指定する場合には、各指定位置（ＤＰ）のそれぞれに対応した指定体積（ＤＶ）が決定される。この磁性体シム４０の配置では、誤差成分を分解した複数の各成分項を小さくして、磁場均一性を向上するように、磁性体シム４０の指定位置（ＤＰ）と指定体積（ＤＶ）が決定される。磁性体シム４０の体積が大きくなり過ぎると、周囲温度の変化により磁場均一性が変化し、また、磁性体シム４０の設計計算値に対する実際の磁性体シム４０の製作誤差が集積し、磁場均一性が低下するなどの弊害が出る。このため、磁性体シム４０の合計体積ができるだけ小さく、しかも、磁場均一性の評価で誤差成分を分解した各成分項の合計値に対する制約を満たすように、磁性体シム４０の配置が決定される。

初期調整工程は、磁性体シム４０がどのシムサポート３１にも収納されていない状態で実行され、この初期調整工程では、指定されたシムサポート３１に対し、磁性体シム４０の配置調整が行なわれる。具体的には、磁性体シム４０を収納していない指定されたシムサポート３１に対向するようにシムサポートガイド治具５０を配置し、このシムサポートガイド治具５０を使用して、ガイド通路５２を通じて、指定されたシムサポート３１を、その外端部５１ｂから引出す。磁性体シム４０の配置調整では、この指定されたシムサポート３１の指定位置（ＤＰ）に対応するシムポケット３３に、指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０を収納する作業が行なわれる。磁性体シム４０の配置調整が終わったシムサポート３１は、再びシムサポートガイド管５１のガイド通路５２を通じて、超電導マグネット２０の内周の内部空間２１に挿入され、所定位置（ＰＰ）に取付板３５を用いて固定される。

初期調整工程において、磁性体シム４０を収納していない他のシムサポート３１について、磁性体シム４０の配置調整が必要な場合には、シムサポートガイド治具５０を、続いて、その他のシムサポート３１と対向する位置に配置し、前記と同様にして、その他のシムサポート３１に対する磁性体シム４０の配置調整を実行する。このようにして、初期調整工程で、磁性体シム４０を収納する必要のあるすべてのシムサポート３１について、シムサポートガイド治具５０を使用して、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生している状態で、磁性体シム４０の配置調整を行なう。

また、点検調整工程では、決定された磁性体シム４０の配置、すなわち指定位置（ＤＰ）と指定体積（ＤＶ）に対応するように、磁性体シム４０の配置調整が行なわれ、磁性体シム４０の収納位置と収納体積の少なくとも一方を調整する調整作業が行なわれる。これらの磁性体シム４０の配置調整は、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生している状態において、シムサポートガイド治具５０を使用して行なわれ、指定されたシムサポート３１を引出し、その指定位置（ＤＰ）に指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０を収納した後、そのシムサポート３１を超電導マグネット２０の内周に再挿入する。したがって、磁性体シム４０の配置調整のために、超電導マグネット２０の消磁とその後に再励磁を行なう必要がなく、超電導マグネット２０は、静磁場Ｍを発生する状態を継続する。

点検調整工程において、他のシムサポート３１について、磁性体シム４０の配置調整が必要な場合には、シムサポートガイド治具５０を、続いて、その他のシムサポート３１と対向する位置に配置し、前記と同様にして、その他のシムサポート３１に対する磁性体シム４０の配置調整を実行する。点検調整工程では、所定位置に所定体積の磁性体シム４０を収納していたシムサポート３１について、その磁性体シム４０を単に取除く作業も、磁気強度の分布評価に基づき、必要に応じて行なわれる。このようにして、必要なすべてのシムサポート３１について、シムサポートガイド治具５０を使用して、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生している状態で、磁性体シム４０の配置調整を行なう。

すべての磁性体シム４０の配置調整が完了すれば、再度、磁場空間ＭＣの磁場強度の分布を測定し、磁場空間ＭＣの磁場均一性を確認する。この確認の結果に問題がなければ、磁場調整作業が完了する。もし、確認の結果、さらに、磁性体シム４０の配置調整が必要と判断されれば、再度、シムサポートガイド治具５０を用いて、磁性体シム４０の配置調整を繰返す。磁場調整作業が完了すれば、磁場強度の均一性が高い磁場空間ＭＣが得られ、シムサポートガイド治具５０は、超電導マグネット２０から取外され、磁気共鳴画像診断装置１００の磁場発生装置１０は、このシムサポートガイド治具５０を取外した状態で運転される。この磁場発生装置１０の運転状態では、磁場調整装置１０の指定されたシムサポート３１は、超電導マグネット２０が発生した静磁場Ｍを補正し、磁場空間ＭＣで要求を満たす均一な磁場を発生させる。

実施の形態１のシムサポートガイド治具５０を使用することにより、超電導マグネット２０が内部空間２１に磁場を発生した状態において、指定されたシムサポート３１を内部空間２１から磁場の影響が小さくなる場所まで引出し、この場所で指定されたシムサポート３１に対する磁性体シム４０の配置調整を行ない、指定されたシムサポート３１に指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０を指定位置（ＤＰ）に収納し、その指定されたシムサポート３１を内部空間に挿入することができるので、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で、磁性体シム４０の配置調整を行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネット２０の消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

また、磁場発生装置１０では、複数のシムサポート３１の中の少なくとも１つの指定されたシムサポート３１は、シムサポートガイド治具５０のシムサポートガイド管５１の内部に形成されたガイド通路５２を通じて内部空間２１から引出された状態で、磁性体シム４０の配置調整が行なわれ、その後にガイド通路５２を通じて内部空間２１に挿入されたものであり、超電導マグネット２０が磁場を発生した状態で、磁性体シム４０の配置調整が行なわれるので、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネット２０の消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

また、磁気共鳴画像診断装置１００は、磁場発生装置１０を備え、内部空間２１に配置される被検体の磁気共鳴画像診断を行なうものであり、磁気共鳴画像診断装置１００の磁場調整を、超電導マグネット２０が磁場を発生した状態で行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネットの消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

また、磁場発生装置１０の磁場調整方法は、シムサポートガイド治具５０のシムサポートガイド管５１の内部に形成されたガイド通路５２を通じて、複数のシムサポート３１の中の指定されたシムサポート３１を内部空間２１から引出すこと、前記指定されたシムサポート３１の指定位置（ＤＰ）に指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０を挿入すること、および磁性体シム４０を収納した指定されたシムサポート３１を、ガイド通路５２を通じて内部空間２１に挿入することを含む。この磁場発生装置１０の磁場調整方法によれば、超電導マグネット２０が磁場を発生した状態で、磁性体シム４０による磁場調整を行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネット２０の消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

さらに、磁気共鳴画像診断装置１００の磁場調整方法は、内部空間２１に配置される被検体の磁気共鳴画像診断を行なう磁気共鳴画像診断装置１００の磁場調整方法であって、磁場発生装置１０の磁場調整方法を用いて、磁場調整を行なうことを特徴としており、この磁気共鳴画像診断装置１００の磁場調整方法によれば、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で、磁性体シム４０による磁場調整を行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネットの消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

なお、磁気共鳴画像診断装置１００の磁場発生装置１０では、複数のシムサポート３１を超電導マグネット２０の内周面の所定位置（ＰＰ）に配置するものとしたが、超電導マグネット２０の内周面に、筒状のシムサポート固定具を配置し、このシムサポート固定具に、複数のシムサポート３１を配置することもできる。この場合にも複数のシムサポート３１は、互いに等間隔に、中心軸線Ｏ−Ｏと平行になるように、所定位置（ＰＰ）に配置される。この場合、シムサポートガイド治具５０は、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態において、シムサポート固定具に配置された複数のシムサポート３１の中の指定されたシムサポート３１を、内部空間２１から引出し、磁性体シム４０の配置調整を行なった後、再び、シムサポート固定具の所定位置（ＰＰ）に挿入する。

実施の形態２．
図５は、この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態２を示す。この図５に示す実施の形態２のシムサポートガイド治具５０Ａは、磁場発生装置１０の磁場調整を行なうときに、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０に代えて使用される。

実施の形態２のシムサポートガイド治具５０Ａは、図２に示す実施の形態１のシムサポートガイド治具５０に比較し、その固定蓋５６と操作ナット５７を除去し、操作ナット５７に代わる操作ギヤ６１を使用する。この操作ギヤ６１には、操作ハンドル６２が付設され、この操作ハンドル６２は、プーリ６３、６４と、ベルト６５を介して、操作ギヤ６１に連結されている。操作ギヤ６１は、シムサポート連結棒５４のねじ５５に噛み合うウオームギヤとされ、シムサポートガイド管５１の外端部５１ｂの内部に設置される。このウオームギヤは、シムサポート３１の大きな力が作用しても、ウオームギヤが駆動されないようなねじとされる。この操作ギヤ６１は、シムサポート連結棒５４と平行に配置される。プーリ６３は操作ギヤ６１と同軸とされ、また、プーリ６４は操作ハンドル６２と同軸とされる。その他は、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０と同じに構成される。

実施の形態２のシムサポートガイド治具５０Ａと組み合わせて使用されるシムサポート３１は、図３に示すシムサポート３１と同じに構成される。このシムサポート３１の一方のサポートエンド部３４には、連結ピン３６を用いて、シムサポート連結棒５４が連結される。この連結ピン３６は、シムトレイ３２とシムサポート連結棒５４とを連結するとともに、シムサポート連結棒５４をシムトレイ３２に回り止めする。

実施の形態２のシムサポートガイド治具５０Ａは、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０と同様に、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で磁場調整を行なう場合に、指定されたシムサポート３１と対向するように、ガイド管固定座５３により超電導マグネット２０の端部内周に固定される。このシムサポートガイド治具５０Ａでは、操作ハンドル６２を手動で回転することにより、操作ギヤ６１を駆動し、シムサポート連結棒５４を移動させ、ガイド通路５２を通じて、指定されたシムサポート３１を引出すことができる。

この実施の形態２のシムサポートガイド治具５０Ａでは、指定されたシムサポート３１の全体がシムサポートガイド管５１のガイド通路５２内に引出された状態で、そのシムトレイ３２が操作ギヤ６１に当接する。このシムトレイ３２が操作ギヤ６１に当接した状態で、ガイド管固定座５３を超電導マグネット２０から取外し、シムサポートガイド管５１を静磁場Ｍの影響が小さい場所に移動し、シムサポートガイド管５１の内端部５１ａからシムサポート３１を抜出す。なお、シムサポート３１をシムサポートガイド管５１から抜出すときに、連結ピン３６を外す必要があるが、シムサポートガイド管５１の操作ギヤ６１の近傍に、図示しない連結ピン取出し窓を形成することにより、簡単に連結ピン３６を外すことができる。

指定されたシムサポート３１をシムサポートガイド管５１から取出した状態で、静磁場の影響が小さい場所で磁性体シム４０の配置調整を行なう。その後、磁性体シム４０の配置調整が終了したシムサポート３１を、再度、内端部５１ａからシムサポートガイド管５１内に挿入し、そのシムサポートガイド管５１を、再度、ガイド管固定座５３により指定されたシムサポート３１が固定されていた位置と対応する位置に固定する。シムサポート３１Ａをシムサポート連結棒５４と連結ピン３６により連結した後、操作ハンドル６２を手動で回転することにより、シムサポート連結棒５４を送り出し、シムサポート３１を内部空間２１に挿入し、所定位置（ＰＰ）に固定する。

なお、実施の形態２のシムサポートガイド治具５０Ａにおいて、操作ハンドル６２を手動で操作せずに、モーターなどの駆動源により回転することもできる。また、シムサポート連結棒５４の外周のねじ５５を、多数の歯を並べて形成したラックに代え、これに応じて、操作ギヤ６１を、このラックに噛み合うピニオンにすることもできる。

実施の形態２のシムサポートガイド治具５０Ａを使用することにより、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０と同様に、超電導マグネット２０が内部空間２１に磁場を発生した状態において、指定されたシムサポート３１を内部空間２１から磁場の影響が小さくなる場所まで引出し、この場所で指定されたシムサポート３１に対し、磁性体シム４０の配置調整を行ない、指定されたシムサポート３１に指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０を指定位置（ＤＰ）に収納し、その指定されたシムサポート３１を内部空間に挿入することができるので、超電導マグネット２０が磁場を発生した状態で、磁性体シム４０の配置調整を行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネット２０の消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

実施の形態３．
図６は、この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態３を示し、図７は、この実施の形態３のシムサポートガイド治具と組合させて使用されるシムサポートを示す。図６に示す実施の形態３のシムサポートガイド治具５０Ｂは、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０に代わって使用され、また図７に示すシムサポート３１Ｂは、実施の形態１のシムサポート３１に代わって使用される。図７に示すシムサポート３１Ｂは、複数個準備され、超電導マグネット２０の内周面に、中心軸線Ｏ−Ｏと平行に、互いに等間隔に配置される。

実施の形態３のシムサポートガイド治具５０Ｂは、図６に示すように、外端部５１ｂに着脱可能に固定された固定蓋７１を有し、シムサポート連結棒５４が、この固定蓋７１を貫通するように配置され、このシムサポート連結棒５４の外周には、その全長にねじ５５が連続して形成されている。固定蓋５１ｂの外部には、シムサポート連結棒５４を回転させる操作ハンドル７２が配置される。固定蓋７１には、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０のような操作ナット５７は配置されない。その他は、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０と同じに構成される。

シムサポートガイド治具５０Ｂと組合わせて使用されるシムサポート３１Ｂは、図７に示すように、一方のサポートエンド部３４に連結具４３を有する。この連結具４３は、一方のサポートエンド部３４の表面側に突出して形成される。この連結具４３は、一方のサポートエンド部３４と一体に、非磁性材料の樹脂により構成される。連結具４３には、シムサポート連結棒５４と平行な方向に延びるねじ穴４３ａが形成され、この連結穴４３ａには、シムサポート連結棒５４の外周のねじ５５がねじ込まれる雌ねじ４４が形成される。シムサポート３１Ｂは、この他は、図３に示すシムサポート３１と同じに構成される。

実施の形態３のシムサポートガイド治具５０Ｂも、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で、ガイド管固定座５３により、指定されたシムサポート３１Ｂに対向する位置に固定される。この状態で、操作ハンドル７２を手動で回転することにより、シムサポート連結棒５４のねじ５５を、シムサポート３１Ｂの連結具４３に形成された雌ねじ４４にねじ込み、シムサポート連結棒５４とシムサポート３１Ｂとを連結する。この状態において、さらに操作ハンドル７２を回転することにより、シムサポートガイド管５１のガイド通路５２を通じて、指定されたシムサポート３１Ｂを内部空間２１から引出すことができる。

ガイド通路５２に引出されたシムサポート３１Ｂは、固定蓋７１をシムサポートガイド管５１から外すことにより、シムサポート連結棒５４と連結された状態で、その外端部５１ｂから取出される。シムサポートガイド管５１の外端部５１ｂは、静磁場Ｍの影響が小さい場所に位置しており、この静磁場Ｍの影響の小さい場所で磁性体シム４０の配置調整を行なう。その後、磁性体シム４０の配置調整が終了したシムサポート３１Ｂを、シムサポート連結棒５４と連結した状態で、再度、外端部５１ｂからシムサポートガイド管５１内に挿入し、固定蓋７１を外端部５１ｂに固定する。この状態において、操作ハンドル６２を手動で回転することにより、シムサポート連結棒５４を送り出し、シムサポート３１Ｂを内部空間２１に挿入し、所定位置（ＰＰ）に固定する。

なお、実施の形態３のシムサポートガイド治具５０Ｂにおいて、操作ハンドル６２を手動で操作せずに、シムサポート連結棒５４をモーターなどの駆動源により回転することもできる。

実施の形態３のシムサポートガイド治具５０Ｂを使用することにより、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０と同様に、超電導マグネット２０が内部空間２１に磁場を発生した状態において、指定されたシムサポート３１Ｂを内部空間２１から磁場の影響が小さくなる場所まで引出し、この場所で磁性体シム４０の配置調整を行ない、指定されたシムサポート３１Ｂに指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０を指定位置（ＤＰ）に収納し、その指定されたシムサポート３１Ｂを内部空間に挿入することができるので、超電導マグネット２０が磁場を発生した状態で、磁性体シム４０の配置調整を行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネット２０の消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

実施の形態４．
図８は、この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態４を示す。この図８に示すシムサポート治具５０Ｃは、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０に代わって使用される。

この実施の形態４のシムサポートガイド治具５０Ｃは、図８に示すように、ワイヤ機構８０を有し、このワイヤ機構８０を操作することにより、シムサポートガイド管５１のガイド通路５２を通じて、シムサポート３１を移動させる。この実施の形態４のシムサポートガイド治具５０Ｃでは、シムサポート連結棒５４の外周にはねじ５５が形成されておらず、また実施の形態１のシムサポートガイド治具５０における固定蓋５６と操作ナット５７は取除かれているが、その他は、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０と同じに構成される。シムサポート３１は、実施の形態１と同じに構成され、連結ピン３６を使用して、シムサポート連結棒５４と連結される。

ワイヤ機構８０は、２つのワイヤ８１、８２と、これらのワイヤ８１、８２をシムサポート連結棒５４に固定するワイヤ固定具８３、８４と、ワイヤ８１、８２を巻回するリール８５を含む。ワイヤ固定具８３、８４は、シムサポート連結棒５４に固定される。ワイヤ固定具８３は、シムサポート連結棒５４の内端部５４ａに近い位置に固定され、このワイヤ固定具８３には、ワイヤ８１の一端が固定される。ワイヤ固定具８４は、シムサポート連結棒５４の外端部５４ｃに近い位置に固定され、このワイヤ固定具８４には、ワイヤ８２の一端が固定される。リール８５は、シムサポートガイド管５１の外部に配置され、このリール８５には、操作ハンドル８６が付設される。ワイヤ８１は、滑車８７ａ、８７ｂを経由してリール８５に、矢印ｎ方向に巻回され、またワイヤ８２は、滑車８８ａ、８８ｂを経由して、リール８５に矢印ｎと反対方向に巻回される。

操作ハンドル８６を回転することにより、リール８５が回転し、シムサポート連結棒５４と、それに連結されたシムサポー３１が移動される。操作ハンドル８６により、リール８５を矢印ｎ方向に回転すると、矢印ｎの方向にワイヤ８１がリール８５に巻取られ、同時に、ワイヤ８２が繰り出される。この操作により、シムサポート連結棒５４を、シムサポートガイド管５１の内端部５１ａから外端部５１ｂに向って引出すことができる。また、操作ハンドル８６により、リール８５を矢印ｎと反対方向に回転すると、矢印ｎと反対の方向にワイヤ８２がリール８５に巻取られ、同時に、ワイヤ８１が繰り出される。この操作により、シムサポート連結棒５４をシムサポートガイド管５１の外端部５１ｂから内端部５１ａに向かって挿入することができる。

実施の形態４のシムサポートガイド治具５０Ｃも、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で、ガイド管固定座５３により、指定されたシムサポート３１に対向する位置に固定される。この状態で、操作ハンドル７２を手動で操作し、リール８５を矢印ｎ方向の回転することにより、シムサポートガイド管５１のガイド通路５２を通じて、指定されたシムサポート３１を内部空間２１から引出すことができる。

ガイド通路５２に引出されたシムサポート３１は、シムサポート連結棒５４と連結された状態で、その外端部５１ｂから取出される。シムサポートガイド管５１の外端部５１ｂは、静磁場Ｍの影響が小さい場所に位置しており、この静磁場Ｍの影響の小さい場所で磁性体シム４０の配置調整を行なう。その後、磁性体シム４０の配置調整が終了したシムサポート３１を、シムサポート連結棒５４と連結した状態で、再度、外端部５１ｂからシムサポートガイド管５１内に挿入する。この状態において、操作ハンドル６２を手動で操作し、リール８５を矢印ｎと反対の方向に回転することにより、シムサポート連結棒５４を送り、シムサポート３１を内部空間２１に挿入し、所定位置（ＰＰ）に固定する。

なお、実施の形態４のシムサポートガイド治具５０Ｃにおいて、操作ハンドル７２を手動で操作せずに、リール８５をモーターなどの駆動源により回転することもできる。

実施の形態４のシムサポートガイド治具５０Ｃを使用することにより、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０と同様に、超電導マグネット２０が内部空間２１に磁場を発生した状態において、指定されたシムサポート３１を内部空間２１から磁場の影響が小さくなる場所まで引出し、この場所で指定されたシムサポート３１に磁性体シム４０の配置調整を行ない、指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０を指定位置（ＤＰ）に収納し、その指定されたシムサポート３１を内部空間に挿入することができるので、超電導マグネット２０が磁場を発生した状態で、磁性体シム４０の配置調整を行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネット２０の消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

実施の形態５．
図９は、この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態５を示し、図９（ａ）はその断面図、図９（ｂ）はその側面図である。図１０は、この実施の形態５のシムサポートガイド治具５０Ｄと組合わせて使用されるシムサポート３１Ｄを示す。図９に示す実施の形態５のシムサポートガイド治具５０Ｄは、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０に代わって使用され、また図１０に示すシムサポート３１Ｄは、実施の形態１のシムサポート３１に代わって使用される。図１０に示すシムサポート３１Ｄは複数個準備され、超電導マグネット２０の内周面に、互いに等間隔に、中心軸線Ｏ−Ｏと平行となるように、所定位置（ＰＰ）に固定される。

実施の形態５のシムサポートガイド治具５０Ｄは、円筒形のシムサポートガイド管５１Ｄを有する。このシムサポートガイド管５１のガイド通路５２の外周には、雌ねじ９０が形成されている。この雌ねじ９０は、シムサポートガイド管５１の内端部５１ａから外端部５１ｂまで連続して、シムサポートガイド管５１の内周に形成されている。シムサポートガイド治具５０Ｄでは、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０におけるシムサポート連結棒５４、固定蓋５６および操作ナット５７が取除かれている。シムサポートガイド管５１Ｄの内端部５１ａの外周にはガイド管固定座５３が固定され、磁場調整を行なうときに、ガイド管固定座５３により、シムサポートガイド管５１Ｄが、指定されたシムサポート３１Ｄと対向する位置で、超電導マグネット２０に固定される。

シムサポート３１Ｄは、図１０に示すように、円柱状に構成され、その外周には、ねじ４５が形成されている。このねじ４５は、シムサポート３１Ｄの全長に亘り連続して形成されている。シムサポート３１Ｄは、半円柱状の一対のサポート素子３１ａ、３１ｂに分割され、これらのサポート素子３１ａ、３１ｂは、例えば蝶番を用いて互いに連結される。シムサポート３１Ｄは、サポート素子３１ａ、３１ｂが互いに閉じたクローズ状態と、それらが互いに開いたオープン状態との２つの状態を採ることができる。超電導マグネット２０の内周面の所定位置（ＰＰ）に固定された状態、およびシムサポート３１Ｄを移動する状態では、シムサポート３１Ｄはクローズ状態とされ、磁性体シム４０の配置調整を行なうときに、オープン状態とされる。シムサポート３１Ｄの一方の端部には、シムサポート３１Ｄを操作する操作棒に嵌り合う複数の操作穴４６が形成される。

このシムサポート３１Ｄには、その延長方向に、複数のシムポケット３３が形成される。各シムポケット３３は、サポート素子３１ａに形成されたポケット３３ａと、サポート素子３１ｂに形成されたポケット３３ｂで構成され、これらのポケット３３ａ、３３ｂは、互いに対向して形成される。指定位置（ＤＰ）に対応するシムポケット３３には、磁性体シム４０と非磁性体のシムスペーサ４１が収納される。磁性体シム４０は、指定体積（ＤＶ）を有し、ポケット３３ａに収納される。シムスペーサ４１は、ポケット３３ｂに収納され、サポート素子３１ａ、３１ｂがクローズ状態とされたときに、シムスペーサ４２は、磁性体シム４０を押圧して保持する。

実施の形態５のシムサポートガイド治具５０Ｄも、超電導マグネット２０が静磁場Ｍを発生した状態で、ガイド管固定座５３により、指定されたシムサポート３１Ｄに対向する位置に固定される。この状態で、図示しない操作棒をシムサポートガイド管５１のガイド通路５２に通し、この操作棒をクローズ状態にあるシムサポート３１Ｄの操作穴４６に嵌め込み、シムサポート３１Ｄの外周のねじ４５をシムサポートガイド管５１Ｄの雌ねじ９０にねじ込む。この状態で操作棒により、シムサポート３１Ｄを回転することにより、シムサポートガイド管５１のガイド通路５２を通じて、指定されたシムサポート３１Ｄを内部空間２１から引出すことができる。

ガイド通路５２に引出されたシムサポート３１Ｄは、シムサポートガイド管５１の外端部５１ｂから取出される。シムサポートガイド管５１の外端部５１ｂは、静磁場Ｍの影響が小さい場所に位置しており、この静磁場Ｍの影響の小さい場所で、シムサポート３１Ｄのサポート素子３１ａ、３１ｂをオープン状態にして、磁性体シム４０の配置調整を行なう。その後、磁性体シム４０の配置調整が終了し、クローズ状態とされたシムサポート３１Ｄを、再度、外端部５１ｂからシムサポートガイド管５１内に挿入し、シムサポート３１Ｄのねじ４５を、シムサポートガイド管５１Ｄの雌ねじ９０にねじ込む。この状態において、操作棒により、シムサポート３１Ｄをねじ込むことにより、シムサポート３１Ｄを内部空間２１に挿入し、所定位置（ＰＰ）に固定する。

実施の形態５のシムサポートガイド治具５０Ｄを使用することにより、実施の形態１のシムサポートガイド治具５０と同様に、超電導マグネット２０が内部空間２１に磁場を発生した状態において、指定されたシムサポート３１Ｄを内部空間２１から磁場の影響が小さくなる場所まで引出し、この場所で磁性体シム４０の配置調整を行ない、指定体積（ＤＶ）の磁性体シム４０を指定位置（ＤＰ）に収納し、その指定されたシムサポート３１Ｄを内部空間２１に挿入することができるので、超電導マグネット２０が磁場を発生した状態で、磁性体シム４０の配置調整を行なうことができ、磁場調整に要する時間を短縮するとともに、磁性体シム４０の配置調整において、超電導マグネット２０の消磁と再励磁を不要とし、液体ヘリウムの蒸発による減少も防止できる。

この発明によるシムサポートガイド治具は、磁場発生装置において、磁場調整を行なうときに使用することができる。

磁気共鳴画像診断装置の磁場調整状態を、一部切断して示す斜視図である。この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態１を示す断面図である。実施の形態１のシムサポートガイド治具とシムサポートを示す斜視図である。実施の形態１のシムサポートガイド治具により、シムサポートを引出した状態を示す断面図である。この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態２を示す断面図である。この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態３を示す断面図である。実施の形態３のシムサポートガイド治具とシムサポートを示す斜視図である。この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態４を示す断面図である。この発明によるシムサポートガイド治具の実施の形態５を示し、図９（ａ）は断面図、図９（ｂ）は側面図である。実施の形態５のシムサポートガイド治具に組合わせて使用されるシムサポートを示す斜視図である。

１００：磁気共鳴画像診断装置、１０：磁場発生装置、２０：超電導マグネット、
２１：内部空間、３０：磁場調整装置、３１、３１Ｂ、３１Ｄ：シムサポート、
４０：磁性体シム、４４：ねじ穴、４５：ねじ、
５０．５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄ：シムサポートガイド、
５１、５１Ｄ：シムサポートガイド管、５２：ガイド通路、
５４：シムサポート連結棒、５５：ねじ。

Claims

筒状に構成されその内部空間に磁場を発生する超電導マグネット、および前記内部空間に配置され前記磁場の磁場強度を調整する磁性体シムを収納するための複数のシムサポートを備えた磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具であって、
前記複数のシムサポートは、それぞれ矩形状断面を有する非磁性の帯状体で構成されたシムトレイを有し、
前記シムサポートガイド治具は、所定長さで連続する非磁性体のシムサポートガイド管を有し、前記シムサポートガイド管は、その内周に、前記シムサポートの回転を阻止しながらその移動を許容する大きさの断面が矩形状のガイド通路を有し、このガイド通路は、前記シムサポートガイド管の内端部と外端部との間に連続して形成され、
前記シムサポートガイド治具は、さらに、前記ガイド通路を通じて、前記複数のシムサポートの中の指定されたシムサポートに連結される非磁性体のシムサポート連結棒と、このシムサポート連結棒に結合された操作部材を有し、前記操作部材により、前記シムサポート連結棒を介して、前記指定されたシムサポートを前記ガイド通路を通じてその回転を阻止しながら前記内部空間から引出し、また、前記指定されたシムサポートを前記ガイド通路を通じてその回転を阻止しながら前記内部空間に挿入することを特徴とする磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具。
請求項１記載の磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具であって、前記シムサポート連結棒には、その外周にねじが形成され、前記操作部材が前記ねじにねじ込まれた操作ナットとされたことを特徴とする磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具。
請求項１記載の磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具であって、前記シムサポート連結棒には、その外周にねじが形成され、前記操作部材が前記ねじに噛み合う操作ギヤとされたことを特徴とする磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具。
請求項１記載の磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具であって、前記シムサポート連結棒には、その外周にラックが形成され、前記操作部材が前記ラックに噛み合うピニオンとされたことを特徴とする磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具。
請求項１記載の磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具であって、前記シムサポート連結棒には、その外周にねじが形成され、このねじが、前記指定されたシムサポートに設けられたねじ穴にねじ込まれ、前記操作部材が前記シムサポート連結棒に連結された操作ハンドルとされたことを特徴とする磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具。
請求項１記載の磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具であって、前記操作部材が前記シムサポート連結棒には取付けられたワイヤとされたことを特徴とする磁場発生装置に対するシムサポートガイド治具。