JP4390152B2 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Description

本発明は，プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｎｅｌ：以下，「ＰＤＰ」とする。）に関する。

ＰＤＰは，ガス放電現象を利用して画像を表示する平板ディスプレイパネルであって，輝度，コントラスト，低い残像および広視野角などの各種表示能力に優れている。また，ＰＤＰは，薄型であり，かつ大画面の表示が可能であるので，次世代の大型平板ディスプレイパネルとして脚光を浴びている。

図１は，従来の一般的な交流型の３電極面放電ＰＤＰ５の分離斜視図である。

図１に示すように，ＰＤＰ５は，相互対向し，所定の距離に離隔された背面基板１０および前面基板２０を備える。背面基板１０の前面（前面基板２０と対向する側の面）には，複数のアドレス電極１１が配列されており，このアドレス電極１１は，第１誘電体層１２により覆われている。そして，第１誘電体層１２の前面（前面基板２０と対向する側の面）には，隔壁１３が放電セル１４を区画している。この隔壁１３により区画された放電セル１４内には，蛍光体層１５が所定の厚さに塗布される。前面基板２０は，その前面（背面基板１０と対向する側の面）が背面基板１０に結合されており，前面基板２０の背面には，アドレス電極１１と交差する維持電極対３０が形成されている。各維持電極対３０のうち一の維持電極は，Ｘ電極２１であり，他の維持電極は，Ｙ電極２２である。このような維持電極対３０は，第２誘電体層２３により覆われており，第２誘電体層２３の背面には，保護層２４が形成されている。

このような構造を有するＰＤＰの場合には，アドレス電極１１とＹ電極２２との間のアドレス放電によって発光される放電セル１４が選択され，選択された放電セルのＸ電極２１とＹ電極２２との間に発生する維持放電によって，放電セルで可視光が発生する。さらに具体的に説明すれば，維持放電によって放電セル内にある放電ガスが紫外線を放出し，放出された紫外線は，蛍光体層１５にして可視光線を放出する。蛍光体層１５から放出された可視光線は，ＰＤＰの画像を具現する。

特開平１０−１７２４４２号公報

しかし，上記と同じ構造を有するＰＤＰ５では，維持放電が保護層２４に隣接したＸ電極２１とＹ電極２２との間の空間でのみ発生する。このため，維持放電が発生する空間の体積が小さく，蛍光体層１５から放出される可視光線の一部が，保護層２４，第２誘電体層２３，維持電極２１，２２などによって吸収および／または反射されるので，前面基板２０を通過する可視光線の量は，蛍光体層１５から放出された可視光線の量の約６０％にしかならない。したがって，発光効率および輝度が低下するという問題点がある。

そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，発光効率および輝度を向上させ，無効電力を減少させることの可能な，新規かつ改良されたプラズマディスプレイパネルを提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，背面基板と，背面基板と離隔して配置された前面基板と，前面基板と背面基板との間に配置され，背面基板および前面基板と共にサブピクセルに対応する複数の放電セルを区画する隔壁と，一方向に配置された放電セルを取り囲み，互いに平行に延設されることにより放電する複数対の第１放電電極および第２放電電極と，放電セルを取り囲み，第１放電電極および第２放電電極の延設方向と交差する方向に延設されたアドレス電極と，放電セル内に配置された蛍光体層と，放電セル内にある放電ガスとを備えるプラズマディスプレイパネルが提供される。かかるプラズマディスプレイパネルにおいて，所定の個数のサブピクセルから単位ピクセルが構成され，少なくとも一方向に隣接する単位ピクセルは，所定の間隔を有して離隔して配置されることを特徴とする。

ここで，第１放電電極または第２放電電極の延設方向に配置された単位ピクセルは，所定の間隔を有して離隔して配置される。例えば，アドレス電極の延設方向に配置された単位ピクセルは，所定の間隔を有して離隔して配置される。また，隣接する単位ピクセルを区画する隔壁は，所定の間隔を有して離隔して配置され，隣接する単位ピクセル間の離隔部分には，非放電領域が形成される。

一方，隣接する単位ピクセルは，少なくとも一つの隔壁を共有して配置され，隣接する単位ピクセルによって共有された隔壁の幅は，単位ピクセルの内部で各サブピクセルを区画する隔壁の幅より大きくすることができる。また，隔壁は，アドレス電極の延設方向に延びる横隔壁部，および横隔壁部と交差する縦隔壁部を備える。相隣接する単位ピクセルを区画する縦隔壁部の幅は，各単位ピクセルの内部で各サブピクセルを区画する縦隔壁部の幅より大きくすることができ，相隣接する単位ピクセルを区画する横隔壁部の幅も，各単位ピクセルの内部で各サブピクセルを区画する横隔壁部の幅より大きくすることもできる。

ここで，単位ピクセルは，４個のサブピクセルを備えてもよい。ここで，単位ピクセルは，１つの赤色サブピクセル，１つの緑色サブピクセルおよび２つの青色サブピクセルを備えるようにしてもよい。また，各サブピクセルを略正方形に形成することもでき，単位ピクセルも略正方形に形成してもよい。

また，単位ピクセルは，３つのサブピクセルを備えてもよい。各サブピクセルは，略長方形に形成してもよい。また，単位ピクセルを略正方形に形成することもできる。

さらに，第１放電電極および第２放電電極は，隔壁内において，前面基板に対して略垂直方向に離隔されるように配置してもよい。このとき，隔壁は，誘電体で形成することができる。また，アドレス電極は，隔壁内に配置され，隔壁は誘電体で形成してもよい。

また，蛍光体層を，前面基板と，第１放電電極および第２放電電極との間に設けることもできる。

放電セルに対向する前面基板上には，凹部を形成することもできる。この凹部には，例えば蛍光体層を設けることができる。凹部は，各放電セルに対応するように非連続的に形成してもよい。

また，隔壁の側面の少なくとも一部を覆う保護層をさらに備えることもできる。

本発明によれば，第一に，単位ピクセルの間の距離が離隔されているため，無効電力が減少して，発光効率が向上する。また，第二に，放電空間を形成するあらゆる側面で面放電が発生するので，放電面が大きく拡大させることができる。第三に，放電が放電セルを形成する側面で発生して，放電セルの中央部に広がるので，放電領域が従来に比べて著しく向上し，放電セルの全体を効率的に利用できる。したがって，低電圧でも駆動が可能となって，発光効率を画期的に向上させることができる。

第四に，低電圧駆動が可能であるので，例えば高濃度のＸｅガスを放電ガスとして使用しても，低電圧駆動が可能になって発光効率を向上させることができる。また，第五に，放電応答速度が速く，低電圧駆動が可能となる。すなわち，放電電極は，可視光線が透過する前面基板に配置されておらず，放電セルの側面に配置されている。このため，放電電極として抵抗の大きい透明電極を使用する必要がなく，抵抗の低い電極，例えば，金属電極を放電電極として使用できる。したがって，放電応答の速度が速くなり，波形の歪曲なしに低電圧駆動が可能となる。

さらに，第六に，永久残像を基本的に防止できる。すなわち，放電空間の側面に形成された放電電極に印加された電圧による電界が，プラズマを放電空間の中央部に集中させる。これにより，長時間放電されても，放電により生成されたイオンが電界により蛍光体に衝突することを防止することによって，イオンスパッタリングによる蛍光体の損傷に起因して発生する永久残像の問題を基本的に防止できる。特に，高濃度のＸｅガスを放電ガスとして使用する場合，永久残像の問題は，一般的なＰＤＰでは非常に深刻であるが，本発明の場合，このような永久残像を基本的に防止できる。

以上説明したように本発明によれば，発光効率および輝度を向上させ，無効電力を減少させることの可能なプラズマディスプレイパネルを提供することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（第１の実施形態）
まず，図２〜図６に基づいて，本発明の第１の実施形態を説明する。ここで，図２は，本実施形態にかかるＰＤＰ１００を示す分離斜視図である。図３は，図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。また，図４は，図２に示す放電セルおよび電極の概略的な配置図である。図５は，図３のＶ−Ｖ線による放電セル，サブピクセルおよび単位ピクセルの配置図である。図６は，図３のＶＩ−ＶＩ線による放電セル，サブピクセルおよび単位ピクセルの配置図である。

図２および図３に示すように，本実施形態にかかるＰＤＰ１００は，前面基板１２０，蛍光体層１２６，隔壁１２８，第１放電電極１１４，第２放電電極１１５，アドレス電極１１３，保護層１１９および背面基板１１０を備える。

背面基板１１０および前面基板１２０は，所定の間隔で離隔されて，これらの間に隔壁１２８によって複数の放電セル１３０を区画することができる。このような放電セル１３０は，それぞれ赤色サブピクセル１５０Ｒ，緑色サブピクセル１５０Ｇ，青色サブピクセル１５０Ｂａ，１５０Ｂｂのうちいずれか一つに対応し，所定の個数のサブピクセルは，単位ピクセル１５０を形成する。なお，これについての詳細な説明は後述する。

放電セル１３０から発生する可視光を透過する前面基板１２０は，例えばガラス等のような光透過性に優れた材料により製造される。背面基板１１０も，一般的には，ガラスを利用して製造される。本実施形態では，放電セル１３０で生成された可視光が，前面基板１２０を介して外部に出射されるが，本発明は，これに限定されず，例えば可視光が背面基板１１０を介して外部に出射されてもよく，前面基板１２０および背面基板１１０を介して両面発光させてもよい。

図２に示すように，放電セル１３０は，マトリックス状に配置され，隔壁１２８は，放電セル１３０の横断面が実質的に略四角形を有するように形成されている。しかし，放電セル１３０は，かかる形状に限定されず，例えばワッフル状，略三角形状に形成することもできる。また，放電セルの横断面は，略四角形以外にも，略三角形，略五角形などの多角形，または略円形，略楕円形などに形成することができる。ただし，本実施形態の場合，単位ピクセル１５０は実質的に略正方形の形状を有するように，また，放電セル１３０の横断面は実質的に正方形を有するようにすることが望ましい。特に，放電セル１３０のコーナー部分は，ラウンド処理されているが，これは，コーナー部分で放電が集中する現象を抑制することによって，放電セル１３０内で放電を均一に発生させるためである。

このような隔壁１２８は，アドレス電極１１３の延設方向に対して略平行に延びる横隔壁部１２８ｂと，横隔壁部１２８ｂと交差する縦隔壁部１２８ａとを備える。

図２および図４に示すように，隔壁１２８内には，放電セル１３０を一方向（ｙ軸方向）に沿って取り囲み，互いに略平行に延設される第１放電電極１１４および第２放電電極１１５が配置されている。各放電セル１３０において，第１放電電極１１４と第２放電電極１１５とは対をなして面放電を行う。第１放電電極１１４は，放電セル１３０をそれぞれ取り囲むループ部１１４ａと，ループ部１１４ａを連結する連結部１１４ｂとを備える。また，第２放電電極１１５も，放電セル１３０をそれぞれ取り囲むループ部１１５ａと，ループ部１１５ａを連結する連結部１１５ｂとを備える。放電セル１３０内での放電の均一化のために，第１放電電極のループ部１１４ａと第２放電電極１１４のループ部１１５ａとは，互いに対称に形成されることが望ましい。

図４に示すように，アドレス電極１１３は，第１放電電極１１４および第２放電電極１１５の延設方向（ｙ軸方向）と交差する方向（ｘ軸方向）に延設され，放電セル１３０を取り囲むように配置されている。このアドレス電極１１３は，隔壁１２８内に埋め込まれている。アドレス電極１１３は，第１放電電極１１４と第２放電電極１１５との間の維持放電をさらに容易にするためのアドレス放電を発生させるためのものであって，さらに具体的には，維持放電が開始される電圧を低下させる役割を行う。アドレス放電は，走査電極とアドレス電極との間に発生する放電であって，アドレス放電が終了すれば，走査電極側に陽イオンが蓄積され，共通電極側に電子が蓄積される。これにより，走査電極と共通電極との間の維持放電がさらに容易となる。走査電極とアドレス電極との間の距離が近いほど，アドレス電圧が低下する。本実施形態では，第２放電電極１１５が走査電極の役割をし，第１放電電極１１４が，共通電極の役割を行う。したがって，アドレス放電は，第２放電電極１１５とアドレス電極１１３との間で発生する。

また，本実施形態では，第１放電電極１１４，第２放電電極１１５，アドレス電極１１３は，前面基板１２０に対して実質的に垂直方向（ｚ軸負方向）に順次に配置されるが，本発明は，これに限定されない。アドレス電極１１３は，第１放電電極１１４と第２放電電極１１５との間に配置されてもよく，またはアドレス電極１１３が前面基板１２０に最も隣接するように，アドレス電極１１３，第１放電電極１１４，第２放電電極１１５の順序に配置されてもよい。また，アドレス電極１１３は，背面基板１１０上に配置されてもよい。ただし，この場合，アドレス放電電圧を下げるために，アドレス電極１１３と相対して近くに配置された第１放電電極１１４または第２放電電極１１５が走査電極の機能を行うことが望ましい。

本実施形態において，第１放電電極１１４および第２放電電極１１５は，隔壁１２８内に配置されているので，前方（ｚ軸正方向）への可視光の透過率を阻害する要因とならない。また，第１放電電極１１４および第２放電電極１１５は，ＩＴＯの代りに，例えばアルミニウム，銅等の電気伝導性に優れた金属から形成される。したがって，長手方向への電圧降下は減少し，安定した信号の伝達が可能となるだけでなく，コストが低減するという長所を有する。また，アドレス電極１１３も，例えばアルミニウム，銅等の電気伝導性に優れた金属から形成されることが望ましい。

隔壁１２８は，隣接した第１放電電極１１４，第２放電電極１１５，アドレス電極１１３の間に直接通電されることを防止する。また，正イオン，電子などの粒子が電極１１３，１１４，１１５に直接衝突して電極１１３，１１４，１１５を損傷させることを防止しつつ，壁電荷を蓄積できる誘電体から形成されることが望ましい。

放電セル１３０に対向する前面基板１２０上には，凹部１２０ａが形成されている。凹部１２０ａは，放電セル１３０にそれぞれ対応するように非連続的に形成され，放電セル１３０の中心部に対向する位置に形成されることが望ましい。ただし，凹部１２０ａの形状は，これに限定されない。

このような凹部１２０ａは，所定の深さを有するように形成される。したがって，凹部１２０ａが形成された部分では前面基板１２０の厚さが減少するので，前方（ｚ軸正方向）への可視光の透過率が向上する。

凹部１２０ａ内には，それぞれ赤色，緑色，青色の発光蛍光体層１２６が所定の厚さに塗布される。しかし，蛍光体層１２６が配置される位置は，これに限定されず，放電セル１３０内に多様な位置に配置される。ただし，透過型の構造を有するために，蛍光体層１２６は，前面基板１２０と第１放電電極１１４との間に配置されることが望ましい。

赤色発光の蛍光体層が配置される赤色放電セル１３０Ｒは，赤色サブピクセル１５０Ｒに対応し，緑色発光の蛍光体層が配置される緑色放電セル１３０Ｇは，緑色サブピクセル１５０Ｇに対応し，青色発光蛍の光体層が配置される青色放電セル１３０Ｂは，青色サブピクセル１５０Ｂａ，１５０Ｂｂに対応する。

蛍光体層１２６は，紫外線を受けて可視光線を発生する成分を有する。赤色放電セル１３０Ｒに形成された赤色発光の蛍光体層は，例えばＹ（Ｖ，Ｐ）Ｏ_４：Ｅｕ等の蛍光体を含む。緑色放電セル１３０Ｇに形成された緑色発光の蛍光体層は，例えばＺｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ等の蛍光体を含む。青色放電セル１３０Ｂに形成された青色発光の蛍光体層は，例えばＢＡＭ：Ｅｕ等の蛍光体を含む。

隔壁１２８の側面には，保護層１１９が形成されることが望ましい。このような保護層１１９は，プラズマ粒子のスパッタリングにより誘電体から形成された隔壁１２８と，第１放電電極１１４，第２放電電極１１５およびアドレス電極１１３が損傷されることを防止し，２次電子を放出して放電電圧を下げる役割を行う。保護層１１９は，隔壁１２８の側面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を所定の厚さに塗布することによって形成される。保護層１１９は，主にスパッタリング，電子ビーム蒸着法で薄膜から形成される。

放電セル１３０には，Ｎｅ，Ｘｅ，およびこれらの混合気体のような放電ガスが封入される。本実施形態を含む本発明の場合，放電面が増加し，放電領域が拡大されて，形成されるプラズマの量が増加するので，低電圧駆動が可能となる。したがって，高濃度のＸｅガスを放電ガスとして使用しても，低電圧駆動が可能となることにより，発光効率を画期的に向上させることができる。これにより，従来のＰＤＰで高濃度のＸｅガスを放電ガスとして使用する場合に低電圧駆動が非常に難しくなるという問題点を解決することができる。

図５および図６には，本実施形態にかかるＰＤＰ１００における，サブピクセル１５０Ｒ，１０５Ｇ，１５０Ｂａ，１５０Ｂｂおよび単位ピクセル１５０の配置が示されている。各単位ピクセル１５０は，４個のサブピクセル１５０Ｒ，１０５Ｇ，１５０Ｂａ，１５０Ｂｂを備える。本実施形態において，各放電セル１３０の横断面（ｘｙ平面）を見ると，各サブピクセルは，放電セル１３０を取り囲む第１放電電極１１４，第２放電電極１１５，アドレス電極１１３部分と，これらの電極１１３，１１４，１１５が埋没された隔壁１２８の所定の部分まで含む仮想の領域を意味する。

本実施形態で，単位ピクセルは，１個の赤色サブピクセル１５０Ｒ，１個の緑色サブピクセル１５０Ｇ，２個の青色サブピクセル１５０Ｂａ，１５０Ｂｂを備える。ここで，一般的なＰＤＰでは，青色放電セルから発生する青色光の輝度は低い。したがって，青色光の輝度を補強するために，本実施形態にかかるＰＤＰでは，単位ピクセルに備えられた青色サブピクセルの個数を相対的に多くする。なお，本実施形態で単位ピクセルに配置されたサブピクセル１５０Ｒ，１０５Ｇ，１５０Ｂａ，１５０Ｂｂは，一回転方向に赤色サブピクセル１５０Ｒ，緑色サブピクセル１５０Ｇ，青色サブピクセル１５０Ｂａ，青色サブピクセル１５０Ｂｂが配置されているが，単位ピクセル内でサブピクセルの配置位置はこれに限定されず，多様に配置される。また，一単位ピクセルで，赤色サブピクセルまたは緑色サブピクセルの個数を相対的に多く形成してもよい。

このような単位ピクセル１５０は，全体的に横の長さＣ１と縦の長さＣ２とが同じ正方形であることが望ましい。これは，ＰＤＰの全体的な形状を自由に設計することができるという点で利点がある。また，単位ピクセル１５０が正方形であるように，各サブピクセルも正方形であることが望ましい。

図５に示すように，第１放電電極１１４または第２放電電極１１５の延設方向（ｙ軸方向）に配置された単位ピクセル１５０は，所定の間隔ｋ１で離隔されている。この相隣接する単位ピクセルの間隔は，多様な構造によって具現されるが，本実施形態では，異なる単位ピクセル１５０を構成する横隔壁部の幅Ａ１が，同一の単位ピクセルの内部に設けられた横隔壁部の幅Ａ２より広く形成されている。

また，図６に示すように，アドレス電極１１３の延設方向（ｘ軸方向）に配置された単位ピクセル１５０は，所定の間隔ｄ１で離隔されている。この相隣接する単位ピクセルの間隔は，多様な構造によって具現されるが，本実施形態では，異なる単位ピクセル１５０を構成する縦隔壁部の幅Ｅ１が，同一の単位ピクセルの内部に設けられた縦隔壁部の幅Ｅ２より広く形成されている。

ここで，従来のＰＤＰの場合，単位ピクセル間の間隔は存在せず，隣接する電極間の距離は非常に近い。したがって，電極に電圧が印加される場合，隣接する電極間に無効電力が消費されるという問題点がある。このような無効電力は，変位電流によって発生するが，変位電流は，静電容量および時間に対する電圧の変化に比例する。したがって，隣接する電極の間に相異なる電圧パルスが印加される場合，電圧の変化によって変位電流が発生する。このとき，対応する電極間の電気容量は，非誘電率および電極の対向面積に比例し，電極間の距離に反比例する。したがって，電極間の距離が近い場合，静電容量が増加して変位電流が増加し，すなわち，無効電力が増加する。

一方，本実施形態で，走査電極として作用する第２放電電極１１５とアドレス電極１１３とに，異なる電圧が印加される場合が発生する。例えば，特定アドレス放電を起こす目的でサブピクセルに配置されたアドレス電極１１３には，アドレス電圧パルスが印加されるが，残りのアドレス電極１１３には，アドレス電圧パルスが印加されない。このとき，アドレス放電を起こす目的でサブピクセルに配置された第２放電電極１１５にも走査パルスが印加されるが，残りの第２放電電極１１５には走査パルスは印加されない。特に，このようなアドレス電極１１３および２放電電極１１５に印加される電圧パルスの変化は，特定のパターン（例えば，ドット・オン・オフパターン）でさらに大きく発生する。このような，アドレス電極１１３の間および第２放電電極１１５の間で生じる電圧パルスの不一致は，変位電流を誘導して，ＰＤＰの無効電力を増加させるという問題点がある。

したがって，アドレス電極１１３の間の距離および第２放電電極１１５の間の距離を離隔させることは，無効電力消費の減少にとって望ましい。しかし，全てのアドレス電極１１３間の距離および第２放電電極１１５間の距離を離隔させる場合，ＰＤＰの高精細化が難しくなる。もし，同じサイズのＰＤＰを仮定する場合，アドレス電極１１３間の距離および第２放電電極１１５間の距離が長くなれば，単位ピクセルの数を減少するか，または放電セルのサイズを小さくすることになる。これは，ＰＤＰの性能に解像度または輝度に悪影響を及ぼす。したがって，全てのアドレス電極１１３間の距離および第２放電電極１１５間の距離を狭めるのではなく，隣接する単位ピクセル間の距離ｄ１，ｋ１を離隔させることによって，相異なる単位ピクセルに配置されたアドレス電極１１３間の距離Ｐ１および第２放電電極間の距離Ｂ１のみを大きくする。そして，単位ピクセル内に配置されたアドレス電極１１３間の距離Ｐ２および第２放電電極間の距離Ｂ２は，距離Ｂ１より小さく維持させることが望ましい。

本実施形態では，上述したように，単位ピクセル１５０を区画する横隔壁部の幅Ａ１が，単位ピクセル内に配置された横隔壁部の幅Ａ２より広く，単位ピクセル１５０を区画する縦隔壁部の幅Ｅ１が，単位ピクセル内に配置された縦隔壁部の幅Ｅ２より広いため，望ましい単位ピクセルの配置構造が具現される。したがって，ＰＤＰの高精細化も可能であるだけでなく，無効電力も減少するという効果を有する。特に，本実施形態の構造を有するＰＤＰの場合，離隔された部分による放電セル１３０の横断面の縮小によるプラズマ放電量の減少が，放電セル１３０の深さ方向（ｚ軸方向）への伸長によって補完できるという長所を有する。前記には，第１放電電極１１４の配置構造については，第２放電電極１１５と類似しているので，ここでは省略する。

上述したように構成された本実施形態にかかるＰＤＰ１００の作動を，以下に説明する。

まず，アドレス電極１１３と第２放電電極１１５との間にアドレス電圧が印加されることによってアドレス放電が発生し，このアドレス放電の結果によって維持放電が発生する放電セル１３０が選択される。次いで，選択された放電セル１３０の第１放電電極１１４と第２放電電極１１５との間に維持電圧が交互に反復印加されると，第１放電電極１１４および第２放電電極１１５に溜まっていた壁電荷の移動によって維持放電が発生し，この維持放電時に励起された放電ガスのエネルギー準位が低くなって紫外線が放出される。そして，放出された紫外線によって放電セル１３０内に塗布された蛍光体１２６が励起される。この励起された蛍光体１２６のエネルギー準位が低くなるにつれて可視光が放出され，この可視光が前面基板１２０を透過して出射し，ユーザーが認識できる画像を形成する。

図１に示す従来のＰＤＰ５においては，維持電極２１，２２の間の維持放電は水平方向に発生して，放電面積が相対的に狭い。しかし，本実施形態にかかるＰＤＰ１００の維持放電は，放電セル１３０を区画するあらゆる側面で発生するだけでなく，放電面積が相対的に広いという長所がある。

また，本実施形態での維持放電は，放電セル１３０の側面に沿って閉曲線で形成され，次第に放電セル１３０の中央部に広がる。これにより，維持放電が発生する領域の体積が増加し，また，従来ではほとんど使用されていなかった放電セル内の空間電荷も発光に寄与する。これらは，ＰＤＰの発光効率の向上という結果をもたらす。

また，本実施形態にかかるＰＤＰでは，維持放電が放電セルの中心部分のみで発生するので，従来のＰＤＰの問題点であった荷電粒子による蛍光体のイオンスパッタリングが防止される。これにより，同じ画像を長時間表示しても，永久残像が発生しないという長所がある。

（変形例）
図７には，第１の実施形態にかかるＰＤＰの変形例による赤色，緑色，青色の放電セル１３０Ｒ’，１３０Ｇ’，１３０Ｂ’，赤色，緑色，青色のサブピクセル１５０Ｒ’，１５０Ｇ’，１５０Ｂ’および単位ピクセル１５０’の配置図が示されている。図７は，第１の実施形態の図５に対応し，第２放電電極１１４’，保護層１１９’，縦隔壁部１２８ａ’および横隔壁部１２８ｂ’を備える隔壁１２８’については，上述した第１の実施形態の対応する構成要素等と類似しているので，ここでの説明は省略する。

変形例は，サブピクセル１５０Ｒ’，１５０Ｇ’，１５０Ｂ’が長方形であるという点で第１の実施形態と異なる。すなわち，サブピクセル１５０Ｒ’，１５０Ｇ’，１５０Ｂ’の横長さＱ１と縦長さＱ２とが異なることを意味し，本変形例では，横長さＱ１より縦長さＱ２がさらに長く形成されている。また，単位ピクセル１５０’は，それぞれ赤色サブピクセル１５０Ｒ’，緑色サブピクセル１５０Ｇ’，および青色サブピクセル１５０Ｂ’を１つずつ備えており，このとき，単位ピクセルの横長さＣ１’と縦長さＣ２’とが略同じ長さ，すなわち全体として正方形であることが望ましい。

本変形例では，第１の実施形態と同様に，ｘ軸方向に配置された単位ピクセル１５０’が所定の間隔ｄ１’で離隔されて配置される。これは，第２放電電極１１４’間の距離Ｂ１’を長くすることによって，無効電力を減少させるためである。また，ｙ軸方向に配置された単位ピクセルは，所定の間隔ｋ１’で離隔されて配置される。

以上，第１の実施形態およびその変形例について説明した。次に，図８〜１０に基づいて，本発明の第２の実施形態にかかるＰＤＰについて説明する。

（第２の実施形態）
以下では，図８〜図１０を参照して，第１の実施形態と異なる事項を中心に本発明の第２の実施形態にかかるＰＤＰ２００について説明する。本実施形態にかかるＰＤＰ２００は，前面基板２２０，蛍光体層２２６，背面基板２１０，隔壁２２８，第１放電電極２１４，第２放電電極２１５およびアドレス電極２１３を備える。

隔壁２２８内には，一方向（ｙ軸方向）に配置された放電セル２３０を取り囲みながら互いに略平行に延びるように第１放電電極２１４および第２放電電極２１５が配置されている。また，第１放電電極２１４および第２放電電極２１５の延設方向（ｙ軸方向）と交差する方向（ｘ軸方向）に配置された放電セル２３０を取り囲みながら延びるアドレス電極２１３が，隔壁２２８内に配置されている。

誘電体からなる隔壁２２８は，アドレス電極２１３の延設方向に延びる横隔壁部２２８ｂおよび横隔壁部２２８ｂと交差する縦隔壁部２２８ａとを備える。

本実施形態は，単位ピクセル２５０の間に離隔された部分２４０が誘電体で満たされず，非放電領域２４０，２４１を形成するという点で第１の実施形態と異なる。これを詳細に説明すれば，次の通りである。

ＰＤＰ２００において，第１の実施形態と同様に第２放電電極２１５（または第１放電電極２１４）の延設方向（ｙ軸方向）に配置された単位ピクセル２５０は，所定の距離ｈ１で離隔されている。離隔された部分２４０の形成のために，第２放電電極２１４が延びる方向（ｙ軸方向）に配置された単位ピクセル２５０をそれぞれ区画する横隔壁部２２８ｂの間隔が所定の距離ｈ１で離隔され，その間に非放電領域２４０が形成される。ただし，非放電領域２４０に第１放電電極２１４および第２放電電極２１５が露出される場合，第１放電電極２１４および第２放電電極２１５の損傷の危険がある。このため，横隔壁部２２８ｂの間に露出される第１放電電極２１４および第２放電電極２１５は，誘電体層２７５で覆われることが望ましい。このとき，図８および図９に示すように，露出される第１放電電極２１４および第２放電電極２１５の部分を，別途の誘電体層２７５で覆うことも可能であるが，誘電体層２７５を横隔壁部２２８ｂと一体に形成することも可能である。この場合，第１の実施形態にかかるＰＤＰ１００で，相対的に広い幅Ａ１を有する横隔壁部１２８ｂの下側に凹部を形成することが製造方法において有利である。

また，ＰＤＰ２００は，第１の実施形態と同様に，アドレス電極２１３の延設方向（ｘ軸方向）に配置された単位ピクセル２５０が，所定の距離ｇ１で離隔されている。ここで，離隔された間の部分２４１を形成するために，アドレス電極２１３の延設方向（ｘ軸方向）に配置された単位ピクセル２５０をそれぞれ区画する縦隔壁部２２８ａが所定の距離ｇ１で離隔され，その離隔された間の部分２４１に非放電領域（以下，「非放電領域２４１」とする）が形成される。ただし，非放電領域２４１にアドレス電極２１３が露出される場合，アドレス電極２１３の損傷の危険がある。このため，縦隔壁部２２８ａの間に露出されるアドレス電極２１３は，誘電体層２７６で覆われることが望ましい。

このように，異なる単位ピクセル２５０に配置された第２放電電極２１５（または第１放電電極２１４）の間と，異なる単位ピクセル２５０に配置されたアドレス電極２１３の間に，非放電領域２４０，２４１が形成される。これにより，第１放電電極２１４間および第２放電電極２１５間の非誘電率が低下する。また，単位ピクセル２５０内に配置された第２放電電極２１５間の距離Ｆ２に比べて，異なる単位ピクセル２５０に配置された第２放電電極２１５間の距離Ｆ１が長くなる。例えば，図示されてはいないが，隣接する単位ピクセル２５０において，隣接するアドレス電極２１３の間の距離が，単位ピクセル内に配置されたアドレス電極２１３の間の距離より長くなる。

したがって，隣接する単位ピクセルに配置された第２放電電極２１５間，および隣接する単位ピクセルに配置されたアドレス電極２１３の電気容量が減少して，変位電流が減少するので，無効電力が減少する。その他に，第２放電電極２１５およびアドレス電極２１３の延設方向に配置された単位ピクセルの間の離隔による無効電力の減少などについては，上述した第１の実施形態と類似するので，ここではその説明を省略する。

また，凹部２２０ａが形成された前面基板２２０，蛍光体層２２６，保護層２１９，第１放電電極２１４，第２放電電極２１５，背面基板２１０および放電ガスに関しては，上述した第１の実施形態に対応する構成要素と構造および作用が類似しているため，ここではその説明を省略する。また，赤色発光放電セル２３０Ｒ，緑色発光放電セル２３０Ｇ，青色発光放電セル２３０Ｂにそれぞれ対応する，実質的に正方形の赤色サブピクセル２５０Ｒ，緑色サブピクセル２５０Ｇ，青色サブピクセル２５０Ｂａ，２５０Ｂｂと，１個の赤色サブピクセル２５０Ｒ，１個の緑色サブピクセル２５０Ｇおよび２個の青色サブピクセル２５０Ｂａ，２５０Ｂｂを備える実質的に正方形の単位ピクセル２５０とについても，上述した第１の実施形態と類似している。また，本実施形態にかかるＰＤＰ２００の作動も，第１の実施形態と類似しているので，ここでの説明は省略する。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，ＰＤＰに関連した技術分野に適用可能である。

従来の一般的なＰＤＰの分離斜視図である。 本発明の第１の実施形態にかかるＰＤＰの分離斜視図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。 図２に示す放電セルおよび電極を概略的に示す説明図である。 図３のＶ−Ｖ線による放電セル，サブピクセルおよび単位ピクセルを示す説明図である。 図３のＶＩ−ＶＩ線による放電セル，サブピクセルおよび単位ピクセルを示す説明図である。 本発明の第１の実施形態にかかるＰＤＰの変形例であって，図５に対応する説明図である。 本発明の第２の実施形態にかかるＰＤＰの分離斜視図である。 図８のＩＸ−ＩＸ線による断面図である。 図９のＸ−Ｘ線による放電セル，サブピクセルおよび単位ピクセルを示す説明図である。

符号の説明

１００ ＰＤＰ
１１０ 背面基板
１１３ アドレス電極
１１４ 第１放電電極
１１５ 第２放電電極
１１９ 保護層
１２０ 前面基板
１２０ａ 凹部
１２６ 蛍光体層
１２８ 隔壁
１２８ａ 縦隔壁部
１２８ｂ 横隔壁部
１３０ 放電セル

Claims (22)

1. 背面基板と；
   前記背面基板と離隔して配置された前面基板と；
   前記前面基板と前記背面基板との間に配置され，前記背面基板および前記前面基板と共にサブピクセルに対応する複数の放電セルを区画する隔壁と；
   一方向に配置された前記放電セルを取り囲み，互いに平行に延設されることによりこれらの電極間で放電する複数対の第１放電電極および第２放電電極と；
   前記放電セルを取り囲み，前記第１放電電極および前記第２放電電極の延設方向と交差する方向に延設されたアドレス電極と；
   前記放電セル内に配置された蛍光体層と；
   前記放電セル内にある放電ガスと；
   を備え，
   所定の個数の前記サブピクセルから単位ピクセルが構成され，
   少なくとも一方向に隣接する前記単位ピクセルは，前記単位ピクセルを構成する前記サブピクセル間の間隔よりも大きい所定の間隔を有して離隔して配置されることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル。
2. 前記第１放電電極または前記第２放電電極の延設方向に配置された前記単位ピクセルは，所定の間隔を有して離隔して配置されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記アドレス電極の延設方向に配置された前記単位ピクセルは，所定の間隔を有して離隔して配置されることを特徴とする，請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 隣接する前記単位ピクセルを区画する隔壁は，所定の間隔を有して離隔して配置され，
   隣接する前記単位ピクセルを離隔して形成された空間部分には，非放電領域が形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 隣接する前記単位ピクセルは，少なくとも一つの隔壁を共有して配置され，
   隣接する前記単位ピクセルによって共有された前記隔壁の幅は，前記単位ピクセルの内部で前記各サブピクセルを区画する隔壁の幅より大きいことを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記隔壁は，前記アドレス電極の延設方向に延びる横隔壁部，および前記横隔壁部と交差する縦隔壁部を備えることを特徴とする，請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 相隣接する前記単位ピクセルを区画する前記縦隔壁部の幅は，前記各単位ピクセルの内部で前記各サブピクセルを区画する前記縦隔壁部の幅より大きいことを特徴とする，請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 相隣接する前記単位ピクセルを区画する前記横隔壁部の幅は，前記各単位ピクセルの内部で前記各サブピクセルを区画する前記横隔壁部の幅より大きいことを特徴とする，請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前記単位ピクセルは，４個のサブピクセルを備えることを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
10. 前記単位ピクセルは，１つの赤色サブピクセル，１つの緑色サブピクセルおよび２つの青色サブピクセルを備えることを特徴とする，請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
11. 前記各サブピクセルは，正方形に形成されることを特徴とする，請求項９または１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
12. 前記単位ピクセルは，正方形に形成されることを特徴とする，請求項９〜１１のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
13. 前記単位ピクセルは，３つのサブピクセルを備えることを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
14. 前記各サブピクセルは，長方形に形成されることを特徴とする，請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
15. 前記単位ピクセルは，正方形に形成されることを特徴とする，請求項１３または１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
16. 前記第１放電電極および前記第２放電電極は，前記隔壁内において，前記前面基板に対して略垂直方向に離隔されるように配置され，
    前記隔壁は，誘電体で形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
17. 前記アドレス電極は，前記隔壁内に配置され，
    前記隔壁は，誘電体で形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
18. 前記蛍光体層は，前記前面基板と，前記第１放電電極および前記第２放電電極との間に配置されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
19. 前記放電セルに対向する前記前面基板上には，凹部が形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
20. 前記蛍光体層は，前記凹部内に配置されることを特徴とする，請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
21. 前記凹部は，前記放電セルにそれぞれ対応して，非連続的に形成されることを特徴とする，請求項１９または２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
22. 前記隔壁の側面の少なくとも一部を覆う保護層をさらに備えることを特徴とする，請求項１〜２１のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
    

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