JP4384682B2 - 記憶装置 - Google Patents
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Description
<電源投入時に関して>
上記記憶装置1に電源が投入されると、作成手段510に備えられた物理ブロックテーブル作成手段521は、記憶装置1に設けられたアドレス制御部5のRAM上に、上記各物理ブロックBの使用状態を示す物理ブロックテーブル52を作成する。ここで、図3に物理ブロックテーブル52の作成手順の一例を示す。
一方、フラグ領域90の値が無効値であると判断したとき、上記論理ブロックテーブル作成手段531は、手順504を行わずに、手順505に移行する。
0の値が有効値であるか無効値であるかを判断する(図7、S703)。フラグ領域90が有効値であると判断した場合、第1のテーブル作成手段511は、当該フラグ領域90が属するページAの物理アドレスと、当該ページAに格納された第2のテーブル80が保持する識別番号(本実施の形態では、論理アドレスの上位13ビットを含む)とを取得する(図7、S704)。この識別番号は、図8に示す第1のテーブル51内の1つの領域50を特定するための識別子である。本実施の形態では、識別番号は論理アドレスの上位13ビットのビット列を含んでいるものとする。
上記物理ブロックテーブル52、論理ブロックテーブル53、上記第1のテーブル51が作成されると、上記記憶装置1は、データ入出力装置7からのデータの書込みを受け付けることができるようになる。尚、本実施の形態では、不揮発性メモリ2に構成される論理ブロックCは16キロバイトとする。そのため、当該不揮発性メモリ2には、1ギガバイト/16キロバイト=2^16個の論理ブロックCが構成されることになるので、論理ブロックCを表現するには、16ビットの情報が必要である。そこで、データ入出力装置7から記憶装置1へのデータの書込要求は、16キロバイトのデータと16ビットの論理アドレスSとから構成されることになる。
上記書込手段100は、特定した領域50に登録された上記第1の物理アドレス、即ち第2のテーブル80が格納されたページAの物理アドレスの所定の16ビットを読み取り、当該読み取った物理アドレスに‘01000’を付加して第2のテーブル80が格納されたページAの物理アドレスを生成する。
上述のように本発明の記憶装置1の不揮発性メモリ2の記憶容量は、1ギガバイトであり、論理ブロックCは16キロバイトであるので、当該不揮発性メモリ2には、2^16個の論理ブロックCが構成されることになる。そこで、不揮発性メモリ2内に構成された1つの論理ブロックCを表現するには、16ビットの情報が必要である。
上記のように、所定の周期で書込処理が行われると、上記不揮発性メモリ2には、有効なデータと無効なデータが格納された物理ブロックBが多数存在するようになる。不揮発性メモリのデータの消去単位は物理ブロックBであるため、このような有効なデータと無効なデータがある物理ブロックBを消去すると、有効なデータまでも消去してしまうことになる。
上記書込手段100は、上記で無効テーブルと認定した第2のテーブル80が格納されたページAのフラグ領域90の値を無効値に更新する処理を行っている。しかし、書込処理をできるだけ高速に行うためには、このような処理を省かなければならない。
2 不揮発性メモリ
51 第1のテーブル
52 物理ブロックテーブル
53 論理ブロックテーブル
54 エントリカウンタ
55 アドレスレジスタ
60 読出手段
70 消去手段
80 第2のテーブル
100 書込手段
511 第1のテーブル作成手段
521 物理ブロックテーブル作成手段
522 不良物理ブロック判断手段
523 使用状態設定手段
531 論理ブロックテーブル作成手段
532 有効状態設定手段
Claims (6)
- 物理ブロックを複数個含む1以上の不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリから選択した複数の物理ブロックを書込物理ブロック群とし、前記書込物理ブロック群を複数の物理ブロックにまたがって所定ページ数毎に分割した単位領域を論理ブロックとして管理し、前記論理ブロックに論理アドレスを割り当てる論理ブロック管理手段と、
前記論理アドレスに基づき前記論理ブロックの記憶位置を特定するアドレス制御手段と、
前記アドレス制御手段の特定に従って、前記不揮発性メモリに対してデータの書き込み/読み出しを行うデータ書込/読出手段と、
を備える記憶装置。 - 前記論理ブロック管理手段は、
データ入出力装置から書込み要求と論理アドレスを受け付けると、
前記論理ブロックを書き込み可能な前記書込物理ブロック群を決定して、前記書込物理ブロック群の中で論理ブロックを構成するページのつながりを示す連鎖情報を生成し、
前記連鎖情報を前記不揮発性メモリへ書き込むことを特徴とする請求項1記載の記憶装置。 - 前記論理ブロック管理手段は、
同一論理ブロックを構成する一部のページに複数の前記連鎖情報を書き込むことを特徴とする請求項2記載の記憶装置。 - 前記論理ブロック管理手段は、
前記論理ブロック単位でデータの有効無効を管理し、その有効無効の結果を保持する保持手段を有することを特徴とする請求項1記載の記憶装置 - 前記論理ブロック管理手段は、
前記論理ブロック単位でデータの有効無効を管理する論理ブロックテーブルを有し、
前記書込物理ブロック群の中に構成された前記論理ブロックが前記論理ブロックテーブル上で所定数以上「無効」となっている物理ブロック群を消去物理ブロック群として選択し、
前記論理ブロックテーブル上で「有効」となっている論理ブロックのデータを前記消去物理ブロック群とは別の物理ブロック群へ退避した後、前記消去物理ブロック群を消去することを特徴とする請求項1記載の記憶装置。 - 前記論理ブロック管理手段は、
物理ブロックが不良であるか否かを判定する不良物理ブロック判断手段と、
不良物理ブロックを検出した場合に、当該物理ブロックを含んで構成される複数の論理ブロックをすべて論理ブロックテーブルでは「有効」と登録する有効状態設定手段と、
を備えることを特徴とする請求項5記載の記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007196755A JP4384682B2 (ja) | 2001-03-22 | 2007-07-27 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001083104 | 2001-03-22 | ||
JP2001257349 | 2001-08-28 | ||
JP2001260250 | 2001-08-29 | ||
JP2007196755A JP4384682B2 (ja) | 2001-03-22 | 2007-07-27 | 記憶装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002080380A Division JP4015866B2 (ja) | 2001-03-22 | 2002-03-22 | 記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007280431A JP2007280431A (ja) | 2007-10-25 |
JP4384682B2 true JP4384682B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=27346327
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002080380A Expired - Lifetime JP4015866B2 (ja) | 2001-03-22 | 2002-03-22 | 記憶装置 |
JP2007196755A Expired - Lifetime JP4384682B2 (ja) | 2001-03-22 | 2007-07-27 | 記憶装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002080380A Expired - Lifetime JP4015866B2 (ja) | 2001-03-22 | 2002-03-22 | 記憶装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6938144B2 (ja) |
EP (1) | EP1244019A3 (ja) |
JP (2) | JP4015866B2 (ja) |
KR (3) | KR100862584B1 (ja) |
CN (1) | CN1276358C (ja) |
TW (1) | TW564346B (ja) |
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2002
- 2002-03-20 US US10/101,268 patent/US6938144B2/en not_active Ceased
- 2002-03-21 CN CNB021079013A patent/CN1276358C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-21 TW TW091105420A patent/TW564346B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-21 EP EP02252034A patent/EP1244019A3/en not_active Withdrawn
- 2002-03-22 JP JP2002080380A patent/JP4015866B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-22 KR KR1020020015575A patent/KR100862584B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-07-27 JP JP2007196755A patent/JP4384682B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2007-08-30 US US11/896,278 patent/USRE42263E1/en not_active Expired - Lifetime
- 2007-10-10 KR KR1020070102128A patent/KR100880415B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-10-10 KR KR1020080099593A patent/KR20080094882A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW564346B (en) | 2003-12-01 |
EP1244019A3 (en) | 2004-11-10 |
CN1276358C (zh) | 2006-09-20 |
JP2003150443A (ja) | 2003-05-23 |
EP1244019A2 (en) | 2002-09-25 |
US20020156988A1 (en) | 2002-10-24 |
KR20070104874A (ko) | 2007-10-29 |
KR100862584B1 (ko) | 2008-10-09 |
KR20080094882A (ko) | 2008-10-27 |
USRE42263E1 (en) | 2011-03-29 |
JP2007280431A (ja) | 2007-10-25 |
JP4015866B2 (ja) | 2007-11-28 |
KR100880415B1 (ko) | 2009-01-30 |
KR20020075291A (ko) | 2002-10-04 |
CN1376980A (zh) | 2002-10-30 |
US6938144B2 (en) | 2005-08-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090925 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
EXPY | Cancellation because of completion of term |