JP4383498B2 - 磁気媒体の製造法及びmramの製造法 - Google Patents
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Description
MR比=(Rmax−Rmin)/Rmin=ΔR/Rmin=Δρ/ρ …… 式(1)
上記式(1)において、Rmaxはフリー層の磁化方向とピン層の磁化方向が同じ場合の抵抗、Rminはフリー層の磁化方向とピン層の磁化方向が反対の場合の抵抗である。また、ρは、多層膜の比抵抗であり、ピン層又は多層膜全体の厚さをtとすると、ρ=R×tである。
基板の外側周囲を回転する磁界発生手段を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー、基板、及び磁性体からなる、前記基板径より小径の磁性体ターゲットを用意し、前記チャンバ内に、前記基板の中心軸と前記磁性体ターゲットの中心軸とが交差するように、前記基板、前記磁性体ターゲットを配置すること、並びに、
前記チャンバー内を排気し、前記チャンバー内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板を回転させ、前記磁界発生手段を前記基板の外周の周りにおいて、前記基板の回転と同期させて回転させながらマグネトロンスパッタリング法により、該基板の上に磁性膜を成膜する工程
を有することを特徴とする磁気媒体の製造法を提供する。
2 カソード
21 ターゲット
22 カソードマグネット
3 ホルダー
33 回転機構
4 ガス導入系
5 ゲートバルブ
6 ロードロックチャンバー
7 容易軸付与用磁界発生装置
8 基板
91 下部シールド
92 上部シールド
93 GMR素子
931 ピン層
932 フリー層
933 非磁性層
Claims (5)
- 基板の外側周囲を回転する磁界発生手段を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー、基板、及び磁性体からなる、前記基板径より小径の磁性体ターゲットを用意し、前記チャンバ内に、前記基板の中心軸と前記磁性体ターゲットの中心軸とが交差するように、前記基板、前記磁性体ターゲットを配置すること、並びに、
前記チャンバー内を排気し、前記チャンバー内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板を回転させ、前記磁界発生手段を前記基板の外周の周りにおいて、前記基板の回転と同期させて回転させながらマグネトロンスパッタリング法により、該基板の上に磁性膜を成膜する工程を有することを特徴とする磁気媒体の製造法。 - 前記基板の中心軸と前記磁性体ターゲットの中心軸とが、15°〜45°の範囲で交差することを特徴とする請求項1に記載の磁気媒体の製造法。
- 前記磁性体ターゲットが、CoFeターゲット又はNiFeターゲットであることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気媒体の製造法。
- 前記磁気媒体が、TMR媒体又はGMR媒体であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気媒体の製造法。
- 前記請求項1乃至4のいずれか1項に記載された磁気媒体の製造法を用いてMRAMを製造することを特徴とするMRAMの製造法。
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