JP4234779B2 - 磁気媒体の製造法及びmramの製造法 - Google Patents
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Description
MR比=(Rmax−Rmin)/Rmin=ΔR/Rmin=Δρ/ρ …… 式(1)
マグネトロンスパッタリングのためのチャンバー、基板、磁性体からなる、前記基板径より小径の第1ターゲット、及び該磁性体とは異種材料からなる、前記基板径より小径の第2ターゲットを用意し、前記チャンバー内に、前記基板の中心軸と前記第1ターゲットの中心軸とが交差し、且つ、前記基板の中心軸と前記第2ターゲットの中心軸とが交差するように、前記基板、前記第1ターゲットと第2ターゲットとを配置すること、並びに、
前記チャンバー内を排気し、前記チャンバー内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板を回転させながらマグネトロンスパッタリング法により、該基板の上に磁性膜及び異種材料膜を有する積層膜を成膜する工程を有し、前記第1及び第2ターゲットの中心軸が、前記基板面を含む平面と該基板面の外側で交差するように、該第1及び第2ターゲット及び該基板を配置することを特徴とする磁気媒体の製造法を提供する。
2 カソード
21 ターゲット
22 カソードマグネット
3 ホルダー
33 回転機構
4 ガス導入系
5 ゲートバルブ
6 ロードロックチャンバー
7 容易軸付与用磁界発生装置
8 基板
91 下部シールド
92 上部シールド
93 GMR素子
931 ピン層
932 フリー層
933 非磁性層
Claims (6)
- マグネトロンスパッタリングのためのチャンバー、基板、磁性体からなる、前記基板径より小径の第1ターゲット、及び該磁性体とは異種材料からなる、前記基板径より小径の第2ターゲットを用意し、前記チャンバー内に、前記基板の中心軸と前記第1ターゲットの中心軸とが交差し、且つ、前記基板の中心軸と前記第2ターゲットの中心軸とが交差するように、前記基板、前記第1ターゲットと第2ターゲットとを配置すること、並びに、
前記チャンバー内を排気し、前記チャンバー内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板を回転させながらマグネトロンスパッタリング法により、該基板の上に磁性膜及び異種材料膜を有する積層膜を成膜する工程を有し、前記第1及び第2ターゲットの中心軸が、前記基板面を含む平面と該基板面の外側で交差するように、該第1及び第2ターゲット及び該基板を配置することを特徴とする磁気媒体の製造法。 - 前記基板の中心軸と前記磁性体ターゲットの中心軸とが、15°〜45°の範囲で交差することを特徴とする請求項1に記載の磁気媒体の製造法。
- 前記第1ターゲットが、CoFeターゲット又はNiFeターゲットであることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気媒体の製造法。
- 前記異種材料が、非磁性体であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気媒体の製造法。
- 前記磁気媒体が、TMR媒体又はGMR媒体であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気媒体の製造法。
- 前記請求項1乃至5のいずれか1項に記載された磁気媒体の製造法を用いてMRAMを製造することを特徴とするMRAMの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008205520A JP4234779B2 (ja) | 2008-08-08 | 2008-08-08 | 磁気媒体の製造法及びmramの製造法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2000219891A Division JP2002043159A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 磁性膜作成装置及びgmrヘッド又はtmrヘッドの製造方法 |
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JP2009013501A (ja) | 2009-01-22 |
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