JP4370715B2 - 光記録媒体及びその再生方法 - Google Patents
光記録媒体及びその再生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4370715B2 JP4370715B2 JP2000331396A JP2000331396A JP4370715B2 JP 4370715 B2 JP4370715 B2 JP 4370715B2 JP 2000331396 A JP2000331396 A JP 2000331396A JP 2000331396 A JP2000331396 A JP 2000331396A JP 4370715 B2 JP4370715 B2 JP 4370715B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- dielectric
- recording medium
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光を照射して情報の記録再生を行う光記録媒体及びその再生方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、光記録媒体は高度情報社会における記録媒体の中心的役割の担い手として注目されている。例えば、波長780nmの光を利用した再生専用型の光記録媒体としては、音楽情報やプログラムなどが記録されるCD(CompactDisc)、画像情報が記録されるビデオCDなどが知られ、記録再生の光記録媒体としては、CD−R、PD、MOディスクなどがある。これらの光記録媒体は、さらなる高度情報化に伴ってその記録密度がますます向上している。
この種の光記録媒体の記録密度の限界は、光ピックアップの光学系のMTF(空間周波数)によって決まる。このMTFは、再生波長をλ、対物レンズの開口数をNAとすると、λ/(4×NA)と表わされる。このため、記録密度を高密度にするためには、λを小さくし、NAを大きくすることが必要となる。現在、光ピックアップの光学系ではλは〜400nm、NAは0.75〜0.85程度のものが開発 されており、より高密度化が進んでいる。
【0003】
しかしながら、記録容量の大容量化への要求は強く、更に大容量、高密度な光記録媒体の実現が望まれている。そのためには、λをより短く、NAをより大きくすることが検討されているが、それらの開発も限界に近づいており、新たな技術の開発が必要とされている。
そこで、この新たな技術のひとつとして、近接場光を用いた光ディスクシステムが提案されている。この近接場光は通常、遠方に伝播せず、光が照射された第1の微少物質の表面に局在しているが、その物質近傍にその物質と同程度の大きさの第2の物質を非常に近づけ、近接場光を散乱してやれば遠方で観測することができ、また近接場光の分解能は入射光の波長によらず、二つの物質の大きさと距離によるため、従来の光ディスクシステムでは検出できなかった微少な物質を検出できる、という特性を有する。このため、光ディスクシステムにおいては、上記第1の物質にあたる媒体の記録マーク周辺に発生する近接場光を再生するため、上記第2の物質にあたるプローブの開発が行われている。
【0004】
また、プローブを用いず、記録媒体のみの改善で近接場光を検出する散乱型Super-RENS方式と呼ばれる光ディスクシステムも提案されている(Jpn.J.Appl.Phy.Vol.39,pp.980-981(2000))。これは、記録膜の近傍に光の照射により金属微粒子の生成と消滅が可逆的に起こる膜を配置し、その金属微粒子がプローブの役割をはたし、微少な記録マークを再生できるという光ディスクシステムである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近接場光を効率良く再生信号として利用するためには、記録マークと金属微粒子のそれぞれの大きさ及びこれらの二つの距離が重要になり、金属微粒子と記録マークの大きさが同程度である時、最も効率的に近接場光を検出できるという特性を有する。
しかしながら、上記Super-RENS方式では化学反応により金属微粒子を生成するようにしているので、その粒子サイズのコントロールがかなり困難であり、所望するサイズの金属微粒子を形成することがむつかしい、といった問題があった。
本発明は、上記問題に鑑みて成されたものであり、近接場光を効率よく用いて回折限界を越えた高密度記録が可能な光記録媒体及びその再生方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、光透過性の基板と、前記基板上に形成された第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜上に形成され、結晶−アモルファス変化によって所定の情報が記録マークとして記録される記録膜と、前記記録膜上に形成された第2の誘電体膜と、前記第2の誘電体膜上に形成された反射膜と、前記反射膜上に形成された保護膜と、備え、前記反射膜は、誘電体と、前記誘電体中に分散し、前記基板側から前記反射膜に向けて前記記録マークよりも大きなスポットの光が照射されたときに前記記録マークの周辺に発生する近接場光を散乱させる金属微粒子と、を有し、前記記録マークは前記光の回折限界以下の大きさを有し、前記散乱された近接場光が検出されることによって前記所定の情報が再生されることを特徴とする光記録媒体である。
これにより、分散されている金属微粒子がプローブとして機能して記録マークの近傍に局在する近接場光を散乱し、回折限界以下の微小な記録マークを認識して情報を再生することが可能となる。
【0007】
この場合、例えば請求項2に規定するように、前記誘電体は、SiO2、ZnS-SiO2、Al2O3、SiNの内のいずれか1つである。
また、例えば請求項3に規定するように、前記金属微粒子は、Au、Ag、Alの内のいずれか1つ以上の粒子である。
更に、例えば請求項4に規定するように、前記金属微粒子のサイズは、前記記録マークの最短長と同じである。
【0008】
また更に、例えば請求項5に規定するように、前記第2の誘電体膜の厚さは、前記記録膜の膜厚以下である。
また、請求項6に規定するように、前記光透過性の基板と前記第1の誘電体膜との間に形成され、前記光の照射による温度変化により光透過率が可逆的に変化するマスク層をさらに備えるようにしてもよい。
請求項7の発明は、第1の誘電体膜、結晶−アモルファス変化によって所定の情報が、照射される光の回折限界以下の記録マークとして記録されている記録膜、第2の誘電体膜、誘電体中に金属微粒子が分散している反射膜、及び保護膜が順次積層された光透過性の基板を備えた光記録媒体に、前記基板側から前記反射膜に向けて前記記録マークよりも大きなスポットの前記光を照射し、前記記録マークの周辺に近接場光を発生させると共に前記近接場光を前記金属微粒子で散乱させ、前記散乱した近接場光を検出することによって前記所定の情報を再生することを特徴とする光記録媒体の再生方法である。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る光記録媒体及びその再生方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明の光記録媒体の第1実施例を示す拡大断面図、図2は本発明の光記録媒体の第2実施例を示す拡大断面図、図3は反射膜の断面構造を示す模式図、図4は本発明の光記録媒体と比較例のC/N特性を示すグラフである。
まず、図1に示すように、この記録再生が可能な光記録媒体としての光ディスクD1は、読み取り、或いは書き込み用のレーザ光Lに対して光透過性の基板2を有しており、この上面に、第1の誘電体膜4、結晶−アモルファス変化を可逆的に起こす記録膜6、第2の誘電体膜8、反射膜10及び保護膜12を順次積層して形成されている。ここで、図2に示す第2実施例のように基板2と第1の誘電体膜4との間に、光の照射による温度変化に起因して光透過率が可逆的に変化するマスク層14を介在させるようにしてもよい。
【0010】
上記基板2としては例えばポリカーボネート樹脂板、ガラス板等を用いることができ、上記第1及び第2の誘電体膜4、8としては、ZnS−SiO2 、Al2 O3 、SiN等を用いることができる。また、上記結晶−アモルファス変化を可逆的に起こす記録層6としては、AgInSbTeやGeSbTe等を用いることができ、上記保護膜12としては、紫外線硬化樹脂等を用いることができる。また、上記マスク層14としては、サーモクロミック材をもちいることができる。また、反射膜10は、図3に示すように誘電体10A中に金属微粒子10Bを分散させて形成しており、この誘電体8Aとしては、例えばSiO2 、ZnS−SiO2 、Al2 O3 、SiNの内のいずれか1つを選択的に用いることができる。更には、この誘電体10A中に分散させる金属微粒子10Bとしては、Au、Ag、Al等の微粒子を単独で、或いはこれらの2つ以上を混合して用いることができる。この金属微粒子10Bは、誘電体10Aと固溶しないものを選ぶ必要がある。
【0011】
この場合、上記金属微粒子のサイズを、最短記録マーク長と同程度に設定するようにすれば、近接場光の測定感度を最大にできる、という理由から望ましい。また、上記第2の誘電体膜8の厚さを、記録膜の膜厚以下に設定することが、近接場光が局在しているのは、記録膜の膜厚程度の距離であり記録マークと金属微粒子の距離は、それ以下にする必要がある、という理由から望ましい。
このように構成された光ディスクD1では、反射膜10の誘電体10A中に分散された金属微粒子10Bが前記プローブとしての役割を果たし、記録マーク(図示せず)の近傍に局在する近接場光を散乱し、レーザ光Lの回折限界以下の微少な記録マークの再生が可能となる。
ここで、以下に記すように本発明の光記録媒体である実施例1、2と従来の光ディスクである比較例1とを実際に作成し、その評価を行ったので、評価結果について説明する。
【0012】
(実施例1)
ポリカーボネートよりなる光透過性の基板2上に、第1の誘電体膜4としてZnS-SiO2を厚み75nm、結晶−アモルファス変化を可逆的に起こす相変化型の記録膜6としてAgInSbTeを厚み20nm、第2の誘電体膜8としてZnS-SiO2を厚み10nm、反射膜10としてSiO2よりなる誘電体10A中にAgよりなる金属微粒子10Bを分散させた膜を厚み100nmだけそれぞれ積層させて形成した。その後、保護膜12 として紫外線硬化樹脂を塗布した。
上記各膜の形成は、保護膜12を除いて同一スパッタリング装置内ですべての膜の成膜を行った。また、反射膜10の形成はSiO2ターゲット上にAgチップを置いて行い、チップの数により膜中のAg粒子の密度、大きさのコントロールを行った。
【0013】
(実施例2)
光透過性の基板2上に、光の照射による温度変化により光透過率が可逆的に変化する有機色素からなるマスク層14をスピンコートまたは真空蒸着等の方法で形成した。その後、上記実施例1と同様の材料、膜厚で第1の誘電体膜4、結晶−アモルファス変化を可逆的に起こす相変化型の記録膜6、第2の誘電体膜8、反射膜10、保護膜12を形成した。
(比較例)
反射膜としてAlを150nmの厚みで形成した点を除いて、他の膜は上記実施例1 と同様な構成にして、従来の光ディスクを作成した。
図4に実施例1、2と比較例の光ディスクのC/Nのマーク長依存性を示す。こ の時の測定はレーザ波長が635nm、NAが0.6、線速度が3.5m/sec、記録パワー が15mW、再生パワーが0.9mW(比較例)、4mW(実施例1、2) の条件で行った。こ のグラフから明らかなように実施例1、2は同様な特性を示しており、共にマーク長が0.1μm程度の微少な記録マークの再生が可能である。これに対して、マーク長が0.1μm程度の微少な記録マークの再生は行うことができず、本発明の実施例1、2は優れた特性を示すことが判明した。
尚、本実施例では、片面のみの光ディスクを例にとって説明したが、これに限定されず、例えば貼り合わせ型の光ディスクのように両面型の光ディスクにも本発明を適用できるのは勿論である。
【0014】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光記録媒体及びその再生方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
近接場光を利用して使用するレーザ光の回折限界以下の微小記録マークを再生することができるので、高記録密度を一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光記録媒体の第1実施例を示す拡大断面図である。
【図2】本発明の光記録媒体の第2実施例を示す拡大断面図である。
【図3】反射膜の断面構造を示す模式図である。
【図4】本発明の光記録媒体と比較例のC/N特性を示すグラフである。
【符号の説明】
2…基板、4…第1の誘電体膜、6…記録膜、8…第2の誘電体膜、10…反射膜、10A…誘電体、10B…金属微粒子、12…保護膜、14…マスク層、D1…光ディスク(光記録媒体)。
Claims (7)
- 光透過性の基板と、
前記基板上に形成された第1の誘電体膜と、
前記第1の誘電体膜上に形成され、結晶−アモルファス変化によって所定の情報が記録マークとして記録される記録膜と、
前記記録膜上に形成された第2の誘電体膜と、
前記第2の誘電体膜上に形成された反射膜と、
前記反射膜上に形成された保護膜と、
を備え、
前記反射膜は、
誘電体と、
前記誘電体中に分散し、前記基板側から前記反射膜に向けて前記記録マークよりも大きなスポットの光が照射されたときに前記記録マークの周辺に発生する近接場光を散乱させる金属微粒子と、を有し、
前記記録マークは前記光の回折限界以下の大きさを有し、
前記散乱された近接場光が検出されることによって前記所定の情報が再生されることを特徴とする光記録媒体。 - 前記誘電体は、SiO2、ZnS-SiO2、Al2O3、SiNの内のいずれか1つであること を特徴とする請求項1記載の光記録媒体。
- 前記金属微粒子は、Au、Ag、Alの内のいずれか1つ以上の粒子であることを特徴とする請求項1または2記載の光記録媒体。
- 前記金属微粒子のサイズは、前記記録マークの最短長と同じであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記第2の誘電体膜の厚さは、前記記録膜の膜厚以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記光透過性の基板と前記第1の誘電体膜との間に形成され、前記光の照射による温度変化により光透過率が可逆的に変化するマスク層をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 第1の誘電体膜、結晶−アモルファス変化によって所定の情報が、照射される光の回折限界以下の記録マークとして記録されている記録膜、第2の誘電体膜、誘電体中に金属微粒子が分散している反射膜、及び保護膜が順次積層された光透過性の基板を備えた光記録媒体に、前記基板側から前記反射膜に向けて前記記録マークよりも大きなスポットの前記光を照射し、前記記録マークの周辺に近接場光を発生させると共に前記近接場光を前記金属微粒子で散乱させ、前記散乱した近接場光を検出することによって前記所定の情報を再生することを特徴とする光記録媒体の再生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000331396A JP4370715B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体及びその再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000331396A JP4370715B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体及びその再生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002133720A JP2002133720A (ja) | 2002-05-10 |
JP4370715B2 true JP4370715B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=18807744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000331396A Expired - Fee Related JP4370715B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体及びその再生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4370715B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100922870B1 (ko) * | 2002-09-28 | 2009-10-20 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 재생전용 광디스크 |
JP2007171790A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Ushio Inc | フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 |
JP2007220933A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000331396A patent/JP4370715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002133720A (ja) | 2002-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100734641B1 (ko) | 광기록매체, 광기록/재생장치, 광기록장치 및 광재생장치,광기록매체용 데이터 기록/재생 방법 및 데이터 기록방법및 데이터 재생 방법 | |
JP2004310803A (ja) | 超解像近接場構造の記録媒体、その再生方法及び再生装置 | |
JP3995644B2 (ja) | 高密度再生専用光ディスク | |
JP3852408B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH08203126A (ja) | 光学的情報記録媒体ならびに光学的情報再生方法および 光学的情報記録再生消去方法 | |
JP3363112B2 (ja) | 積層光記録媒体、積層光記録媒体の再生方法および積層光記録媒体の再生装置 | |
Tominaga et al. | Optical near-field recording: science and technology | |
JP4370715B2 (ja) | 光記録媒体及びその再生方法 | |
JP3240306B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH02152029A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPWO2003052756A1 (ja) | 光情報再生方法、光ヘッド装置、および光情報処理装置 | |
JP4083745B2 (ja) | 光記憶用新材料としての2層光転写レジストの利用 | |
EP1543505A1 (en) | High density recording medium with super-resolution near-field structure manufactured using high-melting point metal oxide or silicon oxide mask layer | |
JP4040280B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPH0362321A (ja) | 光記録装置 | |
JP2002092956A (ja) | 光学情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH07105063B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
JP2527476B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2002025057A (ja) | 光学読み取り・書き込み方法、情報記録媒体、及び光学装置 | |
JPH07105064B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
JP2009070519A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法、並びに該光記録媒体の再生方法 | |
JP2006085845A (ja) | 多層光情報記録媒体及び光情報記録再生装置 | |
TW464840B (en) | Optical recording medium | |
Orlic | Optical information storage and recovery | |
JP3980544B2 (ja) | 光情報記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090707 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090811 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090824 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |