JP2002133720A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接場光を効率よく用いて回折限界を越えた
高密度記録が可能な光記録媒体を提供する。 【解決手段】 光透過性の基板２上に、第１の誘電体膜
４、結晶−アモルファス変化を起こす記録膜６、第２の
誘電体膜８、反射膜１０及び保護膜１２の順に積層され
てなる書き換え可能な光記録媒体において、前記反射膜
は、誘電体１０Ａ中に金属微粒子１０Ｂを分散してなる
膜よりなる。これにより、近接場光を効率よく用いて回
折限界を越えた高密度記録を可能とする。
高密度記録が可能な光記録媒体を提供する。 【解決手段】 光透過性の基板２上に、第１の誘電体膜
４、結晶−アモルファス変化を起こす記録膜６、第２の
誘電体膜８、反射膜１０及び保護膜１２の順に積層され
てなる書き換え可能な光記録媒体において、前記反射膜
は、誘電体１０Ａ中に金属微粒子１０Ｂを分散してなる
膜よりなる。これにより、近接場光を効率よく用いて回
折限界を越えた高密度記録を可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を照射して情報
の記録再生を行う光記録媒体に関する。
の記録再生を行う光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光記録媒体は高度情報社会にお
ける記録媒体の中心的役割の担い手として注目されてい
る。例えば、波長７８０ｎｍの光を利用した再生専用型
の光記録媒体としては、音楽情報やプログラムなどが記
録されるＣＤ（ＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｃ）、画像情報が
記録されるビデオＣＤなどが知られ、記録再生の光記録
媒体としては、ＣＤ−Ｒ、ＰＤ、ＭＯディスクなどがあ
る。これらの光記録媒体は、さらなる高度情報化に伴っ
てその記録密度がますます向上している。この種の光記
録媒体の記録密度の限界は、光ピックアップの光学系の
ＭＴＦ（空間周波数）によって決まる。このＭＴＦは、
再生波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ
／（４×ＮＡ）と表わされる。このため、記録密度を高
密度にするためには、λを小さくし、ＮＡを大きくする
ことが必要となる。現在、光ピックアップの光学系では
λは〜400nm、ＮＡは0.75〜0.85程度のものが開発され
ており、より高密度化が進んでいる。
ける記録媒体の中心的役割の担い手として注目されてい
る。例えば、波長７８０ｎｍの光を利用した再生専用型
の光記録媒体としては、音楽情報やプログラムなどが記
録されるＣＤ（ＣｏｍｐａｃｔＤｉｓｃ）、画像情報が
記録されるビデオＣＤなどが知られ、記録再生の光記録
媒体としては、ＣＤ−Ｒ、ＰＤ、ＭＯディスクなどがあ
る。これらの光記録媒体は、さらなる高度情報化に伴っ
てその記録密度がますます向上している。この種の光記
録媒体の記録密度の限界は、光ピックアップの光学系の
ＭＴＦ（空間周波数）によって決まる。このＭＴＦは、
再生波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ
／（４×ＮＡ）と表わされる。このため、記録密度を高
密度にするためには、λを小さくし、ＮＡを大きくする
ことが必要となる。現在、光ピックアップの光学系では
λは〜400nm、ＮＡは0.75〜0.85程度のものが開発され
ており、より高密度化が進んでいる。
【０００３】しかしながら、記録容量の大容量化への要
求は強く、更に大容量、高密度な光記録媒体の実現が望
まれている。そのためには、λをより短く、ＮＡをより
大きくすることが検討されているが、それらの開発も限
界に近づいており、新たな技術の開発が必要とされてい
る。そこで、この新たな技術のひとつとして、近接場光
を用いた光ディスクシステムが提案されている。この近
接場光は通常、遠方に伝播せず、光が照射された第１の
微少物質の表面に局在しているが、その物質近傍にその
物質と同程度の大きさの第２の物質を非常に近づけ、近
接場光を散乱してやれば遠方で観測することができ、ま
た近接場光の分解能は入射光の波長によらず、二つの物
質の大きさと距離によるため、従来の光ディスクシステ
ムでは検出できなかった微少な物質を検出できる、とい
う特性を有する。このため、光ディスクシステムにおい
ては、上記第１の物質にあたる媒体の記録マーク周辺に
発生する近接場光を再生するため、上記第２の物質にあ
たるプローブの開発が行われている。
求は強く、更に大容量、高密度な光記録媒体の実現が望
まれている。そのためには、λをより短く、ＮＡをより
大きくすることが検討されているが、それらの開発も限
界に近づいており、新たな技術の開発が必要とされてい
る。そこで、この新たな技術のひとつとして、近接場光
を用いた光ディスクシステムが提案されている。この近
接場光は通常、遠方に伝播せず、光が照射された第１の
微少物質の表面に局在しているが、その物質近傍にその
物質と同程度の大きさの第２の物質を非常に近づけ、近
接場光を散乱してやれば遠方で観測することができ、ま
た近接場光の分解能は入射光の波長によらず、二つの物
質の大きさと距離によるため、従来の光ディスクシステ
ムでは検出できなかった微少な物質を検出できる、とい
う特性を有する。このため、光ディスクシステムにおい
ては、上記第１の物質にあたる媒体の記録マーク周辺に
発生する近接場光を再生するため、上記第２の物質にあ
たるプローブの開発が行われている。
【０００４】また、プローブを用いず、記録媒体のみの
改善で近接場光を検出する散乱型Super-RENS方式と呼ば
れる光ディスクシステムも提案されている(Jpn.J.Appl.
Phy.Vol.39,pp.980-981(2000))。これは、記録膜の近傍
に光の照射により金属微粒子の生成と消滅が可逆的に起
こる膜を配置し、その金属微粒子がプローブの役割をは
たし、微少な記録マークを再生できるという光ディスク
システムである。
改善で近接場光を検出する散乱型Super-RENS方式と呼ば
れる光ディスクシステムも提案されている(Jpn.J.Appl.
Phy.Vol.39,pp.980-981(2000))。これは、記録膜の近傍
に光の照射により金属微粒子の生成と消滅が可逆的に起
こる膜を配置し、その金属微粒子がプローブの役割をは
たし、微少な記録マークを再生できるという光ディスク
システムである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近接場光を
効率良く再生信号として利用するためには、記録マーク
と金属微粒子のそれぞれの大きさ及びこれらの二つの距
離が重要になり、金属微粒子と記録マークの大きさが同
程度である時、最も効率的に近接場光を検出できるとい
う特性を有する。しかしながら、上記Super-RENS方式で
は化学反応により金属微粒子を生成するようにしている
ので、その粒子サイズのコントロールがかなり困難であ
り、所望するサイズの金属微粒子を形成することがむつ
かしい、といった問題があった。本発明は、上記問題に
鑑みて成されたものであり、近接場光を効率よく用いて
回折限界を越えた高密度記録が可能な光記録媒体を提供
することを目的とする。
効率良く再生信号として利用するためには、記録マーク
と金属微粒子のそれぞれの大きさ及びこれらの二つの距
離が重要になり、金属微粒子と記録マークの大きさが同
程度である時、最も効率的に近接場光を検出できるとい
う特性を有する。しかしながら、上記Super-RENS方式で
は化学反応により金属微粒子を生成するようにしている
ので、その粒子サイズのコントロールがかなり困難であ
り、所望するサイズの金属微粒子を形成することがむつ
かしい、といった問題があった。本発明は、上記問題に
鑑みて成されたものであり、近接場光を効率よく用いて
回折限界を越えた高密度記録が可能な光記録媒体を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
光透過性の基板上に、第１の誘電体膜、結晶−アモルフ
ァス変化を起こす記録膜、第２の誘電体膜、反射膜及び
保護膜の順に積層されてなる書き換え可能な光記録媒体
において、前記反射膜は、誘電体中に金属微粒子を分散
してなる膜よりなることを特徴とする光記録媒体であ
る。これにより、分散されている金属微粒子がプローブ
として機能して記録マークの近傍に局在する近接場光を
散乱し、回折限界以下の微小な記録マークを認識して情
報を再生することが可能となる。
光透過性の基板上に、第１の誘電体膜、結晶−アモルフ
ァス変化を起こす記録膜、第２の誘電体膜、反射膜及び
保護膜の順に積層されてなる書き換え可能な光記録媒体
において、前記反射膜は、誘電体中に金属微粒子を分散
してなる膜よりなることを特徴とする光記録媒体であ
る。これにより、分散されている金属微粒子がプローブ
として機能して記録マークの近傍に局在する近接場光を
散乱し、回折限界以下の微小な記録マークを認識して情
報を再生することが可能となる。
【０００７】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、前記誘電体は、SiO2、ZnS-SiO2、Al2O3、SiNの内の
いずれか１つである。また、例えば請求項３に規定する
ように、前記金属微粒子は、Au、Ag、Alの内のいずれか
１つ以上の粒子である。更に、例えば請求項４に規定す
るように、前記金属微粒子のサイズは、最短記録マーク
長と同程度である。
に、前記誘電体は、SiO2、ZnS-SiO2、Al2O3、SiNの内の
いずれか１つである。また、例えば請求項３に規定する
ように、前記金属微粒子は、Au、Ag、Alの内のいずれか
１つ以上の粒子である。更に、例えば請求項４に規定す
るように、前記金属微粒子のサイズは、最短記録マーク
長と同程度である。
【０００８】また更に、例えば請求項５に規定するよう
に、前記第２の誘電体膜厚の厚さは、前記記録膜の膜厚
以下である。また、請求項６に規定するように、前記光
透過性の基板と前記第１の誘電体膜との間に、光の照射
による温度変化により光透過率が可逆的に変化するマス
ク層が形成されているようにしてもよい。
に、前記第２の誘電体膜厚の厚さは、前記記録膜の膜厚
以下である。また、請求項６に規定するように、前記光
透過性の基板と前記第１の誘電体膜との間に、光の照射
による温度変化により光透過率が可逆的に変化するマス
ク層が形成されているようにしてもよい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る光記録媒体
の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発
明の光記録媒体の第１実施例を示す拡大断面図、図２は
本発明の光記録媒体の第２実施例を示す拡大断面図、図
３は反射膜の断面構造を示す模式図、図４は本発明の光
記録媒体と比較例のＣ／Ｎ特性を示すグラフである。ま
ず、図１に示すように、この記録再生が可能な光記録媒
体としての光ディスクＤ１は、読み取り、或いは書き込
み用のレーザ光Ｌに対して光透過性の基板２を有してお
り、この上面に、第１の誘電体膜４、結晶−アモルファ
ス変化を可逆的に起こす記録膜６、第２の誘電体膜８、
反射膜１０及び保護膜１２を順次積層して形成されてい
る。ここで、図２に示す第２実施例のように基板２と第
１の誘電体膜４との間に、光の照射による温度変化に起
因して光透過率が可逆的に変化するマスク層１４を介在
させるようにしてもよい。
の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発
明の光記録媒体の第１実施例を示す拡大断面図、図２は
本発明の光記録媒体の第２実施例を示す拡大断面図、図
３は反射膜の断面構造を示す模式図、図４は本発明の光
記録媒体と比較例のＣ／Ｎ特性を示すグラフである。ま
ず、図１に示すように、この記録再生が可能な光記録媒
体としての光ディスクＤ１は、読み取り、或いは書き込
み用のレーザ光Ｌに対して光透過性の基板２を有してお
り、この上面に、第１の誘電体膜４、結晶−アモルファ
ス変化を可逆的に起こす記録膜６、第２の誘電体膜８、
反射膜１０及び保護膜１２を順次積層して形成されてい
る。ここで、図２に示す第２実施例のように基板２と第
１の誘電体膜４との間に、光の照射による温度変化に起
因して光透過率が可逆的に変化するマスク層１４を介在
させるようにしてもよい。
【００１０】上記基板２としては例えばポリカーボネー
ト樹脂板、ガラス板等を用いることができ、上記第１及
び第２の誘電体膜４、８としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮ等を用いることができる。また、上
記結晶−アモルファス変化を可逆的に起こす記録層６と
しては、ＡｇＩｎＳｂＴｅやＧｅＳｂＴｅ等を用いるこ
とができ、上記保護膜１２としては、紫外線硬化樹脂等
を用いることができる。また、上記マスク層１４として
は、サーモクロミック材をもちいることができる。ま
た、反射膜１０は、図３に示すように誘電体１０Ａ中に
金属微粒子１０Ｂを分散させて形成しており、この誘電
体８Ａとしては、例えばＳｉＯ2 、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮの内のいずれか１つを選択的に用い
ることができる。更には、この誘電体１０Ａ中に分散さ
せる金属微粒子１０Ｂとしては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等の
微粒子を単独で、或いはこれらの２つ以上を混合して用
いることができる。この金属微粒子１０Ｂは、誘電体１
０Ａと固溶しないものを選ぶ必要がある。
ト樹脂板、ガラス板等を用いることができ、上記第１及
び第２の誘電体膜４、８としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮ等を用いることができる。また、上
記結晶−アモルファス変化を可逆的に起こす記録層６と
しては、ＡｇＩｎＳｂＴｅやＧｅＳｂＴｅ等を用いるこ
とができ、上記保護膜１２としては、紫外線硬化樹脂等
を用いることができる。また、上記マスク層１４として
は、サーモクロミック材をもちいることができる。ま
た、反射膜１０は、図３に示すように誘電体１０Ａ中に
金属微粒子１０Ｂを分散させて形成しており、この誘電
体８Ａとしては、例えばＳｉＯ2 、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＮの内のいずれか１つを選択的に用い
ることができる。更には、この誘電体１０Ａ中に分散さ
せる金属微粒子１０Ｂとしては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等の
微粒子を単独で、或いはこれらの２つ以上を混合して用
いることができる。この金属微粒子１０Ｂは、誘電体１
０Ａと固溶しないものを選ぶ必要がある。
【００１１】この場合、上記金属微粒子のサイズを、最
短記録マーク長と同程度に設定するようにすれば、近接
場光の測定感度を最大にできる、という理由から望まし
い。また、上記第２の誘電体膜８の厚さを、記録膜の膜
厚以下に設定することが、近接場光が局在しているの
は、記録膜の膜厚程度の距離であり記録マークと金属微
粒子の距離は、それ以下にする必要がある、という理由
から望ましい。このように構成された光ディスクＤ１で
は、反射膜１０の誘電体１０Ａ中に分散された金属微粒
子１０Ｂが前記プローブとしての役割を果たし、記録マ
ーク（図示せず）の近傍に局在する近接場光を散乱し、
レーザ光Ｌの回折限界以下の微少な記録マークの再生が
可能となる。ここで、以下に記すように本発明の光記録
媒体である実施例１、２と従来の光ディスクである比較
例１とを実際に作成し、その評価を行ったので、評価結
果について説明する。
短記録マーク長と同程度に設定するようにすれば、近接
場光の測定感度を最大にできる、という理由から望まし
い。また、上記第２の誘電体膜８の厚さを、記録膜の膜
厚以下に設定することが、近接場光が局在しているの
は、記録膜の膜厚程度の距離であり記録マークと金属微
粒子の距離は、それ以下にする必要がある、という理由
から望ましい。このように構成された光ディスクＤ１で
は、反射膜１０の誘電体１０Ａ中に分散された金属微粒
子１０Ｂが前記プローブとしての役割を果たし、記録マ
ーク（図示せず）の近傍に局在する近接場光を散乱し、
レーザ光Ｌの回折限界以下の微少な記録マークの再生が
可能となる。ここで、以下に記すように本発明の光記録
媒体である実施例１、２と従来の光ディスクである比較
例１とを実際に作成し、その評価を行ったので、評価結
果について説明する。
【００１２】(実施例１)ポリカーボネートよりなる光透
過性の基板２上に、第１の誘電体膜４としてZnS-SiO2を
厚み75nm、結晶−アモルファス変化を可逆的に起こす相
変化型の記録膜６としてAgInSbTeを厚み20nm、第２の誘
電体膜８としてZnS-SiO2を厚み10nm、反射膜１０として
SiO2よりなる誘電体１０Ａ中にAgよりなる金属微粒子１
０Ｂを分散させた膜を厚み100nmだけそれぞれ積層させ
て形成した。その後、保護膜１２として紫外線硬化樹脂
を塗布した。上記各膜の形成は、保護膜１２を除いて同
一スパッタリング装置内ですべての膜の成膜を行った。
また、反射膜１０の形成はSiO2ターゲット上にAgチップ
を置いて行い、チップの数により膜中のAg粒子の密度、
大きさのコントロールを行った。
過性の基板２上に、第１の誘電体膜４としてZnS-SiO2を
厚み75nm、結晶−アモルファス変化を可逆的に起こす相
変化型の記録膜６としてAgInSbTeを厚み20nm、第２の誘
電体膜８としてZnS-SiO2を厚み10nm、反射膜１０として
SiO2よりなる誘電体１０Ａ中にAgよりなる金属微粒子１
０Ｂを分散させた膜を厚み100nmだけそれぞれ積層させ
て形成した。その後、保護膜１２として紫外線硬化樹脂
を塗布した。上記各膜の形成は、保護膜１２を除いて同
一スパッタリング装置内ですべての膜の成膜を行った。
また、反射膜１０の形成はSiO2ターゲット上にAgチップ
を置いて行い、チップの数により膜中のAg粒子の密度、
大きさのコントロールを行った。
【００１３】(実施例２)光透過性の基板２上に、光の照
射による温度変化により光透過率が可逆的に変化する有
機色素からなるマスク層１４をスピンコートまたは真空
蒸着等の方法で形成した。その後、上記実施例１と同様
の材料、膜厚で第１の誘電体膜４、結晶−アモルファス
変化を可逆的に起こす相変化型の記録膜６、第２の誘電
体膜８、反射膜１０、保護膜１２を形成した。 (比較例)反射膜としてAlを150nmの厚みで形成した点を
除いて、他の膜は上記実施例１と同様な構成にして、従
来の光ディスクを作成した。図４に実施例１、２と比較
例の光ディスクのC/Nのマーク長依存性を示す。この時
の測定はレーザ波長が635nm、ＮＡが0.6、線速度が3.5m
/sec、記録パワーが15mW、再生パワーが0.9mW(比較
例)、4mW(実施例１、２) の条件で行った。このグラフ
から明らかなように実施例１、２は同様な特性を示して
おり、共にマーク長が０．１μｍ程度の微少な記録マー
クの再生が可能である。これに対して、マーク長が０．
１μｍ程度の微少な記録マークの再生は行うことができ
ず、本発明の実施例１、２は優れた特性を示すことが判
明した。尚、本実施例では、片面のみの光ディスクを例
にとって説明したが、これに限定されず、例えば貼り合
わせ型の光ディスクのように両面型の光ディスクにも本
発明を適用できるのは勿論である。
射による温度変化により光透過率が可逆的に変化する有
機色素からなるマスク層１４をスピンコートまたは真空
蒸着等の方法で形成した。その後、上記実施例１と同様
の材料、膜厚で第１の誘電体膜４、結晶−アモルファス
変化を可逆的に起こす相変化型の記録膜６、第２の誘電
体膜８、反射膜１０、保護膜１２を形成した。 (比較例)反射膜としてAlを150nmの厚みで形成した点を
除いて、他の膜は上記実施例１と同様な構成にして、従
来の光ディスクを作成した。図４に実施例１、２と比較
例の光ディスクのC/Nのマーク長依存性を示す。この時
の測定はレーザ波長が635nm、ＮＡが0.6、線速度が3.5m
/sec、記録パワーが15mW、再生パワーが0.9mW(比較
例)、4mW(実施例１、２) の条件で行った。このグラフ
から明らかなように実施例１、２は同様な特性を示して
おり、共にマーク長が０．１μｍ程度の微少な記録マー
クの再生が可能である。これに対して、マーク長が０．
１μｍ程度の微少な記録マークの再生は行うことができ
ず、本発明の実施例１、２は優れた特性を示すことが判
明した。尚、本実施例では、片面のみの光ディスクを例
にとって説明したが、これに限定されず、例えば貼り合
わせ型の光ディスクのように両面型の光ディスクにも本
発明を適用できるのは勿論である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体によれば、次のように優れた作用効果を発揮すること
ができる。近接場光を利用して使用するレーザ光の回折
限界以下の微小記録マークを再生することができるの
で、高記録密度を一層向上させることができる。
体によれば、次のように優れた作用効果を発揮すること
ができる。近接場光を利用して使用するレーザ光の回折
限界以下の微小記録マークを再生することができるの
で、高記録密度を一層向上させることができる。
【図１】本発明の光記録媒体の第１実施例を示す拡大断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光記録媒体の第２実施例を示す拡大断
面図である。
面図である。
【図３】反射膜の断面構造を示す模式図である。
【図４】本発明の光記録媒体と比較例のＣ／Ｎ特性を示
すグラフである。
すグラフである。
２…基板、４…第１の誘電体膜、６…記録膜、８…第２
の誘電体膜、１０…反射膜、１０Ａ…誘電体、１０Ｂ…
金属微粒子、１２…保護膜、１４…マスク層、Ｄ１…光
ディスク（光記録媒体）。
の誘電体膜、１０…反射膜、１０Ａ…誘電体、１０Ｂ…
金属微粒子、１２…保護膜、１４…マスク層、Ｄ１…光
ディスク（光記録媒体）。
Claims (6)
- 【請求項１】 光透過性の基板上に、第１の誘電体膜、
結晶−アモルファス変化を起こす記録膜、第２の誘電体
膜、反射膜及び保護膜の順に積層されてなる書き換え可
能な光記録媒体において、前記反射膜は、誘電体中に金
属微粒子を分散してなる膜よりなることを特徴とする光
記録媒体。 - 【請求項２】 前記誘電体は、SiO2、ZnS-SiO2、Al
2O3、SiNの内のいずれか１つであることを特徴とする請
求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記金属微粒子は、Au、Ag、Alの内のい
ずれか１つ以上の粒子であることを特徴とする請求項１
または２記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記金属微粒子のサイズは、前記記録膜
の膜厚以下であることを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記第２の誘電体膜厚の厚さは、最短記
録マーク長と同程度であることを特徴とする請求項１乃
至４のいずれか記載の光記録媒体。 - 【請求項６】 前記光透過性の基板と前記第１の誘電体
膜との間に、光の照射による温度変化により光透過率が
可逆的に変化するマスク層が形成されていることを特徴
とする請求項１乃至５のいずれかに記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331396A JP4370715B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体及びその再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331396A JP4370715B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体及びその再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002133720A true JP2002133720A (ja) | 2002-05-10 |
| JP4370715B2 JP4370715B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=18807744
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000331396A Expired - Fee Related JP4370715B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光記録媒体及びその再生方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4370715B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007171790A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Ushio Inc | フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 |
| JP2007220933A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Ushio Inc | 露光装置 |
| US7348124B2 (en) * | 2002-09-28 | 2008-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-density readable only optical disk |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000331396A patent/JP4370715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007171790A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Ushio Inc | フォトマスク及びフォトマスクを備えた露光装置 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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