JP4368027B2 - 電源ユニット、半導体デバイス試験装置、及び半導体デバイス試験方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス試験装置に関し、特に低ノイズの直流電圧を出力する電源ユニットを備えた半導体デバイス試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、従来の電源ユニット３０を示すブロック図である。図に示される通り、従来の電源ユニット３０はＡＣ／ＤＣ電源４０とコンデンサＣ１とを有する。ＡＣ／ＤＣ電源４０は、交流電源２２０から交流電圧を受け取って直流電圧ＶＤＤ、ＶＳＳ（ＶＤＤ＞ＶＳＳ）に変換し、半導体デバイス試験装置のデバイス接続部９０に差し込まれた半導体デバイス２００に直流電圧を供給する。コンデンサＣ１は、ＡＣ／ＤＣ電源４０と半導体デバイス２００との間において、ＶＤＤとＶＳＳとを接続し、ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧を充電し又は放電する。
コンデンサＣ１は小型かつ大容量であり、ＶＤＤとＶＳＳとの間に接続することにより、ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧に含まれるノイズを低減させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体デバイス試験装置においては、ＡＣ／ＤＣ電源４０としてスイッチング電源やドロッパ電源が用いられていた。スイッチング電源の利点は小型で変換効率が良い点であり、ドロッパ電源の利点は出力する電圧のノイズが小さい点である。
試験の対象となる半導体デバイス２００の種類や試験の内容によっては、半導体デバイス２００に低ノイズ電圧を供給することが要求される場合がある。例えば、半導体デバイス２００としてアナログ回路、特にビデオ回路等の高速アナログ回路を試験する場合、供給される電圧にノイズが含まれるとそのノイズが試験に影響し、試験の正確性が損なわれる。このため、低ノイズ電圧の供給が要求されるアナログ回路等の試験においては、低ノイズ電圧を出力するドロッパ電源が用いられる場合がある。
【０００４】
しかし、ドロッパ電源においては不要な電力を熱として放熱するので変換効率が悪く、しかも放熱器が大きいという問題があった。一方、スイッチング電源は小型で変換効率が良いが、電源内に発振器があり常に発振しているためスイッチングノイズが発生してしまい、低ノイズ電圧の供給が要求される試験に用いるのは困難であった。このため、小型で変換効率の良いスイッチング電源を用いつつ、低ノイズ電圧を供給することが望まれていた。
【０００５】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる半導体デバイス試験装置、電源ユニット及び半導体デバイス試験方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明のさらなる有利な具体例を規定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によれば、電気部品へ電圧を供給する電源ユニットであって、電気部品に直流電圧を与える直流電源と、直流電源と電気部品との間において、直流電圧を充電するコンデンサと、コンデンサと直流電源とを接続し又は遮断する入力スイッチと、入力スイッチをオンにしてコンデンサを充電し、入力スイッチをオフにしてコンデンサに充電された電力を電気部品に提供させるスイッチング制御部とを備える。
【０００７】
本発明の第２の形態によれば、半導体デバイスを試験する半導体デバイス試験装置であって、半導体デバイスが差し込まれ、差し込まれた半導体デバイスに入力信号パターンを印加するデバイス接続部と、デバイス接続部に差し込まれた半導体デバイスに直流電圧を供給する直流電源と、直流電源と半導体デバイスとの間において、直流電圧を充電し又は放電するコンデンサと、コンデンサと直流電源とを接続し又は遮断する入力スイッチと、入力スイッチをオンにしてコンデンサへ直流電圧を充電させる手段と、入力スイッチをオフにしてコンデンサに充電された直流電圧を半導体デバイスへ供給させる手段とを有するスイッチング制御部と、スイッチング制御部が入力スイッチをオフにし出力スイッチをオンにしたときに入力信号パターンを半導体デバイスへ供給する手段を有するパターン発生器とを備える。
【０００８】
コンデンサと半導体デバイスとを接続し又は遮断する出力スイッチを更に備え、スイッチング制御部は、出力スイッチをオフにし入力スイッチをオンにしてコンデンサへ直流電圧を充電させる手段と、出力スイッチをオンにし入力スイッチをオフにしてコンデンサに充電された直流電圧を半導体デバイスへ供給させる手段とを有してもよい。
【０００９】
パターン発生器は、スイッチング制御部が出力スイッチと入力スイッチとをオンにしたときに入力信号パターンを半導体デバイスへ供給する手段をさらに有し、スイッチング制御部は、入力信号パターンが半導体デバイスへ供給されているときに入力スイッチを一時的にオフにする手段をさらに有してもよい。直流電源と半導体デバイスとの間において並列に設けられ、直流電圧を充電する複数のコンデンサと、複数のコンデンサと半導体デバイスとをそれぞれ接続し又は遮断する複数の出力スイッチとをさらに備える。
【００１０】
スイッチング制御部は、複数の出力スイッチのうちいずれか一つをオンにし、オンにした出力スイッチを介して半導体デバイスへコンデンサに充電された直流電圧を供給させる間、他の出力スイッチをオフにする手段をさらに有してもよい。
【００１１】
複数のコンデンサと直流電源とをそれぞれ接続し又は遮断する複数の入力スイッチを更に備え、スイッチング制御部は、複数の入力スイッチのうちいずれか一つをオンにし、オンにした入力スイッチを介して直流電源からコンデンサへ直流電圧を充電させる間、他の入力スイッチをオフにする手段をさらに有してもよい。
【００１２】
入力スイッチと出力スイッチとコンデンサとを、半導体デバイス試験装置から取り外して交換が可能となるように設けてもよい。直流電源は、交流電源から供給される交流電圧を直流電圧に変換するＡＣ／ＤＣ電源であってもよい。
【００１３】
本発明の第３の形態によれば、半導体デバイス試験装置を用いて半導体デバイスを試験する半導体デバイス試験方法であって、直流電圧をコンデンサに充電する充電段階と、コンデンサへの直流電圧の供給を遮断し、コンデンサに充電された直流電圧を半導体デバイスへ供給しつつ、半導体デバイスに入力信号パターンを印加して半導体デバイスを試験する試験段階とを備える。
【００１４】
充電段階は、直流電圧を第一及び第二のコンデンサに充電し、試験段階は、第一のコンデンサへの直流電圧の供給を遮断し、第一のコンデンサに充電された直流電圧を半導体デバイスへ供給しつつ、半導体デバイスに入力信号パターンを印加して半導体デバイスを試験し、半導体デバイスへの入力信号パターンの印加を停止する停止段階と、コンデンサに充電された直流電圧の半導体デバイスへの供給を遮断する遮断段階と、半導体デバイスを他の半導体デバイスに取り替える取替段階と、取替段階の後、第二のコンデンサに充電された直流電圧を半導体デバイスへ供給させるために第二のコンデンサを半導体デバイスに接続する接続段階を更に備えてもよい。接続段階の後に第一のコンデンサへの直流電圧の充電を再開するとともに、半導体デバイスへの入力信号パターンの印加を再開する再開段階を更に備えてもよい。
【００１５】
直流電圧の第一及び第二のコンデンサへの供給をそれぞれ接続し又は遮断する第一及び第二の入力スイッチと、第一及び第二のコンデンサに充電された直流電圧の半導体デバイスへの供給をぞれぞれ接続し又は遮断する第一及び第二の出力スイッチとをさらに備え、遮断段階は、第一の出力スイッチをオフにすることにより、第一のコンデンサに充電された直流電圧の半導体デバイスへの供給を遮断し、接続段階は、第二の出力スイッチをオンにし、かつ、第二の入力スイッチをオフにすることにより、第二のコンデンサに充電された直流電圧を半導体デバイスへ供給し、再開段階は、第一の入力スイッチをオンにすることにより、第一のコンデンサへの直流電圧の充電を再開してもよい。
【００１６】
試験段階が開始される前に、充電された第一又は第二のコンデンサの電圧を測定する第一の測定段階と、試験段階が終了した後、第一又は第二のコンデンサの電圧を測定する第二の測定段階と、第一の測定段階において測定された第一又は第二のコンデンサの電圧と第二の測定段階において測定された第一又は第二のコンデンサの電圧との差に基づいて、半導体デバイスの電流消費量を算出する第一の算出段階と、第一の測定段階と試験段階と第二の測定段階と第一の算出段階とを繰り返し、半導体デバイスの平均電流消費量を算出する第二の算出段階とをさらに備えてもよい。
【００１７】
充電された第一又は第二のコンデンサの電圧を測定する測定段階と、測定段階において測定された第一又は第二のコンデンサの電圧が所定の基準電圧に達しない場合に第一及び第二のコンデンサを他のコンデンサに交換する段階とをさらに備えてもよい。
【００１８】
本発明のさらに他の形態においては、前記試験段階が開始される前に、充電された前記第一又は第二のコンデンサの電圧を測定する第一の測定段階と、前記試験段階が終了した後、前記第一又は第二のコンデンサの電圧を測定する第二の測定段階と、前記第一の測定段階において測定された前記第一又は第二のコンデンサの電圧と前記第二の測定段階において測定された前記第一又は第二のコンデンサの電圧との差に基づいて、前記半導体デバイスの電流消費量を算出する第一の算出段階と、前記第一の測定段階と前記試験段階と前記第二の測定段階と前記第一の算出段階とを繰り返し、前記半導体デバイスの平均電流消費量を算出する第二の算出段階とをさらに備える。
【００１９】
本発明のさらに他の形態においては、充電された前記第一又は第二のコンデンサの電圧を測定する測定段階と、前記測定段階において測定された前記第一又は第二のコンデンサの電圧が所定の基準電圧に達しない場合に前記第一及び第二のコンデンサを他のコンデンサに交換する段階とをさらに備える。
【００２０】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた発明となりうる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２２】
以下、第一の実施形態について説明する。
図２は、本実施形態の半導体デバイス試験装置１００の全体構成を示すブロック図である。図に示される通り、半導体デバイス試験装置１００は、パターン発生器１０と基準クロック発生器８０とタイミング発生器８２と波形整形器８４と電源ユニット３０とデバイス接続部９０と比較器９２と不良解析メモリ部１１０とを備える。この半導体デバイス試験装置１００は、メモリデバイスやロジックＩＣ等の半導体デバイス２００の試験に用いられる。
【００２３】
パターン発生器１０は、試験対象たる半導体デバイス２００に印加する入力信号パターンと、入力信号パターンを印加したときに半導体デバイス２００から出力されるべき期待値信号パターンとを所定の制御シーケンスに従って発生させる。基準クロック発生器８０は、パターン発生器１０とタイミング発生器８２とにそれぞれ基準クロック信号を出力する。タイミング発生器８２は、半導体デバイス２００へ入力信号パターンを印加するタイミングを制御するタイミング信号を、基準クロック信号に基づき様々なタイミングで発生させる。
【００２４】
波形整形器８４は、入力信号パターンの波形を半導体デバイス２００の特性に適合するようにタイミング信号に基づいて整形し、また、タイミング信号に基づいて半導体デバイス２００への入力信号パターンの印加を制御する。パターン発生器１０から基準クロック発生器８０へクロック制御信号が出力されると、基準クロック発生器８０からタイミング発生器８２への基準クロック信号の出力が停止されるとともに、タイミング発生器８２によるタイミング信号の出力も停止される。そして、波形整形器８４の制御により入力信号パターンの半導体デバイス２００への印加が停止される。
【００２５】
デバイス接続部９０には半導体デバイス２００が差し込まれ、波形整形器８４に整形された入力信号パターンを受け取ってこれを半導体デバイス２００の入力ピンに印加する。半導体デバイス２００は、パッケージに格納されていてもウエハの状態であっても良い。またデバイス接続部９０は、パッケージに格納された半導体デバイス２００を差し込むソケットであっても、ウエハ上に設けられた端子に直接接触するプローブピンやバンプであっても良い。入力信号パターンのうち、パターンデータ部分は半導体デバイス２００のデータ入力ピンに、制御信号部分は半導体デバイス２００の制御ピンに、アドレス信号部分は半導体デバイス２００のアドレスピンに、それぞれ入力される。デバイス接続部９０は、半導体デバイス２００の出力ピンから出力信号パターンを受け取ってこれを出力する。
【００２６】
電源ユニット３０は、交流電源２２０から交流電圧を受け取って直流電圧に変換し、デバイス接続部９０に差し込まれた半導体デバイス２００に直流電圧を供給する。なお、本実施形態における電源ユニット３０は、半導体デバイス試験装置１００において半導体デバイス２００へ直流電圧を供給するために用いられているが、電源ユニット３０の用途はこれに限られず、電圧供給によって駆動する他の電気部品へ直流電圧を供給することもできる。
【００２７】
比較器９２は排他的論理和回路を有し、出力信号パターンと期待値信号パターンとを受け取ってこれらをタイミング発生器８２が出力したタイミング信号に基づいて論理比較し、一致しなかった（フェイルとなった）場合に不良解析メモリ部１１０へフェイル信号を出力する。
【００２８】
フェイル信号は不良解析メモリ部１１０に格納され、格納されたフェイル信号に基づいて半導体デバイス２００のどの箇所が不良箇所であるかが解析される。また、半導体デバイス試験装置１００の各部は制御装置２１０によって制御される。
【００２９】
図３は、本実施形態の電源ユニット３０を示すブロック図である。図に示される通り、電源ユニット３０はＡＣ／ＤＣ電源４０と充電部５０とスイッチング制御部６０とを有する。本実施形態においては、ＡＣ／ＤＣ電源４０としてスイッチング電源が用いられる。
【００３０】
充電部５０は、コンデンサＣ１と入力スイッチＳＷ１ａと出力スイッチＳＷ１ｂとを含む。ＡＣ／ＤＣ電源４０は、交流電源２２０から交流電圧を受け取って直流電圧ＶＤＤ、ＶＳＳ（ＶＤＤ＞ＶＳＳ）に変換し、デバイス接続部９０に差し込まれた半導体デバイス２００に直流電圧を供給する。コンデンサＣ１は、ＡＣ／ＤＣ電源４０とデバイス接続部９０に差し込まれた半導体デバイス２００との間において、ＶＤＤとＶＳＳとを接続し、ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧を充電し又は放電する。
【００３１】
コンデンサＣ１は小型かつ大容量であり、ＶＤＤとＶＳＳとを接続することにより、ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧に含まれるノイズを低減させる。本実施形態では容量５０００Ｆのコンデンサを用いる。容量Ｃ＝５０００Ｆ、電源端子における許容降下電圧の大きさΔＶ＝０．０１Ｖ、供給電流Ｉ＝１Ａとし供給期間をｔとすると、端子の降下電圧はΔＶ＝（Ｉ＊ｔ）／Ｃとなるので、ｔ＝（ΔＶ＊Ｃ）／Ｉ＝（０．０１Ｖ＊５０００Ｆ）／１Ａ＝５０ｓとなる。即ち、コンデンサＣ１から半導体デバイス２００へ約５０秒間連続的に直流電圧を供給することができる。
【００３２】
入力スイッチＳＷ１ａは、ＡＣ／ＤＣ電源４０とコンデンサＣ１とを接続し又は遮断する。本実施形態においては、コンデンサＣ１のＶＤＤ側及びＶＳＳ側のいずれも入力スイッチＳＷ１ａによってＡＣ／ＤＣ電源４０と接続され又は遮断される。
【００３３】
出力スイッチＳＷ１ｂは、半導体デバイス２００とコンデンサＣ１とを接続し又は遮断する。本実施形態においては、コンデンサＣ１のＶＤＤ側及びＶＳＳ側のいずれも出力スイッチＳＷ１ｂによって半導体デバイス２００と接続され又は遮断される。
【００３４】
本実施形態では、出力スイッチＳＷ１ｂは電源ユニット３０内において半導体デバイス２００とコンデンサＣ１との間を接続し又は遮断するように設けられている。これに代えて、出力スイッチＳＷ１ｂをデバイス接続部９０内に設ける構成としてもよく、試験対象たる半導体デバイス２００の取り替え時に半導体デバイス２００への直流電圧の供給を遮断できる構成であればよい。
【００３５】
スイッチング制御部６０は、充電部５０に含まれる入力スイッチＳＷ１ａ及び出力スイッチＳＷ１ｂのオン、オフの切替を制御する。入力スイッチＳＷ１ａ及び出力スイッチＳＷ１ｂは、スイッチのオン、オフに伴うスパイクが生じることを防ぐため、抵抗値を徐々に変化させてゆっくりとオン、オフにする構成としてもよい。
【００３６】
出力スイッチＳＷ１ｂ及び入力スイッチＳＷ１ａをいずれもオンにすると、コンデンサＣ１及び半導体デバイス２００がいずれもＡＣ／ＤＣ電源４０に接続され、ＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ１及び半導体デバイス２００の双方に直流電圧が供給される。この場合、ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧はコンデンサＣ１によりノイズが低減されて半導体デバイス２００に供給される。
【００３７】
出力スイッチＳＷ１ｂをオフにして入力スイッチＳＷ１ａをオンにすると、コンデンサＣ１と半導体デバイス２００とが遮断され、コンデンサＣ１とＡＣ／ＤＣ電源４０とが接続される。ＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ１に直流電圧が供給されてコンデンサＣ１に充電される。
【００３８】
出力スイッチＳＷ１ｂをオンにして入力スイッチＳＷ１ａをオフにすると、コンデンサＣ１とＡＣ／ＤＣ電源４０とが遮断され、コンデンサＣ１と半導体デバイス２００とが接続されて、コンデンサＣ１に充電された直流電圧が半導体デバイス２００へ供給される。充電されたコンデンサＣ１から半導体デバイス２００へ供給する直流電圧は、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ供給する電圧に比べて、より一層ノイズが少ない。例えば、半導体デバイスとしてアナログ回路、特にビデオ回路等の高速アナログ回路を試験する場合、供給される電圧にノイズが含まれるとそのノイズが試験に影響し、試験の正確性が損なわれる。従って、アナログ回路等の半導体デバイス２００を試験する場合にはコンデンサＣ１に充電された直流電圧を供給するのが好ましい。
【００３９】
充電された状態でのコンデンサＣ１の電圧を測定し、コンデンサＣ１に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給した後、再びコンデンサＣ１の電圧を測定する。電圧供給前の電圧と電圧供給後の電圧との差から半導体デバイス２００の電流消費量を算出することができる。この電流消費量を各試験ごとに繰り返し測定して平均を算出すれば平均電流消費量が求まる。
【００４０】
コンデンサＣ１は充放電を繰り返すうちに次第に劣化していくため、劣化して使用に適さなくなったコンデンサＣ１を電源ユニット３０から取り外して交換できるように、充電部５０を交換可能に設ける。コンデンサＣ１と入力スイッチＳＷ１ａと出力スイッチＳＷ１ｂとをそれぞれ別個に交換可能に設ける構成としてもよい。コンデンサＣ１が使用に適するか否かは、充電されたコンデンサＣ１の電圧を測定し、測定値が基準電圧を超えるか否かによって判断する。基準電圧は、半導体デバイス試験においてコンデンサＣ１から半導体デバイス２００へ電圧供給するのに必要な大きさであり、半導体デバイス２００へ連続的に電圧供給すべき時間（試験時間）に基づいて定まる。
【００４１】
以下、第二の実施形態について説明する。本実施形態は、第一の実施形態と比べて電源ユニット３０の構成のみが異なる。
図４は、本実施形態の電源ユニット３０を示すブロック図である。図に示される通り、電源ユニット３０はＡＣ／ＤＣ電源４０と充電部５０とスイッチング制御部６０とＤＣ／ＤＣコンバータ７０とを有する。本実施形態においては、ＡＣ／ＤＣ電源４０としてスイッチング電源が用いられる。
【００４２】
充電部５０は、コンデンサＣ１、Ｃ２と入力スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａと出力スイッチＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂとを含む。ＡＣ／ＤＣ電源４０は、交流電源２２０から交流電圧を受け取って直流電圧に変換して、デバイス接続部９０に差し込まれた半導体デバイス２００に直流電圧を供給する。コンデンサＣ１、Ｃ２は、ＡＣ／ＤＣ電源４０とデバイス接続部９０に差し込まれた半導体デバイス２００との間において、ＶＤＤとＶＳＳとを並列に接続する。これによりコンデンサＣ１、Ｃ２には、直流電圧が充電され又は放電される。
【００４３】
コンデンサＣ１、Ｃ２は小型かつ大容量であり、ＶＤＤとＶＳＳとを接続することにより、ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧に含まれるノイズを低減させる。コンデンサＣ１、Ｃ２は、図３におけるコンデンサＣ１と同様、半導体デバイス２００へそれぞれ約５０秒間連続的に電圧を供給することができる。
【００４４】
入力スイッチＳＷ１ａは、ＡＣ／ＤＣ電源４０とコンデンサＣ１とを接続し又は遮断する。入力スイッチＳＷ２ａは、ＡＣ／ＤＣ電源４０とコンデンサＣ２とを接続し又は遮断する。本実施形態においては、コンデンサＣ１のＶＤＤ側及びＶＳＳ側のいずれも入力スイッチＳＷ１ａによってＡＣ／ＤＣ電源４０と接続され又は遮断される。コンデンサＣ２のＶＤＤ側及びＶＳＳ側のいずれも入力スイッチＳＷ２ａによってＡＣ／ＤＣ電源４０と接続され又は遮断される。
【００４５】
出力スイッチＳＷ１ｂは、半導体デバイス２００とコンデンサＣ１とを接続し又は遮断する。出力スイッチＳＷ２ｂは、半導体デバイス２００とコンデンサＣ２とを接続し又は遮断する。本実施形態においては、コンデンサＣ１のＶＤＤ側及びＶＳＳ側のいずれも出力スイッチＳＷ１ｂによって半導体デバイス２００と接続され又は遮断される。コンデンサＣ２のＶＤＤ側及びＶＳＳ側のいずれも出力スイッチＳＷ２ｂによって半導体デバイス２００と接続され又は遮断される。
スイッチング制御部６０は、充電部５０に含まれる入力スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａ及び出力スイッチＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂのオン、オフの切替を制御する。入力スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａ及び出力スイッチＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂは、スイッチのオン、オフに伴うスパイクが生じることを防ぐため、抵抗値を徐々に変化させてゆっくりとオン、オフにする構成としてもよい。
【００４６】
なお、本実施形態における充電部５０は、入力スイッチ及び出力スイッチをそれぞれ２つずつ備えるが、入力スイッチ及び出力スイッチをそれぞれ３つ以上ずつ備える構成としてもよい。
【００４７】
出力スイッチＳＷ１ｂ及び入力スイッチＳＷ１ａをいずれもオンにすると、コンデンサＣ１及び半導体デバイス２００がいずれもＡＣ／ＤＣ電源４０に接続される。そして、ＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ１及び半導体デバイス２００の双方に直流電圧が供給される。出力スイッチＳＷ２ｂ及び入力スイッチＳＷ２ａをいずれもオンにすると、コンデンサＣ２及び半導体デバイス２００がいずれもＡＣ／ＤＣ電源４０に接続される。そして、ＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ２及び半導体デバイス２００の双方に直流電圧が供給される。ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧はコンデンサＣ１又はコンデンサＣ２によりノイズが低減されて半導体デバイス２００に供給される。
【００４８】
出力スイッチＳＷ１ｂをオフにして入力スイッチＳＷ１ａをオンにすると、コンデンサＣ１と半導体デバイス２００とが遮断され、コンデンサＣ１とＡＣ／ＤＣ電源４０とが接続される。ＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ１に直流電圧が供給されてコンデンサＣ１に充電される。出力スイッチＳＷ２ｂをオフにして入力スイッチＳＷ２ａをオンにすると、コンデンサＣ２と半導体デバイス２００とが遮断され、コンデンサＣ２とＡＣ／ＤＣ電源４０とが接続される。ＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ２に直流電圧が供給されてコンデンサＣ２に充電される。
【００４９】
出力スイッチＳＷ１ｂをオンにして入力スイッチＳＷ１ａをオフにすると、コンデンサＣ１とＡＣ／ＤＣ電源４０とが遮断され、コンデンサＣ１と半導体デバイス２００とが接続される。そして、コンデンサＣ１に充電された直流電圧が半導体デバイス２００へ供給される。出力スイッチＳＷ２ｂをオンにして入力スイッチＳＷ２ａをオフにすると、コンデンサＣ２とＡＣ／ＤＣ電源４０とが遮断され、コンデンサＣ２と半導体デバイス２００とが接続される。そして、コンデンサＣ２に充電された直流電圧が半導体デバイス２００へ供給される。
【００５０】
充電されたコンデンサＣ１又はコンデンサＣ２から半導体デバイス２００へ供給する直流電圧は、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ供給する直流電圧に比べて、より一層ノイズが少ない。従って、アナログ回路等の半導体デバイス２００を試験する場合にはコンデンサＣ１又はＣ２に充電された直流電圧を供給するのが好ましい。
【００５１】
コンデンサＣ１に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給してその間コンデンサＣ２を充電する。所定の時間経過後、コンデンサＣ２に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給してその間コンデンサＣ１を充電する。このようにコンデンサＣ１とコンデンサＣ２とをそれぞれ交互に電圧供給させ又は充電させることにより、継続的に半導体デバイス２００へ直流電圧を供給する。
【００５２】
なお、他の実施形態において、コンデンサ、入力スイッチ及び出力スイッチをそれぞれ３つ以上ずつ備える構成とした場合には、いずれか一つのコンデンサに充電された直流電圧が半導体デバイス２００へ供給されるようにスイッチング制御部６０が各出力スイッチを制御する。そしてその間、他のコンデンサが充電されるようにスイッチング制御部６０が各入力スイッチを制御する。
【００５３】
充電された状態でのコンデンサＣ１又はコンデンサＣ２の電圧を測定し、コンデンサＣ１又はコンデンサＣ２に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給した後、再びコンデンサＣ１又はコンデンサＣ２の電圧を測定する。電圧供給前の電圧と電圧供給後の電圧との差から半導体デバイス２００の電流消費量を算出することができる。この電流消費量を各試験ごとに繰り返し測定して平均を算出すれば平均電流消費量が求まる。
【００５４】
コンデンサＣ１は充放電を繰り返すうちに次第に劣化していくため、劣化して使用に適さなくなったコンデンサＣ１を電源ユニット３０から取り外して交換できるように、充電部５０を交換可能に設ける。コンデンサＣ１と入力スイッチＳＷ１ａと出力スイッチＳＷ１ｂとを一組で、又は、コンデンサＣ２と入力スイッチＳＷ２ａと出力スイッチＳＷ２ｂとを一組で、それぞれ交換可能に設ける構成としてもよい。また、コンデンサＣ１、Ｃ２と入力スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａと出力スイッチＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂとをそれぞれ別個に交換可能に設ける構成としてもよい。コンデンサＣ１、Ｃ２が使用に適するか否かは、図３におけるコンデンサＣ１と同様に、充電されたコンデンサＣ１、Ｃ２の電圧を測定し、試験時間に基づいて定まる基準電圧を測定値が超えるか否かによって判断する。
【００５５】
ＤＣ／ＤＣコンバータ７０は、試験が済んだ半導体デバイス２００を他の半導体デバイス２００と取り替える前に、試験が済んだ半導体デバイス２００の周辺に設けられたコンデンサに残存する電荷を取り除く。
【００５６】
図５は、半導体デバイス試験における充電部５０の動作を示すタイムチャートである。試験開始前の試験停止状態（Ｓ１００）においては、入力スイッチＳＷ１ａ、出力スイッチＳＷ１ｂ及び入力スイッチＳＷ２ａをオンにし、出力スイッチＳＷ２ｂをオフにする。この状態では、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ直流電圧が供給されるとともに、ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧がコンデンサＣ１、Ｃ２に充電される。次に、第一の試験期間（Ｓ１０２）に入る前に、入力スイッチＳＷ１ａをオフにしてコンデンサＣ１とＡＣ／ＤＣ電源４０とを遮断し、コンデンサＣ１に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給する（Ｓ１００ａ）。
【００５７】
入力スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａ及び出力スイッチＳＷ１ｂ、スイッチのオン、オフに伴うスパイクが生じることを防ぐため、抵抗値を徐々に変化させてゆっくりとオン、オフにする構成としてもよい。但し、本実施形態においては、各スイッチの切替は試験期間（Ｓ１０２、Ｓ１０６、Ｓ１１０）以外の期間に行われるため、切替によってスパイクが生じても各試験には影響を与えない。
【００５８】
第一の試験期間（Ｓ１０２）においては、コンデンサＣ１に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給しつつ、パターン発生器１０がデバイス接続部９０へ入力信号パターンを供給する。これにより半導体デバイス２００へ入力信号パターンが印加され、半導体デバイス２００が試験される。第一の試験（Ｓ１０２）の所要時間は数秒から数十秒である。従って、コンデンサＣ１は直流電圧を約５０秒間供給できるので電源として十分である。
【００５９】
第一の試験（Ｓ１０２）が終了するとき、試験が済んだ半導体デバイス２００を他の半導体デバイス２００に取り替える等の目的で、半導体デバイス２００への入力信号パターンの印加を停止する。これにより試験が一時的に停止される（Ｓ１０４）。一時停止期間は数秒である。この一時停止の期間内に出力スイッチＳＷ１ｂをオフにし、コンデンサＣ１に充電された直流電圧の半導体デバイス２００への供給を遮断する（Ｓ１０４ａ）。遮断した後、試験が済んだ半導体デバイス２００を他の半導体デバイス２００に取り替える等の処理を行う（Ｓ１０４ｂ）。
【００６０】
半導体デバイス２００を取り替える等の処理の後、出力スイッチＳＷ２ｂをオンにして（Ｓ１０４ｃ）、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ直流電圧を供給する。そして、入力スイッチＳＷ２ａをオフにして（Ｓ１０４ｄ）、コンデンサＣ２に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給する。その後、入力スイッチＳＷ１ａをオンにし（Ｓ１０４ｅ）、ＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ１に直流電圧を供給してコンデンサＣ１を再充電する。
【００６１】
本実施形態では、出力スイッチＳＷ２ｂをオンにする前に、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との短絡を防ぐために予め出力スイッチＳＷ１ｂをオフにする。短絡により、充電したコンデンサから放電したコンデンサへ電荷が移動してしまうと、次の試験で半導体デバイス２００へ十分な電圧を供給できなくなるからである。出力スイッチＳＷ１ｂをオンにする前にも同様に予め出力スイッチＳＷ２ｂをオフにする。
【００６２】
入力スイッチＳＷ１ａをオンにする前にも、出力スイッチＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂと同様、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との短絡を防ぐために予め入力スイッチＳＷ２ａをオフにする。入力スイッチＳＷ２ａをオンにする前にも同様に予め入力スイッチＳＷ１ａをオフにする。
【００６３】
本実施形態では、先に出力スイッチＳＷ２ｂをオンにしてから入力スイッチＳＷ２ａをオフにしているが、先に入力スイッチＳＷ２ａをオフにしてから出力スイッチＳＷ２ｂをオンにしてもよい。この場合、出力スイッチＳＷ２ｂをオンにしたときからコンデンサＣ２に充電された電圧が降下する。
【００６４】
本実施形態では、第二の試験（Ｓ１０６）を開始する前に入力スイッチＳＷ１ａをオンにしているが（Ｓ１０４ｅ）、第二の試験（Ｓ１０６）を開始してから入力スイッチＳＷ１ａをオンにしてもよい。この場合、コンデンサＣ１を再充電するのに十分な時間が確保されていればよい。
【００６５】
第二の試験期間（Ｓ１０６）においては、コンデンサＣ２に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給しつつ、パターン発生器１０がデバイス接続部９０へ入力信号パターンを供給する。これにより半導体デバイス２００へ力信号パターンが印加され、半導体デバイス２００が試験される。第二の試験（Ｓ１０２）の所要時間は、第一の試験と同様に数秒から数十秒である。従って、コンデンサＣ２は直流電圧を約５０秒間供給できるので電源として十分である。
【００６６】
第二の試験（Ｓ１０６）が終了するとき、試験が済んだ半導体デバイス２００を他の半導体デバイス２００に取り替える等の目的で再び試験は一時停止される（Ｓ１０８）。この一時停止期間においては、第一の試験の試験停止期間（Ｓ１０４）と同様、出力スイッチＳＷ２ｂをオフにし（Ｓ１０８ａ）、試験が済んだ半導体デバイス２００を他の半導体デバイス２００に取り替える（Ｓ１０８ｂ）。その後、出力スイッチＳＷ１ｂをオンにし（Ｓ１０８ｃ）、入力スイッチＳＷ１ａをオフにし（Ｓ１０８ｄ）、入力スイッチＳＷ２ａをオンにする（Ｓ１０８ｅ）。これにより、コンデンサＣ１に充電された直流電圧が半導体デバイス２００へ供給される。そして、ＡＣ／ＤＣ電源４０から直流電圧がコンデンサＣ２に供給され充電される。
【００６７】
続いて行われる第三の試験（Ｓ１１０）が終了するときに試験は停止状態となる（Ｓ１１２）。そして、入力スイッチＳＷ１ａをオンにして（Ｓ１１２ａ）、ＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ１とコンデンサＣ２とに直流電圧を供給し充電する。
【００６８】
本実施形態では、第一の試験（Ｓ１０２）から第三の試験（Ｓ１１０）までの間に、二度の一時停止期間（Ｓ１０４、Ｓ１０８）がある。これら一時停止期間において試験対象たる半導体デバイス２００を取り替える場合、半導体デバイス２００へ電圧供給する必要がない。そこで、一時停止期間に電源を他の電源に切り替えることとし、短時間しか電圧供給できない電源であっても複数の電源を切り替えて使用することにより継続的に電圧供給している。
【００６９】
図６は、試験期間内に低ノイズ指定期間を含む半導体デバイス試験における充電部５０の動作を示すタイムチャートである。本実施形態では、通常時はＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ直流電圧を供給する。そして、特に低ノイズ電圧を供給する必要がある試験のときだけコンデンサＣ１又はコンデンサＣ２に充電された直流電圧を半導体デバイス２００へ供給する。低ノイズ電圧を供給する必要があるか否かは試験対象や試験内容による。例えば、ロジックＩＣを試験する場合、ビデオ回路等のアナログ回路の部分を試験する場合（アナログ試験）にだけ低ノイズ電圧を供給すればよい。アナログ回路以外の部分を試験する場合には、ＡＣ／ＤＣ電源４０から電圧を供給すればよい。第一の試験（Ｓ２０２）、第二の試験（Ｓ２０８）、及び、第三の試験（Ｓ２１４）のうち、低ノイズ電圧を供給する必要があるのはそれぞれＳ２０４、Ｓ２１０及びＳ２１６の期間（低ノイズ指定期間）である。
【００７０】
試験開始前の試験停止状態（Ｓ２００）においては、入力スイッチＳＷ１ａ、出力スイッチＳＷ１ｂ及び入力スイッチＳＷ２ａをオンにし、出力スイッチＳＷ２ｂをオフにする。この状態では、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ直流電圧が供給されるとともに、ＡＣ／ＤＣ電源４０から供給される直流電圧がコンデンサＣ１、Ｃ２に充電される。
【００７１】
第一の試験期間（Ｓ２０２）においては、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ直流電圧を供給しつつ、パターン発生器１０がデバイス接続部９０へ入力信号パターンを供給する。これにより半導体デバイス２００へ入力信号パターンが印加され、半導体デバイス２００が試験される。低ノイズ指定期間（Ｓ２０４）においては、半導体デバイス２００へＡＣ／ＤＣ電源４０から直流電圧を供給するのではなく、半導体デバイス２００へコンデンサＣ１に充電された直流電圧を供給する必要がある。従って、少なくとも低ノイズ指定期間に入る前に入力スイッチＳＷ１ａをオフにし（Ｓ２０２ａ）、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００への直流電圧の供給を遮断する。これにより、コンデンサＣ１から半導体デバイス２００へ低ノイズ電圧が供給される。
【００７２】
低ノイズ指定期間（Ｓ２０４）においては、コンデンサＣ１から半導体デバイス２００へ低ノイズ電圧を供給しつつ、パターン発生器１０がデバイス接続部９０へ入力信号パターンを供給する。これにより半導体デバイス２００へ入力信号パターンが印加され、半導体デバイス２００が試験される。アナログ試験をする低ノイズ指定期間（Ｓ２０４）の所要時間は、少なくとも第一の試験期間よりも短く、数秒から数十秒以内である。従って、コンデンサＣ１は直流電圧を約５０秒間供給できるので電源として十分である。
【００７３】
アナログ試験が終了して低ノイズ指定期間（Ｓ２０４）が経過した後は、再び入力スイッチＳＷ１ａをオンにしてＡＣ／ＤＣ電源４０からコンデンサＣ１と半導体デバイス２００とに直流電圧を供給する（Ｓ２０２ｂ）。コンデンサＣ１にもＡＣ／ＤＣ電源４０から直流電圧が供給されるので低ノイズ指定期間（Ｓ２０４）で電圧降下した分充電される。
【００７４】
低ノイズ指定期間（Ｓ２０４）の後で入力スイッチＳＷ１ａをオンにするとき、入力スイッチＳＷ２ａも同時にオンになっているため、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２とが短絡される。しかし、低ノイズ指定期間（Ｓ２０４）が短時間であればコンデンサＣ１の電圧降下も小さいため、短絡によって生じるスパイクも小さい。従って、スパイクが試験に与える影響は小さいと考えられるが、さらにスパイクを小さくするために抵抗値を徐々に変化させて入力スイッチＳＷ１ａをゆっくりとオンにする構成が望ましい。
【００７５】
第一の試験（Ｓ２０２）が終了するとき、試験が済んだ半導体デバイス２００を他の半導体デバイス２００に取り替える等の目的で、半導体デバイス２００への入力信号パターンの印加を停止する。これにより試験が一時的に停止される（Ｓ２０６）。一時停止の期間内に出力スイッチＳＷ１ｂをオフにして（Ｓ２０６ａ）、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００への直流電圧の供給を遮断する。遮断している間に半導体デバイス２００を他の半導体デバイス２００に取り替える（Ｓ２０６ｂ）。取り替えた後、少なくとも第二の試験（Ｓ２０８）を開始する前に出力スイッチＳＷ２ｂをオンにして（Ｓ２０６ｃ）、再びＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ直流電圧を供給する。
【００７６】
第二の試験（Ｓ２０８）においても、第一の試験（Ｓ２０２）と同様に、低ノイズ指定期間（Ｓ２１０）にだけ低ノイズ電圧が半導体デバイス２００に供給されればよい。それ以外の期間においては、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ直流電圧を供給する。少なくとも低ノイズ指定期間（Ｓ２１０）に入る前に入力スイッチＳＷ２ａをオフにする（Ｓ２０８ａ）。これにより、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００への直流電圧の供給が遮断され、コンデンサＣ２から半導体デバイス２００へ低ノイズ電圧が供給される。低ノイズ指定期間においては、アナログ試験が行われる。低ノイズ指定期間（Ｓ２１０）が経過した後、再び入力スイッチＳＷ２ａをオンにして（Ｓ２０８ｂ）、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００へ直流電圧を供給する。
【００７７】
その後の試験一時停止期間（Ｓ２１２）では、Ｓ２０６と同様、出力スイッチＳＷ２ｂをオフにし（Ｓ２１２ａ）、半導体デバイス２００を他の半導体デバイス２００と取り替える（Ｓ２１２ｂ）。少なくとも第三の試験（Ｓ２１４）を開始する前に出力スイッチＳＷ１ｂをオンにする（Ｓ２１２ｃ）。第三の試験（Ｓ２１４）では第一の試験（Ｓ２０２）及び第二の試験（Ｓ２０８）と同様、低ノイズ試験期間（Ｓ２１６）にだけ低ノイズ電圧をコンデンサＣ１から半導体デバイス２００へ供給すべく、入力スイッチＳＷ１ａを低ノイズ指定期間の前にオフにする（Ｓ２１４ａ）。低ノイズ指定期間経過後は入力スイッチＳＷ１ａをオンにする（Ｓ２１４ｂ）。第三の試験（Ｓ２１４）が終了して試験は停止状態となる（Ｓ２１８）。
【００７８】
本実施形態では、入力スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａの切替により、ＡＣ／ＤＣ電源４０から半導体デバイス２００への直流電圧の供給を遮断する。これにより、低ノイズ指定期間にだけコンデンサＣ１又はコンデンサＣ２に充電された低ノイズの直流電圧を半導体デバイス２００へ供給することができる。
【００７９】
以上のように、本実施形態によれば、ＡＣ／ＤＣ電源４０とコンデンサＣ１とを入力スイッチＳＷ１ａによって遮断し、コンデンサＣ１と半導体デバイス２００とを出力スイッチＳＷ１ｂによって接続することにより、コンデンサＣ１に充電された低ノイズの直流電圧を半導体デバイス２００へ供給することができる。また、ＡＣ／ＤＣ電源４０とコンデンサＣ２とを入力スイッチＳＷ２ａによって遮断し、コンデンサＣ２と半導体デバイス２００とを出力スイッチＳＷ２ｂによって接続することにより、コンデンサＣ２に充電された低ノイズの直流電圧を半導体デバイス２００へ供給することができる。
【００８０】
また、本実施形態によれば、入力スイッチＳＷ１ａ、ＳＷ２ａ、及び、出力スイッチＳＷ１ｂ、ＳＷ２ｂの切替によりコンデンサＣ１及びコンデンサＣ２のいずれか一方から半導体デバイス２００へ電圧供給して他方を充電する。そして、コンデンサＣ１及びコンデンサＣ２がそれぞれ電圧供給と充電とを交互に繰り返すことから、コンデンサＣ１及びコンデンサＣ２のいずれかから半導体デバイス２００へ低ノイズの直流電圧を継続的に供給することができる。
【００８１】
また、本実施形態によれば、入力スイッチＳＷ１ａ又は入力スイッチＳＷ２ａの切替によりＡＣ／ＤＣ電源４０と半導体デバイス２００とを一時的に遮断できることから、半導体デバイス２００へ供給する直流電圧を、試験期間中において一時的に低ノイズの直流電圧へ切り替えることができる。
【００８２】
また、本実施形態によれば、コンデンサＣ１又はコンデンサＣ２の電圧を、電圧供給前と電圧供給後とにそれぞれ測定して比較することによって、半導体デバイス２００による平均電流消費量を算出することができる。
【００８３】
また、本実施形態によれば、充電されたコンデンサＣ１又はコンデンサＣ２の電圧を測定して使用に適さないと判断された場合に、他のコンデンサに交換することができる。
【００８４】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば電源ユニットがコンデンサと入力スイッチと出力スイッチとを備え、入力スイッチと出力スイッチとを切り替えることにより低ノイズの直流電圧を半導体デバイスに供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の電源ユニットを示すブロック図である。
【図２】半導体デバイス試験装置１００の全体構成を示すブロック図である。
【図３】第一の実施形態の電源ユニット３０を示すブロック図である。
【図４】第二の実施形態の電源ユニット３０を示すブロック図である。
【図５】半導体デバイス試験における充電部５０の動作を示すタイムチャートである。
【図６】試験期間内に低ノイズ指定期間を含む半導体デバイス試験における充電部５０の動作を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１０ パターン発生器
２０ 波形整形器
３０ 電源ユニット
４０ ＡＣ／ＤＣ電源
５０ 充電部
６０ スイッチング制御部
９０ デバイス接続部
１００ 半導体デバイス試験装置
１１０ 不良解析メモリ部
２００ 半導体デバイス
２１０ 制御装置
２２０ 交流電源

Claims (20)

1. 電気部品へ電圧を供給する電源ユニットであって、
   前記電気部品に直流電圧を与える直流電源と、
   前記直流電源と前記電気部品との間において、前記直流電圧を充電するコンデンサと、
   前記コンデンサと前記直流電源とを接続し又は遮断する入力スイッチと、
   前記コンデンサと前記電気部品とを接続し又は遮断する出力スイッチと、
   前記出力スイッチと前記入力スイッチとをオンにして前記直流電源から前記コンデンサ及び前記電気部品に前記直流電圧を供給させる手段と、前記出力スイッチをオンにしているときに前記入力スイッチを一時的にオフにすることにより、前記直流電源から前記コンデンサ及び前記電気部品への前記直流電圧の供給を一時的に遮断し、前記コンデンサに充電された電力を前記電気部品に提供させる手段とを有するスイッチング制御部と
   を備えることを特徴とする電源ユニット。
2. 前記スイッチング制御部は、前記電気部品のアナログ回路の部分を試験する場合に、前記入力スイッチをオフにすることを特徴とする請求項１に記載の電源ユニット。
3. 前記直流電源と前記電気部品との間に設けられ、前記直流電圧を充電する、並列に設けられた複数の前記コンデンサと、
   複数の前記コンデンサと前記電気部品とをそれぞれ接続し又は遮断する複数の前記出力スイッチと
   を備え、
   前記スイッチング制御部は、複数の前記出力スイッチの一つをオンにし、オンにした前記出力スイッチを介して前記電気部品へ直流電圧を供給させる間、他の前記出力スイッチをオフにする手段をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の電源ユニット。
4. 複数の前記コンデンサと前記直流電源とをそれぞれ接続し又は遮断する複数の前記入力スイッチを備え、
   前記スイッチング制御部は、複数の前記入力スイッチをオンにし、オンにした前記出力スイッチに対応する前記入力スイッチを一時的にオフにすることを特徴とする請求項３に記載の電源ユニット。
5. 前記スイッチング制御部は、一時的にオフにした前記入力スイッチをオンにするとき、当該入力スイッチの抵抗値を徐々に変化させることを特徴とする請求項４に記載の電源ユニット。
6. 前記入力スイッチと前記出力スイッチと前記コンデンサとを、前記電源ユニットから取り外して交換が可能となるように設けることを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載の電源ユニット。
7. 前記直流電源は、交流電源から供給される交流電圧を直流電圧に変換するＡＣ／ＤＣ電源であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の電源ユニット。
8. 半導体デバイスを試験する半導体デバイス試験装置であって、
   前記半導体デバイスに接続し、接続された前記半導体デバイスに入力信号パターンを印加するデバイス接続部と、
   前記デバイス接続部に接続した前記半導体デバイスに直流電圧を供給する直流電源と、
   前記直流電源と前記半導体デバイスとの間において、前記直流電圧を充電し又は放電するコンデンサと、
   前記コンデンサと前記直流電源とを接続し又は遮断する入力スイッチと、
   前記コンデンサと前記半導体デバイスとを接続し又は遮断する出力スイッチと、
   前記出力スイッチと前記入力スイッチとをオンにして前記直流電源から前記コンデンサ及び前記半導体デバイスに前記直流電圧を供給させる手段と、前記出力スイッチをオンにしているときに前記入力スイッチを一時的にオフにすることにより、前記直流電源から前記コンデンサ及び前記半導体デバイスへの前記直流電圧の供給を一時的に遮断し、前記コンデンサに充電された電力を前記半導体デバイスに提供させる手段とを有するスイッチング制御部と、
   前記入力信号パターンを前記半導体デバイスへ供給する手段を有するパターン発生器と、
   を備えることを特徴とする半導体デバイス試験装置。
9. 前記スイッチング制御部は、前記半導体デバイスのアナログ回路の部分を試験する場合に、前記入力スイッチをオフにすることを特徴とする請求項８に記載の半導体デバイス試験装置。
10. 前記スイッチング制御部は、前記入力信号パターンが前記半導体デバイスへ供給されているときに前記入力スイッチを一時的にオフにする手段をさらに有することを特徴とする請求項９に記載の半導体デバイス試験装置。
11. 前記直流電源と前記半導体デバイスとの間において並列に設けられ、前記直流電圧を充電する複数の前記コンデンサと、
    複数の前記コンデンサと前記半導体デバイスとをそれぞれ接続し又は遮断する複数の前記出力スイッチとを備え、
    前記スイッチング制御部は、複数の前記出力スイッチのうちいずれか一つをオンにし、オンにした前記出力スイッチを介して前記半導体デバイスへ直流電圧を供給させる間、他の前記出力スイッチをオフにする手段をさらに有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体デバイス試験装置。
12. 複数の前記コンデンサと前記直流電源とをそれぞれ接続し又は遮断する複数の前記入力スイッチを備え、
    前記スイッチング制御部は、複数の前記入力スイッチをオンにし、オンにした前記出力スイッチに対応する前記入力スイッチを一時的にオフにすることを特徴とする請求項１１に記載の半導体デバイス試験装置。
13. 前記スイッチング制御部は、一時的にオフにした前記入力スイッチをオンにするとき、当該入力スイッチの抵抗値を徐々に変化させることを特徴とする請求項１２に記載の半導体デバイス試験装置。
14. 前記入力スイッチと前記出力スイッチと前記コンデンサとを、前記半導体デバイス試験装置から取り外して交換が可能となるように設けることを特徴とする請求項９から１３のいずれかに記載の半導体デバイス試験装置。
15. 前記直流電源は、交流電源から供給される交流電圧を直流電圧に変換するＡＣ／ＤＣ電源であることを特徴とする請求項８から１４のいずれかに記載の半導体デバイス試験装置。
16. 半導体デバイス試験装置を用いて半導体デバイスを試験する半導体デバイス試験方法であって、
    前記半導体デバイス試験装置は、
    前記半導体デバイスに接続し、接続された前記半導体デバイスに入力信号パターンを印加するデバイス接続部と、
    前記デバイス接続部に接続した前記半導体デバイスに直流電圧を供給する直流電源と、
    前記直流電源と前記半導体デバイスとの間において、前記直流電圧を充電し又は放電するコンデンサと、
    前記コンデンサと前記直流電源とを接続し又は遮断する入力スイッチと、
    前記コンデンサと前記半導体デバイスとを接続し又は遮断する出力スイッチと、
    前記入力信号パターンを前記半導体デバイスへ供給する手段を有するパターン発生器と、
    を備え、
    前記半導体デバイス試験方法は、
    前記出力スイッチと前記入力スイッチとをオンにして前記直流電源から前記コンデンサ及び前記半導体デバイスに前記直流電圧を供給させる第１段階と、
    前記出力スイッチをオンにしているときに前記入力スイッチを一時的にオフにすることにより、前記直流電源から前記コンデンサ及び前記半導体デバイスへの前記直流電圧の供給を一時的に遮断し、前記コンデンサに充電された電力を前記半導体デバイスに提供させる第２段階と
    を備えることを特徴とする半導体デバイス試験方法。
17. 前記第２段階において、前記半導体デバイスのアナログ回路の部分を試験する場合に、前記入力スイッチをオフにすることを特徴とする請求項１６に記載の半導体デバイス試験方法。
18. 前記半導体デバイス試験装置は、
    前記直流電源と前記半導体デバイスとの間に設けられ、前記直流電圧を充電する、並列に設けられた複数の前記コンデンサと、
    複数の前記コンデンサと前記半導体デバイスとをそれぞれ接続し又は遮断する複数の前記出力スイッチと
    を備え、
    前記半導体デバイス試験方法は、
    前記第２段階において、複数の前記出力スイッチの一つをオンにし、オンにした前記出力スイッチを介して前記半導体デバイスへ直流電圧を供給させる間、他の前記出力スイッチをオフにすることを特徴とする請求項１７に記載の半導体デバイス試験方法。
19. 前記半導体デバイス試験装置は、
    複数の前記コンデンサと前記直流電源とをそれぞれ接続し又は遮断する複数の前記入力スイッチを備え、
    前記半導体デバイス試験方法は、
    前記第１段階において、複数の前記入力スイッチをオンにし、
    前記第２段階において、オンにした前記出力スイッチに対応する前記入力スイッチを一時的にオフにすることを特徴とする請求項１８に記載の半導体デバイス試験方法。
20. 前記第２段階において、一時的にオフにした前記入力スイッチをオンにするとき、当該入力スイッチの抵抗値を徐々に変化させることを特徴とする請求項１９に記載の半導体デバイス試験方法。

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