JP4366560B2 - 二次電池保護回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は二次電池保護回路に関し、特にリチウムイオン電池のような充電可能な電池(二次電池)を備えた電池ユニットに用いられ、二次電池の過充電状態、過放電状態、過電流状態等を検出してそれぞれに応じた保護動作を行うことで二次電池を保護する二次電池保護回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
二次電池のうち、特にリチウムイオン電池は、過充電、過放電に弱いため、過放電状態、過充電状態を検出する検出装置が不可欠であり、更に過電流状態を検出する検出装置も必要である。
【0003】
過充電について言えば、リチウムイオン電池は、充電してゆくと満充電状態を過ぎても電池電圧は上昇を続ける。過充電状態になると、電池内部圧力の上昇による電池の破損や、金属リチウムの析出による電極間ショートが発生し、発熱、発火の危険性がある。したがって、充電は定電流定電圧で行い、定電圧充電の制御電圧は、電池の定格を越えないようにしなければならない。しかし、充電器の故障や、誤って異機種充電器による充電が行われた場合は、電池の定格電圧を越えるおそれがある。このような場合に、電池の最大定格を越えないように充電電流を遮断する機能が過充電保護機能である。
【0004】
過放電について言えば、ニッカド電池やニッケル水素電池は、電池容量を使い切ってから充電しないで浅い放電・充電を繰り返すと、電池の能力が落ちてくる、いわゆるメモリー効果がある。これに対し、リチウムイオン電池は、メモリー効果がなく、二次電池として理想的である。しかし、その反面、放電し過ぎて電池電圧が所定値以下になってしまうと、電池の構成物質が変質し電池寿命を縮める場合がある。このため、電池電圧が所定の電圧以下になった場合に、放電電流を遮断する機能が過放電保護機能である。
【0005】
次に、過電流について言えば、電池を保管したり持ち運ぶ際、誤って金属を触れさせて電池の+端子と−端子との間をショートさせてしまった場合や、接続機器が故障してショート状態となった場合は、大電流が流れて金属を溶断したり、可燃物が触れていれば発火したりするおそれがある。このため、電流値を検出して放電電流を遮断する機能が過電流保護機能である。
【0006】
上記のいずれの保護機能においても、電圧あるいは電流を検出して保護動作を行うようにしている。ここで、電圧あるいは電流に一時的(ごく短時間)な変動が生ずる場合がある。このような場合には、上記保護動作を行う必要は無い。これを実現するために、二次電池保護回路には不感応時間設定回路も備えられる。不感応時間設定回路というのは、例えば過電流が検出されたとしても、一定時間の間は過電流保護動作を実行しないようにするためのものである。
【0007】
図3を参照して、上記のような各種機能を有する二次電池保護回路について説明する。図3において、リチウムイオン電池21に並列に過充電検出回路22、過放電検出回路23が接続されている。過電流検出回路24は、負荷(図示せず)との間の電力供給ラインに接続されて過電流状態を検出する。過充電検出回路22、過放電検出回路23、過電流検出回路24の検出信号はそれぞれ、過充電状態、過放電状態、過電流状態が続いている間維持され、論理演算回路25に出力される。論理演算回路25は、過充電検出回路22、過放電検出回路23、過電流検出回路24からの入力があると、それぞれの場合に応じた信号を不感応時間設定回路26に与える。不感応時間設定回路26は、論理演算回路15から例えば過電流検出に対応する信号を受けると、それに対応して設定された不感応時間を経過してはじめて信号を論理演算回路25に出力する。この時、論理演算回路25は、放電電流を遮断するための放電制御信号を出力する。
【0008】
なお、図3ではリチウムイオン電池21が1個の場合について示しているが、リチウムイオン電池が複数個直列接続される場合には、それぞれに過充電検出回路、過放電検出回路、過電流検出回路が備えられる。なお、過充電検出回路、過放電検出回路、過電流検出回路については、例えば特願平7−193252号、特願平8−72521号に開示されている。
【0009】
図4は、上記の不感応時間設定回路26をICで実現した実際の回路例を示している。不感応時間設定回路26は、クロック生成回路26−1と、フリップフロップ(以下、FFと略記する)回路26−2とから成る。クロック生成回路26−1は、FF回路26−2のためのクロックCLK、CLKバーを生成する回路である。ここで、CLKバーというのは、クロックCLKを反転させた信号の便宜上の呼称であり、図4ではCLKの上に反転を示すバーが付されている。これは、以降で述べられるフリップフロップの出力Qについても同様であり、図中でQの上に反転を示すバーが付されたものはQバーと呼ぶことにする。FF回路26−2は、ここでは12段の分周用T(トグル)−FF1〜T−FF12から成る。
【0010】
クロックCLKのパルス幅をPwとすると、各段のT−FFからはPw×2n (nはT−FFの段数で1以上の整数)で規定される遅延時間を持つ信号が出力される。本例では、5段目のT−FF5から過電流検出を示す信号を取り出し、9段目のT−FF9から過放電検出を示す信号を、12段目のT−FF12からは過充電検出を示す信号をそれぞれ取り出すようにしている。これらの信号は、図3で説明した論理演算回路25に出力される。
【0011】
図5は、図4の回路における初段のT−FF1入力、すなわちクロックCLK(図4で言えば、T−FF1の入力側の上段)、CLKバー(図4で言えば、T−FF1の入力側の下段)と、初段のT−FF1出力、すなわち端子Q(図4で言えば、T−FF1の出力側の上段)、Qバー(図4で言えば、T−FF1の出力側の下段)からの出力と、2段目のT−FF2の端子Qバーからの出力波形を示している。
【0012】
図6は、異常状態とT−FF出力との関係を示した図である。
【0013】
なお、クロックCLKのパルス幅Pwは、クロック生成回路26−1におけるN段(Nは2以上の整数で、本例ではN=4)の充放電部26−11〜26−14で規定される。充放電部26−11〜26−14はそれぞれ同じ構成であり、例えば充放電部26−11について言えば、充放電用のn−MOSによるトランジスタT11、カレントミラー用のp−MOSによるトランジスタT12とコンデンサC11とから成る。
【0014】
図7をも参照して、充放電部26−11では、トランジスタT11のゲートにおける電位に応じてコンデンサC11が充放電を行う。すなわち、トランジスタT11はオン状態にあるが、そのゲート電位が閾値まで高くなるとオフとなり、電流IによるコンデンサC11の充電が始まる。すると、トランジスタT11のドレインとトランジスタT12のソース間の電位V11が図7(a)に示すように低下する。電位V11が閾値まで低下すると、図7(b)に示すように、今度は充放電部26−12における充放電用のトランジスタT21がオンとなり、電流IによるコンデンサC21の充電が始まる。コンデンサC11の充電が完了すると、電位V11は元の値に戻る。以下、充放電部26−13、26−14でも同じような動作が行われる。
【0015】
カレントミラー用のトランジスタT12〜T42(第1のカレントミラー用トランジスタ)はそれぞれ、コンデンサC11〜C41のラインの電流を同じ電流値Iにするためのものである。
【0016】
以上のような動作において、コンデンサC11における蓄積電荷Qは、Q=C・V=I・tで表される。但し、CはコンデンサC11の容量、Vは電位、Iは充電電流、tは時間である。
【0017】
上記の式より、t=C・V/Iであり、時間tはクロック生成回路26−1におけるクロックCLKの周期を規定する。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、これまでの不感応時間設定回路26は、上記のようにしてクロック生成回路26−1におけるクロックCLKの周期が設定されてしまうと、この周期は固定である。そして、クロックCLKの周期が決まると、不感応時間設定回路26から出力される過電流検出を示す信号、過放電検出を示す信号、過充電検出を示す信号の持つ遅延時間も固定となる。言い換えれば、一旦、クロックCLKの周期が設定されてしまうと、不感応時間設定回路26からの各種信号の遅延時間を変えることはできない。これは、不感応時間設定回路26がICに内蔵して作られるからである。このため、従来の二次電池保護回路には以下のような問題点を有していた。
【0019】
二次電池保護回路の組立てが終了すると、その機能試験が行われる。例えば、過電流検出回路の機能を試験するためには、実際に過電流を流して、正常に過電流に対する保護動作が行われるかどうかの試験が繰り返し行われる。ここで、過電流検出回路の機能を試験するためには、過電流に対して正常に保護動作が行われるかどうかを見れば良いので、不感応時間は不要である。しかしながら、機能試験時には不感応時間設定回路26も機能しているので、過電流に対して設定された不感応時間を経過しないと、過電流に対して正常に保護動作が行われるかどうかを見ることができない。
【0020】
そして、上記の機能試験は、過電流だけでなく、過充電、過放電に対しても必要であるので、二次電池保護回路全体としてみた場合、不感応時間に起因する全体の待ち時間は無視できず、機能試験に多くの時間を要してしまうという問題があった。
【0021】
そこで、本発明の課題は、不感応時間設定回路をICに内蔵して製造する場合であっても不感応時間を短縮することのできる不感応時間設定回路を備えた二次電池保護回路を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明は、二次電池における過放電状態、過充電状態、過電流状態を検出してそれぞれに対応した処置をとるに際し、それぞれの状態に応じた不感応時間を設定するためにICによる不感応時間設定回路を備えた二次電池保護回路において、前記不感応時間設定回路に、前記不感応時間を短縮する切換え回路を備え、前記不感応時間設定回路は、クロックを生成するためのクロック生成回路と、前記クロックを分周するn段(nは1以上の整数)のフリップフロップ(以下、FFと略記する)回路とを含み、前記切換え回路は、前記クロック生成回路を構成して前記クロックの周期を規定するトランジスタの電流Iを制御するカレントミラー回路を含み、前記クロック生成回路は、充放電用の前記トランジスタとこれに並列に接続されたコンデンサと前記トランジスタに直列に接続された第1のカレントミラー用のトランジスタとを含むN段(Nは2以上の整数)の充放電部を含み、前記カレントミラー回路は、前記N段のそれぞれのコンデンサのラインに接続されてそこに流れる前記電流Iを増加させることで前記クロックの周期を短くする第2のN段のカレントミラー用のトランジスタを含むことを特徴とする。
【0024】
本二次電池保護回路においてはまた、前記不感応時間設定回路はICに内蔵して作られ、該ICは複数の入出力端子を備え、これら複数の入出力端子のうちのあらかじめ定められた端子間の接続を変えることで前記カレントミラー回路を起動させることができる。
【0026】
【発明の実施の形態】
図1、図2を参照して、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は、本発明の好ましい実施の形態による不感応時間設定回路を示す。本回路は、図3で説明したような二次電池保護回路に適用される。図1において、図4と同じ部分には同一番号を付し、またフリップフロップ回路26−2は図4のものと同じなので図示は省略している。
【0027】
本形態においては、図4に示したクロック生成回路26−1に、不感応時間を短縮する切換え回路10を設けた点に特徴を有する。切換え回路10は、カレントミラー回路で実現され、4段の充放電部26−11〜26−14におけるそれぞれのコンデンサC11〜C41のラインに接続されてそこに流れる電流Iを増加させることでクロック生成回路26−1からのクロックCLKの周期を変える4段のカレントミラー回路10−11〜10−14から成る。各段のカレントミラー回路10−11〜10−14は同じ構成であり、具体的には、1段目のコンデンサC11のラインには、1段目のカレントミラー回路10−11として直列接続された一対のp−MOSによるカレントミラー用のトランジスタ(第2のカレントミラー用トランジスタ)T1、T2が接続され、2段目のコンデンサC21のラインには、2段目のカレントミラー回路10−12として直列接続された一対のカレントミラー用のトランジスタT3、T4が接続されている。また、3段目のコンデンサC31のラインには、3段目のカレントミラー回路10−13として直列接続された一対のカレントミラー用のトランジスタT5、T6が接続され、4段目のコンデンサC41のラインには、4段目のカレントミラー回路10−14として直列接続された一対のカレントミラー用のトランジスタT7、T8が接続されている。
【0028】
各カレントミラー回路10−11〜10−14は、トランジスタT1、T3、T5、T7のゲートが共通に時間短縮端子(図2)に接続され、トランジスタT2、T4、T6、T8のゲートも共通に時間短縮端子に接続されている。これにより、時間短縮端子の電位がトランジスタT1〜T8のソース電位より低くなるとトランジスタT1〜T8はオンになる。これは、時間短縮端子を負側に接続することで実現され、詳しくは後述する。
【0029】
カレントミラー回路10−11〜10−14がオンになると、充放電部26−11〜26−14における電流Iが同じ値だけ増加する。電流Iが増加すると、クロック生成回路26−1からのクロックCLKの周期が短くなる。これは、前に述べたように、クロック生成回路26−1からのクロックCLKの周期は、t=C・V/Iで規定され、電流Iが増加するからである。電流Iは任意に設定でき、したがってクロックCLKの周期も任意に設定できる。そして、クロックCLKの周期を短くすれば、不感応時間設定回路26から出力される過電流検出を示す信号、過放電検出を示す信号、過充電検出を示す信号の持つ遅延時間も短くなる。
【0030】
このようにすることで、二次電池保護回路の各種機能試験を行う場合には、カレントミラー回路10−11〜10−14を動作させるようにして不感応時間設定回路26における不感応時間を最短にすることにより、動作確認のための待ち時間を最短にして機能試験全体に要する時間を大幅に短縮することができる。
【0031】
図2は、本不感応時間設定回路を収容したICパッケージを示す。ICパッケージ30は複数の入出力端子VSS、VDD、時間短縮端子、過放電検出出力、負荷側マイナス電位入力、過充電検出出力を備え、これら複数の入出力端子のうちのあらかじめ定められた端子間の接続を変えることでカレントミラー回路10−11〜10−14を起動させることができる。端子VSSはICのGND端子であり、二次電池の負極側接続端子である。端子VDDは電源入力端子であり、時間短縮端子は図1のスイッチ2に対応する。過放電検出出力は過放電検出信号用の出力端子である。負荷側マイナス電位入力は過電流検出、過充電検出用の入力端子であり、過充電検出出力は過充電検出信号用の出力端子である。
【0032】
前に述べたように、図1のカレントミラー回路10−11〜10−14は、スイッチ2端子を負側に接続することで実現される。これは、機能試験時に図2における時間短縮端子を端子VSSに接続するだけで良い。この時以外は時間短縮端子は端子VDDに接続されている。
【0033】
以上、本発明を好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、図1に回路におけるMOSトランジスタはp−MOS、n−MOSのいずれでも実現可能である。
【0034】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば不感応時間設定回路をICに内蔵して製造する場合であっても不感応時間を短縮することができ、これにより二次電池保護回路としての機能試験を行う際の作業時間を大幅に短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による不感応時間設定回路の主要部の構成を示した回路図である。
【図2】本発明による不感応時間設定回路をICに内蔵した場合の端子配置を示した図である。
【図3】本発明が適用される二次電池保護回路の構成を示したブロック図である。
【図4】従来の不感応時間設定回路の構成を示した回路図である。
【図5】図4のフリップフロップ回路における初段及び第2段目のフリップフロップの入出力波形を示した図である。
【図6】図4のフリップフロップ回路の出力と各種の異常検出状態との関係を示した図である。
【図7】図4のクロック生成回路における充放電部の動作を説明するための波形図である。
【符号の説明】
10 切換え回路
10−11〜10−14 カレントミラー回路
21 リチウムイオン電池
26−1 クロック生成回路
26−2 フリップフロップ回路
30 ICパッケージ
Claims (2)
- 二次電池における過放電状態、過充電状態、過電流状態の少なくとも1つを検出してそれに対応した処置をとるに際し、その状態に応じた不感応時間を設定するためにICによる不感応時間設定回路を備えた二次電池保護回路において、
前記不感応時間設定回路に、前記不感応時間を短縮する切換え回路を備え、
前記不感応時間設定回路は、クロックを生成するためのクロック生成回路と、前記クロックを分周するn段(nは1以上の整数)のフリップフロップ(以下、FFと略記する)回路とを含み、
前記切換え回路は、前記クロック生成回路を構成して前記クロックの周期を規定するトランジスタの電流Iを制御するカレントミラー回路を含み、
前記クロック生成回路は、充放電用の前記トランジスタとこれに並列に接続されたコンデンサと前記トランジスタに直列に接続された第1のカレントミラー用のトランジスタとを含むN段(Nは2以上の整数)の充放電部を含み、前記カレントミラー回路は、前記N段のそれぞれのコンデンサのラインに接続されてそこに流れる前記電流Iを増加させることで前記クロックの周期を短くする第2のN段のカレントミラー用のトランジスタを含むことを特徴とする二次電池保護回路。 - 請求項1記載の二次電池保護回路において、前記不感応時間設定回路はICとして作られ、該ICは複数の入出力端子を備え、これら複数の入出力端子のうちのあらかじめ定められた端子間の接続を変えることで前記カレントミラー回路を起動させることを特徴とする二次電池保護回路。
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