JP4363873B2 - 電気装置の製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は接着剤の技術に関し、特に半導体素子とガラス基板との貼り合わせに用いる接着剤の技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体素子を液晶ディスプレイに接続するために、加熱により硬化する熱硬化性の接着剤が用いられている。
熱硬化性の接着剤としては、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂を含有するものが広く用いられており、エポキシ樹脂が加熱により重合すると機械的強度の高い重合体となるので、半導体素子と液晶ディスプレイとが該接着剤によって強固に接続され、信頼性の高い電気装置が得られる。
【0003】
ところで、接着剤を加熱する際に、半導体素子も熱伝導により加熱され、熱膨張により半導体素子が伸張することがあり、加熱終了後に全体が冷却されると伸張した半導体素子が収縮し、その収縮に伴い液晶ディスプレイに反り等の変形が生じることがある。
【0004】
液晶ディスプレイに変形が生じると、変形した部分の液晶の配向が乱れるため、液晶ディスプレイに表示される画像に乱れが生じてしまう。
熱圧着の際に、液晶ディスプレイを載置する載置台を加熱し、液晶ディスプレイと半導体素子との温度差を少なくしたり、熱圧着を低温で行う等の温度管理を行えば、液晶ディスプレイの変形量を少なくすることが可能であるが、載置台を加熱可能に改良することは困難であり、また、熱圧着の低温化は接着剤の硬化に要する時間が長時間化することから好ましくない。
【0005】
接着剤にポリエステル樹脂等柔軟性の高い樹脂を多量に添加すれば、接着剤全体の柔軟性を高くなり、半導体素子の収縮で生じる応力が接着剤で緩和されるため、液晶ディスプレイが変形しない。しかし、そのような接着剤の機械的強度は低いので、温度変化や物理的衝撃などを受けると半導体素子が液晶ディスプレイから剥がれる場合がある。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−332137号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、反り等の変形がなく、かつ信頼性の高い電気装置を製造するための技術を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項1記載の発明は、基板と半導体素子との間に接着剤を配置し、前記接着剤を硬化させて前記基板と前記半導体素子とを接続する電気装置の製造方法であって、前記接着剤は、エポキシ樹脂からなる第一の樹脂成分と、前記エポキシ樹脂を重合させるマイクロカプセル化された重合硬化剤(但し、前記重合硬化剤からはブロックイソシアネートとマイクロカプセル化されたイソシアネートを除く)と、フェノキシ樹脂とポリエステル樹脂とを含有する第二の樹脂成分と、前記ポリエステル樹脂を架橋させる架橋硬化剤として、ブロックイソシアネート又はマイクロカプセルに封入されたイソシアネートを含有し、前記エポキシ樹脂を重合させた後も、前記ポリエステル樹脂を架橋させる電気装置の製造方法である。
請求項2記載の発明は、前記エポキシ樹脂の重合は加熱によって行う請求項1記載の電気装置の製造方法である。
請求項3記載の発明は、前記ポリエステル樹脂の架橋反応中に前記フェノキシ樹脂が架橋反応を生じる請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の電気装置の製造方法である。
請求項4記載の発明は、前記架橋硬化剤に錫系有機金属が添加された請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の電気装置の製造方法である。
【0009】
本発明でブロックイソシアネートとは、反応式(1)の右式で示されるイソシアネート化合物にブロック剤(R2)が付加し、イソシアネート基(−NCO)が封鎖されたものであり、下記反応式(1)の左式で表される。
【0010】
【化1】
Figure 0004363873
【0011】
室温ではブロックイソシアネートが解離しないため、接着剤中のポリエステル樹脂が架橋しないが、ブロックイソシアネートの解離温度以上に加熱されるとブロック剤(R2)が解離し、活性化したイソシアネート化合物によってポリエステル樹脂が架橋するようになっている。
【0012】
尚、フェノキシ樹脂はその構造中に水酸基を多数有しており、イソシアネート化合物との反応性が高いので、ポリエステル樹脂が架橋する際には、フェノキシ樹脂同士の架橋構造、及びフェノキシ樹脂とポリエステル樹脂との架橋構造も形成されると推測される。
【0013】
本発明は上記のように構成されており、本発明の接着剤はエポキシ樹脂のように加熱により重合する第一の樹脂成分と、ポリエステル樹脂やフェノキシ樹脂のように柔軟性が高い第二の樹脂成分とを有している。
【0014】
第一の硬化剤(重合硬化剤)によりエポキシ樹脂が重合する温度であって、かつ、第二の硬化剤(架橋硬化剤)によりポリエステル樹脂が架橋する温度を接着剤の硬化温度とすると、接着剤を硬化温度以上に加熱することで、エポキシ樹脂の重合反応と、ポリエステル樹脂の架橋反応とが開始する。
【0015】
エポキシ樹脂が重合する反応速度は、ポリエステル樹脂が架橋する反応速度よりも非常に早いので、エポキシ樹脂が充分に重合するまで加熱をした場合、ポリエステル樹脂は殆ど架橋しておらず、結果接着剤の柔軟性が失われない。
【0016】
従って、本発明の接着剤を介して半導体素子と基板とを貼り合せる場合、加熱終了後に半導体素子が収縮しても、収縮による応力が柔軟性が高い接着剤で緩和されるので、基板に反りなどの変形が生じない。
【0017】
ポリエステル樹脂が架橋する反応は室温でもゆっくり進行するので、加熱終了後に全体を室温まで冷却し、長時間放置すると、ポリエステル樹脂が完全に架橋し、接着剤が完全に硬化する。
【0018】
その状態では、接着剤全体の機械的強度が高くなっており、該接着剤によって半導体素子は液晶ディスプレイに強固に固定されるので、熱変化等の物理的衝撃で半導体素子が剥がれることがない。
【0019】
尚、本発明でポリエステル樹脂が架橋する温度とは、第二の硬化剤としてブロックイソシアネートを用いた場合はブロックイソシアネートが解離する温度であり、第二の硬化剤としてマイクロカプセル化されたイソシアネート化合物を用いた場合は、該マイクロカプセルが溶融又は破損するときの温度である。
【0020】
ブロックイソシアネートとしては、解離温度が80℃以上160℃以下のものを使用可能であり、特に解離温度が90℃以上130℃以下のものが好ましい。
【0021】
Tgが室温に比べて極端に低い(例えば6℃以下)のポリエステル樹脂を従来の接着剤に添加すると、接着剤の軟化点が低くなりすぎるため、接着剤を加熱したときの流動性が高くなり、取り扱いが困難であった。
【0022】
本発明の接着剤は、加熱される際にポリエステル樹脂の架橋反応が開始しており、ポリエステル樹脂を架橋させない従来の接着剤に比べて、加熱されたときの流動性が低くなる。従って、Tgが6℃以下と低いポリエステル樹脂を用いても、加熱したときの流動性が高くなり過ぎず、取り扱いが容易である。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の接着剤の一例について詳細に説明する。
エポキシ樹脂からなる第一の樹脂成分と、エポキシ樹脂を熱重合させる第一の硬化剤と、フェノキシ樹脂とポリエステル樹脂からなる第二の樹脂成分と、ポリエステル樹脂を架橋させる第二の硬化剤と、導電性粒子とを溶媒中に分散し、ペースト状の接着剤を作製した。
【0024】
ここでは第二の硬化剤としてブロックイソシアネートに錫系有機金属が添加されたものを用いた。尚、錫系有機金属は加熱によりブロックイソシアネートからブロック剤を解離させる所謂解離触媒としての機能を有する。
【0025】
図1(a)の符号19は剥離フィルムを示しており、剥離フィルム19の片面には剥離剤が塗布されている。この剥離フィルム19の剥離剤が塗布された面に、上記工程で作製されたペースト状の接着剤を塗布し、ペースト状の接着剤からなる塗布層を形成する。図1(b)の符号32はその塗布層を示しており、塗布層32中には導電性粒子31が分散されている。
【0026】
次いで全体を乾燥し、塗布層32から溶媒を揮発させると塗布層32を構成する接着剤がゲル状、又は固体状になり、接着剤がフィルム状に成形される。図1(c)の符号18はその状態の接着剤からなる接着フィルムを示している。
【0027】
次に、本発明の接着剤からなる接着フィルム18を用いて電気装置を製造する工程について説明する。図2は液晶ディスプレイに用いられるガラス基板10を示している。このガラス基板10の片面にはITO(インジウム錫酸化物)薄膜がパターニングされてなる電極15が形成されている。
【0028】
図3はガラス基板10に接続される半導体素子20の一例を示している。この半導体素子20の片面にはバンプ状の接続端子25が複数個設けられており、これらの接続端子25は半導体素子20の不図示の内部回路に接続されている。
【0029】
この半導体素子20をガラス基板10に接続するには、先ず図4(a)に示すように、電極15が形成された面を上に向けた状態でガラス基板10を載置台36表面に載置する。
【0030】
図1(c)に示した接着フィルム18を半導体素子20と略同形状に切りだした後、剥離フィルム19を剥離し、得られたフィルム片30を電極15表面に載置する(図4(b))。
【0031】
次いで、接続端子25を下に向けた状態で半導体素子20をガラス基板10上に配置し、位置合わせによって接続端子25を電極15と対向配置させた後、接続端子25をフィルム片30表面に押し当てる(図4(c))。
【0032】
次に、図4(d)に示すように、熱圧着ヘッド37を半導体素子20の接続端子25とは反対側の面に押し当てる。熱圧着ヘッド37は加熱手段39を内蔵しており、該加熱手段39によって、予め接着剤の硬化温度よりも高い温度に加熱されている。
【0033】
従って、熱圧着ヘッド37で半導体素子20を押圧すると、熱伝導によりフィルム片30が昇温して軟化し、押圧によって半導体素子20が軟化したフィルム片30を押し退け、図5(e)に示すように接続端子25と電極15とで導電性粒子31を挟み込んだ状態になる。
【0034】
更に加熱を続け、フィルム片30が接着剤の硬化温度以上に昇温すると、第一の樹脂成分を構成するエポキシ樹脂が第一の硬化剤によって重合すると共に、錫系有機金属によってブロックイソシアネートが解離し、ポリエステル樹脂の架橋反応も開始される。エポキシ樹脂が充分に重合したところで、半導体素子20から熱圧着ヘッド37を離し、フィルム片30の加熱を終了する。
【0035】
図5(f)の符号33は加熱終了直後のフィルム片を示している。エポキシ樹脂が重合することでフィルム片33が半硬化しており、該フィルム片33を介して半導体素子20がガラス基板10に固定されている。
【0036】
ポリエステル樹脂が架橋する反応は、エポキシ樹脂の重合反応に比べ、反応速度が非常に遅いので、加熱終了直後の状態ではポリエステル樹脂が殆ど架橋しておらず、加熱終了直後のフィルム片33は高い柔軟性を有している。
【0037】
従って、加熱の際に伸張した半導体素子20が、加熱終了後に伸縮しても、柔軟性の高いフィルム片33が変形することで応力が緩和されるので、ガラス基板10が変形することはない。
【0038】
次いで、全体を室温まで冷却し、放置する。イソシアネート化合物とポリエステル樹脂との反応は室温でも進行するので、室温で長時間放置されると、ポリエステル樹脂が完全に架橋し、ガラス基板10が変形しないままフィルム片33を構成する接着剤が完全に硬化する。
【0039】
図5(g)の符号35はその状態の接着剤を示している。接着剤35は接続端子25と電極15とで導電性粒子31を挟み込んだ状態で硬化しており、半導体素子20とガラス基板10とは導電性粒子31を介して電気的に接続されている。また、接着剤35は半導体素子20とガラス基板10の両方に密着した状態で硬化しており、半導体素子20とガラス基板10とは機械的にも接続されている。即ち、半導体素子20とガラス基板10は機械的にも電気的にも接続され、電気装置1が構成されている。
【0040】
この電気装置1では、ポリエステル樹脂が架橋することによって接着剤35の機械的強度が高くなっているため、熱変化などの物理的衝撃が加えられても、半導体素子20が接着剤35から剥がれることがなく、結果電気装置1の信頼性が高くなっている。
【0041】
尚、載置台36に加熱手段を設置し、予め載置台36を接着剤の硬化温度未満の温度に加熱しておけば、熱伝導によりガラス基板10とフィルム片30とが接着剤が硬化しない程度に加熱されるので、熱圧着ヘッド37で半導体素子20を押圧する際に半導体素子20とガラス基板10の温度差が少なくなり、ガラス基板10により反りが生じにくくなる。
【0042】
【実施例】
エポキシ樹脂である大日本インキ(株)社製の商品名「840」(平均分子量840)を18重量部と、第一の硬化剤である旭化成エポキシ(株)社製の商品名「HX3941HP」を31重量部と、フェノキシ樹脂である東都化成(株)社製の商品名「YP−50」(平均分子量50000)を20重量部と、ポリエステル樹脂であるユニチカ(株)社製の商品名「UE3500」(平均分子量30000、Tg=35℃)を20重量部と、第二の硬化剤として旭化成工業(株)社製の商品名「MF−B60X」を9重量部と、第二の硬化剤に添加する錫系有機金属としてDBTDL(ジブチル錫ジラウリレート)を1重量部と、添加剤としてシランカップリング剤(日本ユニカー(株)社製の商品名「A−187」)を1重量部と、導電性粒子とを溶媒であるトルエンに分散し、ペースト状の接着剤を得た。
【0043】
尚、旭化成エポキシ(株)社製の商品名「HX3941HP」はエポキシ樹脂を硬化させる第一の硬化剤がマイクロカプセルに封入されてなる所謂潜在性硬化剤であり、旭化成工業(株)社製の商品名「MF−B60X」は解離温度が130℃のブロックイソシアネートである。
【0044】
この接着剤を膜厚50μmの剥離フィルム19に塗布、乾燥し、膜厚20μmの接着フィルム18を形成し、該接着フィルム18からフィルム片30を切り出した。
【0045】
ガラス基板10として、膜厚0.7mmのガラス基板10の片面にITO(インジウム錫酸化物)電極15が形成されたもの用意し、半導体素子20として縦2mm、横18mm、膜厚0.4mmの長方形形状のものを用意した。
【0046】
このガラス基板10と半導体素子20とを用い、載置台36の温度が30℃、熱圧着ヘッド37の温度が251℃の条件で、半導体素子20に40MPa・sの荷重を加えながら、フィルム片30の温度を10秒間で190℃まで昇温させてエポキシ樹脂を重合させた後、全体を室温に放置してポリエステル樹脂を架橋させ、実施例1の電気装置1を得た。この電気装置1を用いて下記に示す「導通信頼性試験」と「変形量測定」の各評価試験を行った。
【0047】
〔導通信頼性試験〕
実施例1の電気装置1の導通抵抗(初期導通)を測定した後、電気装置1を温度85℃、相対湿度85%の条件で1000時間高温高湿保存し、再び導通抵抗(試験後導通)を測定した。
【0048】
〔変形量測定〕
表面粗さ測定装置である東京精密(株)社製の商品名「サーフコム」を用い、ガラス基板10の電極15が形成された側の面の表面形状を測定し、ガラス基板10の反りにより最も高く突き出された部分の高さと、半導体素子20の端部が位置する部分の高さとの高低差(単位:μm)を電気装置1の変形量とした。
【0049】
上記「導通信頼性試験」で得られた導通抵抗値(単位:Ω)と、「変形量測定」で得られた変形量(単位:μm)とをそれぞれ下記表1に記載する。また、高温高湿試験後に電気装置1が短絡せず、かつ、変形量が2μm以下であった場合を「○」、それ以外の場合を「×」として評価し、その評価結果を下記表1の「総合評価」の欄に記載する。
【0050】
【表1】
Figure 0004363873
【0051】
<実施例2>
実施例1で用いたユニチカ(株)社製の商品名「UE3500」に代え、ポリエステル樹脂としてユニチカ(株)社製の商品名「UE3220」(Tg=5℃)を用いた以外は実施例1と同じ条件で実施例2の電気装置1を製造し、実施例1と同じ条件で「導通信頼性試験」と「変形量測定」の各評価試験を行った。
【0052】
<比較例1>
ポリエステル樹脂とブロックイソシアネートを添加しなかった以外は実施例1と同じ条件で接着剤を作製し、該接着剤を用いて実施例と同じ条件で比較例1の電気装置を作製した。
【0053】
<比較例2>
ブロックイソシアネートを添加しなかった以外は実施例1と同じ条件で接着剤を作製し、該接着剤を用いて実施例と同じ条件で比較例2の電気装置を作製した。これら比較例1、2の電気装置を用いて実施例と同じ条件で「導通信頼性試験」と「変形量測定」の各評価試験を行い、評価試験の結果を上記表1に記載した。
【0054】
上記表1から明らかなように、実施例1、2の電気装置1は変形量が少なく、初期導通と試験後導通との差も小さかった。他方、ポリエステル樹脂が添加されていない比較例1では、接着剤の柔軟性が低いため変形量が大きく、実用には適さないことがわかる。
【0055】
また、ポリエステル樹脂は添加されているが、ブロックイソシアネートが添加されていない比較例2では、変形量は少なかったが、高温高湿保存の後では半導体素子とガラス基板との導通がとれず、短絡していた(オープン)。これは、ポリエステル樹脂が架橋しないため、硬化した後の接着剤の強度が弱く、半導体素子が接着剤から剥がれたためと推測される。以上のことから、本発明によればガラス基板10の変形量が少なく、かつ、信頼性の高い電気装置1が得られることが確認された。
【0056】
<実施例3〜8>
実施例1で用いたユニチカ(株)社製の商品名「UE3500」に代え、下記表2の「ポリエステル樹脂」の欄に記載した各ポリエステル樹脂を用いた以外は実施例1と同じ条件で実施例3〜8の電気装置1を製造した。これら実施例3〜8の電気装置1と、上述した実施例1の電気装置1とをそれぞれ用い、下記に示す「導通抵抗」と、「反り」の各評価試験を行った。
【0057】
〔導通抵抗〕
実施例1の電気装置1の導通抵抗を測定した。測定される抵抗値が2Ω以下の場合を「○」、抵抗値が2Ωに近いものを「△」、抵抗値が2Ω以上であって甚だしく大きい場合を「×」として評価した。
【0058】
〔反り〕
上述した「変形量測定」と同じ方法で変形量を測定し、変形量が3μm以下であった場合を「○」、3μmを超え、かつ、5μm以下であった場合を「△」、5μmを超える場合を「×」として評価した。それらの評価試験結果を、ポリエステル樹脂の商品名、Tg、軟化点と共に下記表2に記載する。尚、下記表2に記載する導通抵抗は、上記表1に記載した「初期導通」にあたる。
【0059】
【表2】
Figure 0004363873
【0060】
<比較例3、4>
上記表2の比較例3、4に記載したポリエステル樹脂を用いた以外は実施例1と同じ条件で比較例3、4の電気装置1を製造し、これら電気装置を用いて「導通抵抗」と、「反り」の各評価試験を行った。その評価結果を上記表2に記載した。
【0061】
尚、上記実施例3〜8と比較例3、4で用いたポリエステル樹脂のうち、商品名「UE3620」と、「UE3221」と、「UE3230」と、「UE3400」はそれぞれユニチカ(株)製であり、商品名「#300」は東洋紡(株)製であり、商品名「SP180」は日本合成化学工業(株)製であり、商品名「R1089」と、「R99」は東レ(株)製である。
【0062】
上記表2から明らかなように、ポリエステル樹脂のTgが−19℃以下であった比較例3、4は、反りの評価結果が悪かったのに対し、Tgが−19℃よりも高い実施例1、3〜8では反りと導通抵抗の両方の評価結果が優れていた。以上のことから、本願の接着剤には、Tgが−19℃よりも高いポリエステル樹脂を使用可能なことがわかる。
【0063】
以上はブロックイソシアネートに錫系有機金属であるDBTDLを添加する場合について説明したが本発明はこれに限定されるものではなく、亜鉛系有機金属、アミン系化合物等種々の解離触媒を第二の硬化剤に添加することもできる。また、添加剤もシランカップリング剤に限定されるものではなく、老化防止剤や着色剤等種々のものを用いることができる。
【0064】
以上は、第二の硬化剤にブロックイソシアネートを用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
図7の符号60は本発明に用いられる第二の硬化剤の他の例を示している。第二の硬化剤60は樹脂からなるマイクロカプセル62と、該マイクロカプセル62に封入された粒子61とを有している。
【0065】
この粒子61はイソシアネート化合物を含有しており、室温ではマイクロカプセル62によって粒子61中のイソシアネート化合物が接着剤中のポリエステル樹脂から遮断されているが、熱圧着の工程でマイクロカプセルが溶融又は破損すると、イソシアネート化合物がポリエステル樹脂と混ざり、ポリエステル樹脂が架橋するようになっている。
【0066】
イソシアネート化合物を含有する粒子61としては例えばイソシアネート化合物の粉体や、多孔質物質からなる粒子に液状のイソシアネート化合物が浸漬されたものを用いることができる。
【0067】
以上は、接着剤をフィルム状に成形する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図6(a)に示すようにペースト状の接着剤を直接ガラス基板10に塗布して塗布層50を形成した後、図6(b)に示すように位置合わせ後の半導体素子20を塗布層50に載せ、図4(d)〜図5(e)の工程で熱圧着を行えば、接着剤55が完全に硬化し、図6(c)に示すような電気装置5が得られる。
【0068】
以上は、接着剤に導電性粒子を分散させる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、導電性粒子を接着剤に添加せず、熱圧着の工程で接続端子25を直接電極15に当接させる場合も本発明には含まれる。
【0069】
【発明の効果】
本発明によれば、熱圧着終了後にガラス基板に反りが生じないだけではなく、硬化した後の接着剤の機械的強度も高いので、信頼性の高い電気装置を得ることができる。特に、エポキシ樹脂の重合後(加熱終了後)もポリエステル樹脂が架橋していないので半導体素子の収縮に追従せず、その結果、反り等が発生せず、その後ポリエステル樹脂が完全に硬化して従来どおりの信頼性の高い接続が維持できる。
重合剤がエポキシ樹脂はもとより、ポリエステル樹脂と反応する可能性、また架橋剤がポリエステル樹脂はもとよりエポキシ樹脂と重合又は架橋反応する可能性を極力低減させて、本来エポキシ樹脂が持っている速重合性(速硬化性)及びポリエステル樹脂がもっている遅硬化性を維持させる。そして、その結果、エポキシ樹脂の重合が終了した後(加熱冷却後)もポリエステル樹脂の架橋反応が生じるにように調整している。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c):本発明の接着剤を用いて接着フィルムを製造する工程の一例を説明する断面図
【図2】ガラス基板の一例を説明する断面図
【図3】半導体素子の一例を説明する断面図
【図4】(a)〜(d):本発明による電気装置の製造工程の一例の前半を説明する断面図
【図5】(e)〜(g):本発明による電気装置の製造工程の一例の後半を説明する断面図
【図6】(a)〜(c):本発明による電気装置の製造工程の他の例を説明する断面図
【図7】本発明に用いる第二の硬化剤の他の例を説明する断面図
【符号の説明】
1、5……電気装置
10……ガラス基板
20……半導体素子
18、50……接着剤(接着フィルム)

Claims (4)

  1. 基板と半導体素子との間に接着剤を配置し、
    前記接着剤を硬化させて前記基板と前記半導体素子とを接続する電気装置の製造方法であって、
    前記接着剤は、
    エポキシ樹脂からなる第一の樹脂成分と、
    前記エポキシ樹脂を重合させるマイクロカプセル化された重合硬化剤(但し、前記重合硬化剤からはブロックイソシアネートとマイクロカプセル化されたイソシアネートを除く)と、
    フェノキシ樹脂とポリエステル樹脂とを含有する第二の樹脂成分と、
    前記ポリエステル樹脂を架橋させる架橋硬化剤として、ブロックイソシアネート又はマイクロカプセルに封入されたイソシアネートを含有し、
    前記エポキシ樹脂を重合させた後も、前記ポリエステル樹脂を架橋させる電気装置の製造方法。
  2. 前記エポキシ樹脂の重合は加熱によって行う請求項1記載の電気装置の製造方法。
  3. 前記ポリエステル樹脂の架橋反応中に前記フェノキシ樹脂が架橋反応を生じる請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の電気装置の製造方法。
  4. 前記架橋硬化剤に錫系有機金属が添加された請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の電気装置の製造方法。
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