JP4360821B2 - ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体の製造方法 - Google Patents

ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4360821B2
JP4360821B2 JP2003095520A JP2003095520A JP4360821B2 JP 4360821 B2 JP4360821 B2 JP 4360821B2 JP 2003095520 A JP2003095520 A JP 2003095520A JP 2003095520 A JP2003095520 A JP 2003095520A JP 4360821 B2 JP4360821 B2 JP 4360821B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
iodide
hydroxyphenyl
triaryl
reaction
chlorophenols
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003095520A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004300071A (ja
Inventor
航 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Air Water Inc
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Air Water Inc
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Water Inc, Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Air Water Inc
Priority to JP2003095520A priority Critical patent/JP4360821B2/ja
Publication of JP2004300071A publication Critical patent/JP2004300071A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4360821B2 publication Critical patent/JP4360821B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体であるトリアリールホスホニオフェノラートの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、熱硬化性樹脂組成物の硬化触媒として有用なトリアリールホスホニオフェノラートを製造する方法としては、アニシジンをジアゾ化してトリアリールホスフィンと反応させてメトキシフェニルトリアリールホスホニウムハライドを製造し、これを脱メチル化した後、脱ハロゲン化水素する方法がある。この方法は製造工程が煩雑であり、またジアゾ化反応を使用するところから安全面の配慮が必要である。また原料のアニシジンは、空気等による酸化に敏感であり、最終製品の得率や純度等に影響しやすいことからも、樹脂硬化触媒の原料としては適当とは言い難い。
【0003】
そのため本発明者はこれに代わる方法として、ハロフェノールとトリアリールホスフィンを金属ハロゲン化物触媒の存在下に反応させてヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムハライドを製造したのち、脱ハロゲン化水素する方法を見出し、特願2002−315245号において提案した。この提案において、ハロフェノールとしてクロロフェノールやブロモフェノールを使用するときには、反応混合物からヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムハライドの単離が容易でないという問題点があった。ハロフェノールとしてヨードフェノールを使用するときにはこのような問題点は無いところから、安全かつ簡便な操作で収率よくトリアリールホスホニオフェノラートを製造することが可能であった。しかしながらこの場合、原料として使用するヨードフェノールがクロロフェノールやブロモフェノールに比較して高価であり、またその構造によっては市販原料として入手困難なものがあるため、より経済的な方法の開発が望まれた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の目的は、トリアリールホスホニオフェノラートの原料として有用なヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体であるトリアリールホスホニオフェノラートを、より経済的に製造する方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、クロロフェノール類又はブロモフェノール類とトリアリールホスフィンを重金属ハロゲン化物触媒の存在下に反応させて得られる反応混合物と軽金属沃化物又は沃化第4アンモニウム塩を反応させることを特徴とするヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドの製造方法に関する。
【0006】
本発明はまた、このようにして得たヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドを製造する方法に関する。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明においては、原料として安価なクロロフェノール類又はブロモフェノール類が使用される。ここにクロロフェノール類及びブロモフェノール類は、フェノール類の芳香族環に直結する塩素原子又は臭素原子を1個有する化合物であり、単環のもののみならず多環のものであってもよい。また芳香族環に、メチル基、エチル基、フェニル基などの炭化水素基やメトキシ基、トリフルオロメチル基などの官能基等の置換基を有するものであってもよい。例えば最も単純なクロロフェノールやブロモフェノールにおいては、2−、3−又は4−の各種核置換異性体を使用することができる。また置換基を有するフェノール類あるいは多環フェノール類のモノクロロ又はモノブロモ核置換体としては、クレゾール、エチルフェノール、キシレノール、フェニルフェノール、ナフトール、メチルナフトール、メトキシフェノール、トリフルオロメチルフェノールなどのモノクロロ又はモノブロモ核置換体を例示することができる。これらの中では最も安価なクロロフェノール又はブロモフェノールを使用することが好ましい。
【0008】
本発明においてクロロフェノール類又はブロモフェノール類と反応させるトリアリールホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリス(2−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(3−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(4−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(2−エチルフェニル)ホスフィン、トリス(3−エチルフェニル)ホスフィン、トリス(4−エチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,3−ジメチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,4−ジメチルフェニル)ホスフィン、ジフェニル(2−メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニル(3−メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニル(4−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(2−トリフルオロメチルフェニル)ホスフィン、トリス(3−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(4−フルオロフェニル)ホスフィンなどを挙げることができる。これらの中では、トリフェニルホスフィンが最も好ましい。
【0009】
クロロフェノール類及びブロモフェノール類から選ばれるハロフェノール類とトリアリールホスフィンの反応においては、トリアリールホスフィン1モル当り、ハロフェノール類を好ましくは0.5〜2モル、とくに好ましくは0.8〜1.5モルの割合で使用する。
【0010】
上記ハロフェノール類とトリアリールホスフィンの反応は、重金属ハロゲン化物触媒の存在下に行われる。重金属ハロゲン化触媒としては、例えば周期律表Ib族、IIb族、VIIa族、VIII族の金属のハロゲン化物であり、具体的には銅、亜鉛、マンガン、鉄、コバルト、ニッケルなどの金属の塩化物、臭化物、沃化物などである。これらの中では、銅、亜鉛、コバルト、ニッケルのハロゲン化物が好ましく、とくにニッケルのハロゲン化物、中でも塩化物が最も好ましい。重金属ハロゲン化物は、トリアリールホスフィンに対して0.1〜50モル%、好ましくは1〜30モル%の割合で使用される。
【0011】
上記ハロフェノール類とトリアリールホスフィンの反応は、無溶媒で行なうことができる。しかしながらハロフェノール類とトリアリールホスフィンの良溶媒であり、また重金属塩触媒を溶解する溶媒の存在下で行なうことが好ましい。好適な溶媒としては、高沸点、例えば常圧下における沸点が150〜300℃の水溶性溶媒、例えば水酸基又はカルボキシル基を含有する有機化合物を挙げることができる。より具体的には、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、グリセリン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール等の多価アルコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等の多価アルコールのモノエーテル、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸などの脂肪族カルボン酸などを例示することができる。これらは2種以上混合して使用することができる。これら高沸点水溶性溶媒を用いた場合には、そのまま次工程の反応溶媒として使用することにより、目的とするヒドロキシフェニルホスホニウムアイオダイドの分離が容易となる点でも好適である。さらに無溶媒の反応においてハロフェノール類自体の重合化が進行し易い場合には、これら溶媒は重合抑制剤としても作用する。これらの中ではとくに多価アルコールの使用が最も好ましい。溶媒としてはこのほかにベンゾニトリルやフェノールなどを使用することができる。上記溶媒の好適な使用量は、ハロフェノール類1重量部当り、0.1〜10重量部、とくに0.5〜5重量部の範囲である。
【0012】
ハロフェノール類とトリアリールホスフィンの反応温度は、原料化合物や溶媒等の種類によっても異なるが、150〜250℃程度の範囲が適当である。一般にはクロロフェノール類の方が対応するブロモフェノール類に比較して好適反応温度が高く、例えばブロモフェノール類の場合の好適温度が160〜200℃程度にあるのに対して、クロロフェノール類の場合の好適温度範囲は180〜240℃程度である。また反応時間は、原料化合物や溶媒の種類、あるいは反応温度などによって異なるが、例えば0.5〜30時間の範囲において適宜選択される。
【0013】
本発明においては、このようにして得られる反応混合物と軽金属沃化物又は沃化第4アンモニウム塩を反応させてヒドロキシフェニルホスホニウムアイオダイドを形成させるものである。この反応に際しては、上記反応混合物は一般に均一溶液として得られるので、通常はそのまま使用することができるが、必要に応じ新たに反応溶媒を添加することができる。後添加に適した反応溶媒としては、上述の高沸点水溶性溶媒のほか、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、ギ酸、酢酸、プロピオン酸などの常圧下における沸点が150℃未満のアルコールや脂肪族カルボン酸を使用することもできる。またこの反応を円滑に進めるために、さらには生成するヒドロキシフェニルホスホニウムアイオダイドを結晶として容易に分離可能とするために、軽金属沃化物又は沃化第4アンモニウム塩は、水溶液の形で使用することが好ましい。これら沃化物塩を水溶液の形で使用する場合は、水の沸点を考慮すると、上記反応混合物を120℃以下程度に冷却した後に沃化物塩の水溶液を添加して反応させるのがよい。
【0014】
したがって軽金属沃化物又は沃化第4アンモニウム塩としては水溶性のものが好ましく、軽金属沃化物としては、例えば沃化リチウム、沃化ナトリウム、沃化カリウムなどのアルカリ金属沃化物あるいは沃化マグネシウム等が好適であり、また沃化第4アンモニウム塩としては、例えば沃化テトラメチルアンモニウム、沃化テトラエチルアンモニウム、沃化テトラプロピルアンモニウム、沃化テトラブチルアンモニウムなどを挙げることができるが、とくに沃化ナトリウム又は沃化カリウムの使用が最も好ましい。この反応において軽金属沃化物又は沃化第4アンモニウム塩の使用量は、クロロフェノール類又はブロモフェノール類との反応に用いたトリアリールホスフィン1モルに対して、1〜3モル、とくに1.2〜2モルの割合とするのが好ましい。またこれら沃化物塩を溶解して上記反応混合物との反応に使用する水の量は、クロロフェノール類又はブロモフェノール類とトリアリールホスフィンの反応混合物1重量部当り、0.2〜10重量部程度の割合とするのが好ましい。また該反応混合物と上記沃化物塩の反応は容易に進行するため、反応温度にとくに制約はないが、反応操作の容易性を考慮すると、大気温〜120℃の範囲が適当である。また反応時間は、例えば0.1〜3時間程度で充分である。
【0015】
反応終了後は、反応混合物を冷却することによってヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドを結晶として分離することができる。分離されたヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドは次いで、水洗あるいは有機溶媒洗浄することにより純度の高い製品を得ることができる。洗浄に使用可能な有機溶媒としては、ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドが難溶性又は不溶性を示すものであれば良く、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンのような脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンのような芳香族炭化水素などを使用することができる。
【0016】
このようにして原料化合物に対応したヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドを単離することができる。具体的には、2−、3−又は4−ヒドロキシフェニルトリフェニルホスホニウムアイオダイド、2−、3−又は4−ヒドロキシフェニルトリス(2−、3−又は4−メチルフェニル)ホスホニウムアイオダイド、2−、3−又は4−ヒドロキシフェニルトリス(2−、3−又は4−エチルフェニル)ホスホニウムアイオダイド、2−、3−又は4−ヒドロキシフェニルトリス(2,4−ジメチルフェニル)ホスホニウムアイオダイド、2−ヒドロキシ−4−メチルフェニルトリフェニルホスホニウムアイオダイドなどを代表例として例示することができる。
【0017】
本発明はまた、このようにして得られるヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドを脱沃化水素してトリアリールホスホニオフェノラートを製造するものである。この反応は、ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドを適当な溶媒に溶解して、強塩基を用いて行うのが好ましい。使用可能な溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの低級アルコールを挙げることができ、とくにメタノールが最も好適である。溶媒の使用量は、ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド1重量部に対し、3〜10重量部程度である。また強塩基としては、水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムなどの苛性アルカリを使用するのが好ましい。苛性アルカリは水溶液又は上記アルコールの溶液の形で使用するのが好ましく、またその使用量はヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド1モル当り、1.2〜2.0モル程度とするのが好ましい。
【0018】
脱沃化水素反応は容易に進行するので、例えば反応温度0〜50℃、0.1〜5時間のような条件で行うことができる。反応終了後は、水を添加し、要すれば冷却することにより、使用したヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドの種類に対応するトリアリールホスホニオフェノラートの結晶を析出させることができるので、これを濾別する。このときの濾過性も良好であり、濾過に長時間を要することはない。得られた結晶を水洗、乾燥することにより、高純度のトリアリールホスホニオフェノラートを得ることができる。
【0019】
【実施例】
[実施例1]
ジムロート冷却器を装着した容量100mlのフラスコに、エチレングリコール20ml、2−クロロフェノール3.86g(30ミリモル)、トリフェニルホスフィン5.25g(20ミリモル)及び塩化ニッケル0.52g(4ミリモル)を仕込み、190℃に加熱して4時間攪拌した。次に溶液を120℃に冷却したのち、水25mlに溶解させた沃化カリウム3.98g(24ミリモル)の溶液を滴下して室温まで冷却した。析出した結晶を濾過により分離した後、水30mlで洗浄したのち真空加熱乾燥することにより、粗2−ヒドロキシフェニルトリフェニルホスホニウムアイオダイド8.43g(収率87%)を得た。
【0020】
上記粗2−ヒドロキシフェニルトリフェニルホスホニウムアイオダイド4.82g(10ミリモル)及びメタノール30mlを200mlフラスコに入れ、40℃に加熱して完全に溶解させた。この溶液に4M水酸化ナトリウム水溶液5mlを滴下して30分間保持した。次に水30mlを滴下して溶液を室温まで冷却した。析出した結晶を濾過により分離した後、水25mlで洗浄して真空加熱乾燥することにより、2−トリフェニルホスホニオフェノラート3.00g(収率85%)を得た。
【0021】
得られた2−トリフェニルホスホニオフェノラートのH−NMRスペクトルを図1に、その部分拡大図を図2に、31P−NMRスペクトルを図3に、FD−MSスペクトルを図4にそれぞれ示した。図1〜2においてプロトン数は予想値と一致しており、図3においてダブレット状シグナルはホスホニウム塩の化学シフト領域に現れ、図4において親ピーク354.2は予想値と一致している。
【0022】
[実施例2]
ジムロート冷却器を装着した容量100mlのフラスコに、エチレングリコール10ml、4−ブロモフェノール2.08g(12ミリモル)、トリス(4−メチルフェニル)ホスフィン3.04g(10ミリモル)及び塩化ニッケル0.13g(1ミリモル)を仕込み、180℃に加熱して2時間攪拌した。次に溶液を120℃に冷却したのち、水12.5mlに溶解させた沃化カリウム1.99g(12ミリモル)の溶液を滴下して室温まで冷却した。析出した結晶を濾過により分離した後、水30mlで洗浄したのち真空加熱乾燥することにより、未反応ブロモフェノールを微量含む粗4−ヒドロキシフェニルトリス(4−メチルフェニル)ホスホニウムアイオダイド5.42gを得た。この内、4−ヒドロキシフェニルトリス(4−メチルフェニル)ホスホニウムアイオダイドの純分は5.07g(収率97%)に相当した。
【0023】
上記粗4−ヒドロキシフェニルトリス(4−メチルフェニル)ホスホニウムアイオダイド4.20g(8ミリモル)及びメタノール20mlを200mlフラスコに入れ、40℃に加熱して完全に溶解させた。この溶液に4M水酸化ナトリウム水溶液4mlを滴下して30分間保持した。次に水25mlを滴下して溶液を室温まで冷却した。析出した結晶を濾過により分離した後、水20mlで洗浄して真空加熱乾燥することにより、4−[トリス(4−メチルフェニル)ホスホニオ]フェノラート2.9g(収率92%)を得た。
【0024】
得られた4−[トリス(4−メチルフェニル)ホスホニオ]フェノラートのH−NMRスペクトルを図5に、その部分拡大図を図6に、31P−NMRスペクトルを図7に、FD−MSスペクトルを図8にそれぞれ示した。図5〜6においてプロトン数は予想値と一致しており、図7においてダブレット状シグナルはホスホニウム塩の化学シフト領域に現れ、図8において親ピーク396.2は予想値と一致している。
【0025】
【発明の効果】
本発明によれば、安価で入手容易な原料から、ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体である硬化触媒として有用な高純度のトリアリールホスホニオフェノラートを、簡便な操作で収率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例で得られた2−トリフェニルホスホニオフェノラートのH−NMRスペクトルである。
【図2】 図1の部分拡大図である。
【図3】 上記2−トリフェニルホスホニオフェノラートの31P−NMRスペクトルである。
【図4】 上記2−トリフェニルホスホニオフェノラートのFD−MSスペクトルである。
【図5】 実施例で得られた4−[トリス(4−メチルフェニル)ホスホニオ]フェノラートのH−NMRスペクトルである。
【図6】 図5の部分拡大図である。
【図7】 上記4−[トリス(4−メチルフェニル)ホスホニオ]フェノラートの31P−NMRスペクトルである。
【図8】 上記4−[トリス(4−メチルフェニル)ホスホニオ]フェノラートのFD−MSスペクトルである。

Claims (5)

  1. クロロフェノール類又はブロモフェノール類とトリアリールホスフィンを重金属ハロゲン化物触媒の存在下に反応させて得られる反応混合物と軽金属沃化物又は沃化第4アンモニウム塩を反応させることを特徴とするヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドの製造方法。
  2. クロロフェノール類又はブロモフェノール類とトリアリールホスフィンの反応を、水溶性高沸点溶媒の存在下で行なうことを特徴とする請求項1記載のヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドの製造方法。
  3. 軽金属沃化物が、アルカリ金属又はマグネシウムの沃化物である請求項1又は2記載のヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドの製造方法。
  4. クロロフェノール類又はブロモフェノール類とトリアリールホスフィンを重金属ハロゲン化物触媒の存在下に反応させて得られる反応混合物と軽金属沃化物又は沃化第4アンモニウム塩との反応を、水の存在下に行なうことを特徴とする請求項1〜3記載のヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドの製造方法。
  5. クロロフェノール類又はブロモフェノール類とトリアリールホスフィンを重金属ハロゲン化物触媒の存在下に反応させて得られる反応混合物と軽金属沃化物又は沃化第4アンモニウム塩を反応させて得たヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイドを脱沃化水素することを特徴とするトリアリールホスホニオフェノラートの製造方法。
JP2003095520A 2003-03-31 2003-03-31 ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体の製造方法 Expired - Fee Related JP4360821B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003095520A JP4360821B2 (ja) 2003-03-31 2003-03-31 ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003095520A JP4360821B2 (ja) 2003-03-31 2003-03-31 ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004300071A JP2004300071A (ja) 2004-10-28
JP4360821B2 true JP4360821B2 (ja) 2009-11-11

Family

ID=33407833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003095520A Expired - Fee Related JP4360821B2 (ja) 2003-03-31 2003-03-31 ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4360821B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8129467B2 (en) 2005-04-15 2012-03-06 Hitachi Chemical Co., Ltd. Curing accelerating compound-silica composite material, method for producing curing accelerating compound-silica composite material, curing accelerator, curable resin composition, and electronic component device
CN113735901A (zh) * 2021-09-16 2021-12-03 西安思科赛实业有限公司 一种四苯基碘化磷的制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4569076B2 (ja) * 2002-06-05 2010-10-27 住友ベークライト株式会社 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2004300256A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004300071A (ja) 2004-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201446717A (zh) 新穎烯丙化合物及其製造方法
JPS61293932A (ja) 多芳香族化合物およびその製法
JP7562918B2 (ja) ビナフチル類の製造方法
WO2001055063A1 (fr) Nouveaux composes a base de bisadamantane, procedes de production et nouveaux derives de bisadamantane
JP2829615B2 (ja) 3,5−ジ置換−4−アセトキシスチレン及びその製造法
JP4360821B2 (ja) ヒドロキシフェニルトリアリールホスホニウムアイオダイド及びその誘導体の製造方法
JP3657298B2 (ja) ゲラニルゲラニオ−ルの製造方法
JP4024645B2 (ja) トリアリールホスホニオフェノラートの製造方法
JP5036243B2 (ja) 3,5−ビス(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ヒドロキシイソプロピル)フェノールの製造方法
EP1868978A1 (en) Novel 1-bromo-4- (4'-bromophenoxy)-2-pentadecyl benzene and a process for the preparation thereof
JPH09328492A (ja) テトラアリールホスホニウムハライドの製造法
JP7303076B2 (ja) ビナフタレン骨格を有する化合物の製造方法
JP2557382B2 (ja) メタ臭素化ビフュノールの製造方法
JP2005047856A (ja) 含フッ素エーテル化合物の製造方法
JPH11140015A (ja) カルボキシル化ビフェノール化合物の製造方法
JP4036404B2 (ja) ジフェニルアミン類の製造方法
JP3040390B2 (ja) 4,4’−オクタフルオロビベンズアミド及びその合成法
JP2009078976A (ja) アレーン系化合物及びその製造方法、並びにアレーン系化合物誘導体及びその製造方法
JP3099847B2 (ja) 新規なフツ素含有ビスフエノール類及びその製造方法
JP2003212799A (ja) 置換芳香族化合物の製造方法
JP4388839B2 (ja) 4,4’’’−ジアルコキシ−p−クォーターフェニル類及びその製造方法
JP4336501B2 (ja) 新規な4,4”−ジアルコキシターフェニル類
JPS60139630A (ja) 臭素化アセナフチレン縮合体の合成方法
JP2847813B2 (ja) 1‐アルコキシ‐4‐(置換)ベンジルオキシベンゼン類の製造方法
CA1234393A (en) Process for producing a para-substituted phenol derivative

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060309

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060529

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090811

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090811

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4360821

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120821

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120821

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130821

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees