JP4356109B2 - マイクロリアクタの製造方法 - Google Patents
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a)容器が形成される部分が開口したマスク層を、前記基板の一面に形成するステップと、
b)前記開口部分より前記基板をエッチングして前記基板に孔を形成するステップと、
c)前記基板に他面より光を照射しつつ陽極化成処理を施し、前記孔を掘り下げるステップと、
d)前記基板を熱酸化して前記孔内部及び前記基板の他面に酸化層を形成するステップと
e)前記マスク層を除去して前記一面を露出させ、更に、前記他面に形成された前記酸化層を除去して前記他面も露出させるステップと、
f)前記一面の露出部分を選択的にエッチングし、更に、前記他面の露出部分も選択的にエッチングし、前記基板を挿通して前記基板に対して立設形成された中空柱状容器を形成するステップと、を備えたことを特徴とする。
(a) まず、上面及び下面の結晶方位が(100)、厚さ約625μmのSiウェハ7を基板2の構成部材とし、当該ウェハ7の上面8a及び下面8bにマスク層として約140nmのSi3N4層9をLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition;低圧化学気相蒸着)法により形成する。次いで、ホトリソグラフィー法及びRIE(Reactive Ion Etching;反応性イオンエッチング)法により、Siウェハ7の上面8aの、容器3形成部分10のSi3N4層9をエッチングし、アレイ状に整列した約10μm間隔の正方形の穴をパターン形成し、容器3が形成される部分10のSiウェハ7を露出させる(図2(a))。
(b) 次に、このSiウェハ7を約20wt%、90℃のKOH溶液に浸漬して異方性エッチングを行う。この異方性エッチングとは、シリコン単結晶は結晶方位により溶解速度が異なり、(100)面の溶解速度が速く、(111)面の溶解速度が遅いという特性を利用したものであり、Siウェハ7が露出した部分10に逆ピラミッド型の微小な凹構造11が形成される。なお、当該凹構造11形成後、下面8bのSi3N4層9は除去する(図2(b))。
(c) 次いで、当該微小凹構造11が形成されたSiウェハ7に、以下に述べるi)〜iii)の一連の陽極酸化処理を施す(図2(c))。なお、当該処理の条件は下の表1に示す。
(e) Siウェハ7上面のSi3N4層9、及び下面のSiO2層18を、精密研磨処理によって除去する(図2(e))。なお、この場合これらの層の除去は、精密研磨処理に限定されず、化学的溶剤を使った除去であってもよい。
(f) Siに対する選択性の高いTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)25wt%溶液を使用して、0.4μm/minのエッチング速度でアルカリエッチングを行い、Siウェハ7を所望の厚さTまでエッチングする。このとき、SiO2層18はTMAH溶液によってエッチングされないため、孔の内部のSiO2層18が残り、上部及び底部5が基板2から突き出した形の複数の容器3が形成される(図2(f))。
更に、陽極酸化処理という電気化学プロセスを用いて孔を形成するため、RIE(reactive ion etching;反応性イオンエッチング)などのドライプロセスと比較して、高コストパフォーマンスでかつ高い生産性で孔を形成することができる。
(e’) Siウェハ107上面からSi3N4層を精密研磨処理によって除去する。ただし、第1実施形態のステップ(e)と異なり、下面のSiO2層118は除去しない(図6(e’))。
(f’) Siに対して選択性の高いTMAH 25wt%溶液で、0.4μm/minのエッチング速度のアルカリエッチングを行い、Siウェハ107のマイクロリアクタ1の形成領域を所望の厚さTまでエッチングする(図6(f’)。
2,102,202 基板
3,103,203 容器
4 貫通孔
7 Siウェハ
9 Si3N4層(マスク層)
18 SiO2層
Claims (4)
- 基板と、該基板を貫通して、該基板に対して垂直に立設形成されたアスペクト比が1以上の中空柱状の複数の容器と、を備えるとともに、前記容器の上部が前記基板より上方に突出し、かつ、前記容器の底部が前記基板より下方に突出しているマイクロリアクタの製造方法であって、
a)前記容器が形成される部分が開口したマスク層を、前記基板の一面に形成するステップと、
b)前記開口部分より前記基板をエッチングして前記基板に孔を形成するステップと、
c)前記基板の他面より光を照射しつつ陽極化成処理を施し、前記孔を掘り下げるステップと、
d)前記基板を熱酸化して前記孔内部及び前記基板他面に酸化層を形成するステップと
e)前記マスク層を除去して前記一面を露出させ、更に、前記他面に形成された前記酸化層を除去して前記他面も露出させるステップと、
f)前記一面の露出部分を選択的にエッチングし、更に、前記他面の露出部分も選択的にエッチングし、前記基板を挿通して前記基板に対して立設形成された中空柱状容器を形成するステップと、を備えた製造方法。 - 前記基板が、上面及び下面の結晶方位が(100)のn型シリコン基板であり、前記ステップb)の前記エッチングが異方性エッチングであることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記ステップa)において、前記開口部分が方形であってアレイ状に整列されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。
- ステップa)において、前記開口部分が長方形であって、前記開口部分の長手方向軸線が一定の離隔関係で並列されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。
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