JP4355182B2 - 乾燥装置 - Google Patents

乾燥装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4355182B2
JP4355182B2 JP2003302658A JP2003302658A JP4355182B2 JP 4355182 B2 JP4355182 B2 JP 4355182B2 JP 2003302658 A JP2003302658 A JP 2003302658A JP 2003302658 A JP2003302658 A JP 2003302658A JP 4355182 B2 JP4355182 B2 JP 4355182B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
halogen lamp
radiation plate
lamp heater
dried
drying apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003302658A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005072442A (ja
Inventor
覚 本多
一男 畠
武弘 萩原
真吾 杉本
英雄 堀池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SPC Electronics Corp
Original Assignee
SPC Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SPC Electronics Corp filed Critical SPC Electronics Corp
Priority to JP2003302658A priority Critical patent/JP4355182B2/ja
Publication of JP2005072442A publication Critical patent/JP2005072442A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4355182B2 publication Critical patent/JP4355182B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、乾燥装置に関し、さらに詳細には、半導体基板、液晶素子用ガラス基板、カラーフィルタ基板、特に、Liquid Crystal Display(LCD)、Plasma Display Panel(PDP)ならびにLTPS(Low Temperature poly−silicon)−TFT(Thin Film Transistor)を含むFlat Panel Display(FPD)用のガラス基板のような各種被乾燥物を乾燥する際に用いて好適な乾燥装置に関する。
従来より、被乾燥物たるFPD用のガラス基板などの各種の基板(以下、単に「基板」と称する。)を、所定の薬剤や純水などの洗浄剤を使用して洗浄を行い基板上の付着物を除去した後に、基板の表面に残留する液体を除去して乾燥する装置として、例えば、図1に示すような乾燥装置が知られている。
この図1に示す乾燥装置200は、基板100を搬送する搬送用ローラー114の上方に上部赤外線セラミックヒーター130−1が設けられ、基板を搬送する搬送用ローラー114の下方に下部赤外線セラミックヒーター130−2が設けられている。
そして、従来の乾燥装置においては、上部赤外線セラミックヒーター130−1からの輻射熱と下部赤外線セラミックヒーター130−2からの輻射熱とにより、搬送用ローラー114によって自動搬送される基板100が加熱されて、基板100の表面の水分が蒸発し、基板100の乾燥が行われるものである。
しかしながら、上記した従来の乾燥装置200は、例えば、図1に示すような構成で、上部赤外線セラミックヒーター130−1ならびに下部赤外線セラミックヒーター130−2としてヒーター容量58.8kWの赤外線セラミックヒーターを用いて、照射距離10mm(図1に示す距離L1に対応する距離である。)で20秒間加熱した場合に、基板の温度がおよそ100℃に上昇するものであり、基板の加熱時間が長く、消費電力が増大するとともに、乾燥に長時間を要するという問題点があった。
また、従来の乾燥装置200においては、搬送用ローラー114の上方ならびに下方のいずれにも赤外線セラミックヒーター130−1,130−2が配設されているので、ヒーターの交換などのメンテナンスが非常に煩雑になるという問題点があった。
さらに、従来の乾燥装置200に使用されている赤外線セラミックヒーター130−1,130−2は、セラミックにより形成されているので、このセラミックの多孔質の孔の部分にゴミが溜まり易く、赤外線セラミックヒーター130−1,130−2を駆動させると、セラミックの孔に溜まったゴミが外部に排出されてしまう。
このため、単に赤外線セラミックヒーターを使用しているだけに留まらず、上部赤外線セラミックヒーター130−1ならびに下部赤外線セラミックヒーター130−2というように複数の赤外線セラミックヒーターを配設している従来の乾燥装置200は、発塵要素が多く、基板100の表面にゴミや汚れのような有機物や無機物の付着物が付着し易く、基板100が再汚染されて不良の原因になるという問題点あった。
なお、こうした従来の乾燥装置200における赤外線セラミックヒーターの問題点を解消するのに、赤外線セラミックヒーターにカバーを取り付けることも考えられるが、加熱効率が低下してしまうので、乾燥時間が長くなってしまうという問題点が招来されることになる。
本発明は、上記したような従来の技術の有する種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、省エネルギーで短時間に被乾燥物の乾燥を行うことができ、メンテナンスが簡単で、被乾燥物の再汚染を防止できる乾燥装置を提供しようとするものである。
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項1に記載の発明は、石英ガラス管により構成されたハロゲンランプヒーターと、上記ハロゲンランプヒーターと対向して配設された輻射板と、上記ハロゲンランプヒーターと上記輻射板との間の開放された空間を通るようにして被乾燥物を搬送する搬送手段とを有し、上記被乾燥物に対し、上記ハロゲンランプヒーターからの近赤外線の熱を直接照射するとともに、上記ハロゲンランプヒーターと対向する側より上記輻射板を介して上記ハロゲンランプヒーターの熱を近赤外線から遠赤外線の範囲となる輻射熱として照射するようにしたものである。
従って、本発明のうち請求項1に記載の発明によれば、ハロゲンランプヒーターからの近赤外線と輻射板によって発生した輻射熱とによって被乾燥物が加熱されるので、短時間で被乾燥物の乾燥を行うことができ、省エネルギーである。また、搬送される被乾燥物の一方の側に交換不要な輻射板が配設され、他方の側にハロゲンランプヒーターが配設されているので、メンテナンスが容易になる。さらに、ハロゲンランプヒーターを用いているので、発塵要素が少なく、被乾燥物の再汚染を防止できる。
また、本発明のうち請求項2に記載の発明は、中空の内部を有する処理槽と、上記処理槽の中央部を貫通するように配設され、上記処理槽の入口から出口へ向けて連続的に被乾燥物を搬送する搬送用ローラーと、石英ガラス管により構成されるとともに、上記搬送用ローラーの上方に配設された近赤外線の熱を発するハロゲンランプヒーターと、上記搬送用ローラーの下方に配設された輻射板とを有する乾燥装置であって、上記ハロゲンランプヒーターより発せられた近赤外線の熱は、上記輻射板を介して近赤外線から遠赤外線の範囲となる輻射熱として上記被乾燥物に対して照射されるようにしたものである。


また、本発明のうち請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の発明において、上記輻射板は、少なくとも上記ハロゲンランプヒーターと対向する面がセラミックにより形成されているようにしたものである。
また、本発明のうち請求項4に記載の発明は、請求項1、請求項2または請求項3のいずれか1項に記載の発明において、さらに、放物形状のミラーを有し、該ミラーが上記輻射板と対向するようにして上記ハロゲンランプヒーターの上記輻射板と対向する側の背面側に配設されたリフレクターとを有するようにしたものである。
本発明は、以上説明したように構成されているので、省エネルギーで短時間に被乾燥物の乾燥を行うことができ、メンテナンスが簡単で、被乾燥物の再汚染を防止できるようになるという優れた効果を奏する。
以下、添付の図面に基づいて、本発明による乾燥装置の実施の形態の一例を詳細に説明するものとする。
図2には、本発明による乾燥装置の実施の形態の一例を示す概略構成説明図が示されている。
なお、この実施の形態においては、被乾燥物たる基板100としては、FPD用のガラス基板を用いることとする。
この乾燥装置10は、中空の内部12aを有する処理槽12を備えており、この処理槽12の中央部を搬送用ローラー14が貫通するようになされていて、この搬送用ローラー14によって、被乾燥物たる基板100が処理槽12の入口12bから出口12cへ向けて連続的に送られるようになされている。
処理槽12の内部12a内には、搬送用ローラー14の上方に複数のハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3が配設され、搬送用ローラー14の下方に輻射板18が配設されている。
3本のハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3はいずれも同一の構成を備えており、全体が略棒状体に形成され、石英ガラス管の内部にフィラメントが配設され、微量のハロゲンガスが封入されているものである。そして、3本のハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3はそれぞれ、互いに所定の間隔を有し、その軸線方向が、処理槽12の左右方向と直交するように、即ち、図2の紙面と直交する方向と一致するようにして配設されている。
輻射板18は、ガラス基板の上面18aにセラミックが塗布されて形成されている。この輻射板18は、上面18aがハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3と対向するようにして配設されている。
以上の構成において、本発明による乾燥装置10を用いて基板100を乾燥するには、搬送用ローラー14によって、処理槽12の入口12bから処理槽12の内部12aに基板100を搬入する。
この際、処理槽12の内部12aに配設されたハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3からの近赤外線が、搬送用ローラー14によって搬送される基板100に照射される。この照射された近赤外線によって、基板100が加熱されて、基板100の表面の水分が蒸発し、基板100の乾燥が行われる。
また、ハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3からの近赤外線は、搬送用ローラー14の下方に配設された輻射板18の上面18aにも照射される。この照射された近赤外線によって、輻射板18が加熱されて、輻射板18からは近赤外線から遠赤外線の範囲の輻射熱が発生する。こうして輻射板18によって発生した輻射熱により、基板100が加熱され、基板100の表面の水分が蒸発して、基板100の乾燥が行われる。
つまり、基板100は、ハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3からの近赤外線と輻射板18によって発生した輻射熱とによって加熱され、基板100の表面の水分の蒸発が促進されて乾燥される。
そして、乾燥された基板100は、搬送用ローラー14によって搬送され、処理槽12の出口12cから処理槽12の外部に搬出される。
上記したように、本発明による乾燥装置10においては、ハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3と輻射板18とを配設するようにしたため、ハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3からの近赤外線と輻射板18によって発生した輻射熱とによって被乾燥物たる基板100が加熱されるので、短時間で被乾燥物の乾燥を行うことができる。このため、ハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3の照射時間も短時間ですみ、消費電力を削減できる。
また、本発明による乾燥装置10においては、搬送用ローラー14の下方に配設されている輻射板18は、ヒーターなどの消耗品とは異なり、交換の必要がなく、交換などのメンテナンスが必要なハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3は、搬送用ローラー14の上方に配設されているので、メンテナンスは搬送用ローラー14の上方側だけで対応することが可能になり、メンテナンスが非常に簡単である。
さらに、本発明による乾燥装置10には、上記「従来の技術」の項に記載した従来の乾燥装置に配設された赤外線セラミックヒーターを使用していない。しかも、本発明による乾燥装置10に配設されたハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3は石英ガラス管により構成されているので、低発塵でクリーンな材質で構成されたヒーターであり、本発明によれば発塵要素が非常に少なく、被乾燥物の表面にゴミや汚れのような有機物や無機物の付着物が付着して被乾燥物が再汚染されるのを防止することができる。
また、本発明によれば被乾燥物の乾燥が短時間で可能になるので、乾燥装置としてスループットが良好に維持できる。そして、搬送用ローラー14の下方側には輻射板18が配設されるだけなので、省スペース・低コストを実現することもできる。
なお、上記した実施の形態は、以下の(1)〜(5)に示すように変形することができるものである。
(1)上記した実施の形態においては、乾燥装置10においてFPD用のガラス基板たる基板100を被乾燥物としたが、これに限られるものではないことは勿論であり、各種基板やその他部品などを被乾燥物として用いてもよい。
また、上記した実施の形態においては、3本のハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3を配設するようにしたが、これに限られるものではないことは勿論であり、ハロゲンランプヒーターの総数や配設位置などは被乾燥物の種類や大きさなどに応じて適宜変更するようにしてもよい。
(2)上記した実施の形態においては、搬送用ローラー14によって被乾燥物を搬送するようにしたが、これに限られるものではないことは勿論であり、駆動アームなどの各種搬送手段によって被乾燥物を搬送するようにしてもよい。
(3)上記した実施の形態においては、上面18aにセラミックが塗布された輻射板18を使用するようにしたが、これに限られるものではないことは勿論であり、全体がセラミックにより形成された輻射板や、その他の材料により形成され上面に遠赤コートが施された輻射板を配設するようにしてもよく、要は、ハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3の照射に応じて効率良く輻射熱を発生するような輻射板を使用すればよい。
従って、輻射板の大きさやその配置場所なども、処理槽12の大きさや被乾燥物の種類などに応じて適宜変更するようにしてもよい。
(4)上記した実施の形態において、さらに、ハロゲンランプヒーターの照射効果を高めるリフレクターを配設するようにしてもよい。図3には、リフレクター21,22,23を配設した乾燥装置20が示されており、図3において、図2と同一あるいは相当する構成に関しては、図2において用いた符号を用いて示すことにより、その詳細な構成および作用の説明は省略する。
リフレクター21,22,23はそれぞれ同一の構成を有しており、放物形状のミラー21a,22a,23aを備えている。そして、リフレクター21,22,23は、3本のハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3それぞれの輻射板18と対向する側の背面側に配設され、ミラー21a,22a,23aが輻射板18の上面18aと対向するようになされている。
このリフレクター21,22,23のミラー21a,22a,23aによって、ハロゲンランプヒーター16−1,16−2,16−3から照射される光が反射されるので、近赤外線が一層効率よく搬送用ローラー14によって搬送される基板100に照射されるようになり、被乾燥物の乾燥の効率がよくなる。
具体的には、出願人は、本発明による乾燥装置の乾燥効果を評価するために、図3に示すような構成で実験を行い、ハロゲンランプヒーターとしてヒーター容量36kWのハロゲンランプヒーターを用いて、照射距離20mm(図3に示す距離L2に対応する距離である。)で5秒間加熱した場合に、FPD用のガラス基板たる基板100の温度がおよそ117℃に上昇した。
この実験結果と上記「従来の技術」の項に記載した従来の乾燥装置200の数値とを比較しても明らかなように、本発明によれば省エネルギーで短時間に被乾燥物を乾燥させることができる。
また、従来の乾燥装置200に配設されている赤外線セラミックヒーター130−1,130−2の最高使用温度は350℃程度であるのに対して、本発明に使用されるハロゲンランプヒーターは600℃程度まで昇温可能なものである。このため、本発明によれば、ハロゲンランプヒーターと対向して配設される輻射板も600℃程度に加熱され、放射熱は温度の4乗に比例するので、赤外線セラミックヒーターと比較して輻射効果は大きくなり、赤外線セラミックヒーターと同じ加熱性能を得るにも省電力ですむ。
また、従来の乾燥装置200における照射距離(図1に示す距離L1に対応する距離である。)が10mmであるのに対して、本発明の乾燥装置20における照射距離(図3に示す距離L2に対応する距離である。)は20mmであり、本発明によれば被乾燥物とヒーターとの間の距離の自由度を増すことができる。
(5)上記した実施の形態ならびに上記した(1)〜(4)に示す変形例は、適宜に組み合わせるようにしてもよい。
従来の乾燥装置を示す概略構成説明図である。 本発明による乾燥装置の実施の形態の一例を示す概略構成説明図である。 本発明による乾燥装置の実施の形態の他の例を示す概略構成説明図である。
符号の説明
10,20,200 乾燥装置
12 処理槽
12a 内部
12b 入口
12c 出口
14,114 搬送用ローラー
16−1,16−2,16−3 ハロゲンランプヒーター
18 輻射板
18a 上面
21,22,23 リフレクター
21a,22a,23a ミラー
100 基板
130−1 上部赤外線セラミックヒーター
130−2 下部赤外線セラミックヒーター

Claims (4)

  1. 石英ガラス管により構成されたハロゲンランプヒーターと、
    前記ハロゲンランプヒーターと対向して配設された輻射板と、
    前記ハロゲンランプヒーターと前記輻射板との間の開放された空間を通るようにして被乾燥物を搬送する搬送手段とを有し、
    前記被乾燥物に対し、前記ハロゲンランプヒーターからの近赤外線の熱を直接照射するとともに、
    前記ハロゲンランプヒーターと対向する側より前記輻射板を介して前記ハロゲンランプヒーターの熱を近赤外線から遠赤外線の範囲となる輻射熱として照射する
    ことを特徴とする乾燥装置。
  2. 中空の内部を有する処理槽と、
    前記処理槽の中央部を貫通するように配設され、前記処理槽の入口から出口へ向けて連続的に被乾燥物を搬送する搬送用ローラーと、
    石英ガラス管により構成されるとともに、前記搬送用ローラーの上方に配設された近赤外線の熱を発するハロゲンランプヒーターと、
    前記搬送用ローラーの下方に配設された輻射板と
    を有する乾燥装置であって、
    前記ハロゲンランプヒーターより発せられた近赤外線の熱は、前記輻射板を介して近赤外線から遠赤外線の範囲となる輻射熱として前記被乾燥物に対して照射される
    ことを特徴とする乾燥装置。
  3. 請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の乾燥装置において、
    前記輻射板は、少なくとも前記ハロゲンランプヒーターと対向する面がセラミックにより形成されている
    ものである乾燥装置。
  4. 請求項1、請求項2または請求項3のいずれか1項に記載の乾燥装置において、さらに、
    放物形状のミラーを有し、該ミラーが前記輻射板と対向するようにして前記ハロゲンランプヒーターの前記輻射板と対向する側の背面側に配設されたリフレクターと
    を有する乾燥装置。
JP2003302658A 2003-08-27 2003-08-27 乾燥装置 Expired - Fee Related JP4355182B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003302658A JP4355182B2 (ja) 2003-08-27 2003-08-27 乾燥装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003302658A JP4355182B2 (ja) 2003-08-27 2003-08-27 乾燥装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005072442A JP2005072442A (ja) 2005-03-17
JP4355182B2 true JP4355182B2 (ja) 2009-10-28

Family

ID=34406875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003302658A Expired - Fee Related JP4355182B2 (ja) 2003-08-27 2003-08-27 乾燥装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4355182B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006292328A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 乾燥装置
JP2007117993A (ja) * 2005-09-30 2007-05-17 Hitachi High-Technologies Corp 基板乾燥装置、基板乾燥方法、及び基板の製造方法
JP4947344B2 (ja) * 2006-01-31 2012-06-06 ウシオ電機株式会社 加熱装置
KR100931000B1 (ko) 2008-04-22 2009-12-10 한국기계연구원 유연성 폴리머 기판용 수분제거장치
FR2944345B1 (fr) 2009-04-08 2013-03-22 Saint Gobain Four comprenant une barriere thermique
WO2017195922A1 (ko) * 2016-05-13 2017-11-16 장태균 하강 기류형 적외선 컨베이어 연속 건조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005072442A (ja) 2005-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130320235A1 (en) Uv curing system for semiconductors
KR101969044B1 (ko) 히터 유닛 및 열처리 장치
JP2011526734A (ja) スクリーン印刷に有用な熱プロファイルの短いオーブン
WO2005064663A1 (ja) 紫外線洗浄装置および洗浄方法
JP4355182B2 (ja) 乾燥装置
KR102184871B1 (ko) 웨이퍼 세정 장치용 조명 장치 및 이를 이용한 세정 장치
WO2014157179A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN109390251B (zh) 一种基板处理装置及利用此装置的直列式基板处理系统
JP2011106747A (ja) 基板乾燥方法、基板乾燥装置、基板の製造方法、及びフラットパネルディスプレイ
JP5428811B2 (ja) 基板乾燥方法、基板乾燥装置、基板の製造方法、及びフラットパネルディスプレイ
KR101553735B1 (ko) 광 조사 장치
JP2002043268A (ja) 基板処理装置
KR100818019B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3663674B2 (ja) 紫外線処理装置
KR20140043863A (ko) 액자 발생 억제 방법 및 액자 발생 억제 장치
JP2002184742A (ja) ドライ洗浄装置
JP3704677B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH11295500A (ja) 紫外線照射装置
KR102162392B1 (ko) 광 세정 처리 장치
JP4947344B2 (ja) 加熱装置
JP6123649B2 (ja) アッシング装置および被処理物保持構造体
US6787787B1 (en) Ultraviolet radiation producing apparatus
EP1158574B1 (en) Ultraviolet radiation producing apparatus
JPH07185489A (ja) 紫外線照射式改質装置
JP2007149938A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びにディスプレイ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060607

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081125

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090707

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090731

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees