JP4354953B2 - 薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
- H10K10/488—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising a layer of composite material having interpenetrating or embedded materials, e.g. a mixture of donor and acceptor moieties, that form a bulk heterojunction
-
- H—ELECTRICITY
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-
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Description
又、本態様によると、前記半導体層における前記粒子の含有率は、0体積%を超え60体積%以下とされる。これにより、有機物半導体材料の内部に分散された各々の無機物材料の粒子同士の接触確率を有効に制限することが可能になる。その結果、半導体層の弾性が失われることを防止することができ、TFTの歩留まりを改善することが可能になる。
本発明の実施の形態1では、半導体層が無機物半導体材料の粒子をその内部に複数含有する有機物半導体材料によって構成されたTFTに関して、その代表的な構成、製造方法、及び評価結果等について説明する。
本発明の実施の形態2では、半導体層が無機物導体材料の粒子をその内部に複数含有する有機物半導体材料によって構成されたTFTに関し、その代表的な構成、製造方法、及び評価結果等について説明する。
本発明の実施の形態3では、半導体層が無機物半導体材料の粒子と無機物導体材料の粒子とを複数内部に含有する有機物半導体材料によって構成されたTFTについて説明する。尚、本実施の形態では、TFT自体の構成、半導体特性等を評価するための試料の構成、及びTFTの製造方法等は、実施の形態1,2の場合と同様である。従って、ここでは、その説明は省略する。又、TFTを構成する各構成要素の適用材料は、半導体層を除いて実施の形態1の場合と同様としている。例えば、半導体層を形成するためのベースとなる有機物半導体材料は、実施の形態1の場合と同様のオリゴチオフェンを用いている。
本発明の実施の形態4では、実施の形態1〜3で説明したTFTを用いたアプリケーション例として、シートライクなフレキシブルディスプレイ、無線IDタグ、及び、携帯テレビ、通信端末、携帯用医療機器等の携行用機器について説明する。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 半導体層
5 ソース電極
6 ドレーン電極
7 プラスティック基板
8 粒子
9 有機物半導体材料
100 TFT
101 プラスティック基板
102 有機EL層
103 透明電極
104 保護フィルム
105 ソース電極線
106 ゲート電極線
110 TFT駆動回路
111 ゲート電極
112 ゲート絶縁層
113 半導体層
114 ソース電極
115 ドレーン電極
116 画素電極
117 絶縁層
120 無線IDタグ
121 プラスティック基板
122 アンテナ部
123 メモリーIC部
130 携帯テレビ
131 表示部
132 受信部
133 電源スイッチ
134 操作スイッチ
135 音声出力装置
136 入出力端子
137 記録メディア挿入部
140 携帯電話
141 表示部
142 送受信部
143 音声出力部
144 カメラ部
145 折り畳み用可動部
146 操作スイッチ
147 音声入力部
150 携帯用医療機器
151 表示部
152 操作スイッチ
153 医療的処置部
154 経皮コンタクト部
155 腕
200 TFT
300 半導体特性評価用試料
400 断面
Claims (17)
- 半導体層と、該半導体層に相互に分離して設けられたソース領域とドレーン領域とゲート領域とを有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層が複合材料で構成されており、
前記複合材料が、有機物半導体材料の内部に少なくとも1種類の無機物材料の粒子が複数分散された複合材料であり、
前記半導体層における前記粒子の含有率が、0体積%を超え60体積%以下である、薄膜トランジスタ。 - 薄膜トランジスタのON動作時における前記無機物材料の電気抵抗が、前記ON動作時における前記有機物半導体材料の電気抵抗より低い、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記粒子の最大粒子径が、前記ソース領域と前記ドレーン領域との間の距離より小さい、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層における前記粒子の含有率が、前記粒子のネットワークによって前記ソース領域と前記ドレーン領域とが電気的に接続されないように制限されている、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記複数分散された前記粒子の群が、互いに平均粒子径が異なる少なくとも第1の粒子群及び第2の粒子群の2つの粒子群を含んで構成されている、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記第1の粒子群の平均粒子径が、前記第2の粒子群の平均粒子径の0%を超え15%未満である、請求項5記載の薄膜トランジスタ。
- 前記無機物材料が、導体材料である、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記無機物材料が、半導体材料である、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記無機物材料が、導体材料及び半導体材料を含有する2種類以上の材料の複合材料である、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 半導体層と、該半導体層に相互に分離して設けられたソース領域とドレーン領域とゲート領域とを有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
有機物半導体材料の内部に少なくとも1種類の無機物材料の粒子を複数分散させて、前記半導体層における前記粒子の含有率が0体積%を超え60体積%以下である複合材料を製造する第1の製造工程と、
前記第1の製造工程で得られた前記複合材料を用いて前記半導体層を形成する第2の製造工程と、
を備えている、薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記無機物材料として、薄膜トランジスタのON動作時における電気抵抗が前記ON動作時における前記有機物半導体材料の電気抵抗より低い無機物材料を用いる、請求項10記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記粒子の粒度分布を所定の粒度分布とするための粒子選別工程を更に備えている、請求項10記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記粒子の前記半導体層内における分散状態を所定の分散状態とするための分散制御工程を更に備えている、請求項10記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記第2の製造工程が、
前記複合材料を所定の溶液中に溶解若しくは非溶解の状態で分散させて半導体層形成用材料を得る第1の準備工程と、
前記第1の準備工程で得られた前記半導体層形成用材料を所定の位置に噴霧、塗布若しくは印刷した後に乾燥させて前記半導体層を形成する第2の準備工程と、
を備えている、請求項10記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項1乃至9の何れか1つに記載の薄膜トランジスタが、画素を駆動するためのスイッチング素子として複数個配設されてなる、アクティブマトリクス型ディスプレイ。
- 請求項1乃至9の何れか1つに記載の薄膜トランジスタが、集積回路を構成するための半導体素子として利用されてなる、無線IDタグ。
- 請求項1乃至9の何れか1つに記載の薄膜トランジスタが、集積回路を構成するための半導体素子として利用されてなる、携行用機器。
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