JP4353910B2 - 光磁気記録再生装置 - Google Patents

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Description

本発明は、光磁気記録再生装置に関し、特に、記録レーザパワーの設定の際に用いて好適なものである。
従来、光磁気記録媒体として、MO(Magnetic Optical)やMD(Mini Disc)が開発され、商品化されている。これら光磁気記録媒体では、再生光を照射したときのカー回転角が再生信号のSNに影響することから、これまで、カー回転角を増大させるための手法が種々検討されている。
たとえば、以下に示す特許文献1では、記録層の組成や層構成を改良することによって、青色レーザ光に対するカー回転角の低下を抑制するようにしている。すなわち、記録層を構成するRE−TM合金の組成をTMrichとするとともに、記録層上に反強磁性層を形成し、さらに、反強磁性層を形成することによる表面荒れに対しては、反強磁性層の下地に表面平滑性の良い平坦化層を形成するようにしている。この他、誘電体層にてレーザ光を反復的に反射させることにより、カー回転角を大きくする方法も検討されている。
また、光磁気記録媒体においては、記録感度を向上させる手法が種々検討されている。たとえば、以下に示す特許文献2では、記録層の他に記録補助層と強磁性層を配し、記録補助層が外部磁界により発生する磁界と、強磁性層の作用による磁束の集中によって、記録層の位置における磁界を増強させ、記録感度の向上が図られている。
さらに、光磁気記録媒体においては、記録密度を向上させる手法が種々検討されている。たとえば、以下に示す特許文献3では、微小な記録セルを非記録領域で分離して形成することにより、記録密度の向上が図られている。
特開2004−30717号公報 特開平11−353725号公報 特開2003−109247号公報
しかし、上記特許文献1の方法によれば、記録層の組成をTMrichとし、さらに、反強磁性層や平坦化層を別途配さなければならないため、媒体構成の自由度に制約が生じ、コストの点でデメリットが生じる可能性もある。また、誘電体層を別途配する場合には、その分、コストの上昇が生じるとともに、特許文献1の場合と同様、媒体構成の自由度に制約が生じるとの問題もある。
また、上記特許文献2の方法によれば、記録感度向上のために記録補助層と強磁性層を別途配さねばならず、製造工程が複雑になるとの問題が生じる。さらに、上記特許文献3の方法によれば、記録密度を向上させるために記録セルを非記録領域で分離して形成する必要があり、製造工程の複雑化とコストの上昇を招くとの問題が生じる。
そこで、出願人は、先に特願2005−55383号(整理番号:NQC1050014)を出願し、媒体構成の自由度を制約することなく、簡易な構成により効果的に、カー回転角の増大と記録感度および記録密度の向上を図り得る光磁気記録媒体を提案している。かかる光磁気記録媒体は、たとえば、基板面にナノ単位の凹凸構造を形成し、この凹凸構造を磁性層(記録層)に反映させて、カー回転角の増大と、高密度化、高感度化を図るものである。ところが、かかる光磁気記録媒体に対し過大なパワーのレーザ光を照射すると、凹凸構造に潰れが生じることが、発明者によって確認された。凹凸構造に潰れが生じると、カー回転角の増大、高密度化、高感度化を効果的に発揮させることができず、かかる光磁気記録媒体の価値が減少する。
そこで、本発明は、この種の光磁気記録媒体に過大なパワーのレーザ光が照射されるのを未然に防止し、これにより、かかる光磁気記録媒体における効果を十分に発揮させ得るようにすることをその課題とする。
上記課題を達成すべく本発明は、以下の特徴を有する。
請求項1の発明は、データ記録領域のほかにテスト記録領域が設定され、少なくとも前記データ記録領域と前記テスト記録領域において、記録用レーザ光の波長よりも小さいピッチで、且つ縦横均等に一定ピッチにて柱状の突起が並ぶようにして基板上に形成された凹凸構造を有し、当該凹凸構造が反映されるようにさらに記録層が形成された光磁気記録媒体に対し、前記記録層に情報を光磁気記録可能な光磁気記録再生装置において、前記テスト記録領域にテスト記録を行う前後の反射率変化を測定し、テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも増大している場合、記録レーザパワーを前記凹凸構造に潰れが生じないパワーまで減少させるレーザパワー設定手段を備えたことを特徴とする。
請求項2の発明は、データ記録領域のほかにテスト記録領域が設定され、少なくとも前記データ記録領域と前記テスト記録領域において、記録用レーザ光の波長よりも小さいピッチで、且つ縦横均等に一定ピッチにて柱状の突起が並ぶようにして基板上に形成された凹凸構造を有し、当該凹凸構造が反映されるようにさらに記録層が形成された光磁気記録媒体に対し、前記記録層に情報を光磁気記録可能な光磁気記録再生装置において、前記テスト記録領域にテスト記録を行う前後の反射率変化を測定し、テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも所定の割合以上増大している場合、当該テスト記録時のレーザパワーを所定レベルだけ減少させて、再度、テスト記録を行うレーザパワー設定手段を備えたことを特徴とする。
請求項3の発明は、データ記録領域のほかにテスト記録領域が設定され、少なくとも前記データ記録領域と前記テスト記録領域において、記録用レーザ光の波長よりも小さいピッチで、且つ縦横均等に一定ピッチにて柱状の突起が並ぶようにして基板上に形成された凹凸構造を有し、当該凹凸構造が反映されるようにさらに記録層が形成された光磁気記録媒体に対し、前記記録層に情報を光磁気記録可能な光磁気記録再生装置において、前記テスト記録領域にテスト記録を行う前後の反射率変化を測定し、テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも所定の割合以上増大していない場合、当該テスト記録にて記録した情報を適正に再生できたかを判別し、適正に再生できたとき、当該テスト記録時のレーザパワーを記録レーザパワーとして設定するレーザパワー設定手段を備えたことを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項3に記載の光磁気記録再生装置において、前記レーザパワー設定手段は、当該テスト記録にて記録した情報を適正に再生できなかったとき、当該テスト記録時のレーザパワーを所定レベルだけ増加させて、再度、テスト記録を行うことを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項4に記載の光磁気記録再生装置において、前記レーザパワー設定手段は、当該テスト記録時のレーザパワーを所定レベルだけ増加させた後のレーザパワーが限界値を越えるとき、当該光磁気記録媒体が異常であるとして判別し、レーザパワーの設定動作を終了することを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項5に記載の光磁気記録再生装置において、前記レーザパワー設定手段は、前記テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも所定の割合以上増大したときのレーザパワーを前記限界値として設定することを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項1から6の何れかに記載の光磁気記録再生装置において、前記テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも所定の割合以上増大したとき、当該テスト記録に用いた位置をテスト記録に使用できないものとする情報をテスト記録管理情報に含めて前記データ記録領域内の管理情報記録位置に記録することを特徴とする。
請求項8の発明は、請求項7に記載の光磁気記録再生装置において、前記テスト記録領域のうち次のテスト記録時に用いられる位置を特定するための情報を前記テスト記録管理情報に含めて前記データ記録領域内の管理情報記録位置に記録することを特徴とする。
本発明によれば、テスト記録領域にテスト記録を行うことによって記録レーザパワーが適正レベルに調整されるため、記録動作時のレーザ光照射によって基板上の凹凸構造が破壊されることはなく、円滑かつ適正なパワーレベルにて記録動作を実行することができる。よって、凹凸構造によって奏される作用効果、すなわち、カー回転角の増大、記録密度の向上、記録感度の向上を、適正に発揮させることができる。
また、請求項2ないし6の発明によれば、レーザパワー設定時の動作を円滑化することができ、特に、請求項5および6の発明によれば、光磁気記録媒体の異常を併せて検出することができる。さらに、請求項7および8の発明によれば、テスト記録領域の使用状況を管理することができ、もって、テスト記録動作の円滑化を図ることができる。
本発明の特徴は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下に示す実施の形態は、あくまでも、本発明の一つの例示であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。
以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。本実施の形態に係る光磁気ディスクは、既存の光磁気ディスクと同様、透明基板、誘電体層、記録層、誘電体層、保護層、印刷層等が積層された構造となっている。なお、基板と記録層の間に配された誘電体層は、基板の記録層側表面に形成されたナノ単位の凹凸構造が記録層に反映される程度に薄く形成されている
図1に実施の形態に係る光磁気ディスク100のエリアフォーマットを示す。
図示の如く光磁気ディスク100は、内周側から順に、クランプ領域100a、リードイン領域100b、テストゾーン100c、データ領域100d、リードアウト領域100eにエリア分割されている。この内、リードイン領域には、ディスク管理情報がピット列によって記録されている。
かかるディスク管理情報には、当該光磁気ディスクがノーマルな光磁気ディスクであるのか、あるいは、記録層側の基板面にナノ単位のピッチで微細な凹凸構造が形成されている光磁気ディスク(以下、「ナノディスク」という)であるのかを識別するためのディスク種別情報が含まれている。また、テストゾーン、データ領域、リードアウト領域の開始アドレスを示す情報が含まれている。
さらに、データ領域の先頭部分(ディスク内周側)には、データ領域に記録された情報を管理するためのデータ管理情報のほか、テストゾーンの使用状況を管理するための情報(テストゾーン情報)が光磁気記録の形態で記録される。かかるテストゾーン情報は、テストゾーンの内、テスト記録が可能である領域とテスト記録が不可能である領域とを区別する情報と、次のテスト記録時に使用される領域を特定するための情報を含んでいる。すなわち、テストゾーンは、先頭から所定単位ずつセクタ区分され、各セクタには先頭から順にナンバリングが付されている。最初のテスト記録は、先頭のセクタを用いて行われ、このセクタが使用不可となった場合に、順次、次のセクタがテスト記録用として用いられる。上記テストゾーン情報は、各セクタの使用可否と、次に使用されるセクタを特定するための情報を含んでいる。
なお、上記凹凸構造は、テストゾーンとデータ領域の両方に形成されている。すなわち、テストゾーンとデータ領域は同一の層構造となっている。ここで、テストゾーンは、記録レーザパワーの設定時にテスト記録を行うための領域である。なお、かかるテストゾーンは、ナノディスクにのみ配されており、ノーマルな光磁気ディスクには配されていない。
かかる構成を有するナノディスクにおいては、基板面上に形成された凹凸構造が記録層に反映されることにより、カー回転角の増大、記録密度の向上および記録感度の向上が図られる。
すなわち、記録層に反映された凹凸構造によって、再生レーザ光に多重反射が生じ、反射が繰り返される度に、カー回転作用が重畳される。これにより、レーザ光に対するカー回転角の増大が図られる。また、記録層の表面が平坦な場合に比べ、レーザ光の受光表面積が大幅に増大するため、レーザ光に対する熱吸収率が向上し、記録層の温度が効率的に高められる。また、外部からの印加磁界が凹凸構造の先端部に集中するようになるため、表面が平坦である場合に比べ、先端部により大きな磁界が加えられることとなり、この部分における磁界の印加効率が高められる。このように、記録層の表面に反映された凹凸構造によって、記録層の熱効率と磁界印加効率が同時に高められる。よって、レーザ光と磁界の双方に対して記録層の感度が向上し、その結果、低レーザパワーおよび低磁界強度によっても円滑に記録を行うことができるようになる。
さらに、上記のように磁界が凹凸構造の先端部に集中すると、凹凸構造先端の微細領域における磁化が可能となる。このとき、レーザ光の照射よって記録層に生じる熱は、凹凸構造の側壁が熱伝送に対する障壁として作用するため、記録層の面内方向に逃げにくくなる。このため、記録層が平坦な場合に比べ、より小さな領域(レーザスポットの中央領域)が局部的に昇温されるようになる。かかる温度上昇領域の制限によって、より限られた凹凸構造先端部のみが磁化される。その結果、記録マークの微小化が図られ、記録密度の向上が図られる。
なお、基板面上に凹凸構造を形成したときの作用効果については、出願人が先に出願した特願2005−55383号(整理番号:NQC1050014)にて検証されている。かかる先行出願には、基板面に対する凹凸構造の形成方法も記載されている。
図2は、凹凸構造の一例を示すものである。同図(a)は上面側から撮像したときの二次電子写真像、同図(b)は斜め上面側から撮像したときの二次電子写真像である。なお、同図の写真像は、凹凸構造上にCo50Al50at.%の合金膜をスパッタによって20nm形成した後、電子写真撮像のためにPt−Pdを10Å蒸着した状態で撮像を行ったときのものである。
同図に示すように、基板上には、縦横均等に一定ピッチにて円柱状の突起が並ぶようにして凹凸構造が形成されている。この写真像における凹凸構造のピッチ(隣り合う円柱状突起間の距離)は、縦横ともに250nmであり、円柱状突起の高さは、170nmとなっている。
なお、基板材料としては、ポリカーボネートやポリオレフィンといった透光性材料を用いることができる。基板材料は、これ以外に、生分解性材料を用いることもできる。こうすると、廃棄時における環境負荷等を小さくすることができる。
図3は、かかる凹凸構造上に反射層を形成したときの波長−反射率特性の測定結果を示すものである。なお、この測定は、上記ディスク基板上に、Co50Al50at.%の合金膜(反射層)を、スパッタによって20nm形成して行った。ここでは、基板材料として、ポリカーボネートを用いた。このように形成した反射層に波長を変えながらレーザ光を照射して反射率の測定を行った。
図3に、測定結果を示す。同図には、比較例として、反射膜形成面が平坦なガラス基板上にCo50Al50at.%の合金膜をスパッタによって20nm形成した場合の反射率の測定結果を重ねて示してある。この測定結果から、基板上に上記の凹凸構造を形成すると、平坦なAl−Co膜を形成したガラス基板に比べ、反射率が35〜40%程度低下することが確認できる。
次に、凹凸構造上に反射層を形成した後、高強度のレーザパワーをスポット照射して、凹凸構造の形状変化と反射率変化を測定した。なお、この測定においては、反射層としてAl膜を形成した。Al膜は、凹凸構造が形成された基板面にAl膜をスパッタによって形成した。Al膜の膜厚は20nmとした。
かかるディスク基板に対し、波長635nm、パワー10mWのパルスビームを反射膜側から収束照射した。なお、ビームスポットは、NA=0.55の対物レンズにて、スポット径=1μm程度に収束させた。また、照射ビームのパルス周波数は一定とした。
図4(a)にパルスビームの走査軌跡を示す。図中、白い部分がパルスビームの照射位置である。図4(b)に、パルスビーム照射後の基板面の形状を示す。同図(b)から、パルスビームを照射した基板面部分が他の部分に比べ隆起していることが分かる。
図5は、隆起部分の断面形状を測定したものである。この測定結果から、パルスビームを照射した基板面部分が他の部分に比べ大きく隆起し、且つ、その上面部分が平坦化されていることが分かる。
さらに、パルスビームにて走査した部分を低パワーの単調レーザ光で走査し、反射光強度の変化をオシロスコープで測定した。その結果、パルスビームの周波数成分が他の周波数成分に比べ10〜20%程度、反射光強度が高いことが測定された。このことから、この測定結果から、隆起部分は非隆起部分に比べ、反射率が10〜20%程度上昇することが確認できる。
以上の測定から、凹凸構造に対し、過大なパワーのレーザ光を照射すると、凹凸構造が隆起し、且つ、その上面部分が平坦化されることが分かる。このように凹凸構造に潰れが生じると、上述した凹凸構造による作用効果、すなわち、カー回転角の増大、記録密度の向上、記録感度の向上は発揮されなくなる。よって、データ領域100dに対する記録時には、記録レーザ光のパワーを、凹凸構造に潰れが生じないようなパワーに設定する必要がある。
本実施の形態における光磁気ディスク装置では、記録動作前にテストゾーン100cに試し書きを行って、記録レーザ光のパワーを、凹凸構造に潰れが生じないようなパワーに設定するようにしている。このとき、凹凸構造に潰れが生じたか否かは、テスト記録を行った位置を再生し、そのときの反射光強度が、テスト記録前の反射光強度よりも大きくなったか否かをもとに判別される。
図6に、実施の形態に係る光磁気ディスク装置の構成を示す。
図示の如く、光磁気ディスク装置は、コントローラ101と、メモリ102と、変調器103と、タイミングパルス発生回路104と、磁気ヘッド駆動回路105と、レーザ駆動回路106と、磁気ヘッド107と、光ピックアップ108と、再生信号増幅回路109と、波形整形器110と、復号器111と、サーボ回路112と、ディスク回転部113から構成されている。
コントローラ101は、記録/再生時において各部を制御するとともに、ディスク装着時にリードイン領域100bから読み取ったディスク管理情報と、データ領域100dの先頭部分から読み取ったデータ管理情報およびデータゾーン情報をメモリ102に格納する。また、メモリ102に予め格納されているテスト記録時のレーザパワー設定値Pwとレーザパワーの限界値Pgを用いて記録レーザパワーの設定制御を行う。なお、記録レーザパワーの設定動作については追って詳述する。
メモリ102は、コントローラ101から供給されたディスク管理情報、データ管理情報およびデータゾーン情報等の情報を格納する。また、当該光磁気ディスク装置に予め設定されるテスト記録時のレーザパワー設定値Pwとレーザパワーの限界値Pgを格納している。
変調器103は、コントローラ101から提供された記録データに変調を施して記録信号を生成しタイミングパルス発生回路104に出力する。タイミングパルス発生回路104は、変調器103から入力された記録信号に応じてタイミングパルスを生成し、これを磁気ヘッド駆動回路105とレーザ駆動回路106に出力する。磁気ヘッド駆動回路105は、タイミングパルス発生回路104から入力されたパルス信号に応じた駆動信号を生成し、これを磁気ヘッド107に供給する。レーザ駆動回路106は、タイミングパルス発生回路104から入力されたパルス信号に応じた駆動信号を生成し、これを光ピックアップ108に供給する。
磁気ヘッド107は、磁気ヘッド駆動回路105からの駆動信号に応じた磁界を発生して光磁気ディスク100に印加する。光ピックアップ108は、レーザ駆動回路106からの起動信号に応じたレーザ光を出射して光磁気ディスク100に照射するとともに、光磁気ディスク100からの反射光を光検出器によって受光してセンサー信号を再生信号増幅回路109に出力する。
再生信号増幅回路109は、光ピックアップ108から入力されたセンサー信号を演算増幅して各種信号を生成し、これを対応する回路に出力する。波形整形器110は、再生信号増幅回路109から入力された再生信号を波形整形して復号器111に出力する。復号器111は、波形整形器110から入力された信号を復号して再生データを生成し、これをコントローラ101に出力する。
サーボ回路112は、再生信号増幅回路109から入力されたフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号からフォーカスサーボ信号およびトラッキングサーボ信号を生成し、これを光ピックアップ108内の対物レンズ駆動アクチュエータに供給する。また、トラッキングエラー信号から回転サーボ信号を生成し、これをディスク回転部113に出力する。ディスク回転部113は、サーボ回路112から入力されたサーボ信号に応じてディスク100を回転駆動する。
図7に、記録レーザパワー設定時のフローチャートを示す。なお、同図のパワー設定処理は、リードイン領域100bから読み出したディスク管理情報をもとに、当該光磁気ディスクがナノ構造ディスクであると判別したときに行われるものである。
パワー設定処理が開始されると、まず、テスト記録時に用いるものとして当該光磁気ディスク装置に予め設定されているレーザパワー設定値Pwおよびレーザパワー限界値Pgをメモリ102から読み出し、これらを記録レーザパワー設定処理時の初期値として設定する(S101)。また、メモリ102に記憶されている当該ディスクのテストゾーン情報を読み出し、このうち、次のテスト記録時に使用されるものとして特定されたセクタ区分番号nを、当該テスト記録時に用いるセクタ区分番号として設定する(S102)。
しかる後、磁気ヘッド107と光ピックアップ108を、S102にて設定したセクタ区分番号nの位置にアクセスさせ(S103)、まず、その位置に再生パワーレベルのレーザ光を照射して当該位置の反射率R1を測定する(S104)。次に、S101にて設定したレーザパワー設定値Pwをテスト記録時のレーザパワーとして設定し(S105)、このパワーのレーザ光をセクタ区分番号nの位置に照射しながら磁気ヘッド107を駆動して、テストデータをこの位置に記録する(S106)。
かかる記録が終了すると、次に、レーザパワーを再生パワーレベルに設定し、セクタ区分番号nの位置の再生を行う(S107)。そして、まず、この位置の反射率R2を測定し、この反射率R2がS104にて測定した反射率R1よりも所定の割合以上増大したかを判別する(S108)。
ここで、反射率が増大していなければ、再生データが誤りなく適正に得られたかを判別する(S109)。そして、再生データが適正に得られた場合には、テスト記録に用いたレーザパワーを記録レーザパワーに設定する(S110)。このとき、テストゾーン情報を再構成し、これをデータ領域100dの先頭部分に上書きする(S120)。かかる上書きは、記録レーザパワーの設定時にテストゾーン情報が変更されない場合は省略しても良い。すなわち、記録レーザパワーの設定処理フロー中、後述のS111の処理ステップを通らない場合には、テストゾーン情報の上書きを省略するようにしても良い。
S108において、反射率R2が反射率R1よりも所定の割合以上増大したと判別した場合には、セクタ番号nの位置をテスト記録不可に設定し、セクタ番号n+1の位置を新たなテスト記録の位置として設定する(S111)。そして、現時点のレーザパワーの設定値Pwをレーザパワー限界値Pgに設定し(S112)、さらに、現時点のレーザパワーの設定値Pwから所定の値αを減じた値を、新たなレーザパワーの設定値Pwとして設定する(S113)。しかる後、S106に戻り、同様の処理を実行する。
S109において、テスト記録を行った位置から再生データを適正に得られなかったと判別した場合には、現時点のレーザパワーの設定値Pwがレーザパワーの限界値Pgよりも大きいかを判別し(S114)、大きければ、異常終了として記録レーザパワーの設定処理を終了する。他方、PwがPg以下であれば、現時点のレーザパワーの設定値Pwに所定の値αを加えた値を、新たなレーザパワーの設定値Pwとして設定する(S115)。さらに、再設定後の設定値Pwが限界値Pgよりも大きいかを再度判別し(S114)、大きければ、異常終了として記録レーザパワーの設定処理を終了する。他方、小さければ、S106に戻り、同様の処理を実行する。
本実施の形態によれば、テストゾーンにテスト記録を行って記録レーザパワーを適正レベルに調整した後に実記録が行われるため、記録動作時に基板上の凹凸構造が破壊されることはなく、円滑かつ適正なパワーレベルにて記録動作を実行することができる。よって、凹凸構造によって奏される作用効果、すなわち、カー回転角の増大、記録密度の向上、記録感度の向上を、適正に発揮させることができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、かかる実施の形態に限定されるものではなく、他に種々の変更が可能である。たとえば、凹凸構造の形状、寸法等は、上記に示されたもの限定されるものではなく適宜変更が可能である。また、テストゾーンの配置位置は、図1に示す位置の他、最外周位置やリードイン領域よりもさらに内周側の位置等とすることもできる。また、上記実施例では記録動作前に試し書きを行ったが、これに限らず、ディスクの装着直後や、ドライブが休止状態(記録等の指示が与えられていない状態)のときに試し書きを行うようにしてもよい。こうすれば、記録開始時に試し書きのための時間を必要としないため、速やかに記録動作に移行できるという利点がある。
本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。
実施の形態に係る光磁気ディスクのエリアフォーマットを示す図 実施の形態に係る凹凸構造の二次電子写真像を示す図 実施の形態に係る凹凸構造の波長−反射率特性を示す図 実施の形態に係る基板形状の電子写真撮像図 実施の形態に係る基板断面形状の測定結果を示す図 実施の形態に係る光磁気ディスク装置の構成を示す図 実施の形態に係る記録レーザパワー設定時のフローチャートを示す図
符号の説明
100 光磁気ディスク
100b リードイン領域
100c テストゾーン
100d データ領域
101 コントローラ
102 メモリ

Claims (8)

  1. データ記録領域のほかにテスト記録領域が設定され、少なくとも前記データ記録領域と前記テスト記録領域において、記録用レーザ光の波長よりも小さいピッチで、且つ縦横均等に一定ピッチにて柱状の突起が並ぶようにして基板上に形成された凹凸構造有し、当該凹凸構造が反映されるようにさらに記録層が形成された光磁気記録媒体に対し、前記記録層に情報を光磁気記録可能な光磁気記録再生装置において、
    前記テスト記録領域にテスト記録を行う前後の反射率変化を測定し、テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも増大している場合、記録レーザパワーを前記凹凸構造に潰れが生じないパワーまで減少させるレーザパワー設定手段を備えた、
    ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
  2. データ記録領域のほかにテスト記録領域が設定され、少なくとも前記データ記録領域と前記テスト記録領域において、記録用レーザ光の波長よりも小さいピッチで、且つ縦横均等に一定ピッチにて柱状の突起が並ぶようにして基板上に形成された凹凸構造を有し、当該凹凸構造が反映されるようにさらに記録層が形成された光磁気記録媒体に対し、前記記録層に情報を光磁気記録可能な光磁気記録再生装置において、
    前記テスト記録領域にテスト記録を行う前後の反射率変化を測定し、テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも所定の割合以上増大している場合、当該テスト記録時のレーザパワーを所定レベルだけ減少させて、再度、テスト記録を行うレーザパワー設定手段を備えた、
    ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
  3. データ記録領域のほかにテスト記録領域が設定され、少なくとも前記データ記録領域と前記テスト記録領域において、記録用レーザ光の波長よりも小さいピッチで、且つ縦横均等に一定ピッチにて柱状の突起が並ぶようにして基板上に形成された凹凸構造を有し、当該凹凸構造が反映されるようにさらに記録層が形成された光磁気記録媒体に対し、前記記録層に情報を光磁気記録可能な光磁気記録再生装置において、
    前記テスト記録領域にテスト記録を行う前後の反射率変化を測定し、テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも所定の割合以上増大していない場合、当該テスト記録にて記録した情報を適正に再生できたかを判別し、適正に再生できたとき、当該テスト記録時のレーザパワーを記録レーザパワーとして設定するレーザパワー設定手段を備えた、
    ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
  4. 請求項3において、
    前記レーザパワー設定手段は、当該テスト記録にて記録した情報を適正に再生できなかったとき、当該テスト記録時のレーザパワーを所定レベルだけ増加させて、再度、テスト記録を行う、
    ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
  5. 請求項4において、
    前記レーザパワー設定手段は、当該テスト記録時のレーザパワーを所定レベルだけ増加させた後のレーザパワーが限界値を越えるとき、当該光磁気記録媒体が異常であるとして判別し、レーザパワーの設定動作を終了する、
    ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
  6. 請求項5において、
    前記レーザパワー設定手段は、前記テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも所定の割合以上増大したときのレーザパワーを前記限界値として設定する、
    ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
  7. 請求項1ないし6の何れかにおいて、
    前記テスト記録後の反射率がテスト記録前の反射率よりも所定の割合以上増大したとき、当該テスト記録に用いた位置をテスト記録に使用できないものとする情報をテスト記録管理情報に含めて前記データ記録領域内の管理情報記録位置に記録する、
    ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
  8. 請求項7において、
    前記テスト記録領域のうち次のテスト記録時に用いられる位置を特定するための情報を前記テスト記録管理情報に含めて前記データ記録領域内の管理情報記録位置に記録する、ことを特徴とする光磁気記録再生装置。
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