JP2007149234A - 光ディスク装置及び光ディスク再生方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
光アッテネータを用いた光ディスク装置において、ノイズを低減して良好な再生動作を実現可能な光ディスク装置及び光ディスク再生方法を提供すること。
【解決手段】
光ディスクを再生する際の再生パワーや、光アッテネータの周囲温度に応じて光アッテネータの制御電圧を変化させる。また、光アッテネータの減衰率に応じてレーザダイオードを駆動する高周波電流振幅を変化させる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、レーザダイオードのレーザノイズを低減して記録や再生を行う光ディスク装置に関する。

特許文献１には、
「近年、ディジタルバーサタイルディスク（以降、ＤＶＤと称す）は、大容量のディジタル情報が記録可能な高密度光ディスクとして注目されている。しかし情報の大容量化に伴い、より高密度の光ディスクの実現が求められている。ここで、ＤＶＤよりも高密度な記録を達成するには、記録層上にＤＶＤよりも小さなマークを記録する必要があり、その為には光源の波長を短く、対物レンズの開口数（以降、ＮＡと称す）を大きくすることが必要となる。例えば、ＤＶＤでは光源に波長６６０ｎｍのレーザを用い、対物レンズにＮＡ０．６のレンズを用いているが、光源として波長４０５ｎｍの青色レーザを用い、ＮＡ０．８５の対物レンズを用いることで、ＤＶＤの約５倍の記録容量が達成できる。さらに、近年の青色レーザの高出力化により、１層の記録層を持ついわゆる１層ディスクよりもさらに高い記録容量を得るために、複数の記録層を持つ多層ディスクの開発も行われている。例えば、２層の記録層を持つディスクが実現されれば、記憶容量はＤＶＤの約１０倍になる。しかし、従来の高密度光ディスク装置においては、再生時の各種ストレスマージンがＤＶＤに比べ厳しいため、光源である青色レーザの量子化雑音が問題となる。この量子化雑音は、光源であるレーザダイオードの特性上、出力レーザパワーを高くすると低く抑えられるが、出力レーザパワーを高くすると、記録層へ収束照射されるレーザのパワー（以降、照射パワーと称す）は増大し、記録層の劣化やデータの消去を引き起こす。」と記載されている。

また特許文献２には、
「本発明は、通常の温度以上の高温下においても、光源におけるレーザノイズの増加が抑えられて、良好な記録及び／又は再生特性が得られる光ヘッド及び光記録媒体駆動装置を提供」するという課題を、
「この光記録媒体駆動装置においては、温度が高いほど、光結合効率が小さくなされて光源の発光出力が大きくなされるので、光源にレーザダイオード素子を用いた場合において高温になっても、レーザノイズの増加が抑えられ、再生特性が影響を受けることがない」という構成を用いて解決すると記載されている。

特開２００３−２５７０７２号公報 （[０００２][０００３]等） 特開２００４−２２０７４４号公報 （[００１６][００２４][００２６][００２８]等）

前記のように高密度記録が進むにつれてレーザダイオード発光時に発生する量子化雑音の影響が課題となっており、この課題を解決するために光アッテネータを用いることが提案されている。ここで量子化雑音とはレーザダイオード発光時に発生するノイズのことであり、光アッテネータとは、光強度を減衰させる素子であって具体例としてはＮＤ（Ｎｅｕｔｒａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）フィルタ、液晶素子、回折格子を用いたものがある。前記特許文献１では光アッテネータとして「光ビームの透過率を可変できる光学素子」を用いている。量子化雑音の影響を回避するためにはレーザダイオードの発光パワー（：レーザダイオードから出射直後のレーザパワー）を高くしてＳ／Ｎ（Ｓｉｇｎａｌ／Ｎｏｉｓｅ）比を良好にすることが考えられるが、高発光パワーのまま再生動作をすると記録層の劣化やデータの消去を引き起こす。そのため、まず高発光パワーにより良好なＳ／Ｎ比で発光する。その後、レーザビームが光ディスク記録面に照射される前に光アッテネータにより光強度を減衰させる。これによりＳ／Ｎ比を良好に維持したまま記録層の劣化やデータの消去を引き起こすことなく再生動作を実現できる。

最近では記録動作や再生動作の高速化が進み、高速再生動作時にＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ａｎｇｕｌａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式が用いられている。ＣＡＶ方式では角速度一定で動作するため、内周では線速度が遅く外周では線速度が速くなる。一般に線速度（再生速度）が速いほど再生時に必要な再生パワー（：再生動作時の光ディスク記録面におけるレーザパワー）が高くなるため、ＣＡＶ方式の再生動作時には内周から外周にかけて再生動作に必要な再生パワーが高くなる。そのためレーザダイオードの発光パワーを一定に維持して再生動作を行なう場合には、同一光ディスクを再生中であっても光アッテネータの減衰率を半径（再生速度）に応じて変化させないと、量子化雑音の低減効果を得つつ必要な再生パワーを得ることができない。特許文献１にはＣＡＶ方式で再生動作を行なう際に光アッテネータの減衰率を変化させる技術の開示はない。

そこで本発明では、同一の光ディスクを再生中でも量子化雑音の低減効果及び半径位置（再生速度）に応じた再生パワーを得られる光ディスク装置及び光ディスク再生方法を提供することを第１の目的とする。

さらに、光アッテネータは周囲温度に依存して特性が変化する。その特性は図４のように変化するものであり、一定電圧で光アッテネータを駆動していても周囲温度が上昇すると減衰率も上昇する。特許文献２では周囲温度が上昇すると所望の再生パワーを得るためにレーザダイオードの発光パワーも高くするものである。そのため、レーザダイオードの寿命短縮や消費電力増大等の問題が発生する。

そこで本発明では、周囲温度が変化してもレーザダイオードの寿命短縮や消費電力増大等せずに量子雑音低減効果を得ることができる光ディスク装置及び光ディスク再生方法を提供することを第２の目的とする。

また、光ディスクからの反射光により発生するノイズを低減する技術として高周波重畳法があり、前記光アッテネータと高周波重畳法を併用することにより、前記光アッテネータのみを用いる場合と比してノイズをより低減できる。しかし、光アッテネータを用いると高周波の発光パワーも減衰させてしまい、高周波重畳法によるノイズ低減効果を十分に得られない、という問題がある。

そこで本発明では、光アッテネータと高周波重畳法を併用しても十分にノイズ低減効果を得ることできる光ディスク装置及び光ディスク再生方法を提供することを第３の目的とする。

本発明では例えば以下の実施態様により前記課題を解決できるが、この実施態様に限られることはない。

前記第１の目的は例えば次の一実施態様、光ディスクから情報を再生する光ディスク装置であって、レーザダイオード、レーザドライバ、アッテネータ、アッテネータドライバ、制御部を有する光ディスク装置により解決できる。具体的には、前記制御部が、前記光ディスクを再生中に前記光ディスクの半径位置（再生速度）によって前記アッテネータドライバが前記アッテネータの減衰率を変化させるように、前記アッテネータドライバを制御する。

また、前記第１の目的は次の一実施態様、レーザダイオードから照射されるレーザ光の第１のパワーをアッテネータで第２のパワーへ減衰してから光ディスクに照射して前記光ディスクから情報を再生する光ディスク再生方法によっても解決できる。具体的には、前記光ディスクを再生中に前記光ディスクの半径位置（再生速度）によって前記第２のパワーを変化させる。

前記第２の目的は例えば次の一実施態様、光ディスクから情報を再生する光ディスク装置であって、レーザダイオード、レーザドライバ、アッテネータ、アッテネータドライバ、制御部、温度センサを有する光ディスクにより解決できる。具体的には、前記制御部が、前記周囲温度によって前記アッテネータドライバが前記アッテネータの減衰率を変化させるように、前記アッテネータドライバを制御する。

また、前記第２の目的は例えば次の一実施態様、レーザダイオードから照射されるレーザ光の第１のパワーをアッテネータで第２のパワーへ減衰してから光ディスクに照射して前記光ディスクから情報を再生する光ディスク再生方法によっても解決できる。具体的には、前記光ディスクを再生中に前記アッテネータの周囲温度によって前記第２のパワーを変化させる。

前記第３の目的は例えば次の一実施態様、光ディスクから情報を再生する光ディスク装置であって、レーザダイオード、高周波重畳回路を具備したレーザドライバ、アッテネータ、アッテネータドライバ、制御部を有する光ディスクにより解決できる。具体的には、前記アッテネータの減衰率によって前記高周波電流の振幅を変化させるように、前記レーザドライバを制御する。

また、前記第３の目的は例えば次の一実施態様、レーザダイオードから照射されるレーザ光の第１のパワーをアッテネータで第２のパワーへ減衰してから光ディスクに照射して前記光ディスクから情報を再生する光ディスク再生方法によっても解決できる。具体的には、前記光ディスクを再生中に高周波重畳した駆動電流を前記レーザダイオードに供給し、前記アッテネータの減衰率によって前記高周波電流の振幅を変化させる。

本発明によれば、ノイズを低減して良好な再生動作を実現可能な光ディスク装置及び光ディスク再生方法を提供できる。

以下本発明の実施例を、図面を用いて説明する。

本実施例では、再生パワーに応じて光アッテネータの減衰率や制御電圧を変化させる光ディスク装置の例ついて述べる。

図１（ａ）は、本発明による光ディスク装置の一実施例を示すブロック構成図である。マイコン１は、レーザドライバ２に対し、記録、再生などの制御を行う。また、マイコン１はアッテネータドライバ１６に対し、光減衰率、光アッテネータ４の制御電圧の制御を行う。レーザドライバ２は、直流電流回路１８及び高周波電流回路１９を備えており、高周波電流を重畳したレーザダイオード駆動電流を出力し、レーザダイオード３を駆動する。レーザダイオード３は、レーザドライバ２の出力に対応した高周波電流を重畳した発光波形で、例えば４００ｎｍの波長を有するレーザ光を出射する。光アッテネータ４は、レーザダイオード３によって出射されたレーザ光のレーザパワーを、所定の減衰率で減衰する。光アッテネータ４の減衰率は、アッテネータドライバ１６の制御電圧に基づいて制御する。パワーモニタ１４は、ビームスプリッタ５を介して光アッテネータ４通過後のレーザパワーを検出し、検出したレーザパワーに対応した電流値を出力する。アンプ１５は、パワーモニタ１４の出力電流値を電圧値に変換し、マイコン１に出力する。ビームスプリッタ５を透過したレーザ光は、１／４波長板７にて偏光方向を変化させ、対物レンズ８によって光ディスク９の記録面上に集光される。ここで、集光したレーザ光のレーザパワーが再生パワーとなる。フォトディテクタ１０は、偏光ビームスプリッタ６を介して光ディスク９に記録されている信号を読み出し、電流波形として出力する。アンプ１１はフォトディテクタ１０の出力電流波形を電圧波形に変換し、波形等化器１２にてアンプ１１の出力波形の等化を行う。信号処理器１３は、波形等化器１１の出力波形の等化、デコードを行い、マイコン１に出力する。温度センサ１７は光ピックアップ内の温度や光アッテネータ４の周囲温度を測定し、測定結果をマイコン１に出力する。マイコン１は、図示しないＡＴＡＰＩなどのインターフェースを通じて、ＰＣなどのホスト装置と通信を行う。図１（ａ）の例では、点線で示した枠内のブロック２〜８、１０、１４、１６〜１９が光ピックアップに搭載されているものとする。

図２は、レーザダイオードの発光パワーに対する量子化雑音の関係の例を示した図である。量子化雑音は、レーザダイオードの発光パワーに依存して変化することが知られている。具体的にはＡのように発光パワーが低い領域では量子化雑音が高く、Ｂのように発光パワーが高くなるにつれて量子化雑音が低くなる。そのため、レーザダイオードの発光パワーを高くすればＳ／Ｎ比を良好にすることができる。

図３は本発明による光ディスク装置の光減衰率または光アッテネータの制御電圧の制御方法の例を示した図である。図３に示すように、本発明による光ディスク装置は、再生パワーに応じて光減衰率または制御電圧を変化させる。光ディスクの再生パワーは前記の通りＣＡＶ方式で動作する場合には内周と外周で異なる。また、光ディスクの種類によっても反射率が異なるため再生パワーが変化する。このため同一の光ディスクを再生していても半径位置に応じて、または異なる種類の光ディスクを再生する際に、光減衰率を変化させる必要がある。

図３の３１は光減衰率または制御電圧を再生パワーに応じて連続的に変化させる例であり、３２は再生パワーに応じて段階的に変化させる例である。ＣＡＶ方式で再生動作をする場合、内周では光減衰率または制御電圧を高くし、外周では低くする。これにより同一の光ディスクをＣＡＶ方式で再生動作中に、レーザダイオードの発光パワーを一定としていても、量子化雑音の低減効果及び半径位置（再生速度）に応じた再生パワーを得られる光ディスク装置を実現できる。

なおレーザダイオードの発光パワーを一定の範囲内にすべき理由は、発光パワーを低くするとＳ／Ｎ比が悪化し、発光パワーを高くするとレーザダイオードの寿命短縮や消費電力増大を引き起こすからである。

また、光ディスクの種類に応じて再生パワーが異なる場合には、光ディスクを挿入しディスク判別後に所望の再生パワーに合わせて光減衰率または制御電圧を変更すればよい。例えば、光ディスクの再生パワーが低い光ディスクを記録再生する場合には光減衰率を５０％とし、再生パワーが高い光ディスクを記録再生する場合には光減衰率を２５％に調整する。さらに、その後再生動作中に半径位置に応じて光減衰率または制御電圧を変化させることにより、前記同様量子化雑音の低減効果及び半径位置（再生速度）に応じた再生パワーを得られる光ディスク装置を実現できる。

本実施例における再生パワーに応じた光アッテネータの制御は、マイコン１からアッテネータドライバ１６への指令により行なわれる。マイコン１の構成は従来のものを利用してもよいし、図１（ｂ）のようにマイコン１内部にアッテネータドライバ制御用回路２０を設けて用いてもよい。図１（ｂ）は図１（ａ）のマイコン１内部を拡大した一例である。

本実施例では、光アッテネータの周囲温度に応じて光アッテネータの減衰率や制御電圧を変化させる光ディスク装置の例について述べる。

図４は、液晶素子を用いた光アッテネータの、制御電圧に対する光減衰率の温度特性の例を示した図である。図４に示すように、制御電圧Ｖを一定に保っても、周囲温度によって光減衰率が変化する特性がある。図４の例では、温度が高くなるにつれて光アッテネータの特性が４１から４３へ変化する。一般に光ディスク装置において発光パワーを一定に保つ制御（ＡＰＣ制御：Ａｕｔｏ ＰｏｗｅｒＣｏｎｔｒｏｌ制御）は図１に示したように光アッテネータ通過後のレーザパワーをパワーモニタ１４で検出してマイコン１へフィードバックして制御する。そのため、周囲温度に応じて減衰率が高くなると光アッテネータ通過後のレーザパワーは必要以上に減衰されることになり、マイコン１はその減衰を補うように発光パワーを高くしてしまう。結果として発光パワー過多によるレーザダイオードの寿命短縮や消費電力増大を引き起こす。

そこで本発明による光ディスク装置では、光アッテネータの制御電圧を光アッテネータの周囲温度に応じて変化させることで、周囲温度が変化してもレーザダイオードの寿命短縮や消費電力増大等せずに量子雑音低減効果を得ることができる。

図５は、制御電圧を温度に依存させると共に、実施例１に記載した再生パワーに依存させる技術と組み合わせた例である。これによって量子化雑音の低減効果及び半径位置（再生速度）に応じた再生パワーを得つつ、周囲温度が変化してもレーザダイオードの寿命短縮や消費電力増大等しない光ディスク装置を実現できる。

図５では再生パワーと周囲温度に依存して制御電圧を連続的に変化させる例を示したが、図６に示すように再生パワーと温度に依存した制御電圧のテーブルを図１には不図示のメモリ等に設定しても良い。光ディスク装置の制御がより容易になるからである。なお、図６は温度と再生パワーのそれぞれ４段階に分割して制御電圧を離散的に変化させる例であるが、光アッテネータの特性に応じて適宜分割数を変えても良い。これも光ディスク装置の制御がより容易になるからである。

本実施例における光アッテネータの制御も、実施例１と同様にマイコン１からアッテネータドライバ１６への指令により行なわれる。マイコン１の構成は従来のものを利用してもよいし、図１（ｂ）のようにマイコン１内部にアッテネータドライバ制御用回路２０を設けて用いてもよい。

本実施例では、光アッテネータと高周波重畳法を併用する光ディスク装置の例について述べる。

図７は本発明による光ディスク装置のレーザダイオード駆動方法の例を示す図である。ここで、反射光により発生するノイズを低減するのに適した発光波形がレーザ発光波形７１であるとする。７２は、光アッテネータの減衰率が０％の場合におけるレーザダイオードの駆動電流と光アッテネータ通過後のレーザパワーの特性を示す。また７３は、光アッテネータの減衰率が例えば５０％の場合におけるレーザダイオードの駆動電流と光アッテネータ通過後のレーザパワーの特性を示す。ここで、特性が７２の場合は駆動電流波形２５（直流電流値Ｉｄｃ１、高周波電流振幅Ｉｈｆ１）を用いてレーザダイオードを発光させれば良い。一方、特性が７３に変化したときは駆動電流波形を７５（直流電流値Ｉｄｃ２、高周波電流振幅Ｉｈｆ２）に変化させることで、特性７２と同様に発光波形７１でレーザダイオードを発光させることができる。

駆動電流波形の変化方法について次に説明する。本発明による光ディスク装置は、従来の自動パワー制御方式（ＡＰＣ）によって所定の再生パワーで発光するように制御されている。そのため、図１のパワーモニタ１４によってレーザパワーをモニタし、マイコン１へフィードバックしてレーザドライバ２を制御する。この制御によって直流電流値Ｉｄｃが決定する。一方、高周波電流振幅は光アッテネータの減衰率に応じて変化させる。これは、光アッテネータの減衰率が例えば０％から５０％に変化した場合、駆動電流に対する発光パワーも７２から７３に変化するからである。特性７３において発光波形７１で発光させるには、高周波電流振幅Ｉｈｆを減衰率に比例して変化させれば良い。すなわち、上記の例ではＩｈｆ２＝２＊Ｉｈｆ１の関係にある。

なお、ここでは正弦波状に駆動電流を変化させる例を示したが、駆動電流を矩形波状や三角波状などに変化させても良い。光ディスク装置の制御がより容易になるからである。

このようにして、光アッテネータと高周波重畳法を併用しても十分にノイズ低減効果を得ることできる光ディスク装置を実現できる。

本実施例におけるレーザダイオードの制御は、マイコン１からレーザドライバ２への指令により行なわれる。マイコン１の構成は従来のものを利用してもよいし、図１（ｂ）のようにマイコン１内部にレーザドライバ制御用回路２１を設けて用いてもよい。

本実施例では、再生パワーに応じて光アッテネータの減衰率や制御電圧を変化させる光ディスク再生方法、及び光アッテネータと高周波重畳法を併用する際の光ディスク再生方法の例について述べる。

図８は、光ディスク装置が再生パワーに依存して光アッテネータの光減衰率または制御電圧を変化させる際のフローチャート例である。この図は光ディスク挿入から再生終了までを示す。Ｓ１０１にて光ディスクが挿入された後、Ｓ１０２にて再生パワーを決定する。なお、再生パワーは光ディスクに記録されているディスクインフォメーションを読み取ることで決定しても良く、光ディスクの種類に応じて予め決定され光ディスク装置内のメモリ等に保存されている情報を用いて決定しても良い。決定した再生パワーに応じて、Ｓ１０３にて光アッテネータの光減衰率または制御電圧を決定する。決定した光減衰率または制御電圧に応じて、Ｓ１０４にて高周波電流振幅を決定し、Ｓ１０５にて再生を開始する。以降適当なタイミングでＳ１０６の再生パワーの変化の確認を行う。再生パワーが変化した場合、Ｓ１０７にて光減衰率または制御電圧を変化させる。再生パワーが変化していない場合、Ｓ１０６の再生パワーの変化の確認を継続する。

なお、上記の適当なタイミングとは、一定期間ごと、記録再生速度が変化した時、２層以上の記録膜を有する光ディスクを記録再生する場合に、それまで記録再生していた層と異なる層を記録再生する時、温度変化時、記録動作から再生動作に移行する時、再生動作から記録動作に移行する時、などが挙げられる。

このようにして、光アッテネータと高周波重畳法を併用しても十分にノイズ低減効果を得ることできる光ディスク再生方法を実現できる。

なお、高周波重畳の変調度の調整を行わない場合には、Ｓ１０４のステップおよびＳ１０７の高周波電流振幅の変更は省略することもできる。反射光によるノイズ低減効果より光ディスク装置の制御容易性を選択する際に有効だからである。また再生パワーに応じた光減衰率または制御電圧の調整を行わない場合には、Ｓ１０６とＳ１０７のステップは省略することもできる。

本実施例は、光アッテネータの周囲温度に応じて光アッテネータの減衰率や制御電圧を変化させる光ディスク再生方法の例について述べる。

図９は、光ディスク装置が光アッテネータの制御電圧を周囲温度に応じて変化させる際のフローチャート例である。この図は光ディスク挿入から再生終了までを示す。Ｓ２０１にて光ディスクが挿入された後、Ｓ２０２にて光アッテネータの周囲温度の測定を行う。測定した周囲温度に応じて、Ｓ２０３にて光アッテネータの制御電圧を決定し、Ｓ２０４にて再生を開始する。以降適当なタイミングでＳ２０５の周囲温度の測定を行う。Ｓ２０６にて周囲温度が所定量以上かの判定を行う。周囲温度が所定量以上の場合、Ｓ２０７にて温度に応じて制御電圧を変化させる。温度が所定量以上でない場合、適当なタイミングでＳ２０４の温度測定を継続する。

なお、上記の適当なタイミングとは、一定期間ごと、記録再生速度が変化した時、２層以上の記録膜を有する光ディスクを記録再生する場合に、それまで記録再生していた層と異なる層を記録再生する時、記録動作から再生動作に移行する時、再生動作から記録動作に移行する時、などが挙げられる。

また、以上は温度変化に対して制御電圧を離散的に変化させる例を示したが、図１０に示すように温度に応じて制御電圧をリアルタイムにフィードバックさせることも可能である。Ｓ３０１にて光ディスクが挿入された後、Ｓ３０２にて光アッテネータの周囲温度の測定を行い、測定した周囲温度に応じてＳ３０３にて制御電圧を決定し、Ｓ３０４にて再生を開始する。以降、Ｓ３０５にて連続的に温度の測定を行い、Ｓ３０６にて制御電圧をリアルタイムに変更する。

以上のように、光アッテネータの制御電圧を光アッテネータの周囲温度に応じて変化させることで、周囲温度が変化してもレーザダイオードの寿命短縮や消費電力増大等せずに量子雑音低減効果を得る光ディスク再生方法を実現できる。

本実施例は、再生パワーと光アッテネータの周囲温度に応じて光アッテネータの減衰率や制御電圧を変化させる光ディスク再生方法、及び光アッテネータと高周波重畳法を併用する際の光ディスク再生方法の例について述べる。

図１１は、再生パワーと、光アッテネータの周囲温度に応じて光アッテネータの制御電圧を変化させる光ディスク装置の、光ディスクが挿入されてから再生終了するまでのフローチャートの例である。Ｓ４０１にて光ディスクが挿入された後、Ｓ４０２にて再生パワーを決定し、温度の測定を行う。なお、再生パワーは光ディスクに記録されているディスクインフォメーションを読み取ることで決定しても良く、光ディスクの種類に応じて予め決定され光ディスク装置内のメモリ等に保存されている情報を用いて決定しても良い。決定した再生パワー及び温度に応じて、Ｓ４０３にて光アッテネータの制御電圧を決定する。決定した制御電圧に対応した光減衰率に応じて、Ｓ４０４にて高周波電流振幅を決定し、Ｓ４０５にて再生を開始する。以降適当なタイミングでＳ４０６の温度測定、Ｓ４０７にて再生パワーの確認を行う。再生パワーが変化した場合、Ｓ４０９にて再生パワーに応じて制御電圧を変化させる。再生パワーが変化していない場合、Ｓ４０８にて周囲温度が所定量以上かの判定を行う。再生パワーも変化し周囲温度も所定量以上の場合、Ｓ４０９にて再生パワーと周囲温度に応じて制御電圧を変化させる。周囲温度が所定量以上でない場合、適当なタイミングでＳ４０６の温度測定を継続する。

なお、上記の適当なタイミングとは、一定期間ごと、記録再生速度が変化した時、２層以上の記録膜を有する光ディスクを記録再生する場合に、それまで記録再生していた層と異なる層を記録再生する時、記録動作から再生動作に移行する時、再生動作から記録動作に移行する時、などが挙げられる。

このようにして、再生パワーと温度変化に応じて制御可能な光アッテネータと、高周波重畳法を併用しても十分にノイズ低減効果を得ることできる光ディスク再生方法を実現できる。

なお、高周波重畳の変調度の調整を行わない場合には、Ｓ４０４のステップおよびＳ４０９の高周波電流振幅の変更は省略することもできる。反射光によるノイズ低減効果より光ディスク装置の制御容易性を選択する際に有効だからである。

また、以上は温度変化に対して制御電圧を離散的に変化させる例を示したが、図１２に示すように温度に応じて制御電圧をリアルタイムにフィードバックさせることも可能である。Ｓ５０１にて光ディスクが挿入された後、Ｓ５０２にて再生パワーの決定及び光アッテネータの周囲温度の測定を行う。Ｓ５０３にて、決定した再生パワーと測定した周囲温度に応じて制御電圧を決定する。決定した制御電圧に対応した光減衰率に応じて、Ｓ５０４にて高周波電流振幅を決定し、Ｓ５０５にて再生を開始する。以降Ｓ５０５にて連続的に温度の測定及び再生パワーの確認を行い、Ｓ５０７にて制御電圧をリアルタイムに変更する。

なお、高周波重畳の変調度の調整を行わない場合には、Ｓ５０４のステップおよびＳ５０７の高周波電流振幅の変更は省略することもできる。反射光によるノイズ低減効果より光ディスク装置の制御容易性を選択する際に有効だからである。

本発明による光ディスク装置の一実施例を示すブロック構成図。 レーザダイオードの発光パワーとレーザノイズの関係を示す図。 光ディスク装置の再生パワーに応じて、光減衰率または制御電圧を変化させる一例示す図。 光アッテネータの制御電圧に対する光減衰率の温度特性の一例を示す図。 光ディスク装置の再生パワーと周囲温度に応じて、制御電圧を変化させる一例を示す図。 再生パワーと周囲温度に対する、制御電圧のテーブルの一例示す図。 レーザダイオードの駆動電流と発光波形の関係を示す図。 再生パワーに依存して光アッテネータの光減衰率または制御電圧を変化させるフローチャートの例を示す図。 光アッテネータの周囲温度に応じて光アッテネータの制御電圧を変化させるフローチャートの例を示す図。 温度に応じて光アッテネータの制御電圧をリアルタイムに変化させるフローチャートの例を示す図。 再生パワーと、光アッテネータの周囲温度に応じて光アッテネータの制御電圧を変化させるフローチャートの例を示す図。 再生パワーと、光アッテネータの周囲温度に応じて光アッテネータの制御電圧リアルタイムに変化させるフローチャートの例を示す図。

符号の説明

１…マイコン、２…レーザドライバ、３…レーザダイオード、４…光アッテネータ、５…ビームスプリッタ、６…偏光ビームスプリッタ、７…１／４波長板、８…対物レンズ、９…光ディスク、１０…フォトディテクタ、１１…アンプ、１２…波形等化器、１３…信号処理器

Claims (14)

1. 光ディスクから情報を再生する光ディスク装置であって、
   レーザ光を照射するレーザダイオードと、
   前記レーザダイオードを駆動するレーザドライバと、
   前記レーザダイオードの発光パワーを減衰するアッテネータと、
   前記アッテネータを駆動するアッテネータドライバと、
   前記レーザドライバと前記アッテネータドライバを制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記光ディスクを再生中に前記光ディスクの半径位置によって前記アッテネータドライバが前記アッテネータの減衰率を変化させるように、前記アッテネータドライバを制御することを特徴とする光ディスク装置。
2. 請求項１に記載の光ディスク装置において、
   前記アッテネータの周囲温度を測定する温度センサを有し、
   前記制御部は、前記周囲温度によって前記アッテネータドライバが前記アッテネータの減衰率を変化させるように、前記アッテネータドライバを制御することを特徴とする光ディスク装置。
3. 請求項１または２に記載の光ディスク装置において、
   前記レーザドライバは前記レーザダイオードに高周波電流を供給する高周波重畳回路を有し、
   前記制御部は、前記アッテネータの減衰率によって前記高周波電流の振幅を変化させるように、前記レーザドライバを制御することを特徴とする光ディスク装置。
4. 光ディスクから情報を再生する光ディスク装置であって、
   レーザ光を照射するレーザダイオードと、
   前記レーザダイオードを駆動するレーザドライバと、
   前記レーザダイオードの発光パワーを減衰するアッテネータと、
   前記アッテネータを駆動するアッテネータドライバと、
   前記レーザドライバと前記アッテネータドライバを制御する制御部と、
   前記アッテネータの周囲温度を測定する温度センサと、を有し、
   前記制御部は、前記周囲温度によって前記アッテネータドライバが前記アッテネータの減衰率を変化させるように、前記アッテネータドライバを制御することを特徴とする光ディスク装置。
5. 請求項４に記載の光ディスク装置において、
   前記レーザドライバは前記レーザダイオードに高周波電流を供給する高周波重畳回路を有し、
   前記制御部は、前記アッテネータの減衰率によって前記高周波電流の振幅を変化させるように、前記レーザドライバを制御することを特徴とする光ディスク装置。
6. 光ディスクから情報を再生する光ディスク装置であって、
   レーザ光を照射するレーザダイオードと、
   前記レーザダイオードに高周波電流を供給する高周波重畳回路を具備し前記レーザダイオードを駆動するレーザドライバと、
   前記レーザダイオードの発光パワーを減衰するアッテネータと、
   前記アッテネータを駆動するアッテネータドライバと、
   前記レーザドライバと前記アッテネータドライバを制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記アッテネータの減衰率によって前記高周波電流の振幅を変化させるように、前記レーザドライバを制御することを特徴とする光ディスク装置。
7. レーザダイオードから照射されるレーザ光の第１のパワーをアッテネータで第２のパワーへ減衰してから光ディスクに照射して前記光ディスクから情報を再生する光ディスク再生方法であって、
   前記光ディスクを再生中に前記光ディスクの半径位置によって前記第２のパワーを変化させることを特徴とする光ディスク再生方法。
8. 請求項７に記載の光ディスク再生方法において、
   前記光ディスクを再生中に前記アッテネータの周囲温度によって前記第２のパワーを変化させることを特徴とする光ディスク再生方法。
9. 請求項７または８に記載の光ディスク再生方法において、
   前記光ディスクを再生中に高周波重畳した駆動電流を前記レーザダイオードに供給し、前記アッテネータの減衰率によって前記高周波電流の振幅を変化させることを特徴とする光ディスク再生方法。
10. レーザダイオードから照射されるレーザ光の第１のパワーをアッテネータで第２のパワーへ減衰してから光ディスクに照射して前記光ディスクから情報を再生する光ディスク再生方法であって、
    前記光ディスクを再生中に前記アッテネータの周囲温度によって前記第２のパワーを変化させることを特徴とする光ディスク再生方法。
11. 請求項１０に記載の光ディスク再生方法において、
    前記光ディスクを再生中に高周波重畳した駆動電流を前記レーザダイオードに供給し、前記アッテネータの減衰率によって前記高周波電流の振幅を変化させることを特徴とする光ディスク再生方法。
12. レーザダイオードから照射されるレーザ光の第１のパワーをアッテネータで第２のパワーへ減衰してから光ディスクに照射して前記光ディスクから情報を再生する光ディスク再生方法であって、
    前記光ディスクを再生中に高周波重畳した駆動電流を前記レーザダイオードに供給し、前記アッテネータの減衰率によって前記高周波電流の振幅を変化させることを特徴とする光ディスク再生方法。
13. 光ディスクから情報を再生する光ディスク装置であって、
    レーザ光を照射するレーザダイオードと、
    前記レーザダイオードを駆動するレーザドライバと、
    前記レーザダイオードの発光パワーを減衰するアッテネータと、
    前記アッテネータを駆動するアッテネータドライバと、
    前記レーザドライバと前記アッテネータドライバを制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、前記光ディスクを再生中に前記光ディスクの再生速度によって前記アッテネータドライバが前記アッテネータの減衰率を変化させるように、前記アッテネータドライバを制御することを特徴とする光ディスク装置。
14. レーザダイオードから照射されるレーザ光の第１のパワーをアッテネータで第２のパワーへ減衰してから光ディスクに照射して前記光ディスクから情報を再生する光ディスク再生方法であって、
    前記光ディスクを再生中に前記光ディスクの再生速度によって前記第２のパワーを変化させることを特徴とする光ディスク再生方法。
    

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