JP4340728B2 - 可変形ミラー装置 - Google Patents
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Description
(1)静電引力を利用することから、凹の形状しか実現できず、凹凸のある形状を実現できない。
(2)下部の一つの電極に電圧を印加すると、その周辺部のミラーの形状にも変化を与える。従って、下部の電極間には相互に関係があり、しかも相互の関係は線形要素だけでなく非線形要素も考慮することが必要となる。この場合、ミラー形状の制御変数の数は、下部電極の数ではなく、下部電極の組み合わせで決まる。従って、下部電極の数が増大するに従って制御する変数が指数関数的に増大し、最適なミラー形状の探索が困難となる。
(4)薄膜ミラーであることから、ミラーの初期形状がミラーの初期設置状態により異なる。ミラーの表面にマイクロメートルレベルの凹凸があるため、ミラーの初期形状を平面状態とすることが出来ない。
(5)薄膜ミラーであるために機械的な安定性に欠ける。外部からの振動に弱く、膜の固有振動が存在する。そして、固有振動に起因する雑音がミラーの光出力に付加される。
(8)ミラーの可変量が小さい。ミラーの変位量を大きくするためにはミラーの直径を大きくすることが必要である。しかし、ミラーの直径を大きくすると、薄膜ミラー面の形状保持と制御が困難になることから現実的ではない。
本発明の目的は、前記のような従来技術の問題点を解決し、機械的に安定で熱負荷に強く、かつ形状の制御が簡単な可変形ミラー装置を提供することにある。
この可変形ミラー装置は、加熱手段にそれぞれ所望の電力を加えて発熱させ、柱状部材を所望の温度に加熱することによって柱状部材が所望の量だけ伸張し、ミラーが所望の形状に変形する。
(1)周囲のロッドとの伸張に関する関係が無く、ロッドの長さの制御が簡単である。
(2)凹凸のある形状を実現でき、ミラーの周囲が縁止めされていないので面内均一性がある。
(3)ミラーの裏面全体を支持しているので、機械的に安定であり、初期形状を平面状態とすることが出来、放熱特性が良い。
(4)膜の固有振動が存在せず、固有振動に起因する雑音がミラーの光出力に付加されない。
(5)ロッドの材質および長さを選定することにより変位量の設定が可能である。
(6)加熱部は既存の半導体プロセスで製造可能であり、ミラー装置の製造が容易である。
シリコン基板の表面にpn接合を形成する。これは、半導体表面での電子とホールの再結合により熱を発生させるためのものである。2価の砒素イオンを350kVで加速して、p型シリコン基板21に注入してn型シリコン領域20を形成する。イオン注入により発生した欠陥を低減するとともに、注入された砒素イオンの活性化のためにアニール処理を行う。
pn接合の必要な部分を残すためにドライエッチングを行う。ドライエッチングには平行平板型の反応性イオンエッチング装置を使用可能である。用いるガスはSF6であり、高周波マイクロ波をガスに照射することによりプラズマを形成し、そのプラズマガスの反応性を利用して半導体基板のエッチングを行う。入射マイクロ波の電力は例えば100Wで、エッチング時間は20分程度である。
p型シリコン21側の電極であるグランド電極22を電子線加熱方式による真空蒸着法により形成する。電極には金とアルミを用い、厚さはそれぞれれ1500 / 200Åである。グランド電極22の形状形成を行うに当たり、リソグラフィープロセスによりフォトレジストによるパターン形成を行い、リフトオフプロセスによりグランド電極のパターン形成を行う。
グランド電極22上に絶縁膜23の形成を行う。絶縁膜23としては、感光性ポリイミドを用いた。フォトレジストと同じく、スピンコート処理、プリベーク処理、露光処理、現像処理、キュアリング処理を行うことにより、ポリイミド絶縁膜23のパターン形成を行う。
可変形ミラーの取り出し電極24、25の形成を行う。電極材料は、金とアルミであり、それぞれの厚さは、2500 / 200Åである。
図4は、完成した基板30の構成を示す平面図である。この実施例においては各ダイオードは格子状に配列されており、取り出し電極24が表面に露出している。基板30の周囲には、取り出し電極24の接続端子25およびグランド電極接続端子31が配置されている。
(a)ミラー形成プロセス
耐熱性可変形ミラーの形成を行う。電子線加熱方式による真空蒸着法によりミラー用シリコン基板40上に金属ミラー41の形成を行う。蒸着は、チタン・金・チタンと順に行う。チタンは金ミラーとシリコン基板またはポリイミドとの密着性を向上させる働きを果たす。金属蒸着時のシリコン基板40の厚さは400μmである。
(b)基板研磨プロセス
このシリコン基板40を研磨により、厚さ150μmにまで薄くする。最初の200μmはラッピング盤による高速な粗研磨を行い、その後にCMP法による鏡面研磨を行う。
研磨された基板を洗浄し、洗浄後の基板に対してポリイミド42を塗布してキュアリングを行い、固化させる。ポリイミドは溶媒可溶であり、かつ、スピンコート法により、厚さを回転数と時間により制御可能である。なお、ポリイミド42は、透明性の優れたフッ素添加ポリイミド、または脂肪族ポリイミドであってもよい。
製作したミラー基板(40、41、42)を裏返し、ポリイミド42の面をアルミロッド33と接着して可変形ミラーを形成する。接着にはポリイミドを用いる。ロッドの材料は発熱部に対して熱伝導性に優れ、かつ熱膨張係数の大きい材料であることが好ましい。従って、ロッドの材料としては金属、特にアルミニウムを含む合金が好適である。
ミラーを接合後に不要なシリコン基板40を除去するためにドライエッチングを行う。ドライエッチングには平行平板型の反応性イオンエッチング装置を使用可能である。用いるガスはSF6である。入射マイクロ波の電力は、最初は200Wで高速なエッチングを行い、金ミラー面に近い所から100Wに下げる。入射マイクロ波パワーが高い場合は、プラズマ温度が高いことから、金ミラーがスパッタリング現象によりエッチングされる。100Wにおいては、金ミラーはエッチングされずに、光沢のある清浄な金ミラーを形成することが可能となる。エッチング時には、チップキャリアのフッ素ガスに対する保護として、テフロン(登録商標)製の保護カバーを用いる。以上のようなプロセスによって本発明の可変形ミラーが完成する。
本発明は、いうまでもなく、可変形ミラーを用いる光学装置の全体、一部、あるいは複数の部分の何れにも適応可能であり、可変形ミラーの規模を問わない。なお、実施例においては、可変形ミラーに本発明を適用する例を開示したが、本発明は対象物の表面形状を制御する必要のある任意の装置に適用可能である。
Claims (6)
- 変形可能な板状のミラーと、
それぞれが前記ミラーの裏面に固着され、温度によって長さが変わる複数の柱状部材と、
前記複数の柱状部材と対応して柱の底部にそれぞれ固着された複数のダイオードを備えた半導体基板からなり、前記複数のダイオードにそれぞれ所望の電流を流すことによって前記複数のダイオードそれぞれが発熱する発熱手段と
を備え、表面形状を制御可能なことを特徴とする可変形ミラー装置。 - 前記ミラーの裏面が耐熱性高分子材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の可変形ミラー装置。
- 前記耐熱性高分子材料が、ポリイミドあるいは脂肪族ポリイミドのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載の可変形ミラー装置。
- 前記柱状部材の材料が金属であることを特徴とする請求項1に記載の可変形ミラー。
- 前記柱がミラー平面に対してマトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の可変形ミラー装置。
- 更に、前記発熱手段のそれぞれに所望の電圧あるいは電流を供給する駆動手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の可変形ミラー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004113888A JP4340728B2 (ja) | 2004-04-08 | 2004-04-08 | 可変形ミラー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004113888A JP4340728B2 (ja) | 2004-04-08 | 2004-04-08 | 可変形ミラー装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005300709A JP2005300709A (ja) | 2005-10-27 |
JP4340728B2 true JP4340728B2 (ja) | 2009-10-07 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4340728B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4337862B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2009-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 |
JP6077830B2 (ja) * | 2012-11-07 | 2017-02-08 | キヤノン株式会社 | 可変形状ミラーの製造方法 |
EP2804041A1 (en) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Deformable optical system and method for controlling the same as well as a lithographic system comprising the deformable optical system |
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JP2005300709A (ja) | 2005-10-27 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
A521 | Written amendment |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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