JP4338938B2 - シンチレータ装置、x線検出器、x線検査装置、及び、シンチレータ装置を製造する方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、第1の方向に延在し、吸収層により互いに離されるシンチレータスラブが設けられる検出器ストリップを有する2次元シンチレータ装置に関する。
【0002】
本発明は更に、シンチレータ装置が設けられるX線検出器に関する。本発明は更に、シンチレータ装置を有するX線検出器を含むX線検査装置と、シンチレータ装置を製造する方法に関する。
【0003】
【従来の技術】
X線検出器は、医学において材料の非破壊検査を行うために使用される。X線検出器はピクセルに分割され、少なくとも1つのフォトセンサが各ピクセルに関連付けられる。X線検出器は次に、フォトセンサ装置に関連付けられるシンチレータ装置により形成される。固体シンチレータが、半導体フォトダイオード又はフォトセンサ装置と共に使用されて、X線を検出する。固体シンチレータの発光特性を利用して、X線を最初に低エネルギー放射線、すなわち、可視放射線に変換する。このような可視放射線は次に、例えば、フォトセンサを含む、可視光線用の放射線検出器により検出される。X線は、直接変換半導体材料内で、直接電荷に変換されることが可能であり、この電荷は続けて読み出しされる。
【0004】
X線検出器、即ち、放射線検出器のピクセルが増加すると、ピクセルを互いから遮断し、それにより、蛍光X線量子による1つのピクセルからもう1つのピクセルへのクロストークを阻止することが必要となる。このような個々のピクセル間のクロストークは画像分解能の低下につながる。個々のピクセルは、従って、吸収層により互いから離間され、1つのピクセルから近隣のピクセルへのX線量子及び/又は光量子のクロストークを阻止する。
【0005】
少ない数のピクセルの場合は、別個のシンチレータ素子と吸収シートの構成を形成することが原則として可能である。
【0006】
1次元的に拡大するX線検出器は、適度な精度で製造することが可能である。この為に、大きい円盤のシンチレータ結晶は分割され、個々のシンチレータスラブは吸収シートと交互になるよう組立てられ、1次元的に構成される検出器ストリップが形成される。吸収シートには、例えば、反射層が設けられる金属箔、又は、金属と合成箔の組合せたものがある。
【0007】
1次元検出器ストリップの製造には、高い精度が伴われる。しかし、このレベルの精度は、2次元シンチレータ装置、又は、X線検出器を製造する場合には達成することができない。しかし、高画質を達成するためには、シンチレータの各ピクセルが、所定のフォトセンサに関連付けられることが必要である。ピクセルは、1乃至3平方ミリメートルの範囲の寸法を有するので、大きいX線検出器の場合、任意の偏差が広い範囲に影響を及ぼしてしまい、達成される画質はひどく低下する。
【0008】
大領域の2次元X線検出器は、現代のX線検査装置に使用される。このような2次元X線検出器は、少ない量又は等しい量のX線で高い画像分解能を達成可能にし、それは、高画質をもたらし、最終的には検査を受ける患者のX線照射量が少なくなる。
【0009】
US5059800は、光検出器と、光検出器に光学的に接続されるシンチレータモザイクを含む2次元検出器を開示する。シンチレータモザイクは、蛍光セラミックプレートを切断することにより形成される蛍光素子からなり、これらの素子は、エポキシ樹脂と酸化チタニウム充填剤からなるリフレクタの塊を注入することにより光的に離される。後の段において、リフレクタの塊は、蛍光セラミックプレートを切り込むことにより形成されるノッチに注入される。このことは、セラミックプレートの少なくとも1つの側面に広い切り込みがあることを必要とする。上述した例では、外側面の寸法が異なり、蛍光セラミックプレートの表面と裏面とで蛍光材料の分布が異なってしまう。更に、切削技術が用いられるので、検出器ストリップ間の距離は、任意に小さくすることができず、表面領域を経済的に使用することができなくなる。というのは、検出器容積の大部分が、高エネルギーX線の入射を吸収するために使用することができなくなるからである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、高い精度と、許容範囲の費用で製造可能な装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、検出器ストリップが吸収層により互いから離されるシンチレータスラブを含み、はめ込み型において、少なくとも2つのそのような検出器ストリップが互いに基本的に平行となるよう配置されるシンチレータ装置により達成される。
【0012】
本発明は、1次元検出器ストリップは、高い精度で製造可能であるという見識に基づいている。このような検出器ストリップを製造する同一の方法を、2次元検出器を形成するために使用すると、精度が落ちてしまう。
【0013】
従って、2次元シンチレータ装置にハイブリッド構成を使用することを提案する。このために、シンチレータスラブと吸収層とを含む検出器ストリップが製造され、吸収層によりシンチレータが互いから離される。検出器ストリップは、シンチレータウェーハをストリップ状に切り、ストリップを吸収層に接着し、最初の切断方向に垂直な方向に再び切ることにより形成される。このステップは、非常に高い精度で行うことが可能であり、従って、例えば、50ミクロンメートルの厚さを有する鉛製の層である薄い吸収層を実現することができる。
【0014】
対応する個数のシンチレータスラブと中間吸収層を含むこのような1次元検出器ストリップは、任意の、つまり、許容可能な限度内の任意の長さで製造することができる。シンチレータスラブと吸収層を有するこのような1次元検出器ストリップは、高精度のはめ込み型にはめ込むことが可能であり、そこで1次元検出器ストリップは、固定又は接着される。その結果、このように形成される2次元シンチレータ装置の偏差は、非常に小さいままとなる。特に、シリコンウェーハ、又は、フォトエッチング可能なガラスが、このようなはめ込み型として好適な材料である。写真技術により、このような材料が、高い精度で、更に、経済的且つ大きい伸張比で構造化されることが可能となる。
【0015】
1次元検出器ストリップをはめ込み型にはめ込むことを可能にするためには、はめ込み型の好適な実施例には、フレーム内に配置される横部品が設けられる。横部品は互いに基本的に平行に延在し、はめ込み型の両側に取付けられる。横部品は、検出器ストリップの寸法に対応する中間空間を形成し、検出器ストリップはその中間空間内に挿入される。横部品は従って、隣接する検出器ストリップを離間する。横部品は、検出器ストリップの挿入を容易にし、検出器ストリップが第1の方向及び第2の方向において高い精度で整列することを可能にする。
【0016】
本発明の好適な実施例では、横部品とフレームを有するはめ込み型を、X線を透過しない材料から製造することを提案する。従って、蛍光X線量子のクロストークを、第2の方向においても阻止する。
【0017】
はめ込み型は、光を透過する材料から形成される底プレートを含むことが好適である。この結果、シンチレータスラブから放射される光線は、障害なくシンチレータ装置の下にあるフォトセンサ装置に到達することができる。底プレートは、シンチレータ装置の安定度を増加する。必要である場合には、底プレートは、検出器ストリップをはめ込み型に挿入した後に外されてもよい。この場合、底プレートが透過性であるか否かは問題ではない。このような種類のはめ込み型を有するシンチレータ装置は、フォトセンサ装置、及び、中間層がある場合には中間層に、接続、又は、例えば、接着される。
【0018】
本発明の好適な実施例では、着色料が底プレートに添加されるか、又は、底プレートは部分的に吸収材料から形成され、それにより放射される光線は所与の程度まで吸収される。従って、シンチレータ装置の下における光量子のクロストークは阻止される。
【0019】
本発明の好適な実施例では、横部品は、検出器ストリップの間に形成される空間の一部のみを占めることが提案される。この空間は、X線検出器の長さ全体に亘って、検出器ストリップの高さと、横部品の幅とを有する。このために、このような横部品の上部は、横部品が配置される、好適には底プレート上における下部よりも細くされる。このように形成される先細の横部品は、単純な挿入を可能にし、同時に高い精度が得られる。第2の方向におけるX線量子及び/又は光量子のクロストークを阻止するために、空間は、X線を吸収する材料により充填される。これにより、はめ込み型は、X線を透過しない材料から形成される必要がなくなるという利点を提供し、というのは、第2の方向における検出器ストリップの分離は、中間空間に設けられるX線吸収材料により実現されるからである。
【0020】
このように1次元検出器ストリップを、高精度はめ込み型に挿入することにより、公知の方法で行われるような更なる切断段階を経ることによる精度の低下をなくす。更に、シンチレータ装置は、高精度であるだけでなく、はめ込み型は非常に安定した材料から形成することができるので、安定度が増加する。
【0021】
検出器ストリップをはめ込み型にはめ込むことを可能にするために、好適な実施例におけるはめ込み型の横部品は、シンチレータスラブ又は検出器ストリップの高さ全体の高さを有さない。横部品は、検出器ストリップの充分な固定及び整列を実現することができるよう検出器ストリップの下部においてのみ形成される。残りの部分の空間は、吸収材料により充填される。
【0022】
本発明の好適な実施例におけるはめ込み型は、一体式に構成される。従って、非常に高精度のはめ込み型が達成され、というのは、フレーム及び横部品の寸法は、製造の際に既に設定されており、後の段階における組立ての際に、不正確さは発生しないからである。
【0023】
一体式はめ込み型は、フォトエッチングにより実現することができる。
【0024】
このシンチレータモジュールのハイブリッド構成は、吸収層が第1の方向においては細く、第2の方向においては異なる幅を有するよう形成されると特に有利である。これは、特に、シンチレータ装置の下でCMOSチップ上に配置される電子回路が、X線に対し保護されなければならない場合である。電子回路全面に対する吸収材料を有する横部品の正確な位置決めは、ガラス又はシリコンからなるはめ込み型の正確な寸法により保証される。
【0025】
吸収層は、第2の方向におけるよりも第1の方向において薄くなるよう構成されなければならない。これは、特にCOMSに基づいたコンピュータ断層撮影検出器において言えることである。
【0026】
電子回路のX線に対する保護は、写真技術的に構成可能であり重金属を含むガラスを用いるか、又は、個々の検出器ストリップの間にある横部品の上方にある残りの空間をX線吸収層即ち吸収材料により充填することにより保証される。低い融点を有する金属合金、又は、重金属を含む塗料を、この目的のために使用することができる。
【0027】
個々のピクセル間の蛍光X線量子によるクロストークは、第1の方向では、例えば、鉛から形成される薄い吸収層により保護され、第2の方向では、重金属を含むガラス又は上述したはめ込み型に設けられる吸収層によって保護される。
【0028】
シリコンから形成され、数百ミクロンメートルほどの高さを有する一体式はめ込み型の場合、はめ込み型の領域におけるクロストークは問題ではない。というのは、X線クロストークは、X線量子を吸収する領域、即ち、シンチレータ結晶の上部においてのみ発生し、ここでは、吸収層と吸収材料を有する横部品により分離が保証される。
【0029】
本発明の目的は更に、X線を光に変換するための、請求項1乃至8に記載するシンチレータ装置と、光線を電荷に変換するためのフォトセンサ装置とが設けられるX線検出器により達成される。
【0030】
本発明の目的は更に、請求項10に記載するX線検出器、及び、X線検出器に関連付けられるX線源を含むX線検査装置により達成される。
【0031】
本発明の目的は更に、シンチレータスラブとシンチレータスラブに接着される吸収層とを含み、第1の方向に拡張する細長い検出器ストリップが形成され、このように形成される複数の検出器ストリップは、第1の方向に垂直な第2の方向においてはめ込み型に隣接するように配置される。
【0032】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例を、図面を参照しながら以下に詳細に説明する。
【0033】
図1は、1次元検出器ストリップ1を示し、シンチレータスラブ3と中間吸収層2とを含む。シンチレータスラブ3は、シンチレータウェーハをストリップ状に切断することにより形成される。このようなストリップは次に、吸収層に接着され、最初の切断方向に垂直な方向で切断することにより仕上げられる。このような1次元検出器ストリップ1は幾何学的に精度が高く製造され、長さ2センチメートルの理想格子から10ミクロンメートルの偏差が関連する。
【0034】
図2は、上述から形成されるハイブリッド2次元シンチレータ装置を示す。1次元検出器ストリップ1が図2内に示される。このような1次元検出器ストリップ1は、はめ込み型4に挿入され、この型はX線検出器の表面全体の領域を占める。このはめ込み型は、X線検出器面に適応されるフレーム11と横部品5が設けられ、この横部品は、1次元検出器ストリップ1の形状に適応される。検出器ストリップ1は、横部品5により互いから離され、X線量子によるクロストークが阻止される。
【0035】
図3は、ハイブリッド2次元シンチレータ装置の側面図である。横部品5は底プレート8に設けられ、横部品5の上部の寸法は、底プレート8上における寸法よりも細くなっている。横部品5の先細の形状により、1次元検出器ストリップ1を挿入することが容易となる。検出器ストリップ間の中間空間6と、横部品5の上は、X線吸収層7、即ち、X線を吸収する材料によって充填される。X線吸収層は、例えば、X線を透過しないガラス又はX線を吸収する粉末から形成される。このような粉末は、例えば、後の段階において、横部品5と1次元検出器ストリップ1の間に形成される残りの空間において堆積されることが可能である。
【0036】
図4は、ハイブリッド2次元シンチレータ装置を示す側面図である。ここでは、横部品5aは、1次元検出器ストリップ1の高さよりかなり小さくなるよう構成される。これにより、はめ込み型4を対応して構成することが単純となる。1次元検出器ストリップ1は、横部品5aの間に挿入される。1次元検出器ストリップ1の間にある中間空間6は、X線を吸収する材料7により充填される。このような高さのない横部品5aが設けられるはめ込み型4は、例えば、エッチングされたシリコンチップの形で実現されることが可能であり、それによりここでも非常に高い精度が達成される。
【0037】
横部品は、X線検出器の長さ方向に沿って異なる高さを有してもよく、従って、横部品は、X線検出器の中心領域ではフレームの付近におけるよりも高くなるようにされることが可能である。挿入されるべき検出器ストリップの高さと比較して僅かに小さい高さを有する横部品を実現することも可能である。例えば、検出器ストリップの機械による挿入を容易にするために、通常は低い横部品は、間の間隔において検出器ストリップの高さにまで大きくされる。
【0038】
X線検出器の種類に依存して、横部品は、はめ込み型のフレームの幅に亘って異なる幅を有してもよく、というのは、X線検出器の中心領域では分解能が高いからである。
【0039】
更なる実施例におけるシンチレータスラブは、吸収層に接着又は接続される前に、反射層により被覆される。同様に、検出器ストリップも接着された後に反射層が設けられるが、光が出射する方の側面、つまり、シンチレータ装置の底面、即ち、X線が入射する側面の反対にある側面には設けられない。X線の入射方向に向かって上方向に反射し、信号振幅の損失をもたらす光量子が、上方向に放射されることを阻止するために、シンチレータ装置は上面に光線を反射する層が設けられる。検出器ストリップがはめ込み型に挿入されると、上述の目的のためにはめ込み型の下にカバープレートが設けられ、カバープレートの光反射面ははめ込み型及び検出器ストリップに向いている。製造工程が完了すると、カバープレートを有する完成したシンチレータ装置は逆さまにされて、それにより、X線は、上方からカバープレートに入射し、カバープレートを横断し、シンチレータスラブを透過し、光線に変換され、この光線は、シンチレータスラブの側部にある反射面被膜と上部にある反射カバープレートによりフォトセンサ装置に向かって下方向に出る。
【図面の簡単な説明】
【図1】1次元検出器ストリップを示す側面図である。
【図2】ハイブリッド2次元シンチレータ装置を示す平面図である。
【図3】先細の横部品を有する2次元シンチレータ装置を詳細に示す側面図である。
【図4】高さの小さい横部品を有する2次元シンチレータ装置を示す側面図である。
【符号の説明】
1 1次元検出器ストリップ
2 吸収層
3 シンチレータスラブ
4 はめ込み型
5 横部品
6 中間空間
7 X線吸収材料
11 フレーム
Claims (9)
- 吸収層によって互いに分離されるシンチレータスラブを含む検出器ストリップを含み、二次元シンチレータ配列を構成するよう、少なくとも2つの前記検出器ストリップが、はめ込み型の内側に互いに平行となるよう配置され、前記はめ込み型は、横部品と、フレームとを含み、前記横部品は、前記フレームの内側に、前記フレームの一方側から前記フレームの反対側に延びて、互いに平行に配置され、前記検出器ストリップは、前記横部品によって互いから分離されるシンチレータ装置であって、前記横部品及び/又は前記フレームは、光を透過する底プレートの上に形成されることを特徴とする、シンチレータ装置。
- 前記はめ込み型は、X線を透過しないよう構成されることを特徴とする、請求項1に記載のシンチレータ装置。
- 前記底プレートは、隣接するピクセルの光量子のクロストークを阻止するよう着色料を添加することにより調節可能な吸収度を有することを特徴とする、請求項1に記載のシンチレータ装置。
- 前記横部品は、前記検出器ストリップの間に形成される空間の一部を占めることを特徴とする、請求項1に記載のシンチレータ装置。
- 前記検出器ストリップの間の中間空間が、X線を吸収する材料により充填されることを特徴とする、請求項2に記載のシンチレータ装置。
- 前記はめ込み型は、一体式に構成されることを特徴とする、請求項1に記載のシンチレータ装置。
- X線を光線に変換する請求項1乃至6に記載のシンチレータ装置と、前記光線を電荷に変換するフォトセンサ装置とを含む、X線検出器。
- 請求項7に記載のX線検出器と、該X線検出器に関連付けられるX線源とを含む、X線検査装置。
- 第1の方向に延在する検出器ストリップを、シンチレータスラブ及び該シンチレータスラブを互いに分離する吸収層から形成し、
そのように形成される前記検出器ストリップの少なくとも2つを、二次元シンチレータ配列が形成されるよう、はめ込み型の内側に互いに平行に配置する、
シンチレータ装置を製造する方法。
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