JP2003043150A - ハイブリッド２次元シンチレータ装置 - Google Patents
ハイブリッド２次元シンチレータ装置Info
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- strips
- ray
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、高い精度と許容範囲の費用で製造
可能なシンチレータ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は複数の１次元検出器ストリップ
（１）から形成されるハイブリッド２次元シンチレータ
装置に関する。ストリップは、シンチレータスラブ
（３）とシンチレータスラブとの間で接着される吸収層
（２）により形成される。ストリップは互いに平行とな
るようはめ込み型（４）にはめ込まれる。ストリップは
高精度で製造可能である。はめ込み型も非常に高精度で
製造可能であり、ストリップが延在する方向に対し垂直
に延在する第２の方向に、個々のストリップを収容す
る。はめ込み型には横部品（５）が設けられ、ストリッ
プは横部品の間に挿入される。ストリップの間にあり、
横部品の上方にある中間空間（６）は、Ｘ線吸収層又は
材料（７）により充填され、それにより、第２の方向に
おけるストリップの分離を可能にする。
可能なシンチレータ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は複数の１次元検出器ストリップ
（１）から形成されるハイブリッド２次元シンチレータ
装置に関する。ストリップは、シンチレータスラブ
（３）とシンチレータスラブとの間で接着される吸収層
（２）により形成される。ストリップは互いに平行とな
るようはめ込み型（４）にはめ込まれる。ストリップは
高精度で製造可能である。はめ込み型も非常に高精度で
製造可能であり、ストリップが延在する方向に対し垂直
に延在する第２の方向に、個々のストリップを収容す
る。はめ込み型には横部品（５）が設けられ、ストリッ
プは横部品の間に挿入される。ストリップの間にあり、
横部品の上方にある中間空間（６）は、Ｘ線吸収層又は
材料（７）により充填され、それにより、第２の方向に
おけるストリップの分離を可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、第１の方向に延在
し、吸収層により互いに離されるシンチレータスラブが
設けられる検出器ストリップを有する２次元シンチレー
タ装置に関する。
し、吸収層により互いに離されるシンチレータスラブが
設けられる検出器ストリップを有する２次元シンチレー
タ装置に関する。
【０００２】本発明は更に、シンチレータ装置が設けら
れるＸ線検出器に関する。本発明は更に、シンチレータ
装置を有するＸ線検出器を含むＸ線検査装置と、シンチ
レータ装置を製造する方法に関する。
れるＸ線検出器に関する。本発明は更に、シンチレータ
装置を有するＸ線検出器を含むＸ線検査装置と、シンチ
レータ装置を製造する方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】Ｘ線検出器は、医学において材料の非破
壊検査を行うために使用される。Ｘ線検出器はピクセル
に分割され、少なくとも１つのフォトセンサが各ピクセ
ルに関連付けられる。Ｘ線検出器は次に、フォトセンサ
装置に関連付けられるシンチレータ装置により形成され
る。固体シンチレータが、半導体フォトダイオード又は
フォトセンサ装置と共に使用されて、Ｘ線を検出する。
固体シンチレータの発光特性を利用して、Ｘ線を最初に
低エネルギー放射線、すなわち、可視放射線に変換す
る。このような可視放射線は次に、例えば、フォトセン
サを含む、可視光線用の放射線検出器により検出され
る。Ｘ線は、直接変換半導体材料内で、直接電荷に変換
されることが可能であり、この電荷は続けて読み出しさ
れる。
壊検査を行うために使用される。Ｘ線検出器はピクセル
に分割され、少なくとも１つのフォトセンサが各ピクセ
ルに関連付けられる。Ｘ線検出器は次に、フォトセンサ
装置に関連付けられるシンチレータ装置により形成され
る。固体シンチレータが、半導体フォトダイオード又は
フォトセンサ装置と共に使用されて、Ｘ線を検出する。
固体シンチレータの発光特性を利用して、Ｘ線を最初に
低エネルギー放射線、すなわち、可視放射線に変換す
る。このような可視放射線は次に、例えば、フォトセン
サを含む、可視光線用の放射線検出器により検出され
る。Ｘ線は、直接変換半導体材料内で、直接電荷に変換
されることが可能であり、この電荷は続けて読み出しさ
れる。
【０００４】Ｘ線検出器、即ち、放射線検出器のピクセ
ルが増加すると、ピクセルを互いから遮断し、それによ
り、蛍光Ｘ線量子による１つのピクセルからもう１つの
ピクセルへのクロストークを阻止することが必要とな
る。このような個々のピクセル間のクロストークは画像
分解能の低下につながる。個々のピクセルは、従って、
吸収層により互いから離間され、１つのピクセルから近
隣のピクセルへのＸ線量子及び／又は光量子のクロスト
ークを阻止する。
ルが増加すると、ピクセルを互いから遮断し、それによ
り、蛍光Ｘ線量子による１つのピクセルからもう１つの
ピクセルへのクロストークを阻止することが必要とな
る。このような個々のピクセル間のクロストークは画像
分解能の低下につながる。個々のピクセルは、従って、
吸収層により互いから離間され、１つのピクセルから近
隣のピクセルへのＸ線量子及び／又は光量子のクロスト
ークを阻止する。
【０００５】少ない数のピクセルの場合は、別個のシン
チレータ素子と吸収シートの構成を形成することが原則
として可能である。
チレータ素子と吸収シートの構成を形成することが原則
として可能である。
【０００６】１次元的に拡大するＸ線検出器は、適度な
精度で製造することが可能である。この為に、大きい円
盤のシンチレータ結晶は分割され、個々のシンチレータ
スラブは吸収シートと交互になるよう組立てられ、１次
元的に構成される検出器ストリップが形成される。吸収
シートには、例えば、反射層が設けられる金属箔、又
は、金属と合成箔の組合せたものがある。
精度で製造することが可能である。この為に、大きい円
盤のシンチレータ結晶は分割され、個々のシンチレータ
スラブは吸収シートと交互になるよう組立てられ、１次
元的に構成される検出器ストリップが形成される。吸収
シートには、例えば、反射層が設けられる金属箔、又
は、金属と合成箔の組合せたものがある。
【０００７】１次元検出器ストリップの製造には、高い
精度が伴われる。しかし、このレベルの精度は、２次元
シンチレータ装置、又は、Ｘ線検出器を製造する場合に
は達成することができない。しかし、高画質を達成する
ためには、シンチレータの各ピクセルが、所定のフォト
センサに関連付けられることが必要である。ピクセル
は、１乃至３平方ミリメートルの範囲の寸法を有するの
で、大きいＸ線検出器の場合、任意の偏差が広い範囲に
影響を及ぼしてしまい、達成される画質はひどく低下す
る。
精度が伴われる。しかし、このレベルの精度は、２次元
シンチレータ装置、又は、Ｘ線検出器を製造する場合に
は達成することができない。しかし、高画質を達成する
ためには、シンチレータの各ピクセルが、所定のフォト
センサに関連付けられることが必要である。ピクセル
は、１乃至３平方ミリメートルの範囲の寸法を有するの
で、大きいＸ線検出器の場合、任意の偏差が広い範囲に
影響を及ぼしてしまい、達成される画質はひどく低下す
る。
【０００８】大領域の２次元Ｘ線検出器は、現代のＸ線
検査装置に使用される。このような２次元Ｘ線検出器
は、少ない量又は等しい量のＸ線で高い画像分解能を達
成可能にし、それは、高画質をもたらし、最終的には検
査を受ける患者のＸ線照射量が少なくなる。
検査装置に使用される。このような２次元Ｘ線検出器
は、少ない量又は等しい量のＸ線で高い画像分解能を達
成可能にし、それは、高画質をもたらし、最終的には検
査を受ける患者のＸ線照射量が少なくなる。
【０００９】ＵＳ５０５９８００は、光検出器と、光検
出器に光学的に接続されるシンチレータモザイクを含む
２次元検出器を開示する。シンチレータモザイクは、蛍
光セラミックプレートを切断することにより形成される
蛍光素子からなり、これらの素子は、エポキシ樹脂と酸
化チタニウム充填剤からなるリフレクタの塊を注入する
ことにより光的に離される。後の段において、リフレク
タの塊は、蛍光セラミックプレートを切り込むことによ
り形成されるノッチに注入される。このことは、セラミ
ックプレートの少なくとも１つの側面に広い切り込みが
あることを必要とする。上述した例では、外側面の寸法
が異なり、蛍光セラミックプレートの表面と裏面とで蛍
光材料の分布が異なってしまう。更に、切削技術が用い
られるので、検出器ストリップ間の距離は、任意に小さ
くすることができず、表面領域を経済的に使用すること
ができなくなる。というのは、検出器容積の大部分が、
高エネルギーＸ線の入射を吸収するために使用すること
ができなくなるからである。
出器に光学的に接続されるシンチレータモザイクを含む
２次元検出器を開示する。シンチレータモザイクは、蛍
光セラミックプレートを切断することにより形成される
蛍光素子からなり、これらの素子は、エポキシ樹脂と酸
化チタニウム充填剤からなるリフレクタの塊を注入する
ことにより光的に離される。後の段において、リフレク
タの塊は、蛍光セラミックプレートを切り込むことによ
り形成されるノッチに注入される。このことは、セラミ
ックプレートの少なくとも１つの側面に広い切り込みが
あることを必要とする。上述した例では、外側面の寸法
が異なり、蛍光セラミックプレートの表面と裏面とで蛍
光材料の分布が異なってしまう。更に、切削技術が用い
られるので、検出器ストリップ間の距離は、任意に小さ
くすることができず、表面領域を経済的に使用すること
ができなくなる。というのは、検出器容積の大部分が、
高エネルギーＸ線の入射を吸収するために使用すること
ができなくなるからである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、高
い精度と、許容範囲の費用で製造可能な装置を提供する
ことを目的とする。
い精度と、許容範囲の費用で製造可能な装置を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、検出器スト
リップが吸収層により互いから離されるシンチレータス
ラブを含み、はめ込み型において、少なくとも２つのそ
のような検出器ストリップが互いに基本的に平行となる
よう配置されるシンチレータ装置により達成される。
リップが吸収層により互いから離されるシンチレータス
ラブを含み、はめ込み型において、少なくとも２つのそ
のような検出器ストリップが互いに基本的に平行となる
よう配置されるシンチレータ装置により達成される。
【００１２】本発明は、１次元検出器ストリップは、高
い精度で製造可能であるという見識に基づいている。こ
のような検出器ストリップを製造する同一の方法を、２
次元検出器を形成するために使用すると、精度が落ちて
しまう。
い精度で製造可能であるという見識に基づいている。こ
のような検出器ストリップを製造する同一の方法を、２
次元検出器を形成するために使用すると、精度が落ちて
しまう。
【００１３】従って、２次元シンチレータ装置にハイブ
リッド構成を使用することを提案する。このために、シ
ンチレータスラブと吸収層とを含む検出器ストリップが
製造され、吸収層によりシンチレータが互いから離され
る。検出器ストリップは、シンチレータウェーハをスト
リップ状に切り、ストリップを吸収層に接着し、最初の
切断方向に垂直な方向に再び切ることにより形成され
る。このステップは、非常に高い精度で行うことが可能
であり、従って、例えば、５０ミクロンメートルの厚さ
を有する鉛製の層である薄い吸収層を実現することがで
きる。
リッド構成を使用することを提案する。このために、シ
ンチレータスラブと吸収層とを含む検出器ストリップが
製造され、吸収層によりシンチレータが互いから離され
る。検出器ストリップは、シンチレータウェーハをスト
リップ状に切り、ストリップを吸収層に接着し、最初の
切断方向に垂直な方向に再び切ることにより形成され
る。このステップは、非常に高い精度で行うことが可能
であり、従って、例えば、５０ミクロンメートルの厚さ
を有する鉛製の層である薄い吸収層を実現することがで
きる。
【００１４】対応する個数のシンチレータスラブと中間
吸収層を含むこのような１次元検出器ストリップは、任
意の、つまり、許容可能な限度内の任意の長さで製造す
ることができる。シンチレータスラブと吸収層を有する
このような１次元検出器ストリップは、高精度のはめ込
み型にはめ込むことが可能であり、そこで１次元検出器
ストリップは、固定又は接着される。その結果、このよ
うに形成される２次元シンチレータ装置の偏差は、非常
に小さいままとなる。特に、シリコンウェーハ、又は、
フォトエッチング可能なガラスが、このようなはめ込み
型として好適な材料である。写真技術により、このよう
な材料が、高い精度で、更に、経済的且つ大きい伸張比
で構造化されることが可能となる。
吸収層を含むこのような１次元検出器ストリップは、任
意の、つまり、許容可能な限度内の任意の長さで製造す
ることができる。シンチレータスラブと吸収層を有する
このような１次元検出器ストリップは、高精度のはめ込
み型にはめ込むことが可能であり、そこで１次元検出器
ストリップは、固定又は接着される。その結果、このよ
うに形成される２次元シンチレータ装置の偏差は、非常
に小さいままとなる。特に、シリコンウェーハ、又は、
フォトエッチング可能なガラスが、このようなはめ込み
型として好適な材料である。写真技術により、このよう
な材料が、高い精度で、更に、経済的且つ大きい伸張比
で構造化されることが可能となる。
【００１５】１次元検出器ストリップをはめ込み型には
め込むことを可能にするためには、はめ込み型の好適な
実施例には、フレーム内に配置される横部品が設けられ
る。横部品は互いに基本的に平行に延在し、はめ込み型
の両側に取付けられる。横部品は、検出器ストリップの
寸法に対応する中間空間を形成し、検出器ストリップは
その中間空間内に挿入される。横部品は従って、隣接す
る検出器ストリップを離間する。横部品は、検出器スト
リップの挿入を容易にし、検出器ストリップが第１の方
向及び第２の方向において高い精度で整列することを可
能にする。
め込むことを可能にするためには、はめ込み型の好適な
実施例には、フレーム内に配置される横部品が設けられ
る。横部品は互いに基本的に平行に延在し、はめ込み型
の両側に取付けられる。横部品は、検出器ストリップの
寸法に対応する中間空間を形成し、検出器ストリップは
その中間空間内に挿入される。横部品は従って、隣接す
る検出器ストリップを離間する。横部品は、検出器スト
リップの挿入を容易にし、検出器ストリップが第１の方
向及び第２の方向において高い精度で整列することを可
能にする。
【００１６】本発明の好適な実施例では、横部品とフレ
ームを有するはめ込み型を、Ｘ線を透過しない材料から
製造することを提案する。従って、蛍光Ｘ線量子のクロ
ストークを、第２の方向においても阻止する。
ームを有するはめ込み型を、Ｘ線を透過しない材料から
製造することを提案する。従って、蛍光Ｘ線量子のクロ
ストークを、第２の方向においても阻止する。
【００１７】はめ込み型は、光を透過する材料から形成
される底プレートを含むことが好適である。この結果、
シンチレータスラブから放射される光線は、障害なくシ
ンチレータ装置の下にあるフォトセンサ装置に到達する
ことができる。底プレートは、シンチレータ装置の安定
度を増加する。必要である場合には、底プレートは、検
出器ストリップをはめ込み型に挿入した後に外されても
よい。この場合、底プレートが透過性であるか否かは問
題ではない。このような種類のはめ込み型を有するシン
チレータ装置は、フォトセンサ装置、及び、中間層があ
る場合には中間層に、接続、又は、例えば、接着され
る。
される底プレートを含むことが好適である。この結果、
シンチレータスラブから放射される光線は、障害なくシ
ンチレータ装置の下にあるフォトセンサ装置に到達する
ことができる。底プレートは、シンチレータ装置の安定
度を増加する。必要である場合には、底プレートは、検
出器ストリップをはめ込み型に挿入した後に外されても
よい。この場合、底プレートが透過性であるか否かは問
題ではない。このような種類のはめ込み型を有するシン
チレータ装置は、フォトセンサ装置、及び、中間層があ
る場合には中間層に、接続、又は、例えば、接着され
る。
【００１８】本発明の好適な実施例では、着色料が底プ
レートに添加されるか、又は、底プレートは部分的に吸
収材料から形成され、それにより放射される光線は所与
の程度まで吸収される。従って、シンチレータ装置の下
における光量子のクロストークは阻止される。
レートに添加されるか、又は、底プレートは部分的に吸
収材料から形成され、それにより放射される光線は所与
の程度まで吸収される。従って、シンチレータ装置の下
における光量子のクロストークは阻止される。
【００１９】本発明の好適な実施例では、横部品は、検
出器ストリップの間に形成される空間の一部のみを占め
ることが提案される。この空間は、Ｘ線検出器の長さ全
体に亘って、検出器ストリップの高さと、横部品の幅と
を有する。このために、このような横部品の上部は、横
部品が配置される、好適には底プレート上における下部
よりも細くされる。このように形成される先細の横部品
は、単純な挿入を可能にし、同時に高い精度が得られ
る。第２の方向におけるＸ線量子及び／又は光量子のク
ロストークを阻止するために、空間は、Ｘ線を吸収する
材料により充填される。これにより、はめ込み型は、Ｘ
線を透過しない材料から形成される必要がなくなるとい
う利点を提供し、というのは、第２の方向における検出
器ストリップの分離は、中間空間に設けられるＸ線吸収
材料により実現されるからである。
出器ストリップの間に形成される空間の一部のみを占め
ることが提案される。この空間は、Ｘ線検出器の長さ全
体に亘って、検出器ストリップの高さと、横部品の幅と
を有する。このために、このような横部品の上部は、横
部品が配置される、好適には底プレート上における下部
よりも細くされる。このように形成される先細の横部品
は、単純な挿入を可能にし、同時に高い精度が得られ
る。第２の方向におけるＸ線量子及び／又は光量子のク
ロストークを阻止するために、空間は、Ｘ線を吸収する
材料により充填される。これにより、はめ込み型は、Ｘ
線を透過しない材料から形成される必要がなくなるとい
う利点を提供し、というのは、第２の方向における検出
器ストリップの分離は、中間空間に設けられるＸ線吸収
材料により実現されるからである。
【００２０】このように１次元検出器ストリップを、高
精度はめ込み型に挿入することにより、公知の方法で行
われるような更なる切断段階を経ることによる精度の低
下をなくす。更に、シンチレータ装置は、高精度である
だけでなく、はめ込み型は非常に安定した材料から形成
することができるので、安定度が増加する。
精度はめ込み型に挿入することにより、公知の方法で行
われるような更なる切断段階を経ることによる精度の低
下をなくす。更に、シンチレータ装置は、高精度である
だけでなく、はめ込み型は非常に安定した材料から形成
することができるので、安定度が増加する。
【００２１】検出器ストリップをはめ込み型にはめ込む
ことを可能にするために、好適な実施例におけるはめ込
み型の横部品は、シンチレータスラブ又は検出器ストリ
ップの高さ全体の高さを有さない。横部品は、検出器ス
トリップの充分な固定及び整列を実現することができる
よう検出器ストリップの下部においてのみ形成される。
残りの部分の空間は、吸収材料により充填される。
ことを可能にするために、好適な実施例におけるはめ込
み型の横部品は、シンチレータスラブ又は検出器ストリ
ップの高さ全体の高さを有さない。横部品は、検出器ス
トリップの充分な固定及び整列を実現することができる
よう検出器ストリップの下部においてのみ形成される。
残りの部分の空間は、吸収材料により充填される。
【００２２】本発明の好適な実施例におけるはめ込み型
は、一体式に構成される。従って、非常に高精度のはめ
込み型が達成され、というのは、フレーム及び横部品の
寸法は、製造の際に既に設定されており、後の段階にお
ける組立ての際に、不正確さは発生しないからである。
は、一体式に構成される。従って、非常に高精度のはめ
込み型が達成され、というのは、フレーム及び横部品の
寸法は、製造の際に既に設定されており、後の段階にお
ける組立ての際に、不正確さは発生しないからである。
【００２３】一体式はめ込み型は、フォトエッチングに
より実現することができる。
より実現することができる。
【００２４】このシンチレータモジュールのハイブリッ
ド構成は、吸収層が第１の方向においては細く、第２の
方向においては異なる幅を有するよう形成されると特に
有利である。これは、特に、シンチレータ装置の下でＣ
ＭＯＳチップ上に配置される電子回路が、Ｘ線に対し保
護されなければならない場合である。電子回路全面に対
する吸収材料を有する横部品の正確な位置決めは、ガラ
ス又はシリコンからなるはめ込み型の正確な寸法により
保証される。
ド構成は、吸収層が第１の方向においては細く、第２の
方向においては異なる幅を有するよう形成されると特に
有利である。これは、特に、シンチレータ装置の下でＣ
ＭＯＳチップ上に配置される電子回路が、Ｘ線に対し保
護されなければならない場合である。電子回路全面に対
する吸収材料を有する横部品の正確な位置決めは、ガラ
ス又はシリコンからなるはめ込み型の正確な寸法により
保証される。
【００２５】吸収層は、第２の方向におけるよりも第１
の方向において薄くなるよう構成されなければならな
い。これは、特にＣＯＭＳに基づいたコンピュータ断層
撮影検出器において言えることである。
の方向において薄くなるよう構成されなければならな
い。これは、特にＣＯＭＳに基づいたコンピュータ断層
撮影検出器において言えることである。
【００２６】電子回路のＸ線に対する保護は、写真技術
的に構成可能であり重金属を含むガラスを用いるか、又
は、個々の検出器ストリップの間にある横部品の上方に
ある残りの空間をＸ線吸収層即ち吸収材料により充填す
ることにより保証される。低い融点を有する金属合金、
又は、重金属を含む塗料を、この目的のために使用する
ことができる。
的に構成可能であり重金属を含むガラスを用いるか、又
は、個々の検出器ストリップの間にある横部品の上方に
ある残りの空間をＸ線吸収層即ち吸収材料により充填す
ることにより保証される。低い融点を有する金属合金、
又は、重金属を含む塗料を、この目的のために使用する
ことができる。
【００２７】個々のピクセル間の蛍光Ｘ線量子によるク
ロストークは、第１の方向では、例えば、鉛から形成さ
れる薄い吸収層により保護され、第２の方向では、重金
属を含むガラス又は上述したはめ込み型に設けられる吸
収層によって保護される。
ロストークは、第１の方向では、例えば、鉛から形成さ
れる薄い吸収層により保護され、第２の方向では、重金
属を含むガラス又は上述したはめ込み型に設けられる吸
収層によって保護される。
【００２８】シリコンから形成され、数百ミクロンメー
トルほどの高さを有する一体式はめ込み型の場合、はめ
込み型の領域におけるクロストークは問題ではない。と
いうのは、Ｘ線クロストークは、Ｘ線量子を吸収する領
域、即ち、シンチレータ結晶の上部においてのみ発生
し、ここでは、吸収層と吸収材料を有する横部品により
分離が保証される。
トルほどの高さを有する一体式はめ込み型の場合、はめ
込み型の領域におけるクロストークは問題ではない。と
いうのは、Ｘ線クロストークは、Ｘ線量子を吸収する領
域、即ち、シンチレータ結晶の上部においてのみ発生
し、ここでは、吸収層と吸収材料を有する横部品により
分離が保証される。
【００２９】本発明の目的は更に、Ｘ線を光に変換する
ための、請求項１乃至８に記載するシンチレータ装置
と、光線を電荷に変換するためのフォトセンサ装置とが
設けられるＸ線検出器により達成される。
ための、請求項１乃至８に記載するシンチレータ装置
と、光線を電荷に変換するためのフォトセンサ装置とが
設けられるＸ線検出器により達成される。
【００３０】本発明の目的は更に、請求項１０に記載す
るＸ線検出器、及び、Ｘ線検出器に関連付けられるＸ線
源を含むＸ線検査装置により達成される。
るＸ線検出器、及び、Ｘ線検出器に関連付けられるＸ線
源を含むＸ線検査装置により達成される。
【００３１】本発明の目的は更に、シンチレータスラブ
とシンチレータスラブに接着される吸収層とを含み、第
１の方向に拡張する細長い検出器ストリップが形成さ
れ、このように形成される複数の検出器ストリップは、
第１の方向に垂直な第２の方向においてはめ込み型に隣
接するように配置される。
とシンチレータスラブに接着される吸収層とを含み、第
１の方向に拡張する細長い検出器ストリップが形成さ
れ、このように形成される複数の検出器ストリップは、
第１の方向に垂直な第２の方向においてはめ込み型に隣
接するように配置される。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を、図面を参照し
ながら以下に詳細に説明する。
ながら以下に詳細に説明する。
【００３３】図１は、１次元検出器ストリップ１を示
し、シンチレータスラブ３と中間吸収層２とを含む。シ
ンチレータスラブ３は、シンチレータウェーハをストリ
ップ状に切断することにより形成される。このようなス
トリップは次に、吸収層に接着され、最初の切断方向に
垂直な方向で切断することにより仕上げられる。このよ
うな１次元検出器ストリップ１は幾何学的に精度が高く
製造され、長さ２センチメートルの理想格子から１０ミ
クロンメートルの偏差が関連する。
し、シンチレータスラブ３と中間吸収層２とを含む。シ
ンチレータスラブ３は、シンチレータウェーハをストリ
ップ状に切断することにより形成される。このようなス
トリップは次に、吸収層に接着され、最初の切断方向に
垂直な方向で切断することにより仕上げられる。このよ
うな１次元検出器ストリップ１は幾何学的に精度が高く
製造され、長さ２センチメートルの理想格子から１０ミ
クロンメートルの偏差が関連する。
【００３４】図２は、上述から形成されるハイブリッド
２次元シンチレータ装置を示す。１次元検出器ストリッ
プ１が図２内に示される。このような１次元検出器スト
リップ１は、はめ込み型４に挿入され、この型はＸ線検
出器の表面全体の領域を占める。このはめ込み型は、Ｘ
線検出器面に適応されるフレーム１１と横部品５が設け
られ、この横部品は、１次元検出器ストリップ１の形状
に適応される。検出器ストリップ１は、横部品５により
互いから離され、Ｘ線量子によるクロストークが阻止さ
れる。
２次元シンチレータ装置を示す。１次元検出器ストリッ
プ１が図２内に示される。このような１次元検出器スト
リップ１は、はめ込み型４に挿入され、この型はＸ線検
出器の表面全体の領域を占める。このはめ込み型は、Ｘ
線検出器面に適応されるフレーム１１と横部品５が設け
られ、この横部品は、１次元検出器ストリップ１の形状
に適応される。検出器ストリップ１は、横部品５により
互いから離され、Ｘ線量子によるクロストークが阻止さ
れる。
【００３５】図３は、ハイブリッド２次元シンチレータ
装置の側面図である。横部品５は底プレート８に設けら
れ、横部品５の上部の寸法は、底プレート８上における
寸法よりも細くなっている。横部品５の先細の形状によ
り、１次元検出器ストリップ１を挿入することが容易と
なる。検出器ストリップ間の中間空間６と、横部品５の
上は、Ｘ線吸収層７、即ち、Ｘ線を吸収する材料によっ
て充填される。Ｘ線吸収層は、例えば、Ｘ線を透過しな
いガラス又はＸ線を吸収する粉末から形成される。この
ような粉末は、例えば、後の段階において、横部品５と
１次元検出器ストリップ１の間に形成される残りの空間
において堆積されることが可能である。
装置の側面図である。横部品５は底プレート８に設けら
れ、横部品５の上部の寸法は、底プレート８上における
寸法よりも細くなっている。横部品５の先細の形状によ
り、１次元検出器ストリップ１を挿入することが容易と
なる。検出器ストリップ間の中間空間６と、横部品５の
上は、Ｘ線吸収層７、即ち、Ｘ線を吸収する材料によっ
て充填される。Ｘ線吸収層は、例えば、Ｘ線を透過しな
いガラス又はＸ線を吸収する粉末から形成される。この
ような粉末は、例えば、後の段階において、横部品５と
１次元検出器ストリップ１の間に形成される残りの空間
において堆積されることが可能である。
【００３６】図４は、ハイブリッド２次元シンチレータ
装置を示す側面図である。ここでは、横部品５ａは、１
次元検出器ストリップ１の高さよりかなり小さくなるよ
う構成される。これにより、はめ込み型４を対応して構
成することが単純となる。１次元検出器ストリップ１
は、横部品５ａの間に挿入される。１次元検出器ストリ
ップ１の間にある中間空間６は、Ｘ線を吸収する材料７
により充填される。このような高さのない横部品５ａが
設けられるはめ込み型４は、例えば、エッチングされた
シリコンチップの形で実現されることが可能であり、そ
れによりここでも非常に高い精度が達成される。
装置を示す側面図である。ここでは、横部品５ａは、１
次元検出器ストリップ１の高さよりかなり小さくなるよ
う構成される。これにより、はめ込み型４を対応して構
成することが単純となる。１次元検出器ストリップ１
は、横部品５ａの間に挿入される。１次元検出器ストリ
ップ１の間にある中間空間６は、Ｘ線を吸収する材料７
により充填される。このような高さのない横部品５ａが
設けられるはめ込み型４は、例えば、エッチングされた
シリコンチップの形で実現されることが可能であり、そ
れによりここでも非常に高い精度が達成される。
【００３７】横部品は、Ｘ線検出器の長さ方向に沿って
異なる高さを有してもよく、従って、横部品は、Ｘ線検
出器の中心領域ではフレームの付近におけるよりも高く
なるようにされることが可能である。挿入されるべき検
出器ストリップの高さと比較して僅かに小さい高さを有
する横部品を実現することも可能である。例えば、検出
器ストリップの機械による挿入を容易にするために、通
常は低い横部品は、間の間隔において検出器ストリップ
の高さにまで大きくされる。
異なる高さを有してもよく、従って、横部品は、Ｘ線検
出器の中心領域ではフレームの付近におけるよりも高く
なるようにされることが可能である。挿入されるべき検
出器ストリップの高さと比較して僅かに小さい高さを有
する横部品を実現することも可能である。例えば、検出
器ストリップの機械による挿入を容易にするために、通
常は低い横部品は、間の間隔において検出器ストリップ
の高さにまで大きくされる。
【００３８】Ｘ線検出器の種類に依存して、横部品は、
はめ込み型のフレームの幅に亘って異なる幅を有しても
よく、というのは、Ｘ線検出器の中心領域では分解能が
高いからである。
はめ込み型のフレームの幅に亘って異なる幅を有しても
よく、というのは、Ｘ線検出器の中心領域では分解能が
高いからである。
【００３９】更なる実施例におけるシンチレータスラブ
は、吸収層に接着又は接続される前に、反射層により被
覆される。同様に、検出器ストリップも接着された後に
反射層が設けられるが、光が出射する方の側面、つま
り、シンチレータ装置の底面、即ち、Ｘ線が入射する側
面の反対にある側面には設けられない。Ｘ線の入射方向
に向かって上方向に反射し、信号振幅の損失をもたらす
光量子が、上方向に放射されることを阻止するために、
シンチレータ装置は上面に光線を反射する層が設けられ
る。検出器ストリップがはめ込み型に挿入されると、上
述の目的のためにはめ込み型の下にカバープレートが設
けられ、カバープレートの光反射面ははめ込み型及び検
出器ストリップに向いている。製造工程が完了すると、
カバープレートを有する完成したシンチレータ装置は逆
さまにされて、それにより、Ｘ線は、上方からカバープ
レートに入射し、カバープレートを横断し、シンチレー
タスラブを透過し、光線に変換され、この光線は、シン
チレータスラブの側部にある反射面被膜と上部にある反
射カバープレートによりフォトセンサ装置に向かって下
方向に出る。
は、吸収層に接着又は接続される前に、反射層により被
覆される。同様に、検出器ストリップも接着された後に
反射層が設けられるが、光が出射する方の側面、つま
り、シンチレータ装置の底面、即ち、Ｘ線が入射する側
面の反対にある側面には設けられない。Ｘ線の入射方向
に向かって上方向に反射し、信号振幅の損失をもたらす
光量子が、上方向に放射されることを阻止するために、
シンチレータ装置は上面に光線を反射する層が設けられ
る。検出器ストリップがはめ込み型に挿入されると、上
述の目的のためにはめ込み型の下にカバープレートが設
けられ、カバープレートの光反射面ははめ込み型及び検
出器ストリップに向いている。製造工程が完了すると、
カバープレートを有する完成したシンチレータ装置は逆
さまにされて、それにより、Ｘ線は、上方からカバープ
レートに入射し、カバープレートを横断し、シンチレー
タスラブを透過し、光線に変換され、この光線は、シン
チレータスラブの側部にある反射面被膜と上部にある反
射カバープレートによりフォトセンサ装置に向かって下
方向に出る。
【図１】１次元検出器ストリップを示す側面図である。
【図２】ハイブリッド２次元シンチレータ装置を示す平
面図である。
面図である。
【図３】先細の横部品を有する２次元シンチレータ装置
を詳細に示す側面図である。
を詳細に示す側面図である。
【図４】高さの小さい横部品を有する２次元シンチレー
タ装置を示す側面図である。
タ装置を示す側面図である。
１ １次元検出器ストリップ
２ 吸収層
３ シンチレータスラブ
４ はめ込み型
５ 横部品
６ 中間空間
７ Ｘ線吸収材料
１１ フレーム
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ
5/335 27/14 Ｋ
(72)発明者 ヘルフリート カルル ヴィチョレク
ドイツ連邦共和国，52076 アーヘン，ミ
ュンスターシュトラーセ 207
(72)発明者 フランシスコ モラレス セラーノ
ドイツ連邦共和国，52078 アーヘン，コ
ーニンスベルガー シュトラーセ 98
Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG13 GG19 GG20
JJ05 JJ09 JJ13 JJ30 JJ37
4M118 AA10 AB10 BA04 CA02 CB11
GA10 HA24 HA25
5C024 AX12 AX16 CY47 EX01 GX09
5F088 AA01 BA03 BA10 BA16 BB03
BB07 EA04 JA17 LA08
Claims (11)
- 【請求項１】 吸収層により互いに離されるシンチレー
タスラブを含む検出器ストリップを含み、少なくとも２
つの上記検出器ストリップが、はめ込み型において互い
に基本的に平行となるよう配置されるシンチレータ装
置。 - 【請求項２】 上記はめ込み型は、横部品及びフレーム
を含み、 上記横部品は、互いに平行となるよう配置され、上記は
め込み型の両端に取付けられることを特徴とする請求項
１記載のシンチレータ装置。 - 【請求項３】 上記はめ込み型は、Ｘ線を透過しないよ
う構成されることを特徴とする請求項１又は２記載のシ
ンチレータ装置。 - 【請求項４】 上記横部品及び／又は上記フレームは、
光を透過する底プレート上に形成されることを特徴とす
る請求項１又は２記載のシンチレータ装置。 - 【請求項５】 上記底プレートは、隣接するピクセルの
光量子のクロストークを阻止するよう着色料を添加する
ことにより調節可能な吸収度を有することを特徴とする
請求項４記載のシンチレータ装置。 - 【請求項６】 上記横部品は、上記検出器ストリップの
間に形成される中間空間のほんの一部を占めることを特
徴とする請求項１又は２記載のシンチレータ装置。 - 【請求項７】 上記中間空間は、Ｘ線を吸収する材料に
より充填されることを特徴とする請求項３記載のシンチ
レータ装置。 - 【請求項８】 上記はめ込み型は、一体式に構成される
ことを特徴とする請求項１記載のシンチレータ装置。 - 【請求項９】 Ｘ線を光線に変換する請求項１乃至８記
載のシンチレータ装置と、上記光線を電荷に変換するフ
ォトセンサ装置とを含むＸ線検出器。 - 【請求項１０】 請求項９記載のＸ線検出器と、上記Ｘ
線検出器に関連付けられるＸ線源とを含むＸ線検査装
置。 - 【請求項１１】 第１の方向に延在する検出器ストリッ
プを、シンチレータスラブ及び上記シンチレータスラブ
に関連付けられる吸収層から形成し、 少なくとも２つの上記検出器ストラップを、はめ込み型
内において互いに基本的に平行となるよう配置する、シ
ンチレータ装置を製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10121018A DE10121018A1 (de) | 2001-04-28 | 2001-04-28 | Hybride zweidimensionale Szintillatoranordnung |
| DE10121018.3 | 2001-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003043150A true JP2003043150A (ja) | 2003-02-13 |
| JP4338938B2 JP4338938B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=7683165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002124518A Expired - Fee Related JP4338938B2 (ja) | 2001-04-28 | 2002-04-25 | シンチレータ装置、ｘ線検出器、ｘ線検査装置、及び、シンチレータ装置を製造する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6713767B2 (ja) |
| EP (1) | EP1255125A1 (ja) |
| JP (1) | JP4338938B2 (ja) |
| DE (1) | DE10121018A1 (ja) |
| IL (1) | IL149341A0 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008047637A1 (fr) | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Procédé de fabrication d'un semiconducteur à base de nitrure, agent d'augmentation de la vitesse de croissance cristalline, monocristal de nitrure, tranche et dispositif |
| JP2008298556A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｘ線検出器およびｘ線ｃｔ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049600B2 (en) * | 2002-09-18 | 2006-05-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Scintillation crystal detection arrays for radiation imaging devices |
| WO2006039494A2 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Stanford University | Semiconductor crystal high resolution imager |
| FR2888045B1 (fr) * | 2005-07-01 | 2007-10-19 | Thales Sa | Capteur d'image a resolution spatiale amelioree et procede de realisation du capteur |
| DE102006017291B4 (de) * | 2006-02-01 | 2017-05-24 | Paul Scherer Institut | Fokus/Detektor-System einer Röntgenapparatur zur Erzeugung von Phasenkontrastaufnahmen, Röntgensystem mit einem solchen Fokus/Detektor-System sowie zugehöriges Speichermedium und Verfahren |
| US8243127B2 (en) * | 2006-10-27 | 2012-08-14 | Zecotek Display Systems Pte. Ltd. | Switchable optical imaging system and related 3D/2D image switchable apparatus |
| FR2922319B1 (fr) * | 2007-10-10 | 2013-08-02 | Commissariat Energie Atomique | Scintillateur pour dispositif d'imagerie, module scintillateur, dispositif d'imagerie avec un tel scintillateur et procede de fabrication d'un scintillateur |
| US8399843B2 (en) * | 2008-12-17 | 2013-03-19 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillation array method and apparatus |
| US8481952B2 (en) * | 2008-12-23 | 2013-07-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillation separator |
| US8385499B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-02-26 | General Electric Company | 2D reflector and collimator structure and method of manufacturing thereof |
| WO2013074894A1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Dedicated cardiac pet |
| CN103675931B (zh) * | 2012-09-26 | 2016-09-28 | 同方威视技术股份有限公司 | Ct系统和用于ct系统的探测装置 |
| JP2014240769A (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-25 | ソニー株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
| US9182605B2 (en) | 2014-01-29 | 2015-11-10 | Emine Goulanian | Front-projection autostereoscopic 3D display system |
| US9182606B2 (en) | 2014-01-29 | 2015-11-10 | Emine Goulanian | Rear-projection autostereoscopic 3D display system |
| ES2743542T3 (es) | 2014-11-06 | 2020-02-19 | General Equipment For Medical Imaging S A | Módulo híbrido de centelleo |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5059800A (en) | 1991-04-19 | 1991-10-22 | General Electric Company | Two dimensional mosaic scintillation detector |
| US5519227A (en) * | 1994-08-08 | 1996-05-21 | The University Of Massachusetts Medical Center | Structured scintillation screens |
| US6344649B2 (en) * | 1997-11-26 | 2002-02-05 | General Electric Company | Scintillator for a multi-slice computed tomograph system |
| JP2001027673A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Hitachi Medical Corp | Ｘ線検出器及びこれを用いるｘ線ｃｔ装置 |
-
2001
- 2001-04-28 DE DE10121018A patent/DE10121018A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-04-25 IL IL14934102A patent/IL149341A0/xx unknown
- 2002-04-25 JP JP2002124518A patent/JP4338938B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-25 EP EP02100412A patent/EP1255125A1/de not_active Withdrawn
- 2002-04-26 US US10/133,866 patent/US6713767B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008047637A1 (fr) | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Mitsubishi Chemical Corporation | Procédé de fabrication d'un semiconducteur à base de nitrure, agent d'augmentation de la vitesse de croissance cristalline, monocristal de nitrure, tranche et dispositif |
| JP2008298556A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｘ線検出器およびｘ線ｃｔ装置 |
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| Publication number | Publication date |
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| US20020190214A1 (en) | 2002-12-19 |
| IL149341A0 (en) | 2002-11-10 |
| DE10121018A1 (de) | 2002-10-31 |
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