JP4330294B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、モータの制御回路、エアコン等に組み込まれるインバータ、あるいはNC制御回路などに用いられるパワーモジュールのように、制御基板と放熱用の絶縁基板とが別体で形成され、絶縁基板上に配置された半導体素子が、制御基板上に配置された駆動回路によって駆動されるようになっている電力用半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、モータの制御回路、エアコン等に組み込まれるインバータ、あるいはNC制御回路などには、パワーデバイス素子を搭載した半導体装置が広く用いられる。そして、近年、市場では、この種の半導体装置の小型化・軽量化、低価格化及び高品質化(とくに、自動車用半導体装置)が求められ、とくに低価格化及び高品質化に対する要求が強くなっている。
【0003】
ただ、この種の半導体装置においては、高品質を確保しようとすれば価格が上昇し、価格を下げようとすれば品質が低下するといった相反する現象が顕著にみられるので、低価格化と高品質化とをともに実現するのはなかなかむずかしい。このような状況下、この種の半導体装置の技術分野では、前記の市場要求にできる限り応えられるよう、パッケージ構造、材料の選定、生産性等の観点から種々の技術開発が行われている。
【0004】
図6は、この種の従来の半導体装置を示す立面断面図である。なお、この半導体装置は、パワーデバイス素子を搭載した6素子インバータ結線の半導体装置である。
図6に示すように、半導体装置100は、実質的に、これを外部機器に接続するためのパターン端子101と、パワーデバイス素子102と、アルミニウムからなるワイヤ103と、駆動回路104と、セラミックスからなる絶縁基板105(放熱用絶縁基板)と、樹脂からなるケース106(インサートケース)と、制御基板108とで構成されている。ここで、制御基板108は、ケース106の上面に接着剤により接着・固定されている。他方、絶縁基板105は、ケース106に嵌合ないしは接着により固定されている。
【0005】
この半導体装置100においては、絶縁基板105上に配置されたパワーデバイス素子102は、制御基板108上に配置された駆動回路104によって駆動される。そして、制御基板108と、表面に銅、アルミ等の金属箔が張り付けられた絶縁基板105とは、ワイヤ103によって接続されている。なお、図示していないが、ケース106内は、エポキシ系の樹脂が充填された構造、あるいはシリコーンのゲル状樹脂で封止された後でエポキシ系の樹脂で充填された構造とされている。また、ケース106は、必要に応じてエポキシ樹脂からなる蓋で閉塞される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
前記のとおり、この従来の半導体装置100では、制御基板108は接着剤でケース106に固定され、また絶縁基板105もケース106に固定されている。つまり、制御基板108と絶縁基板105とは、樹脂からなるケース106と接着剤とを介して結合されている。他方、ケース106を形成する樹脂あるいは接着剤は弾力性をもつ。このため、この弾力性に起因して、制御基板108と絶縁基板105との間には、共振等により振動が惹起されやすい。その結果、かかる振動によりワイヤ103のネック部にクラックが生じることがある。
【0007】
また、この従来の半導体装置100においては、接着剤の塗布状態あるいは制御基板108の材質等により、ワイヤ103(ワイヤボンド)に対する引っ張り強度が異なるので、製品毎の品質に差が生じる可能性がある。しかしながら、現状の技術では、製品毎に条件を変えてワイヤ103を同一状態となるように打つことは困難である。また、たとえワイヤ103を同一状態に打つことができたとしても、半導体装置100(パワーモジュール)は、自動車、電鉄、パイプなどといった振動を伴う環境で使用されることが多く、このような使用環境下では、振動によりワイヤ103のネック部にクラックが生じ、事情によっては破壊に至ることもありうる。
【0008】
このため、従来のこの種の半導体装置100では、ワイヤ103が制御基板108あるいは絶縁基板105から剥れたり、ワイヤ103が切断されるなどといった問題がある。なお、ワイヤ103が切断されると、パワーデバイス素子102が駆動されないので、該半導体装置100は用をなさなくなる。
【0009】
ここで、制御基板と絶縁基板とを同一素材で一体化した構成にして、上記不具合を回避するといった対応も考えられる。しかしながら、このようにすると、微細なパターンを形成することができなくなり、半導体素子駆動用のICやディスクリートの面実装トランジスタなどの小型電子部品を搭載することができなくなり、かつコストが上昇するなどといった新たな問題が生じてしまう。
【0010】
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、制御基板と絶縁基板とが別体形成されていても、制御基板と絶縁基板との電気的接続、ひいては駆動回路と半導体素子との電気的接続を確実に行うことができる高品質(とくに、製品寿命が長い)で低コストの半導体装置を提供することを解決すべき課題とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになされた本発明にかかる電力用半導体装置は、(i)表主面に主回路パターンが配設された絶縁基板と、(ii)主回路パターン上に実装された電力用半導体素子と、(iii)樹脂ケースの平面部に載置される一方表主面に制御回路パターンが配設された制御基板と、(iv)制御回路パターン上に実装された制御用半導体素子とが設けられていて、(v)主回路パターンと制御回路パターンとが電気的に接続されているといった基本構成を備えている。
【0013】
本発明の第1の態様にかかる電力用半導体装置は、上記基本構成を備えた電力用半導体装置において、(a)絶縁基板と制御基板とが、互いに離間しつつ平面視では一部で重複するように配置され、(b)該重複部において、制御基板の裏主面の周縁部に配設されるとともに、スルーホールを介して制御回路パターンと電気的に接続された接続パターンが設けられ、(c)接続パターンが主回路パターンに半田付けされていることを特徴とするものである。
【0014】
本発明の第2の態様にかかる電力用半導体装置は、上記基本構成を備えた電力用半導体装置において、(a)絶縁基板と制御基板とが、互いに離間しつつ平面視では一部で重複するように配置され、(b)該重複部において、制御基板の周縁近傍にスルーホールが形成され、(c)該重複部において、主回路パターンが絶縁基板から制御基板に向かって立ち上がってスルーホールに挿入され、制御回路パターンに半田付けされていることを特徴とするものである。
【0015】
本発明の第3の態様にかかる電力用半導体装置は、本発明の第2の態様にかかる電力用半導体装置において、主回路パターンの立ち上がっている部分(曲がり部)にベンド部が設けられていることを特徴とするものである。
【0016】
本発明の第4の態様にかかる電力用半導体装置は、本発明の第1〜第3の態様のいずれか1つにかかる電力用半導体装置において、絶縁基板の裏主面に裏面パターンが形成され、該裏面パターンが金属製のベース板に半田付けされていることを特徴とするものである。
【0018】
また、特開平10−242385号公報には、本発明の第1又は第2の態様にかかる電力用半導体装置に一見類似するようにもみえる電力用混合集積回路装置が開示されているが、この電力用混合集積回路装置は、端子を断面L字形に形成し、横方向に延びる下辺部を絶縁基板の導体パターンに半田付けしたものである。したがって、横方向に延びる導体を絶縁基板の導電パターンに半田付けしていない本発明の第1又は第2の態様にかかる電力用半導体装置とは、明らかに異なる構成のものである。
【0019】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
以下、本発明の実施の形態1を具体的に説明する。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる、パワーデバイス素子を搭載した6素子インバータ結線の半導体装置(電力用半導体装置)の立面断面図である。また、図2は、図1の破線Aで示す部分を拡大して示した図である。なお、図1は、後記の実施の形態2〜4にも共通な図である。
【0020】
図1及び図2に示すように、半導体装置Sには、これを外部機器に接続するための2つのパターン端子1と、複数のパワーデバイス素子2(電力用半導体素子)と、アルミニウムからなる複数のワイヤ3(ボンディングワイヤ)と、駆動回路4(制御用半導体素子)と、セラミックスからなる絶縁基板5(放熱用絶縁基板)と、樹脂からなるケース6(樹脂ケース)と、制御基板8(制御用絶縁基板)とが設けられている。
【0021】
なお、詳しくは図示していないが、セラミックスからなる絶縁基板5の表面には、銅、アルミ等の金属箔が張り付けられ、これらにより、主回路パターン、裏面パターン等の種々の回路パターンが形成されている。そして、絶縁基板5の表主面には主回路パターン(図示せず)が配設され、この主回路パターン上にパワーデバイス素子2が実装されている。他方、ケース6上に載置された制御基板8の表主面には制御回路パターン(図示せず)が配設され、この制御回路パターン上に駆動回路4が実装されている。また、絶縁基板5の裏主面に裏面パターン(図示せず)が形成され、該裏面パターンは金属製のベース板(図示せず)に半田付けされている。
【0022】
この半導体装置Sにおいては、制御基板8は、ケース6の上側の平面部に接着剤等により接着・固定されている。また、絶縁基板5は、ケース6に嵌合ないしは接着により固定されている。ここで、絶縁基板5と制御基板8とは、互いに上下に離間しつつ、平面視では一部で重複するように配置されている。つまり、制御基板8の一部は、所定の間隔を保って、絶縁基板5の一部の真上に位置している。
【0023】
この重複部(離間しているが、平面視では重複する部分)において、絶縁基板5の表主面の周縁部(図1、図2では右端近傍部)には第1の接合パターン(図示せず)が配設される一方、制御基板8の裏主面の周縁部(図1、図2では左端近傍部)に第2の接合パターン(図示せず)が配設されている。そして、第1の接合パターンと第2の接合パターンとは、半田7を用いて重ねて半田付けされている(半田接合部)。
【0024】
すなわち、第1の接合パターンと第2の接合パターンとは、鏡面対となるように形成された上で、半田7で接合されている。なお、制御基板8は、エポキシ樹脂等の多層構成が可能な材料で形成される。そしてケース6は、半田接合後の絶縁基板5及び制御基板8に取り付けられる。なお、この場合、半田7の高さないしは厚さはあまり大きくすることができないので、これによりケース6の厚さTは制約を受けることになる(あまり、厚くすることができない)。
【0025】
制御基板8の表主面上においては、制御回路パターンが、第2の接合パターンと対応する位置、すなわち重複部に対応する位置に延在させられている。そしてこの延在部における制御回路パターンと、絶縁基板5の主回路パターンとが、ワイヤ3により電気的に接続されている。
【0026】
この半導体装置Sにおいて、絶縁基板5上のパワーデバイス素子2は、制御基板8上の駆動回路4によって駆動される。なお、図示していないが、ケース6内は、エポキシ系の樹脂が充填された構造、あるいはシリコーンのゲル状樹脂で封止された後にエポキシ系の樹脂で充填された構造とされている。また、ケース6は、エポキシ樹脂からなる蓋(図示せず)で閉塞されている。
【0027】
実施の形態1にかかる半導体装置Sによれば、絶縁基板5と制御基板8とが硬い半田7(半田接合部)を介して結合されているので、絶縁基板5と制御基板8との間には、共振等による振動が惹起されにくい。したがって、ワイヤ3のネック部にクラックが生じない。このため、半導体装置Sの製品寿命を延ばすことができ、その品質を高めることができる。また、絶縁基板5と制御基板8との半田接合は容易であるので、該半導体装置の製造コストが低減される。つまり、絶縁基板5と制御基板8との電気的接続を確実に行うことができる高品質で低コストの半導体装置が得られる。さらに、絶縁基板5と制御基板8とが硬い半田7を介して結合されているので、ワイヤボンドを強く打つことができ、ワイヤボンドないし半導体装置の信頼性を高めることができる。
【0028】
実施の形態2.
以下、図1及び図3を参照しつつ、本発明の実施の形態2を説明する。しかしながら、実施の形態2にかかる半導体装置は、図1及び図2に示す実施の形態1にかかる半導体装置と多くの共通点をもつので、説明の重複を避けるため、以下では、主として実施の形態1と異なる点を説明する。
【0029】
図1及び図3に示すように、実施の形態2にかかる半導体装置Sでは、絶縁基板5と制御基板8の重複部において、制御基板8に、その裏主面の周縁部で下方に突出する接続パターン10が設けられている。この接続パターン10は、制御基板8に形成されたスルーホール12を介して、制御基板8上の制御回路パターンに電気的に接続されている。そして、接続パターン10の下端部は、半田7を用いて、絶縁基板5上の主回路パターンの一部(端部近傍部)をなす中継端子9に半田付けされている。その他の構成は、実施の形態1の場合と同様である。
【0030】
実施の形態2にかかる半導体装置Sでは、接続パターン10の下方への突出長を任意に設定することができるので、ケース6の厚さTはとくには制約を受けない(厚くすることができる)。すなわち、ケース6の厚さTに応じて、接続パターン10の下方への突出長を設定すればよい。
【0031】
実施の形態2にかかる半導体装置Sによれば、絶縁基板5(主回路パターン)と制御基板8(制御回路パターン)とが、ワイヤボンディングではなく、接続パターン10を用いた半田接合により接続されているので、その接続強度が大幅に高められる。また、かかる半田付けは低コストで容易に行うことができる。このため、絶縁基板5(主回路パターン)と制御基板8(制御回路パターン)との接続強度を安定的に確保することができ、これらの電気的接続を確実に行うことができる高品質で低コストの半導体装置が得られる。
【0032】
実施の形態3.
以下、図1及び図4を参照しつつ、本発明の実施の形態3を説明する。しかしながら、実施の形態3にかかる半導体装置は、図1及び図2に示す実施の形態1にかかる半導体装置と多くの共通点をもつので、説明の重複を避けるため、以下では、主として実施の形態1と異なる点を説明する。
【0033】
図1及び図4に示すように、実施の形態3にかかる半導体装置Sでは、絶縁基板5と制御基板8の重複部において、制御基板8の周縁近傍にスルーホール12が形成されている。そして、絶縁基板5上の主回路パターンの一部(端部近傍部)をなす中継端子9が折れ曲がって、絶縁基板5から制御基板8に向かって(上向きに)立ち上がり、これにより曲がり部9a(折れ曲がり部)が形成されている。
【0034】
この曲がり部9aはスルーホール12に挿入され、その上端は制御基板8の上方に突出している。そして、曲がり部9aの上端近傍部は、半田7を用いて、制御基板8ないし制御基板8上の制御回路パターンに半田付けされている。その他の構成は、実施の形態1の場合と同様である。この半導体装置Sでは、曲がり部9aの長さを任意に設定することができるので、ケース6の厚さTは、とくには制約を受けない。なお、中継端子9の曲がり部9aは、絶縁基板5上に主回路パターンを形成する際に、セラミックスより長めの銅、アルミニウム等の金属箔からなるパターンをセラミックスに張り付けた後で、これを図4に示すような端子形状に折り曲げることにより形成される。
【0035】
実施の形態3にかかる半導体装置Sによれば、絶縁基板5(主回路パターン)と制御基板8(制御回路パターン)とが、ワイヤボンディングではなく、中継端子9(曲がり部9a)を利用して半田接合により接続(接合)されているので、その接続強度が大幅に高められる。また、かかる半田付けは低コストで容易に行うことができる。このため、絶縁基板5(主回路パターン)と制御基板8(制御回路パターン)との接続強度を安定的に確保することができ、これらの電気的接続を確実に行うことができる高品質で低コストの半導体装置が得られる。さらに、中継端子9の曲がり部9aの制御基板8側への接合面積を大きくすることができるので、上記接続強度を一層高めることができる。
【0036】
実施の形態4.
以下、図1及び図5を参照しつつ、本発明の実施の形態4を説明する。しかしながら、実施の形態4にかかる半導体装置は、図1及び図4に示す実施の形態3にかかる半導体装置と多くの共通点をもつので、説明の重複を避けるため、以下では、主として実施の形態3と異なる点を説明する。
【0037】
図1及び図5に示すように、実施の形態4にかかる半導体装置Sでは、絶縁基板5上の主回路パターンの一部(端部近傍部)をなす曲がり部9aにベンド部9bが設けられている。つまり、曲がり部9aはベンド構造とされている。その他の構成は、実施の形態1の場合と同様である。なお、この半導体装置Sでも、実施の形態3の場合と同様の理由により、ケース6の厚さTは、とくには制約を受けない。
【0038】
実施の形態4にかかる半導体装置Sによれば、まずもって、実施の形態3にかかる半導体装置Sの場合と同様の作用・効果が得られる。さらに、ベンド部9bによって半田7に加わる応力が吸収され、半田7にかかるストレスが緩和される。このため、実施の形態3にかかる半導体装置Sよりも、さらに寿命を延ばすことができる。
【0040】
【発明の効果】
本発明の第1の態様にかかる電力用半導体装置によれば、絶縁基板(主回路パターン)と制御基板(制御回路パターン)とが、ワイヤボンディングではなく、接続パターンを用いた半田接合により接続されているので、その接続強度が大幅に高められる。また、かかる半田付けは低コストで容易に行うことができる。このため、絶縁基板(主回路パターン)と制御基板(制御回路パターン)との接続強度を安定的に確保することができ、これらの電気的接続を確実に行うことができる。
【0041】
本発明の第2の態様にかかる電力用半導体装置によれば、絶縁基板(主回路パターン)と制御基板(制御回路パターン)とが、ワイヤボンディングではなく、主回路パターンの端部近傍部を利用して半田接合により接続されているので、その接続強度が大幅に高められる。また、かかる半田付けは低コストで容易に行うことができる。このため、絶縁基板(主回路パターン)と制御基板(制御回路パターン)との接続強度を安定的に確保することができ、これらの電気的接続を確実に行うことができる。さらに、半田接合部の接合面積を大きくすることができるので、その接合強度を一層高めることができる。
【0042】
本発明の第3の態様にかかる電力用半導体装置によれば、まずもって、本発明の第2の態様にかかる電力用半導体装置の場合と同様の作用・効果が得られる。さらに、ベンド部によって半田に加わる応力が吸収され、半田にかかるストレスが緩和されるので、電力用半導体装置の寿命をさらに延ばすことができる。
【0043】
本発明の第4の態様にかかる電力用半導体装置によれば、まずもって、本発明の第1〜第3の態様のいずれか1つにかかる電力用半導体装置の場合と同様の作用・効果が得られる。さらに絶縁基板の裏主面に裏面パターンが形成され、該裏面パターンが金属製のベース板に半田付けされているので、電力用半導体装置の放熱性ないしは冷却性が良好となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1〜4にかかる電力用半導体装置の立面断面図である。
【図2】 本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置の拡大された立面断面図である。
【図3】 本発明の実施の形態2にかかる電力用半導体装置の拡大された立面断面図である。
【図4】 本発明の実施の形態3にかかる電力用半導体装置の拡大された立面断面図である。
【図5】 本発明の実施の形態4にかかる電力用半導体装置の拡大された立面断面図である。
【図6】 従来の電力用半導体装置の立面断面図である。
【符号の説明】
S 半導体装置(電力用半導体装置)、 1 パターン端子、 2 パワーデバイス素子(電力用半導体素子)、 3 ワイヤ(ボンディングワイヤ)、 4駆動回路(制御用半導体素子)、 5 絶縁基板(放熱用絶縁基板)、 6 ケース(樹脂ケース)、 7 半田(半田接合部)、 8 制御基板(制御用絶縁基板)、 9 中継端子(主回路パターンの一部)、 9a 曲がり部、 9b ベンド部、 10 接続パターン、 12 スルーホール。
Claims (4)
- 表主面に主回路パターンが配設された絶縁基板と、前記主回路パターン上に実装された電力用半導体素子と、樹脂ケースの平面部に載置される一方表主面に制御回路パターンが配設された制御基板と、前記制御回路パターン上に実装された制御用半導体素子とが設けられていて、前記主回路パターンと前記制御回路パターンとが電気的に接続されている電力用半導体装置において、
前記絶縁基板と前記制御基板とが、互いに離間しつつ平面視では一部で重複するように配置され、
前記重複部において、前記制御基板の裏主面の周縁部に配設されるとともに、スルーホールを介して前記制御回路パターンと電気的に接続された接続パターンが設けられ、
前記接続パターンが前記主回路パターンに半田付けされていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 表主面に主回路パターンが配設された絶縁基板と、前記主回路パターン上に実装された電力用半導体素子と、樹脂ケースの平面部に載置される一方表主面に制御回路パターンが配設された制御基板と、前記制御回路パターン上に実装された制御用半導体素子とが設けられていて、前記主回路パターンと前記制御回路パターンとが電気的に接続されている電力用半導体装置において、
前記絶縁基板と前記制御基板とが、互いに離間しつつ平面視では一部で重複するように配置され、
前記重複部において、前記制御基板の周縁近傍にスルーホールが形成され、
前記重複部において、前記主回路パターンが前記絶縁基板から前記制御基板に向かって立ち上がって前記スルーホールに挿入され、前記制御回路パターンに半田付けされていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記主回路パターンの立ち上がっている部分にベンド部が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の電力用半導体装置。
- 前記絶縁基板の裏主面に裏面パターンが形成され、該裏面パターンが金属製のベース板に半田付けされていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の電力用半導体装置。
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