JP4312069B2 - セラミックスヒーターの製造方法 - Google Patents
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Description
該酸化物層が、窒化物セラミックス成形体を不活性ガス雰囲気下、或いは真空雰囲気下で当該窒化物セラミックスの酸化開始温度より300℃低い温度以上の温度に加熱した後に、加熱された当該成形体の所望の面を酸素ガスと接触させ、当該窒化物セラミックスの酸化開始温度より高い温度に保持して当該成形体の表面を酸化することにより形成されることを特徴とするセラミックスヒーターの製造方法である。
窒化物セラミックス成形体を導入した炉内を真空脱気してから不活性ガスを導入することを特徴とするセラミックスヒーターの製造方法である。
上記酸化処理終了後は、酸化処理された窒化物セラミックス素材を冷却して炉内から取り出せばよい。また、冷却時に窒化物セラミックスや酸化物層が損傷しないように徐冷するのが好適である。
長さ50.8mm、幅50.8mm、厚さ0.635mmの板状で、表面粗さRaが0.05μm以下である窒化アルミニウム基板(株式会社トクヤマ製SH15)を内径75mm、長さ1100mmのムライトセラミックスを炉心管とする高温雰囲気炉(株式外会社モトヤマ製スーパーバーン改造型)内に導入し、炉内をロータリー真空ポンプにて50Pa以下に減圧した後、窒素ガス(純度99.99995%、露点−80℃)で復圧置換し、流速2(l/分)の窒素流通下で1200℃まで昇温した(昇温速度:3.3℃/分)。基板付近温度が1200℃に達したのを確認してから窒素ガスの流通を停止し、代わりに酸素ガス(純度99.999%、露点−80℃)を流速1(l/分)で流通させ、そのまま1時間保持して窒化アルミニウム基板の表面を酸化した。酸化終了後室温まで冷却し、本発明の表面酸化窒化アルミニウム基板を得た(降温速度3.3℃/分)。
試料1についてX線回折装置(理学電機株式会社製X線回折装置RINT1200)を用いてXRD測定を行ったところ、その回折パターンから該試料の酸化物層はα−アルミナであることが確認された。なお測定は、入射X線Cu−Kα線、管電圧40kV、管電流40mA、受光スリット0.15mm、モノクロ受光スリット0.60mmの測定条件で行った。
試料1をダイヤモンドカッターにて5mm×5mmに切断した後、酸化物層面を上にして観察用試料台にカーボンテープを用いて固定した。これをイオンスパッタリング装置(日本電子株式会社製マグネトロンスパッタリング装置JUC−5000)を用いてPtコーティングし、FE−SEM(日本電子株式会社製フィールドエミッション走査電子顕微鏡JSM−6400)にて該試料の酸化物層表面の観察を行った。観察は加速電圧15kV、プローブ電流5×10−11A、エミッション電流8μA、倍率10,000倍で行い、任意の視野(半径30000nmの視野)を50視野観察し、同箇所を写真撮影した。典型的な写真を図3に、そのイラストを図4に示す。図3に示される様に、酸化物層の表面には隆起による筋状の模様は観察されたがクラックは観察されなかった。なお、他の何れの視野においても特定クラックは観測されなかった。また、試料の破断面のSEM観察により酸化物層の厚さを求めたところ、その厚さは平均で900nmであった。
まず観察用試料を下記方法で作製した。すなわち株式会社ディスコ製ダイシング装置(DAD320)を用いて試料1を試料表面から見て横1mm、縦50μmの直方体の形状に切断し、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製集束イオンビーム装置(SMI2200)にて、断面観察のための加工を行った。加速電圧は全て30kVで行った。走査型イオン顕微鏡(SIM)で直方体状の試料表面を観察しながら、縦50μmを70nmになるまで周囲を研削した。研削する横幅は任意であるが、今回は20μmとした。研削する深さは、試料断面のSIM観察で酸化物層全体と窒化物セラミックの一部(約1μm)が観察できる深さに設定した。
試料1を酸化物層の一部が露出するようにフッ素樹脂製のシールテープで覆い(露出面積S=3mm×5mm=15mm2=1.5×10−5m2)、露出部分以外は液に触れないようにして30℃の5%水酸化ナトリウム水溶液に5時間浸漬した。浸漬前後の乾燥重量の差と露出面積Sから計算される、“浸漬による単位面積当たりの乾燥重量の減少量”(以下、重量減少と記す)は10(g/m2)であった。なお、参考実験として表面酸化処理を施していない窒化アルミニウム基板について同様の試験を行ったところ、重量減少は113(g/m2)であった。
金属発熱体層が形成された表面酸化窒化アルミニウム基板について、−65℃×30分〜125℃×30分の条件でヒートサイクルテストを行った。テスト終了後、3mm幅のニッケルリードをロウ付けし、90度ピールテストを行い、金属発熱体層の表面酸化窒化アルミニウム基板表面への密着強度を測定し、7.5(kgf)の値を得た。なお、参考実験として表面酸化処理を施していない窒化アルミニウム基板について、同様の試験を行ったところ、密着強度は6.2(kgf)であった。
実施例2
窒化アルミニウム基板を高温雰囲気炉で酸化処理する際に、加熱前に窒素置換−真空脱気処理を行なわずに単に窒素置換だけとする以外は、実施例1と同じ方法によって表面酸化窒化アルミニウム基板(試料2)を得た。
比較例1
窒化アルミニウム基板を高温雰囲気炉で酸化処理する際に、炉内を窒素置換せずに空気流通下で加熱、1200℃まで昇温し、同じく空気流通下に1200℃で1時間保持する以外は実施例1と同様にして表面酸化窒化アルミニウム基板(試料3)を得た。得られた試料について実施例1で得られた基板と同様の分析、評価を行なった。その結果、酸化物層はα−アルミナであることが確認された。
また、試料3についてのSEM観察結果を図7及び8に、TEM観察結果を図9及び10に示す。図7及び8に示される様に、酸化物層表面には特定クラックが観測された。因みに、SEM写真に基づいて、試料3の酸化物層表面に存在するクラックについて最も大きなw/lを示すクラックユニットにおけるw、l及びw/lを測定したところ、w=120nm、l=880nm、w/l=0.14であった。また、任意の視野(半径30000nmの視野)50箇所について同様の観察をしたところ、合計35個の特定クラックが観測された。
2a〜2e・・・クラックユニット
la〜le・・・各クラックユニットの長さ
wa〜we・・・各クラックユニットの最大幅
3・・・本発明の表面酸化窒化アルミニウム基板
4・・・金属発熱体
5・・・通電部
6・・・電極
7・・・電源
Claims (4)
- 金属または半金属の窒化物セラミックスからなる成形体の少なくとも一面に、上記金属または半金属原子と同一の原子の酸化物からなる酸化物層が形成されている、表面に酸化物層を有する窒化物セラミックス成形体をヒーターの基体とするセラミックスヒーターの製造方法であって、
該酸化物層が、窒化物セラミックス成形体を不活性ガス雰囲気下、或いは真空雰囲気下で当該窒化物セラミックスの酸化開始温度より300℃低い温度以上の温度に加熱した後に、加熱された当該成形体の所望の面を酸素ガスと接触させ、当該窒化物セラミックスの酸化開始温度より高い温度に保持して当該成形体の表面を酸化することにより形成されることを特徴とするセラミックスヒーターの製造方法。 - 窒化物セラミックス成形体を不活性ガス雰囲気下で当該窒化物セラミックスの酸化開始温度より300℃低い温度以上の温度に加熱する前に、
窒化物セラミックス成形体を導入した炉内を真空脱気してから不活性ガスを導入することを特徴とする請求項1に記載のセラミックスヒーターの製造方法。 - 前記窒化物セラミックスが窒化アルミニウムであり、酸化物層が酸化アルミニウム層である請求項1または2に記載のセラミックスヒーターの製造方法。
- 前記窒化物セラミックス成形体における、酸化物層が形成されている表面上に金属発熱体層を積層する請求項1〜3の何れかに記載のセラミックスヒーターの製造方法。
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