JP4305922B2 - 希土類焼結磁石及び希土類焼結磁石の機械的強度及び耐食性の改善方法 - Google Patents

希土類焼結磁石及び希土類焼結磁石の機械的強度及び耐食性の改善方法 Download PDF

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Description

本発明は、R(Rは希土類元素の1種又は2種以上)、T(TはFe又はFe及びCoを必須とする少なくとも1種以上の遷移金属元素)及びB(ホウ素)を主成分とするR−T−B系の希土類焼結磁石に関するものである。
希土類焼結磁石の中でもR−T−B系希土類焼結磁石は、磁気特性に優れていること、主成分であるNdが資源的に豊富で比較的安価であることから、各種電気機器に使用されている。
優れた磁気特性を有するR−T−B系希土類焼結磁石にもいくつかの解消すべき技術的な課題がある。その一つが耐食性である。つまり、R−T−B系希土類焼結磁石は、主構成元素であるR及びFeが酸化されやすい元素であるために耐食性が劣るのである。そのためR−T−B系希土類焼結磁石は、通常その表面に耐食性の保護膜を形成している。保護膜としては、金属めっき、樹脂が用途に応じて用いられている。しかし、より高い耐食性を備えるためには焼結磁石自体の耐食性を向上させることが望ましいことは言うまでもない。
また、R−T−B系希土類焼結磁石の他の技術的課題として、機械的強度が掲げられる。つまりR−T−B系希土類焼結磁石は粉末冶金的手法により製造されるために、その機械的強度が必ずしも十分ではなく、薄型の磁石へ適用する場合には加工が容易ではなかった。
特許文献1が耐食性及び機械的強度の改善について提案を行っている。この提案は、焼結磁石体の平均炭素濃度の2倍以上の炭素を有する炭素濃化層を焼結磁石体の表面に3〜300μmの厚さで形成するというものである。特許文献1によると、焼結磁石体の表面に濃化した炭素は、焼結磁石体中に含まれるRと炭素−R系化合物を形成し、この炭素−R系化合物が焼結磁石体の強度を高めるとともに耐食性の保護膜として作用することが開示されている。また、特許文献1には、炭素濃化層の厚さが3μm未満ではその効果が発揮されず、300μmを超えると磁気特性の低下が著しいことが開示されている。特許文献1は、炭素濃化層を形成する手法として、5重量%の炭素粉末を懸濁したブチルアルコール溶液中に室温で焼結前の成形体を所定時間浸漬することを開示している。
特開平8−330121号公報
R−T−B系希土類焼結磁石に要求される特性も高くなっており、特に電子機器の小型化の要請に基づいて機械的強度のさらなる向上が求められている。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、機械的強度が高くかつ優れた耐食性を備えた希土類焼結磁石を提供することを目的とする。
本発明者らは特許文献1に開示された炭素濃化層からなる被覆層を設ける技術は機械的強度及び耐食性の向上にとって有効なものではあるが、被覆層は焼結体の表面全面に形成するよりも、焼結体を部分的に被覆する方が機械的強度の向上にとって望ましいことを知見した。しかも、そのような部分的な被覆であっても、耐食性は表面全面を被覆した場合と遜色がない。また、本発明者らは炭素濃化層を形成する化合物にはR23及びRC0.4の2種類があるが、RC0.4からなる被覆層の方が機械的強度の向上にとって有効であることを知見した。本発明は以上の知見に基づくものであり、R14B相(Rは希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相と、主相よりRを多く含む粒界相とを含む焼結体からなり、焼結体の表面にRC 0.4 から構成される炭素化合物層が被覆されており、炭素化合物層が焼結体の表面を被覆している面積率が20〜80%であることを特徴とする希土類焼結磁石である
本発明の希土類焼結磁石において、炭素化合物層は、焼結体の粒界相上に被覆されていることが望ましい。
本発明は、希土類焼結磁石の機械的強度及び耐食性を改善する方法を提供するものであり、この方法は、R214B相(Rは希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相と、主相よりRを多く含む粒界相とを含む焼結体からなる希土類焼結磁石の機械的強度及び耐食性を改善する方法であって、所定組成の合金粉末を磁場中で成形して成形体を作製し、炭素含有組成物を、成形体を焼結する雰囲気中に配置した状態で、成形体を焼結し焼結体とすることを特徴とする。上述した焼結により、炭素含有組成物はRC 0.4 となり、RC 0.4 が焼結体の表面を被覆している面積率が20〜80%となる。
成形体を焼結する雰囲気中に配置する炭素含有組成物としては、例えばオレイン酸アミドを用いることができる。
本発明によれば、機械的強度が高くかつ耐食性の優れたR−T−B系希土類焼結磁石を提供することができる。
以下、実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
<組織>
本発明が適用されるR−T−B系希土類焼結磁石は、よく知られているように、R214B結晶粒(Rは希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする遷移金属元素の1種又は2種以上)からなる主相と、この主相よりもRを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体から構成される。なお、R−T−B系希土類焼結磁石を構成する相の一つである粒界相が腐食の起点となるといわれている。
<化学組成>
本発明が適用されるR−T−B系希土類焼結磁石は、希土類元素(R)を25〜37wt%含有する。
ここで、本発明におけるRはYを含む概念を有しており、したがってY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuの1種又は2種以上から選択される。Rの量が25wt%未満であると、R−T−B系希土類焼結磁石の主相となるR214B相の生成が十分ではなく軟磁性を持つα−Feなどが析出し、保磁力が著しく低下する。一方、Rが37wt%を超えると主相であるR214B相の体積比率が低下し、残留磁束密度が低下する。またRが酸素と反応し、含有する酸素量が増え、これに伴い保磁力発生に有効な粒界相が減少し、保磁力の低下を招く。したがって、Rの量は25〜37wt%とする。望ましいRの量は28〜35wt%、さらに望ましいRの量は29〜33wt%である。
また、本発明のR−T−B系希土類焼結磁石は、ホウ素(B)を0.5〜4.5wt%含有する。Bが0.5wt%未満の場合には高い保磁力を得ることができない。一方で、Bが4.5wt%を超えると残留磁束密度が低下する傾向がある。したがって、上限を4.5wt%とする。望ましいBの量は0.5〜1.5wt%、さらに望ましいBの量は0.8〜1.2wt%である。
本発明のR−T−B系希土類焼結磁石は、Coを2.0wt%以下(0を含まず)、望ましくは0.1〜1.0wt%、さらに望ましくは、0.3〜0.7wt%含有することができる。CoはFeと同様の相を形成するが、キュリー温度の向上、粒界相の耐食性向上に効果がある。
また、本発明のR−T−B系希土類焼結磁石は、Al及びCuの1種又は2種を0.02〜0.5wt%の範囲で含有することができる。この範囲でAl及びCuの1種又は2種を含有させることにより、得られる焼結磁石の高保磁力化、高耐食性化、温度特性の改善が可能となる。Alを添加する場合において、望ましいAlの量は0.03〜0.3wt%、さらに望ましいAlの量は、0.05〜0.25wt%である。また、Cuを添加する場合において、望ましいCuの量は0.15wt%以下(0を含まず)、さらに望ましいCuの量は0.03〜0.12wt%である。
本発明のR−T−B系希土類焼結磁石は、他の元素の含有を許容する。例えば、Zr、Ti、Bi、Sn、Ga、Nb、Ta、Si、V、Ag、Ge等の元素を適宜含有させることができる。一方で、酸素、窒素、炭素等の不純物元素を極力低減することが望ましい。特に磁気特性を害する酸素は、その量を5000ppm以下、さらには3000ppmと以下とすることが望ましい。酸素量が多いと非磁性成分である希土類酸化物相が増大して、磁気特性を低下させるからである。
<製造方法>
以下本発明による希土類焼結磁石の製造方法について説明する。
原料合金は、真空又は不活性ガス、好ましくはAr雰囲気中でストリップキャスティング、その他公知の溶解法により作製することができる。R2Fe14B結晶粒を主体とする合金(低R合金)と、低R合金よりRを多く含む合金(高R合金)とを用いる所謂混合法で本発明にかかる希土類焼結磁石を製造する場合も同様である。
原料合金は粉砕工程に供される。混合法による場合には、低R合金及び高R合金は別々に又は一緒に粉砕される。粉砕工程には、粗粉砕工程と微粉砕工程とがある。まず、原料合金を、粒径数百μm程度になるまで粗粉砕する。粗粉砕は、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等を用い、不活性ガス雰囲気中にて行なうことが望ましい。粗粉砕に先立って、原料合金に水素を吸蔵させた後に放出させることにより粉砕を行なうことが効果的である。この水素粉砕を粗粉砕と位置付けて、機械的な粗粉砕を省略することもできる。
粗粉砕工程後、微粉砕工程に移る。微粉砕には主にジェットミルが用いられ、粒径数百μm程度の粗粉砕粉末を、平均粒径2.5〜6μm、好ましくは3〜5μmとする。ジェットミルは、高圧の不活性ガスを狭いノズルより開放して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により粗粉砕粉末を加速し、粗粉砕粉末同士の衝突やターゲットあるいは容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法である。
混合法による場合、2種の合金の混合のタイミングは限定されるものではないが、微粉砕工程において低R合金及び高R合金を別々に粉砕した場合には、微粉砕された低R合金粉末及び高R合金粉末を窒素雰囲気中で混合する。低R合金粉末及び高R合金粉末の混合比率は、重量比で80:20〜97:3程度とすればよい。低R合金及び高R合金を一緒に粉砕する場合の混合比率も同様である。なお、成形時の潤滑及び配向性の向上を目的とした脂肪酸又は脂肪酸の誘導体、例えばステアリン酸系やオレイン酸系であるステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド等を微粉砕時に0.01〜0.3wt%程度添加することができる。
以上のようにして得られた微粉末は磁場中成形に供される。
磁場中成形における成形圧力は0.3〜3ton/cm2(30〜300MPa)の範囲とすればよい。成形圧力は成形開始から終了まで一定であってもよく、漸増または漸減してもよく、あるいは不規則変化してもよい。成形圧力が低いほど配向性は良好となるが、成形圧力が低すぎると成形体の強度が不足してハンドリングに問題が生じるので、この点を考慮して上記範囲から成形圧力を選択する。磁場中成形で得られる成形体の最終的な相対密度は、通常、50〜60%である。
また、印加する磁場は、12〜20kOe(960〜1600kA/m)程度とすればよい。また、印加する磁場は静磁場に限定されず、パルス状の磁場とすることもできる。また、静磁場とパルス状磁場を併用することもできる。
磁場中成形後、その成形体を真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結する。焼結温度は、組成、粉砕方法、平均粒径と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、1000〜1200℃で1〜10時間程度焼結すればよい。
本発明における炭素化合物層はこの焼結工程中に形成することができる。つまり、炭素含有組成物を焼結雰囲気中に置いた状態で焼結を行うことにより、本発明における炭素化合物層を形成することができる。炭素含有組成物としては、脂肪酸又は脂肪酸の誘導体、例えばステアリン酸系やオレイン酸系であるステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド等を好適に用いることができる。また、炭素含有組成物としては、カーボンブラック、グラファイト、木炭等を用いることもできる。なお、特許文献1のように炭素粉末を懸濁したブチルアルコール溶液中に室温で焼結磁石体を所定時間浸漬し、その後焼結すると焼結磁石体の全表面に炭素化合物層が形成され、かつその化合物はR23を主体とする。一方、以上のように炭素含有組成物を焼結雰囲気中に置くことにより得られる炭素化合物は、RC0.4となり、かつ焼結磁石体表面に部分的に形成することができる。RC0.4からなる炭素化合物層は、焼結磁石体の全表面に形成されているよりも、部分的に形成されている方が機械的強度向上にとって望ましい。炭素化合物層が焼結磁石体の表面を被覆する割合は、面積率で10〜90%、さらに20〜80%とすることが望ましく、30〜80%とすることがより望ましい。なお、本発明において、炭素化合物層はRC0.4のみからなることが望ましいが、R23の存在を許容する。この場合、XRDによるRC0.4の最高ピーク強度とR23の最高ピーク強度を比較して、R23がRC0.4の10%以下であれば、本発明の効果にほとんど悪影響を与えない。
焼結後、得られた焼結体に時効処理を施すことができる。この工程は、保磁力を増大させる重要な工程である。時効処理を2段に分けて行なう場合には、800℃近傍、600℃近傍での所定時間の保持が有効である。時効処理を1段で行なう場合には、600℃近傍の時効処理を施すとよい。
焼結体を得た後に、保護膜を形成することができる。保護膜の形成は、保護膜の種類に応じて公知の手法に従って行なえばよい。例えば、電解メッキの場合には、常法に従い以下の手順で行えばよい。
焼結体加工→バレル研磨→脱脂→水洗→エッチング(例えば硝酸)→水洗→電解メッキによる成膜→水洗→乾燥
本発明によるR−T−B系希土類焼結磁石に保護膜を形成することにより、耐食性は一段と向上する。
31wt%Nd−0.2wt%Al−0.5wt%Co−0.07wt%Cu−1.0wt%B−残部Feからなる合金をストリップキャスト法により作製した。得られたストリップキャスト合金に室温で水素を吸蔵させた後に、500℃の温度下で脱水素する水素吸蔵・脱水素処理を行った。
その後、スタンプミルによる粗粉砕、ジェットミルにより微粉砕を行って平均粒径4.0μmの粒径の微粉末を得た。なお、ジェットミルによる微粉砕を行う際に、オレイン酸アミドを0.1wt%添加した。
次いでこの微粉末を、15kOeの磁場を印加しつつ1.5ton/cm2の圧力で磁場中成形した。得られた成形体を1050℃で4時間保持することにより焼結した。なお、焼結は成形体を箱状の容器内に配置して、かつ容器の内部にオレイン酸アミドを置いた場合と置かない場合で行った。また、容器の内部にオレイン酸アミドを置いた場合でも、オレイン酸アミドの量を変えて焼結を行った。さらに、特許文献1にしたがって5重量%の炭素粉末を懸濁したブチルアルコール溶液中に室温で焼結前の成形体を浸漬したのちに焼結を行った。
得られた焼結体の表面に形成されている炭素化合物のXRDによる同定及びEPMAにより炭素化合物が焼結体表面を被覆している面積率を求めた。XRD及びEPMAの測定条件は以下の通りである。
XRD:X線回折はCu管球を用い、3kWの出力にて測定を行った。
EPMA:島津製作所製EPMA1600を用い、測定条件を以下の通りとした。
分光結晶:Fe,Nd:LiF、C:LS12L、O:LS7A
加速電圧:15kV
照射電流:0.12μA
照射時間:50ms
測定点:200×200ポイント
範囲:100μm×100μm
また、得られた焼結体の抗折強度の測定、耐食性試験、残留磁束密度(Br)及び保磁力(HcJ)の測定を行った。その結果を表1に示す。なお、耐食性試験は、温度80℃、湿度20%の環境下に24時間放置した後の錆の面積率で評価した。残留磁束密度(Br)及び保磁力(HcJ)の測定は、B−Hトレーサーを用いて行った。
抗折強度の測定は、日本工業規格JIS R 1601に準じて行った。すなわち、図4に示すように、焼結体1を丸棒状の2本の支持具2a,2bの上に載置するとともに、焼結体1の長手方向中央位置に丸棒状の支持具2cを配置して荷重(抗折圧)を加えて抗折強度を測定した。抗折圧を加える方向は、配向方向とした。なお、焼結体1のサイズは、40mm×10mm×5mmとした。
Figure 0004305922
表1に示すように、炭素化合物層が形成されていない試料No.1は耐食性試験の結果が著しく劣り、耐食性の問題を有することが確認された。
これに対して、焼結体表面にRC0.4が形成されている試料No.2〜6は、試料No.1よりも抗折強度が向上するとともに、耐食性も改善されていることがわかる。RC0.4が形成されている試料No.2〜6の中では、炭素化合物(RC0.4)層の面積率が60%である試料No.4が最も抗折強度が高く、かつ耐食性も問題ないことから、炭素化合物(RC0.4)層の面積率は30〜80%、さらには50〜70%の範囲とすることが望ましい。なお、このように部分的な被覆によっても優れた耐食性を示すのは、腐食の起点となる粒界相上に優先的に炭素化合物(RC0.4)層が形成されたためと解される。
図1は試料No.4、6及び7について行ったXRDによる観察結果を示すチャートである。焼結体表面に占める炭素化合物(RC0.4)層の面積率が60%の試料No.4は焼結体の主相であるR2Fe14B相とRC0.4相が観察されている。一方、焼結体表面の全面に炭素化合物(RC0.4)層が形成されている試料No.6では、炭素化合物(RC0.4)層の他にR2Fe14B相は観察できない。また、焼結体表面の全面に炭素化合物(R23,RC0.4)層が形成されている試料No.7(特許文献1に従って作製した試料)も、炭素化合物(R23,RC0.4)を確認できるがR2Fe14B相を観察することができなかった。
試料No.4及び7の焼結体について、その断面をEPMAによる観察を行った。その結果を図2及び図3に示す。図2に示すように、試料No.4は、表面近傍に炭素(C)の濃度が高い部分があるが、焼結体の全面を被覆しておらず、部分的な被覆にとどまっていることがわかる。これに対して、図3に示すように、試料No.7は表面の全域に炭素(C)の濃度の高い層が形成されていることがわかる。しかも、試料No.7の場合、表面の酸素(O)濃度も高くなっており、このような酸素濃度の高い層が、試料No.4よりも抗折強度が劣る原因と推察される。
試料No.4、6及び7について行ったXRDによる観察結果を示すチャートである。 試料No.4による焼結体の断面をEPMAで観察した結果を示す図である。 試料No.7による焼結体の断面をEPMAで観察した結果を示す図である。 本実施の形態における、抗折強度の測定方法を示す図である。
符号の説明
1…焼結体、2a,2b,2c…支持具

Claims (8)

  1. 14B相(Rは希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相と、前記主相よりRを多く含む粒界相とを含む焼結体からなり、
    前記焼結体の表面にRC 0.4 から構成される炭素化合物層が被覆されており、前記炭素化合物層が前記焼結体の表面を被覆している面積率が20〜80%であることを特徴とする希土類焼結磁石。
  2. 前記粒界相上に前記炭素化合物層が被覆されていることを特徴とする請求項1に記載の希土類焼結磁石。
  3. 前記焼結体は、R:25〜37wt%、B:0.5〜4.5wt%、Al及び/又はCu:0.02〜0.5wt%以下、Co:2wt%以下(0を含まず)、残部実質的にFeからなる組成を有することを特徴とする請求項1または2に記載の希土類焼結磁石。
  4. 前記焼結体の抗折強度が250MPa以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の希土類焼結磁石。
  5. 前記炭素化合物層が前記焼結体の表面を被覆している面積率が50〜70%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の希土類焼結磁石。
  6. 前記焼結体の抗折強度が270MPa以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の希土類焼結磁石。
  7. 214B相(Rは希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相と、前記主相よりRを多く含む粒界相とを含む焼結体からなる希土類焼結磁石の機械的強度及び耐食性を改善する方法であって、
    所定組成の合金粉末を磁場中で成形して成形体を作製し、
    炭素含有組成物を、前記成形体を焼結する雰囲気中に配置した状態で、前記成形体を焼結し焼結体とすることを特徴とする希土類焼結磁石の機械的強度及び耐食性の改善方法であって、
    前記焼結により、前記炭素含有組成物はRC 0.4 となり、RC 0.4 が前記焼結体の表面を被覆している面積率が20〜80%であることを特徴とする希土類焼結磁石の機械的強度及び耐食性の改善方法。
  8. 前記成形体を焼結する雰囲気中に配置する炭素含有組成物は、オレイン酸アミドであることを特徴とする請求項7に記載の希土類焼結磁石の機械的強度及び耐食性の改善方法。
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