JP4296398B2 - メモリ装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
"IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL.35, NO.5, MAY 2002, A 3.3-V, 4-Mb Nonvolatile Ferroelectric RAM with Selectively Driven Double-Pulsed Plate Read/Write-Back Scheme"
Claims (6)
- 複数のワード線と、
一端及び他端を有する第1から第4のビット線と、
一方の電極が前記第1のビット線の前記一端と前記他端との間に電気的に接続されるとともに他方の電極が前記複数のワード線のいずれかに電気的に接続され、所定のデータを保持する第1のキャパシタと、
一方の電極が前記第2のビット線の前記一端と前記他端との間に電気的に接続されるとともに他方の電極が前記複数のワード線のいずれかに電気的に接続され、所定のデータを保持する第2のキャパシタと、
一方の電極が前記第3のビット線の前記一端と前記他端との間に電気的に接続されるとともに他方の電極が前記複数のワード線のいずれかに電気的に接続され、所定のデータを保持する第1のダミーキャパシタと、
一方の電極が前記第4のビット線の前記一端と前記他端との間に電気的に接続されるとともに他方の電極が前記複数のワード線のいずれかに電気的に接続され、所定のデータを保持する第2のダミーキャパシタと、
前記第1のビット線の電位を示す第1の検出信号を生成する第1の電位検出部と、
前記第2のビット線の電位を示す第2の検出信号を生成する第2の電位検出部と、
前記第3のビット線の前記一端に電気的に接続され、前記第3のビット線の電位を示す第3の検出信号を生成する第3の電位検出部と、
前記第4のビット線の前記一端に電気的に接続され、前記第4のビット線の電位を示す第4の検出信号を生成する第4の電位検出部と、
前記第1のキャパシタ又は前記第2のキャパシタに保持された前記所定のデータを判別するデータ判別部と、
を備え、
前記第1の電位検出部は、前記第1のビット線から前記第1のキャパシタに流れる電流値に基づいて、前記第1の検出信号を生成し、
前記第2の電位検出部は、前記第2のビット線から前記第2のキャパシタに流れる電流値に基づいて、前記第2の検出信号を生成し、
前記データ判別部は、
前記第3の電位検出部が前記第3のビット線から前記第1のダミーキャパシタに流れる電流値に基づいて生成した前記第3の検出信号と、前記第1の検出信号とに基づいて、前記第1のキャパシタに保持された前記所定のデータを判別し、
前記第4の電位検出部が前記第4のビット線から前記第2のダミーキャパシタに流れる電流値に基づいて生成した前記第4の検出信号と、前記第2の検出信号とに基づいて、前記第2のキャパシタに保持された前記所定のデータを判別し、
さらに、
前記第1の電位検出部は、ゲートが前記第1のビット線に電気的に接続された第1のトランジスタを有しており、当該第1のトランジスタのソースとドレインとの間を流れる電流に基づいて前記第1の検出信号を生成し、
前記第2の電位検出部は、ゲートが前記第2のビット線に電気的に接続された第2のトランジスタを有しており、当該第2のトランジスタのソースとドレインとの間を流れる電流に基づいて前記第2の検出信号を生成し、
前記第3の電位検出部は、ゲートが前記第3のビット線に電気的に接続され、ソース又はドレインが前記第1のトランジスタの前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続された第3のトランジスタを有しており、当該第3のトランジスタのソースとドレインとの間を流れる電流に基づいて前記第3の検出信号を生成し、
前記第4の電位検出部は、ゲートが前記第4のビット線に電気的に接続され、ソース又はドレインが前記第2のトランジスタの前記ソース又は前記ドレインに電気的に接続された第4のトランジスタを有しており、当該第4のトランジスタのソースとドレインとの間を流れる電流に基づいて前記第4の検出信号を生成し、
前記データ判別部は、
前記第1のトランジスタの前記ドレイン又は前記ソースの電位に基づいて、前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタの前記ドレイン又は前記ソースに所定の電流を供給し、前記第2のトランジスタの前記ドレイン又は前記ソースの電位に基づいて、前記第2のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの前記ドレイン又は前記ソースに所定の電流を供給する第1の定電流生成部を有する
ことを特徴とするメモリ装置。 - 前記第1のビット線と前記第3のビット線は、前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタを挟んで対向して配置され、
前記第2のビット線と前記第4のビット線は、前記第2のトランジスタ及び前記第4のトランジスタを挟んで対向して配置された
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、前記第3のトランジスタ、及び前記第4のトランジスタは、同一の導電性を示す
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 一方の電極が前記第3のビット線の前記一端と前記他端との間に電気的に接続されるとともに他方の電極が前記複数のワード線のいずれかに電気的に接続され、所定のデータを保持する第3のキャパシタと、
一方の電極が前記第4のビット線の前記一端と前記他端との間に電気的に接続されるとともに他方の電極が前記複数のワード線のいずれかに電気的に接続され、所定のデータを保持する第4のキャパシタと、
一方の電極が前記第1のビット線の前記一端と前記他端との間に電気的に接続されるとともに他方の電極が前記複数のワード線のいずれかに電気的に接続され、所定のデータを保持する第3のダミーキャパシタと、
一方の電極が前記第2のビット線の前記一端と前記他端との間に電気的に接続されるとともに他方の電極が前記複数のワード線のいずれかに電気的に接続され、所定のデータを保持する第4のダミーキャパシタと、
をさらに備え、
前記第3の電位検出部は、前記第3のビット線から前記第3のキャパシタに流れる電流値に基づいて、前記第3の検出信号を生成し、
前記第4の電位検出部は、前記第4のビット線から前記第4のキャパシタに流れる電流値に基づいて、前記第4の検出信号を生成し、
前記データ判別部は、
前記第1の電位検出部が前記第1のビット線から前記第3のダミーキャパシタに流れる電流値に基づいて生成した前記第1の検出信号と、前記第3の検出信号とに基づいて、前記第3のキャパシタに保持された前記所定のデータを判別し、
前記第2の電位検出部が前記第2のビット線から前記第4のダミーキャパシタに流れる電流値に基づいて生成した前記第2の検出信号と、前記第4の検出信号とに基づいて、前記第4のキャパシタに保持された前記所定のデータを判別する
ことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 前記データ判別部は、
前記第3のトランジスタの前記ドレイン又は前記ソースの電位に基づいて、前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタの前記ドレイン又は前記ソースに所定の電流を供給し、前記第4のトランジスタの前記ドレイン又は前記ソースの電位に基づいて、前記第2のトランジスタ及び前記第4のトランジスタの前記ドレイン又は前記ソースに所定の電流を供給する第2の定電流生成部と、
前記第1の電位検出部及び前記第2の電位検出部、並びに前記第3の電位検出部及び前記第4の電位検出部を、前記第1の定電流生成部及び前記第2の定電流生成部のいずれに電気的に接続するかを切り換える切換部と、
をさらに有する
ことを特徴とする請求項4に記載のメモリ装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載のメモリ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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JP2003310558A JP4296398B2 (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | メモリ装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003310558A JP4296398B2 (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | メモリ装置及び電子機器 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005078755A JP2005078755A (ja) | 2005-03-24 |
JP4296398B2 true JP4296398B2 (ja) | 2009-07-15 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2003310558A Expired - Fee Related JP4296398B2 (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | メモリ装置及び電子機器 |
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JP (1) | JP4296398B2 (ja) |
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2003
- 2003-09-02 JP JP2003310558A patent/JP4296398B2/ja not_active Expired - Fee Related
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