JP4273278B2 - 非同期センシング差動論理回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、非同期センシング差動論理(Asynchronous Sensing Differential Logic)回路に係るもので、詳しくは、チャージリサイクリング技法(Charge-Recycling technique)を利用する非同期センシング差動論理回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体回路を設計する際、非同期(Asynchronous)システムの設計技法においては、グローバルクロック信号(global clock signal)を使用しないのでクロックスキュー(clock skew)問題及びクロック分配費用(clock distribution cost)が無く、イベント(event)があるときだけ信号遷移(signal transition)を発生するので電力の消耗を低減させ、最悪の遅延(worst-case delay)を行わずに平均的遅延(average delay)を行って処理時間(processing time)を決定するので待ち時間(latency)を短縮し得るメリットがある。
【0003】
このような非同期システムを具現化するためには、ローカル機能部(local function block)間の円滑な通信が必要となり、そのために、2相ハンドシェーキングプロトコル(2-phase handshaking protocol)又は4相ハンドシェーキングプロトコル(4-phase handshaking protocol)を利用する。特に、4相ハンドシェーキングプロトコルが、回路具現化の容易性のため、主に利用されている。
【0004】
このような従来の非同期システムとしての非同期パイプライン(Asynchronous pipeline)システムは、図11に示したように、各論理動作を行うための機能部102と、該機能部102の動作終了を検出する終了検出器103と、前記機能部102のハンドシェーキング(handshaking)動作を制御する制御部101と、前記機能部102の動作に従うデータを出力するラッチ部104と、を備えて構成されていた。
【0005】
前記機能部102としては、図12に示したように、前段からの終了検出(completion detection)が容易な差動ロジック群(differential logic family)である差動カスコード電圧スイッチロジック(Differential Cascode Voltage Switch logic;以下、DCVSと称す)回路が主に使用され、より詳細に説明すると次のようであった。
【0006】
前記DCVS回路は、図12に示したように、ソースに電源電圧Vddが印加される2つのPMOSトランジスタPM1,PM2のゲートにクロック信号CKを印加し、ソースに接地電圧Vssが印加されたNMOSトランジスタNM1のゲートにクロック信号CKを印加し、前記各PMOSトランジスタPM1,PM2のドレインを、入力データによってオン/オフされるカスコードロジック回路102−1を介して前記NMOSトランジスタNM1のドレインに接続し、前記PMOSトランジスタPM1,PM2の各ドレインとカスコードロジック回路102−1の出力端子との接続点を各インバータX1,X2の入力端子にそれぞれ接続して、それらインバータX1,X2から各出力信号OUT,/OUTがそれぞれ出力されるように構成されていた。
【0007】
前記制御部101は、ハンドシェーキング制御のために遅延鈍感(Delay-Insensitive)特性を有するミュラーC素子(Muller C-element)を利用して具現化される。詳しくは、制御部101は、両入力値、即ち、前段からの要求信号REQINと次段からの要求信号REQOUTとが同じであるときには、出力値であるクロック信号CKと入力値である要求信号REQIN,REQOUTとが異なり、両入力値が異なるときには、出力値であるクロック信号CKが以前の値を維持する動作を行うように構成されていた。
【0008】
前記ラッチ部104は、伝統的フローラッチタイプ(Traditional Flow-Latch type)又はミュラーC素子を使用することができるが、フローラッチタイプの場合は遅延鈍感特性を有しないため、ミュラーC素子が主に使われる。
【0009】
このような前記ラッチ部104は、図13に示したように、ソースに電源電圧Vddが印加されるPMOSトランジスタPM22のゲート及びソースに接地電圧Vssが印加されるNMOSトランジスタNM22のゲートに、次段からの承認信号ACKINが印加され、前記PMOSトランジスタPM22のドレインにソースが接続されたPMOSトランジスタPM21のゲート及び前記NMOSトランジスタNM22のドレインにソースが接続されたNMOSトランジスタNM21のゲートに、データDin(即ち、機能部102からの出力信号OUT又は/OUT)が印加されるデータ入力回路と、前記PMOSトランジスタPM21とNMOSトランジスタNM21との接続点から出力される信号をラッチしてデータDATAOUTを出力するように2つのインバータX4,X5が相互反対方向に並列接続されたラッチ回路104−1と、から構成されていた。
【0010】
前記終了検出器103は、前記機能部102の各出力信号OUT、/OUTを論理演算し、動作終了信号として、要求信号REQOUT(次段の制御部101に入力する要求信号REQINに相当する)及び承認信号ACKOUT(前段の制御部101及びラッチ部104に入力する承認信号ACKINに相当する)を発生させるように、主にNANDゲート又はNORゲートにより構成されていた。
【0011】
以下、このように構成された従来の非同期システムとしての非同期パイプラインの動作を説明する。
先ず、次段からの要求信号REQOUTがローであるとき、前段からの要求信号REQINがローとなると、制御部101から出力されるクロック信号CKはハイとなり、機能部102は評価段階(evaluation phase)に突入して各出力信号OUT、/OUTを評価し、終了検出器103はそれら出力信号OUT、/OUTを論理演算して、ハイレベルの出力値、即ち、承認信号ACKOUTを発生させる。該出力値は、前段のための承認信号ACKINとして伝送される。
【0012】
次いで、前段からの要求信号REQINがハイになると、前記制御部101から出力されるクロック信号CKは以前の出力状態を維持するが、次段からの要求信号REQOUTがハイになると、前記制御部101から出力されるクロック信号CKがローになるので、前記機能部102は再びプリチャージ段階に突入する。よって、前記終了検出器103の出力値である承認信号ACKOUTがローになる。
【0013】
このような動作が反復されて、前記機能部102の論理演算動作が行われる。以下、前記機能部102を、図12に示したようなDCVS回路で構成した場合の動作を説明する。
【0014】
先ず、図12に示したDCVS回路で構成された機能部102は、クロック信号CKがローであると、各PMOSトランジスタPM1,PM2がターンオンされて、内部出力端子である各インバータX1,X2の入力端子はハイレベルにプリチャージされ、ハイレベルの信号を受けた各インバータX1,X2は、出力信号OUT、/OUTをそれぞれローに放電させる。
【0015】
次いで、前記クロック信号CKがローからハイに遷移すると、NMOSトランジスタNM1がターンオンされ、カスコードロジック回路102−1が動作状態になる。
【0016】
このとき、前記カスコードロジック回路102−1は、入力データDATAINによって前記各インバータX1,X2の入力端子の何れか1つをローに放電する。例えば、インバータX1の入力端子が放電されると仮定すると、該インバータX1から出力される出力信号OUTがハイになり、入力端子がハイ状態に充填されているインバータX2から出力される出力信号/OUTはロー状態を維持する。
【0017】
次いで、前記クロック信号CKがハイからローに遷移されると、再びプリチャージ状態になる。
このような動作が反復されて、データ演算が行われる。
【0018】
図12のように構成された機能部102から各出力信号OUT、/OUTが出力されると、図13に示したように、出力信号OUT、/OUTはPMOSトランジスタPM21,PM22、NMOSトランジスタNM21,NM22及びラッチ回路104−1からなるラッチ部104を経由して、次段に伝送される。
【0019】
ここで、前記機能部102からの出力信号OUTのみについて説明する。
ラッチ部104では、次段からの承認信号ACKINがローであり、機能部102からの出力信号OUTがローであるとき、各PMOSトランジスタPM21,PM22だけがターンオンされて、ラッチ回路104−1に電源電圧Vddが印加されるため、該ラッチ回路104−1はローのデータDATAOUTを出力する。
【0020】
反対に、前記承認信号ACKINがハイであり、前記機能部102の出力信号OUTがハイであるとき、各NMOSトランジスタNM21,NM22がターンオンされて、前記ラッチ回路104−1の入力端子を接地させるため、該ラッチ回路104−1はハイのデータDATAOUTを出力する。
【0021】
前記承認信号ACKINがローであるときに前記機能部102の出力信号OUTがハイであるか、又は、前記承認信号ACKINがハイであるときに前記機能部102の出力信号OUTがローであると、両信号レベルが同等になるまで、前記ラッチ回路104−1は以前の出力レベルを維持する。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このような従来の非同期パイプライン回路においては、理論的には低電力で高速な動作が可能であるが、実際には、ハンドシェーキングプロトコルに必要な付加制御回路(control circuit overhead)及びDCVS回路の電力消耗量が多いため、同期パイプライン回路に比べてそれ程性能の向上を期待し得ないという不都合な点があった。
【0023】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、非同期パイプライン回路であって、電力消耗量を低減し得る非同期センシング差動論理回路を提供することを目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記のような目的を達成するため、本発明の請求項1に係る非同期センシング差動論理回路は、ハンドシェーキング動作を行うための前段からの要求信号と次段への要求信号とに応じて、前記ハンドシェーキング動作を制御する制御信号を出力する制御部と、該制御部からの制御信号によりハンドシェーキング動作を行い、前段からの入力データを論理演算して出力すると共に、該出力データのラッチ動作を制御するためのラッチ制御信号及び前段への承認信号を出力する機能部と、次段からの承認信号及び前記機能部からのラッチ制御信号により、前記機能部からのデータをラッチして出力すると共に、前記次段への要求信号を出力するラッチ部と、を包含して構成される。
【0025】
請求項2に記載の発明では、前記機能部は、第1,第2出力ノードと、前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号を反転して反転イネーブル信号を出力する第1インバータと、前記反転イネーブル信号を反転して、前記ラッチ制御信号としての第1出力イネーブル信号を出力する第2インバータと、ソースに電源電圧が印加され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1PMOSトランジスタと、ソースに電源電圧が印加され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2PMOSトランジスタと、前記第1インバータから出力された反転イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1NMOSトランジスタと、前記第1インバータから出力された反転イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2NMOSトランジスタと、ソース及びドレインが前記第1,第2NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、ゲートに前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号が入力される第3PMOSトランジスタと、前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、前記第1入力イネーブル信号により前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第3NMOSトランジスタと、を包含して構成される。
【0026】
請求項3に記載の発明では、前記機能部は、第1,第2出力ノードと、前記制御部から出力された制御信号としての第1入力クロック信号を反転して第2出力クロック信号を出力する第1インバータと、前記制御部から出力された制御信号としての第2入力クロック信号を反転して前記ラッチ制御信号としての第1出力クロック信号を出力する第2インバータと、前記第2出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1PMOSトランジスタと、前記第2出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2PMOSトランジスタと、前記第1出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1NMOSトランジスタと、前記第1出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2NMOSトランジスタと、ソース及びドレインが前記第1,第2NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、前記第1出力クロック信号がゲートに入力される第3NMOSトランジスタと、前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号により、前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第4NMOSトランジスタと、を包含して構成される。
【0027】
請求項4に記載の発明では、前記機能部は、第1,第2出力ノードと、ソースに電源電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号が入力される第1PMOSトランジスタと、ドレインは第1PMOSトランジスタのドレインに連結され、ソースに接地電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第1入力クロック信号が入力される第1NMOSトランジスタと、を備え、第1入力クロック信号を反転して第2出力クロック信号を出力する第1インバータと、ソースに電源電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第2入力クロック信号が入力される第2PMOSトランジスタと、ドレインは前記第2PMOSトランジスタのドレインに連結され、ソースに接地電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第2入力イネーブル信号が入力される第2NMOSトランジスタと、を備え、前記第2入力クロック信号を反転して前記ラッチ制御信号としての第1出力クロック信号を出力する第2インバータと、前記第2出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第3PMOSトランジスタと、前記第2出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第4PMOSトランジスタと、前記第1出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第3NMOSトランジスタと、前記第1出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第4NMOSトランジスタと、ソース及びドレインが前記第3,第4NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、前記第1出力クロック信号がゲートに入力される第5NMOSトランジスタと、ソースに電源電圧が印加され、ドレインは、第1,第2出力イネーブル信号の出力端子に連結され、前記第2出力クロック信号がゲートに入力される第5PMOSトランジスタと、ドレインは前記第5PMOSトランジスタのドレイン及び前記第1,第2出力イネーブル信号の出力端子に連結され、ソースは前記第1,第2出力ノードにそれぞれ連結され、ゲートは前記第2,第1出力ノードにそれぞれ連結される第6,第7NMOSトランジスタと、を備えて構成されたイネーブル信号発生部と、前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号により、前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第8NMOSトランジスタと、を包含して構成される。
【0028】
請求項5に記載の発明では、前記機能部は、第1,第2出力ノードと、前記制御部から出力された制御信号としての第2入力イネーブル信号を反転して、前記ラッチ制御信号としての第1出力イネーブル信号を出力する第1インバータと、前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号を反転して第2出力イネーブル信号を出力する第2インバータと、前記第1出力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1PMOSトランジスタと、前記第1出力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2PMOSトランジスタと、前記第2出力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1NMOSトランジスタと、前記第2出力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2NMOSトランジスタと、ソース及びドレインが前記第1,第2NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、ゲートに前記制御部から出力された第2入力イネーブル信号が入力される第3NMOSトランジスタと、前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号により、前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第4NMOSトランジスタと、を包含して構成される。
【0029】
請求項6に記載の発明では、前記機能部は、第1,第2出力ノードと、ソースに電源電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号が入力される第1PMOSトランジスタと、ドレインは前記第1PMOSトランジスタのドレインに連結されて前記反転入力イネーブル信号を出力し、ソースに接地電圧が印加され、ゲートには前段の動作終了信号が印加される第1NMOSトランジスタと、を備え、第1入力イネーブル信号を反転して、前記ラッチ制御信号としての第1出力イネーブル信号を出力する第1インバータと、電源電圧がソースに印加され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第2PMOSトランジスタと、電源電圧がソースに印加され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第3PMOSトランジスタと、前記反転入力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第2NMOSトランジスタと、前記反転入力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第3NMOSトランジスタと、ソース及びドレインが前記第2,第3NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、ゲートに前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号が入力される第4PMOSトランジスタと、ソースに接地電圧が印加され、ドレインは動作終了信号の出力端子に連結され、ゲートに前記反転入力イネーブル信号が入力される第4NMOSトランジスタと、ドレインは前記第4NMOSトランジスタのドレインに共通連結されて前記動作終了信号の出力端子に接続され、ソースは前記第1,第2出力ノードにそれぞれ連結され、ゲートは前記第2,第1出力ノードに連結される第5,第6PMOSトランジスタと、を備えて構成された動作終了信号発生部と、前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号により、前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第5NMOSトランジスタと、を包含して構成される。
【0030】
請求項7に記載の発明では、前記カスコードロジック回路は、可変入力データにより第1,第2出力ノードにデータを伝送するパストランジスタロジック回路で置換して構成される。
【0031】
請求項8に記載の発明では、前記ラッチ部は、電源電圧と接地電圧間に第1,第2PMOSトランジスタ及び第1〜第3NMOSトランジスタが順次直列接続され、前記第1PMOSトランジスタ及び第3NMOSトランジスタのゲートには前記承認信号が印加され、前記第2PMOSトランジスタ及び第1NMOSトランジスタのゲートには前記ラッチ制御信号が印加され、前記第2NMOSトランジスタのゲートには前記機能部からの出力データが印加されるデータ入力回路と、該データ入力回路の第2PMOSトランジスタと第1NMOSトランジスタとの接続点に入力端子が接続されて、前記データ入力回路からの出力信号をラッチするラッチ回路と、前記第2PMOSトランジスタ及び第1NMOSトランジスタのゲートに入力される制御信号を遅延させて次段のための要求信号を発生する遅延部と、を包含して構成される。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に対し、図面を用いて説明する。
本実施形態に係る非同期センシング差動論理回路は、図1に示したように、機能部202でハンドシェーキング動作を行うための前段からの要求信号REQIN及びラッチ部203からの要求信号REQOUTを入力して演算し、機能部202のハンドシェーキング動作を制御するための制御信号として第1入力イネーブル信号Eiを発生させる制御部201と、制御部201からの第1入力イネーブル信号Eiに応じてハンドシェーキング動作を行い、前段からの入力データDATAINを論理演算して出力信号OUT、/OUTを出力すると共に、ラッチ部203による出力信号OUT,/OUTのラッチ動作を制御するためのラッチ制御信号としての第1出力イネーブル信号Eo及び前段への承認信号ACKOUT(前段の承認信号ACKINに相当する)を出力する機能部202と、次段からの承認信号ACKIN及び前記機能部202からの第1出力イネーブル信号Eoにより、前記機能部202からの出力信号OUT、/OUTをラッチした後、データDATAOUTとして出力すると同時に、次段のための要求信号REQOUT(次段の要求信号REQINに相当する)を出力するラッチ部203と、を備えて構成されている。
【0033】
前記制御部201はミュラーC素子により構成されている。
前記機能部202は、非同期チャージリサイクリング差動論理(Asynchronous Charge-Recycling Differential Logic)回路であって、次のように、多様な形態で構成して使用できる。
【0034】
前記機能部202の第1実施形態は、図2に示したように、第1入力イネーブル信号Eiを反転するインバータX93と、該インバータX93からの反転入力イネーブル信号Ei’を反転して第1出力イネーブル信号Eoを出力するインバータX94と、電源電圧Vddと前記インバータX93の反転入力イネーブル信号Ei’間にクロスカップルド(cross-coupled)されて、第1,第2出力ノードである各出力端子Qb、Qからの出力信号OUT、/OUTをそれぞれラッチする各インバータX91,X92と、前記各出力端子Q、Qb間に接続され、前記第1入力イネーブル信号Eiがローであるときに前記各出力端子Q、Qbの電圧レベルを等化させるPMOSトランジスタPM93と、入力データDATAINに従って前記各出力端子Q、Qb間の電圧レベル差を発生するカスコードロジック回路202−5と、前記第1入力イネーブル信号Eiがハイであるときに前記カスコードロジック回路202−5に接地電圧Vssを印加するNMOSトランジスタNM93と、を備えて構成されている。
【0035】
ここで、前記インバータX91、X92は、PMOSトランジスタPM91とNMOSトランジスタNM91、PMOSトランジスタPM92とNMOSトランジスタNM92が、電源電圧Vddと反転入力イネーブル信号Ei’の端子間に、それぞれ直列接続されて構成されている。
【0036】
尚、第1入力イネーブル信号Eiと第2入力イネーブル信号Eibは、位相が相反する信号である。
前記機能部202の第2実施形態は、図5に示したように、クロック信号CKiを反転してクロック信号CKbを出力するインバータX53と、クロック信号CKibを反転してクロック信号CKを出力するインバータX54と、それらインバータX53,X54の各クロック信号CKb、CK間にクロスカップルドされて、各出力端子Q、QbをそれぞれラッチするインバータX51,X52と、前記各出力端子Q、Qb間に接続されて前記インバータX54からの非反転クロック信号CKがハイであるとき、前記各出力端子Q、Qbを等化させるNMOSトランジスタNM53と、入力データDATAINにより前記各出力端子Q、Qb間の電圧差を発生するカスコードロジック回路202−1と、前記制御部201のイネーブル信号Eiがハイであるとき、前記カスコードロジック回路202−1を接地電圧Vssに連結するNMOSトランジスタNM54と、を備えて構成されている。
【0037】
前記各インバータX51,X52は、PMOSトランジスタPM51とNMOSトランジスタNM51、PMOSトランジスタPM52とNMOSトランジスタNM52が、第2出力クロック信号CKbの端子と第1クロック信号CKの端子間に、それぞれ直列接続されて構成されている。
【0038】
機能部202の第2実施形態は、機能部202のハンドシェーキング動作を制御するための制御信号として第1、第2入力クロック信号CKi,CKibを入力し、ラッチ部203の動作を制御するラッチ制御信号として第1出力クロック信号CKを出力するものである。尚、第1入力クロック信号CKiと第2入力クロック信号CKib、及び第1出力クロック信号CKと第2出力クロック信号CKbは、それぞれ位相が相反する信号である。
【0039】
前記機能部202の第3実施形態は、図6に示したように、第1入力イネーブル信号Ei及び第1入力クロック信号CKiが印加されて、第2出力クロック信号CKbを出力するように電源電圧Vddと接地電圧Vss間に直列接続されたPMOSトランジスタPM64及びNMOSトランジスタNM64から成るインバータX64と、第2入力クロック信号CKib及び第2入力イネーブル信号Eibが印加されて、第1出力クロック信号CKを出力するように電源電圧Vddと接地電圧Vss間に直列接続されたPMOSトランジスタPM65及びNMOSトランジスタNM65から成るインバータX65と、前記第1、第2出力クロック信号CK、CKb間にクロスカップルドされて、各出力端子Qb、Qからの出力信号OUT、/OUTをそれぞれラッチするインバータX61,X62と、各出力端子Q、Qb間に接続されて、インバータX65からの第1出力クロック信号CKがハイであるときに前記各出力端子Q、Qbの電圧レベルを一致させるNMOSトランジスタNM63と、電源電圧Vddと各出力端子Q、Qb間に接続され、第2出力クロック信号CKb及び各出力端子Q、Qbの出力信号/OUT、OUTが印加されて第2出力イネーブル信号Eobを出力するイネーブル信号発生部202−3と、前記第2出力イネーブル信号Eobを反転して第1出力イネーブル信号Eoを出力するインバータX63と、入力データDATAINに従って前記各出力端子Q、Qb間の電圧差を発生するカスコードロジック回路202−2と、第2入力イネーブル信号Eibがハイであるときに前記カスコードロジック回路202−2に接地電圧Vssを印加するNMOSトランジスタNM68と、を備えて構成されている。
【0040】
前記イネーブル信号発生部202−3は、ソースに電源電圧Vddが印加されたPMOSトランジスタPM63のゲートに第1出力クロック信号CKbを印加し、ソースに出力信号OUTが印加されるNMOSトランジスタNM66のゲートに出力信号/OUTが印加され、ソースに出力信号/OUTが印加されるNMOSトランジスタNM67のゲートに出力信号OUTが印加され、前記各PMOSトランジスタPM63及びNMOSトランジスタNM66,NM67の各ドレインの共通接続点から第2出力イネーブル信号Eobが出力されるように構成されている。
【0041】
前記各インバータX61,X62は、PMOSトランジスタPM61とNMOSトランジスタNM61、PMOSトランジスタPM61とNMOSトランジスタNM61が、第2出力クロック信号CKbの端子と第1出力クロック信号CKの端子間に、それぞれ直列接続されて構成されている。
【0042】
機能部202の第3実施形態は、機能部202のハンドシェーキング動作を制御する制御信号として第1入力イネーブル信号Ei、第2入力イネーブル信号Eib、第1入力クロック信号CKi及び第2入力クロック信号CKibを入力し、ラッチ部203の動作を制御するラッチ制御信号として第1出力イネーブル信号Eoを出力するものである。
【0043】
前記機能部202の第4実施形態は、図7に示したように、第2入力イネーブル信号Eibを反転して第1出力イネーブル信号Eoを出力するインバータX83と、第1入力イネーブル信号Eiを反転して第2出力イネーブル信号Eobを出力するインバータX84と、それらインバータX83,X84の各出力端子からの第1、第2出力イネーブル信号Eo、Eob間にクロスカップルドされて、各出力端子Qb、Qからの出力信号OUT、/OUTをそれぞれラッチするインバータX81,X82と、前記各出力端子Q、Qb間に接続され、第2出力イネーブル信号Eibがハイであるときに出力端子Q、Qbの電圧レベルを等化させるNMOSトランジスタNM83と、入力データDATAINに従って各出力端子Q、Qb間の電圧差を発生するカスコードロジック回路202−4と、第1入力イネーブル信号Eiがハイであるときに前記カスコードロジック回路202−4に接地電圧Vssを印加するNMOSトランジスタNM84と、を備えて構成されている。
【0044】
前記各インバータX81,X82は、PMOSトランジスタPM81とNMOSトランジスタNM81、PMOSトランジスタPM82とNMOSトランジスタNM82が、第1出力イネーブル信号Eoの端子と第2出力イネーブル信号Eobの端子間にそれぞれ直列接続されて構成されている。
【0045】
機能部202の第4実施形態は、機能部202のハンドシェーキング動作を制御するための制御信号として第1、第2入力イネーブル信号Ei,Eibを入力し、ラッチ部203の動作を制御するラッチ制御信号として第1出力イネーブル信号Eoを出力するものである。尚、第1入力イネーブル信号Eiと第2入力イネーブル信号Eib、第1出力イネーブル信号Eoと第2出力イネーブル信号Eobは、それぞれ位相が相反する信号である。
【0046】
前記機能部202の第5実施形態は、図9に示したように、第1入力イネーブル信号Ei及び動作終了信号Dni(前段の動作終了信号Dnoに相当する)がそれぞれゲートに印加され、第1入力イネーブル信号Eiを反転した反転入力イネーブル信号Ei’を出力するように電源電圧Vddと接地電圧Vss間に直列接続されたPMOSトランジスタPM104及びNMOSトランジスタNM104と、前記反転入力イネーブル信号Ei’を反転して第1出力イネーブル信号Eoを出力するインバータX103と、電源電圧Vddと前記反転入力イネーブル信号Ei’間にクロスカップルドされて各出力端子Qb、Qの出力信号OUT、/OUTをそれぞれラッチする各インバータX101,X102と、前記各出力端子Q、Qb間に接続され、第1入力イネーブル信号Eiがローであるときに前記各出力端子Q、Qbの電圧レベルを等化させるPMOSトランジスタPM103と、接地電圧Vssと各出力端子Q、Qb間に接続され、前記反転入力イネーブル信号Ei’及び各出力端子Qb、Qの出力信号OUT、/OUTが印加されて動作終了信号Dnoを出力する動作信号発生部202−7と、入力データDATAINに従って前記各出力端子Q、Qbにデータを伝送するカスコードロジック回路202−6と、前記第1入力イネーブル信号Eiがハイであるときに前記カスコードロジック回路202−6に接地電圧Vssを印加させるNMOSトランジスタNM105と、を備えて構成されている。
【0047】
前記動作信号発生部202−7は、ソースが接地電圧Vssに連結されたNMOSトランジスタNM103のゲートに反転入力イネーブル信号Ei’を印加し、ソースに出力信号OUTが印加されたPMOSトランジスタPM105のゲートに出力信号/OUTを印加し、ソースに出力信号/OUTが印加されるPMOSトランジスタPM106のゲートに出力信号OUTを印加して、前記NMOSトランジスタNM103、PMOSトランジスタPM105及びPMOSトランジスタPM106の各ドレインの共通接続点から動作終了信号Dnoが出力されるように構成されている。
【0048】
前記各インバータX101,X102は、PMOSトランジスタPM101とNMOSトランジスタNM101、PMOSトランジスタPM102とNMOSトランジスタNM102が、電源電圧Vddと反転入力イネーブル信号Ei’の端子間に、それぞれ直列接続されて構成されている。
【0049】
機能部202の第5実施形態は、機能部202のハンドシェーキング動作を制御するための制御信号として第1入力イネーブル信号Ei及び動作終了信号Dniを入力し、ラッチ部203の動作を制御するラッチ制御信号として第1出力イネーブル信号Eoを出力するものである。
【0050】
前記ラッチ部203は、図4に示したように、ソースに電源電圧Vddが印加されるPMOSトランジスタPM72のゲートと、ソースに接地電圧Vssが印加されるNMOSトランジスタNM73のゲートとに承認信号ACKINが印加され、前記NMOSトランジスタNM73のドレインにソースが接続されたNMOSトランジスタNM72のゲートにデータDin(機能部202の出力信号OUT又は/OUT)が印加され、前記PMOSトランジスタPM72のドレインにソースが接続されたPMOSトランジスタPM71のゲートと、前記NMOSトランジスタNM72のドレインにソースが接続されるNMOSトランジスタNM71のゲートとに、前記機能部202からの第1出力イネーブル信号Eoが印加されるデータ入力回路203−3と、各インバータX72,X71が反転接続されて成るラッチ回路203−1と、前記機能部202の第1出力イネーブル信号Eoを遅延して、要求信号REQOUT(次段のための要求信号REQINに相当する)を発生させる遅延回路203−2と、を備えて構成され、前記データ入力回路203−3のPMOSトランジスタPM71及びNMOSトランジスタNM71の各ドレインの共通接続点が、ラッチ回路203−1の入力端子に接続され、該ラッチ回路203−1からデータDATAOUTが出力される。
【0051】
以下、このように構成された本実施形態に係る非同期センシング差動論理回路の動作を、機能部202として図2の第1実施形態を用いた場合について、図面を用いて説明する。
【0052】
先ず、図10(b)に示すように、制御部201に入力される要求信号REQOUTがローで、図10(a)に示すように、前段からの要求信号REQINがハイになると、図10(c)に示すように、制御部201からの第1入力イネーブル信号Eiがハイになる。よって、機能部202は評価段階に突入して出力値を評価すると共に、図10(d)に示すように、機能部202から第1出力イネーブル信号Eoがハイで発生される。このとき、前記第1出力イネーブル信号Eoは、承認信号ACKOUTとしても出力される。
【0053】
ラッチ部203は、ハイの第1出力イネーブル信号Eoにより、データ入力回路203−3に入力される前記機能部202のデータDin、即ち、出力信号OUT、/OUTをラッチ回路203−1でラッチした後、データDATAOUTとして出力すると共に、前記第1出力イネーブル信号Eoを遅延部203−2で所定時間遅延させて要求信号REQOUTとしてハイで発生して、ラッチ動作が終了したことを知らせる。
【0054】
具体的には、承認信号ACKIN及び第1出力イネーブル信号Eoがローのときには、ラッチ回路203−1にハイの信号が印加され、データDATAOUTはローで出力される。また、承認信号ACKIN及び第1出力イネーブル信号Eoがハイのときには、データDinがハイになると、ラッチ回路203−1にローの信号が印加されて、データDATAOUTはハイで出力される。
【0055】
一方、承認信号ACKINと第1出力イネーブル信号Eoの電圧レベルが異なる場合には、ラッチ回路203−1は以前の出力状態を維持する。
前記第1出力イネーブル信号Eoが印加された遅延回路203−2は、第1出力イネーブル信号Eoを所定時間遅延した後、次段のための要求信号REQOUTを出力する。
【0056】
次段のための要求信号REQOUTがハイになってから所定時間が経過すると、制御部201からの第1入力イネーブル信号Eiがローになり、機能部202は再びプリチャージ段階に突入する。
【0057】
よって、機能部202の各出力端子Q、Qbは、“Vdd/2”に等化され、所定時間が経過した後、第1出力イネーブル信号Eoがローで出力される。
本実施形態に係る非同期センシング差動論理回路においては、上述した動作を反復して、機能部202でデータ演算を行い、ラッチ部203で機能部202から出力されるデータDinをラッチした後、次段に伝送する。
【0058】
次に、前記機能部202の各実施形態の動作を、図面を用いて詳細に説明する。
先ず、機能部202の第1実施形態の動作を、図2に基づいて説明する。
【0059】
先ず、第1入力イネーブル信号Eiがローレベルであると等化位相になるので、各インバータX93、X94は前記ローの第1入力イネーブル信号Eiを順次反転して、ローの第1出力イネーブル信号Eoを出力する。
【0060】
このとき、前記インバータX93の出力信号である反転入力イネーブル信号Ei’がハイであるため、各出力端子Q、Qbに対してクロスカップルドされてプルアップ/プルダウン回路を構成する各インバータX91、X92はオフ状態になり、前記ローの第1入力イネーブル信号EiによりPMOSトランジスタPM93がターンオンされて、前記各出力端子Q、Qbの電圧レベルを“Vdd/2”にプリチャージさせる。
【0061】
各インバータX91,X92の各PMOSトランジスタPM91,PM92が電源電圧Vddに直接連結されているので、プリチャージレベルは図7の回路に比べてやや高い。
【0062】
次いで、第1入力イネーブル信号Eiがローからハイに遷移すると、評価段階になる。
このとき、前記ハイの第1入力イネーブル信号EiによりPMOSトランジスタPM93がターンオフされ、NMOSトランジスタNM93がターンオンされた状態で、カスコードロジック回路202−5は入力データDATAINを論理演算して、各出力端子Q、Qb間の電圧差を発生させる。
【0063】
ここで、前記出力端子Qbが接地されてローとなり、前記出力端子Qの電圧レベルをハイと仮定すると、インバータX91は、PMOSトランジスタPM91がターンオフされNMOSトランジスタNM91がターンオンされて、出力端子Qbの電圧レベルをローレベルにプルダウンさせ、インバータX92は、PMOSトランジスタPM92がターンオンされNMOSトランジスタNM92がターンオフされて、出力端子Qの電圧レベルをハイレベルにプルアップさせるので、前記各インバータX91、X92は前記各出力端子Q、Qb間の電圧差を高速に評価する。
【0064】
このような動作により、各出力端子Qb,Qの電圧レベル、即ち、出力信号OUT,/OUTは次段に伝送され、前記イネーブル信号Eoも次段のイネーブル信号Eiとして伝送される。
【0065】
次いで、第1入力イネーブル信号Eiがハイからローに遷移されて等化位相になると、各インバータX93、X94は前記ローの第1入力イネーブル信号Eiを順次反転させて、ローの第1出力イネーブル信号Eoを出力する。
【0066】
よって、前記第1出力イネーブル信号Eoがロー状態であるため、インバータX91、X92はオフ状態になり、ローの第1入力イネーブル信号EiによりNMOSトランジスタNM93がターンオンされて各出力端子Q、Qbが連結されるので、それら出力端子Q、Qbは“Vdd/2”程度にプリチャージされる。
【0067】
即ち、第1入力イネーブル信号Eiのレベルの遷移により、等化(equalize phase)段階及び感知/評価段階が反復的に転換されながら、入力データDATAINを次段に順次伝送するようになる。
【0068】
この場合、図3に示したように、図2に示した機能部202の回路と同様な複数の回路221〜225を用い、第1入力イネーブル信号Eiは所定時間遅延後、回路221,222に入力し、回路221の第1出力イネーブル信号Eoは遅延回路を経由して回路223,224,225に第1入力イネーブル信号Eiとして順次入力した後、第1出力イネーブル信号Eoとして出力すると共に、入力データDATAINは回路221〜225に順次入力するように接続して5ビットキャリチェーンを形成することにより、最終段の回路225から最終的な第1出力イネーブル信号Eo及びデータDinを得るようにすることもできる。
【0069】
次に、機能部202の第2実施形態の動作を、図5に基づいて説明する。
制御部201からの第1入力イネーブル信号Eiがロー状態で、第1入力クロック信号CKiがハイ、第2入力クロック信号CKibがローのときは、プリチャージ段階になるが、前記ハイの第1入力クロック信号CKiはインバータX53により反転されて、ローの第2出力クロック信号CKbとして出力され、前記ローの第2入力クロック信号CKibはインバータX54により反転されて、ハイの第1出力クロック信号CKとして出力される。
【0070】
前記第1、第2出力クロック信号CK、CKbがそれぞれハイ及びロー状態であるため、各出力端子Q、Qbに対しクロスカップルドされた各インバータX51,X52はオフ状態を維持し、前記ハイの第1出力クロック信号CKにより、等化トランジスタであるNMOSトランジスタNM53がオン状態になって、前記各出力端子Q、Qbの電圧レベルを“Vdd/2”にプリチャージさせる。
【0071】
この後、前記制御部201からの第1入力イネーブル信号Eiがハイになって、NMOSトランジスタNM54がターンオンされると、カスコードロジック回路202−1は入力データDATAINを論理演算して、各出力端子Q、Qb間の電圧差を発生させる。
【0072】
このとき、出力端子Qの出力信号/OUTがハイであると仮定すると、前記第1入力クロック信号CKiがハイからローに遷移され、前記第2入力クロック信号CKibがローからハイに遷移されて、評価段階となるため、前記インバータX53は前記ローの第1入力クロック信号CKiを反転してハイの第2出力クロック信号CKbを出力し、前記インバータX54は前記ハイの第2入力クロック信号CKibを反転してローの第2出力クロック信号CKを出力する。
【0073】
これにより、各インバータX51,X52がイネーブルされて、前記インバータX51は、PMOSトランジスタPM51がターンオフされNMOSトランジスタNM51がターンオンされて出力端子Qbをローにプルダウンさせ、前記インバータX52は、PMOSトランジスタPM52がターンオンされNMOSトランジスタNM52がターンオフされて、出力端子Qをハイにプルアップさせるので、各出力端子Qb、Qの出力信号OUT、/OUTを高速に評価する。
【0074】
このような動作により、前記各出力端子Qb、Qの出力信号OUT,/OUTは次段に伝送され、前記第1,第2出力クロック信号CK、CKbも次段の第1,第2入力クロック信号CKi、CKibとして伝送される。
【0075】
次いで、第1入力クロック信号CKiがローからハイに、第2入力クロック信号CKibがハイからローにそれぞれ遷移されると、再びプリチャージ段階になるので、前記ハイの第1入力クロック信号CKiは前記インバータX53により反転されて、ローの第2出力クロック信号CKbが出力され、前記ローの第2入力クロック信号CKibはインバータX54により反転されて、ハイの第1出力クロック信号CKが出力される。
【0076】
前記第1,第2出力クロック信号CK、CKbがそれぞれハイ及びロー状態であるため、各出力端子Q、Qbに対しクロスカップルドされた各インバータX51,X52はオフ状態になり、前記ハイの第1出力クロック信号CKによりNMOSトランジスタNM53がオン状態になって各出力端子Q、Qbが連結されるため、それら出力端子Q、Qbの電圧レベルは“Vdd/2”にプリチャージされる。
【0077】
即ち、前記第1,第2入力クロック信号CKi、CKibのレベルが遷移することにより、等化段階及び感知/評価段階が反復的に行われて、入力データが次段に順次伝送されるようになる。
【0078】
このような動作を行う機能部202の第2実施形態の構成は、1段階の遅延がそれ程大きくないときに有効である。
次に、機能部202の第3実施形態の動作を、図6に基づいて説明する。
【0079】
図6の回路の動作は、図5の回路の動作と類似するが、インバータX61,X62のイネーブル時点だけが異なる。
即ち、図6の回路は、第1入力クロック信号CKiがハイに遷移された状態で、前段の動作が充分に終了され、第1入力イネーブル信号Eiがアクティブにされたときに、初めて現在の段のクロスカップルドされたインバータX61,X62がイネーブルされるようになる。
【0080】
より詳しくは、先ず、第1入力クロック信号CKiがハイで、第2入力クロック信号CKibがローであるとき、第1入力イネーブル信号Eiはハイ、第2入力イネーブル信号Eibはローであって、各インバータX61,X62はディスエーブル状態である。
【0081】
前記ハイの第1入力クロック信号CKiによりNMOSトランジスタNM64がオンになるため、第2出力クロック信号CKbはロー状態になり、前記ローの第2入力クロック信号CKibによりPMOSトランジスタPM65がオンになるため、第1出力クロック信号CKはハイ状態になる。
【0082】
前記第2,第1出力クロック信号CKb、CKがそれぞれロー及びハイであるため、インバータX61,X62はオフ状態を維持し、前記ハイの第1出力クロック信号CKによりNMOSトランジスタNM63がターンオンされて、各出力端子Q、Qbの電圧レベルは“Vdd/2”にプリチャージされると共に、前記ローの第2出力クロック信号CKbにより、イネーブル信号発生部202−3のPMOSトランジスタPM63がターンオンされて、第2出力イネーブル信号Eobがハイで出力されるので、インバータX63からはローの第1出力イネーブル信号Eoが出力される。
【0083】
次いで、前記第1入力クロック信号CKiがハイからローに遷移され、前記第2入力クロック信号CKibがローからハイに遷移されて、第1入力イネーブル信号Eiがハイからローに遷移され、第2入力イネーブル信号Eibがローからハイに遷移されると、NMOSトランジスタNM64及びPMOSトランジスタPM65はターンオフされ、PMOSトランジスタPM64及びNMOSトランジスタNM65はターンオンされる。
【0084】
よって、第2出力クロック信号CKbがハイになり、第1出力クロック信号CKがローになるので、各出力端子Q、Qbに対してクロスカップルドされた各インバータX61,X62はオン状態になる。
【0085】
このとき、前記ハイの第2入力イネーブル信号EibによりNMOSトランジスタNM68がターンオンされた状態であるので、カスコードロジック回路202−2は入力データDATAINに従って前記各出力端子Q、Qb間の電圧差を発生させるが、出力端子Qの出力信号/OUTがハイであると仮定すると、該出力端子Qのハイの出力信号/OUTにより、前記インバータX61は、PMOSトランジスタPM61がターンオフされNMOSトランジスタNM61がターンオンされて、出力端子Qbの電圧レベルを高速にプルダウンさせ、また、前記出力端子Qbのローの出力信号OUTにより、前記インバータX62は、PMOSトランジスタPM62がターンオンされNMOSトランジスタNM62がターンオフされて、出力端子Qの電圧レベルを高速にプルアップさせるので、各出力端子Q、Qb間の電圧差を高速に評価する。
【0086】
イネーブル信号発生部202−3では、ハイの第2出力クロック信号CKbによりPMOSトランジスタPM63がターンオフされるが、前記出力端子Qの出力信号/OUTをハイと仮定したので、NMOSトランジスタNM66がターンオンされて第2出力イネーブル信号Eobがローになり、インバータX63により、第1出力イネーブル信号Eoはハイになる。
【0087】
次いで、前記第1入力クロック信号CKiがローレベルからハイレベルに、前記第2入力クロック信号CKibがハイレベルからローレベルにそれぞれ遷移されると、第1入力イネーブル信号Eiがローからハイに遷移され、第2入力イネーブル信号Eibがハイからローに遷移されるため、インバータX61,X62はディスエーブルされ、NMOSトランジスタNM63がターンオンされて、各出力端子Q、Qbを“Vdd/2”に再びプリチャージさせる。
【0088】
このような動作は、制御部201から発生される各イネーブル信号Ei/Eib及びクロック信号CKi/Ckibのレベルが遷移される毎に反復的に行われる。
【0089】
このように動作する機能部202の第3実施形態は、1段階の遅延がやや大きいときのプレ評価による問題点を解決し得るという効果がある。
次に、機能部202の第4実施形態の動作を、図7に基づいて説明する。
【0090】
先ず、第2入力イネーブル信号Eibがハイで、第1入力イネーブル信号Eiがローであるときに等化位相になるが、前記ハイの第2入力イネーブル信号EibはインバータX83で反転されて、ローの第1出力ネーブル信号Eoが出力され、前記ローの第1入力イネーブル信号EiはインバータX84により反転されて、ハイの第2出力イネーブル信号Eobが出力される。
【0091】
前記第1,第2出力イネーブル信号Eo、Eobがそれぞれロー及びハイ状態であるので、各出力端子Q、Qbに対してクロスカップルドされたインバータX81、X82はオフ状態を維持し、前記ハイの第2入力イネーブル信号Eibにより等化トランジスタであるNMOSトランジスタNM83がターンオンされて、各出力端子Q、Qbの電圧レベルを“Vdd/2”にプリチャージさせる。
【0092】
次いで、前記第2入力イネーブル信号Eibがハイからローに遷移され、前記第1入力イネーブル信号Eiがローからハイに遷移されると、第1出力イネーブル信号Eoはハイに遷移され、第2出力イネーブル信号Eobはローに遷移されて、感知/評価段階になる。
【0093】
このとき、前記ローの第2入力イネーブル信号EibによりNMOSトランジスタNM83がターンオフされた後、ハイの第1入力イネーブル信号EiによりNMOSトランジスタNM84がターンオンされた状態で、カスコードロジック回路202−4は入力データDATAINを論理演算して、各出力端子Q、Qb間の電圧差を発生させる。
【0094】
出力端子Qbが接地されてローになり、前記出力端子Qの電圧レベルをハイと仮定すると、インバータX81は、PMOSトランジスタPM81がターンオフされNMOSトランジスタNM81がターンオンされて、前記出力端子Qbをローレベルにプルダウンさせ、インバータX82は、PMOSトランジスタPM82がターンオンされNMOSトランジスタNM82がターンオフされて、前記出力端子Qをハイレベルにプルアップさせるので、前記各インバータX81、X82は前記各出力端子Q、Qb間の電圧差を高速に評価する。
【0095】
このような動作により、前記各出力端子Q、Qbの電圧レベルは次段に伝送され、前記第1,第2出力イネーブル信号Eo、Eobも次段のための第1,第2入力イネーブル信号Ei、Eibとして伝送される。
【0096】
次いで、第1入力イネーブル信号Eiがハイレベルからローレベルになり、第2入力イネーブル信号Eibがローレベルからハイレベルにそれぞれ遷移されて等化位相になると、インバータX83は、前記ハイの第2入力イネーブル信号Eibを反転してローの第1出力イネーブル信号Eoを出力し、インバータX84は前記ローの第1入力イネーブル信号Eiを反転してハイの第2出力イネーブル信号Eobを出力する。
【0097】
第2,第1出力イネーブル信号Eob、Eoがそれぞれハイ及びロー状態であるため、インバータX81、X82はオフ状態になり、ハイの第2入力イネーブル信号EibによりNMOSトランジスタNM83がターンオンされて各出力端子Q、Qbが連結されるので、それら出力端子Q、Qbは“Vdd/2”にプリチャージされる。
【0098】
即ち、第1,第2入力イネーブル信号Ei、Eibの電圧レベルの遷移により、等化段階及び感知/評価段階が反復的に転換されながら、入力データDATAINを次段に順次伝送するようになる。
【0099】
この場合、図8に示したように、図7に示す回路と同様な複数の回路211〜213を直列接続して、3ビットキャリチェーンを構成することもできる。
次に、機能部202の第5実施形態の動作を、図9に基づいて説明する。
【0100】
先ず、第1入力イネーブル信号Eiがローレベル、前段の動作終了信号Dniがローレベルで等化位相になると、PMOSトランジスタPM104がターンオンされて反転入力イネーブル信号Ei’がハイになるので、各インバータX101,X102はオフ状態になる。
【0101】
このとき、前記反転入力イネーブル信号Ei’がハイであるため、動作終了信号発生部202−7は、NMOSトランジスタNM103がターンオンされてローの動作終了信号Dnoを出力させ、インバータX103はローの第1出力イネーブル信号Eoを出力する。
【0102】
ローレベルの第1入力イネーブル信号EiによりPMOSトランジスタPM103がターンオンされるため、前記各出力端子Q、Qbの電圧レベルは“Vdd/2”にプリチャージされる。
【0103】
次いで、前記第1入力イネーブル信号Eiがローレベルからハイレベルに遷移されると、各PMOSトランジスタPM103,PM104がターンオフされて、各出力端子Q、Qbの連結が断絶されると共に、NMOSトランジスタNM105がターンオンされて、カスコードロジック回路202−6は入力データDATAINを論理演算して各出力端子Q、Qb間の電圧差を発生させる。
【0104】
このとき、前記出力端子Qがハイレベルであると仮定すると、前段の動作終了信号Dniがハイに遷移されるとき、NMOSトランジスタNM104がターンオンされて、前記反転入力イネーブル信号Ei’がローになるため、各出力端子Q、Qbに対してクロスカップルドされた各インバータX101、X102はオン状態になり、また、インバータX103が前記ローの反転入力イネーブル信号Ei’を反転するので、第1出力イネーブル信号Eoはハイになる。
【0105】
よって、前記出力端子Qのハイの出力信号/OUTにより、前記インバータX101は、PMOSトランジスタPM101がターンオフされ、NMOSトランジスタNM101がターンオンされて、前記出力端子Qbの電圧レベルを高速にプルダウンさせ、前記出力端子Qbのローの出力信号OUTにより、インバータX102は、PMOSトランジスタPM102がターンオンされ、NMOSトランジスタNM102がターンオフされて、出力端子Qのレベルを高速にプルアップさせる。
【0106】
一方、動作終了信号発生部202−7では、反転入力イネーブル信号Ei’がローレベルであるので、NMOSトランジスタNM103がターンオフされるが、出力端子Qがハイレベル、出力端子Qbがローレベルであるため、PMOSトランジスタPM106がターンオンされて、ハイの動作終了信号Dnoを出力する。
【0107】
次いで、第1入力イネーブル信号Eiがハイからローに遷移されたとき、前段の動作終了信号Dniがハイからローに遷移されると、PMOSトランジスタPM104がターンオンされて反転入力イネーブル信号Ei’がハイになるため、インバータX101、X102がオフ状態になると共に、PMOSトランジスタPM103がターンオンされて、前記各出力端子Q、Qbを再び“Vdd/2”にプリチャージさせる。
【0108】
上記のような動作は、制御部201から機能部202に伝送される第1入力イネーブル信号Eiのレベルが遷移される毎に反復的に行われる。
尚、前記機能部202の各実施形態において、カスコードロジック回路202−1,202−2,202−4,202−5,202−6を、可変の入力データDATAINを入力して各出力端子Q、Qbにデータを伝送するパストランジスタロジック回路に代替して構成することもできる。
【0109】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る非同期センシング差動論理回路においては、同期システムとは異なってグローバルクロック信号を使用しないのでクロックスキュー問題が発生せず、ローカル制御信号を利用してブロック間の通信を行うのでクロック分配費用(clock distribution cost)を低減し得るという効果がある。
【0110】
また、従来のDCVS回路を使用した機能部を備える非同期システムに比べ、本発明は効率的な電力特性(Power-efficient)を有するため、全体の電力消耗量を低減し得るという効果がある。
【0111】
また、クロスカップルドPMOSトランジスタ対のしきい電圧を調節する必要がないため、しきい電圧を調節するための高電圧を必要とせず、低電力にて高速処理を行うディジタル回路設計に容易に適用し得ることができ、かつ、原価を低減し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る非同期センシング差動論理回路の一実施形態を示したブロック図である。
【図2】図1の機能部の第1実施形態を示した回路図である。
【図3】図2の機能部を利用した5ビットチェーンの連結構成を示した図である。
【図4】図1のラッチ部を示した回路図である。
【図5】図1の機能部の第2実施形態を示した回路図である。
【図6】図1の機能部の第3実施形態を示した回路図である。
【図7】図1の機能部の第4実施形態を示した回路図である。
【図8】図7の機能部を利用した3ビットチェーンの連結構成を示した図である。
【図9】図1の機能部の第5実施形態を示した回路図である。
【図10】本発明に係るタイミング波形図である。
【図11】従来の非同期パイプラインを示したブロック図である。
【図12】図11の機能部の一実施形態を示した回路図である。
【図13】図11のラッチ部を示した回路図である。
【符号の説明】
201:制御部
202:機能部
202−1,202−2,202−4,202−5,202−6:カスコードロジック回路
202−3:イネーブル信号発生部
202−7:動作終了信号発生部
203:ラッチ部
203−1:ラッチ回路
203−2:遅延部
203−3:データ入力回路
X51〜X54,X61〜X65,X71,X72,X81〜X84,X91〜X94,X101〜X103:インバータ
Claims (8)
- ハンドシェーキング動作を行うための前段からの要求信号と次段への要求信号とに応じて、前記ハンドシェーキング動作を制御する制御信号を出力する制御部と、
該制御部からの制御信号によりハンドシェーキング動作を行い、前段からの入力データを論理演算して出力すると共に、該出力データのラッチ動作を制御するためのラッチ制御信号及び前段への承認信号を出力する機能部と、
次段からの承認信号及び前記機能部からのラッチ制御信号により、前記機能部からのデータをラッチして出力すると共に、前記次段への要求信号を出力するラッチ部と、
を包含して構成されることを特徴とする非同期センシング差動論理回路。 - 前記機能部は、
第1,第2出力ノードと、
前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号を反転して反転イネーブル信号を出力する第1インバータと、
前記反転イネーブル信号を反転して、前記ラッチ制御信号としての第1出力イネーブル信号を出力する第2インバータと、
ソースに電源電圧が印加され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1PMOSトランジスタと、
ソースに電源電圧が印加され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2PMOSトランジスタと、
前記第1インバータから出力された反転イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1NMOSトランジスタと、
前記第1インバータから出力された反転イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2NMOSトランジスタと、
ソース及びドレインが前記第1,第2NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、ゲートに前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号が入力される第3PMOSトランジスタと、
前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、
前記第1入力イネーブル信号により前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第3NMOSトランジスタと、
を包含して構成されることを特徴とする請求項1に記載の非同期センシング差動論理回路。 - 前記機能部は、
第1,第2出力ノードと、
前記制御部から出力された制御信号としての第1入力クロック信号を反転して第2出力クロック信号を出力する第1インバータと、
前記制御部から出力された制御信号としての第2入力クロック信号を反転して前記ラッチ制御信号としての第1出力クロック信号を出力する第2インバータと、
前記第2出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1PMOSトランジスタと、
前記第2出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2PMOSトランジスタと、
前記第1出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1NMOSトランジスタと、
前記第1出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2NMOSトランジスタと、
ソース及びドレインが前記第1,第2NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、前記第1出力クロック信号がゲートに入力される第3NMOSトランジスタと、
前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、
前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号により、前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第4NMOSトランジスタと、
を包含して構成されることを特徴とする請求項1に記載の非同期センシング差動論理回路。 - 前記機能部は、
第1,第2出力ノードと、
ソースに電源電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号が入力される第1PMOSトランジスタと、ドレインは第1PMOSトランジスタのドレインに連結され、ソースに接地電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第1入力クロック信号が入力される第1NMOSトランジスタと、を備え、第1入力クロック信号を反転して第2出力クロック信号を出力する第1インバータと、
ソースに電源電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第2入力クロック信号が入力される第2PMOSトランジスタと、ドレインは前記第2PMOSトランジスタのドレインに連結され、ソースに接地電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第2入力イネーブル信号が入力される第2NMOSトランジスタと、を備え、前記第2入力クロック信号を反転して前記ラッチ制御信号としての第1出力クロック信号を出力する第2インバータと、
前記第2出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第3PMOSトランジスタと、
前記第2出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第4PMOSトランジスタと、
前記第1出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第3NMOSトランジスタと、
前記第1出力クロック信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第4NMOSトランジスタと、
ソース及びドレインが前記第3,第4NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、前記第1出力クロック信号がゲートに入力される第5NMOSトランジスタと、
ソースに電源電圧が印加され、ドレインは、第1,第2出力イネーブル信号の出力端子に連結され、前記第2出力クロック信号がゲートに入力される第5PMOSトランジスタと、ドレインは前記第5PMOSトランジスタのドレイン及び前記第1,第2出力イネーブル信号の出力端子に連結され、ソースは前記第1,第2出力ノードにそれぞれ連結され、ゲートは前記第2,第1出力ノードにそれぞれ連結される第6,第7NMOSトランジスタと、を備えて構成されたイネーブル信号発生部と、
前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、
前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号により、前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第8NMOSトランジスタと、を包含して構成されることを特徴とする請求項1に記載の非同期センシング差動論理回路。 - 前記機能部は、
第1,第2出力ノードと、
前記制御部から出力された制御信号としての第2入力イネーブル信号を反転して、前記ラッチ制御信号としての第1出力イネーブル信号を出力する第1インバータと、
前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号を反転して第2出力イネーブル信号を出力する第2インバータと、
前記第1出力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1PMOSトランジスタと、
前記第1出力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2PMOSトランジスタと、
前記第2出力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第1NMOSトランジスタと、
前記第2出力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第2NMOSトランジスタと、
ソース及びドレインが前記第1,第2NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、ゲートに前記制御部から出力された第2入力イネーブル信号が入力される第3NMOSトランジスタと、
前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、
前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号により、前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第4NMOSトランジスタと、を包含して構成されることを特徴とする請求項1に記載の非同期センシング差動論理回路。 - 前記機能部は、
第1,第2出力ノードと、
ソースに電源電圧が印加され、ゲートに前記制御部から出力された制御信号としての第1入力イネーブル信号が入力される第1PMOSトランジスタと、ドレインは前記第1PMOSトランジスタのドレインに連結されて前記反転入力イネーブル信号を出力し、ソースに接地電圧が印加され、ゲートには前段の動作終了信号が印加される第1NMOSトランジスタと、を備え、第1入力イネーブル信号を反転して、前記ラッチ制御信号としての第1出力イネーブル信号を出力する第1インバータと、
電源電圧がソースに印加され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第2PMOSトランジスタと、
電源電圧がソースに印加され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第3PMOSトランジスタと、
前記反転入力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第1出力ノードに連結され、ゲートは前記第2出力ノードに連結される第2NMOSトランジスタと、
前記反転入力イネーブル信号がソースに入力され、ドレインは前記第2出力ノードに連結され、ゲートは前記第1出力ノードに連結される第3NMOSトランジスタと、
ソース及びドレインが前記第2,第3NMOSトランジスタのゲートにそれぞれ連結されると共に前記第2,第1出力ノードに接続され、ゲートに前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号が入力される第4PMOSトランジスタと、
ソースに接地電圧が印加され、ドレインは動作終了信号の出力端子に連結され、ゲートに前記反転入力イネーブル信号が入力される第4NMOSトランジスタと、ドレインは前記第4NMOSトランジスタのドレインに共通連結されて前記動作終了信号の出力端子に接続され、ソースは前記第1,第2出力ノードにそれぞれ連結され、ゲートは前記第2,第1出力ノードに連結される第5,第6PMOSトランジスタと、を備えて構成された動作終了信号発生部と、
前記入力データを論理演算し、前記第1,第2出力ノードに出力するカスコードロジック回路と、
前記制御部から出力された第1入力イネーブル信号により、前記カスコードロジック回路の内部スイッチング素子を接地させる第5NMOSトランジスタと、を包含して構成されることを特徴とする請求項1に記載の非同期センシング差動論理回路。 - 前記カスコードロジック回路は、可変入力データにより第1,第2出力ノードにデータを伝送するパストランジスタロジック回路で置換して構成されることを特徴とする請求項2〜請求項6のいずれか1つに記載の非同期センシング差動論理回路。
- 前記ラッチ部は、
電源電圧と接地電圧間に第1,第2PMOSトランジスタ及び第1〜第3NMOSトランジスタが順次直列接続され、前記第1PMOSトランジスタ及び第3NMOSトランジスタのゲートには前記承認信号が印加され、前記第2PMOSトランジスタ及び第1NMOSトランジスタのゲートには前記ラッチ制御信号が印加され、前記第2NMOSトランジスタのゲートには前記機能部からの出力データが印加されるデータ入力回路と、
該データ入力回路の第2PMOSトランジスタと第1NMOSトランジスタとの接続点に入力端子が接続されて、前記データ入力回路からの出力信号をラッチするラッチ回路と、
前記第2PMOSトランジスタ及び第1NMOSトランジスタのゲートに入力される制御信号を遅延させて次段のための要求信号を発生する遅延部と、
を包含して構成されることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1つに記載の非同期センシング差動論理回路。
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