JP4271794B2 - 周波数変換回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、移動体通信機や放送受信機等において受信高周波信号を中間周波信号に変換する周波数変換回路に係り、特に局部発振信号が高周波信号入力端子に漏洩することを防止する技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図3はデプレッションモードの電界効果トランジスタ(以下、FETと称する)を使用した従来の周波数変換回路の一例を示す回路図である。この回路では、入力端子12に入力する受信目的の高周波信号(以下、RF信号と称する)がインピーダンス整合回路8を介してFET1のゲートに印加され、入力端子13に入力する局部発振信号(以下、LO信号と称する)がインピーダンス整合回路7を介してFET2のゲートに印加される。
【0003】
このように両信号が入力されると、FET1,2の非線形動作特性によりFET2のドレインよりRF信号とLO信号の和成分となる周波数、あるいはRF信号とLO信号の差成分の絶対値となる周波数が得られる。これを中間周波数信号(以下、IF信号と称する)とし、所望の中間周波数に適合したインピーダンス整合回路9を介して出力端子14にIF信号を出力することにより周波数変換機能が果たされる。
【0004】
5,6はFET1,2のそれぞれにゲートバイアス電圧を与えるための抵抗である。3はFET1のソースと接地電位間に接続される自己バイアス抵抗で、前記の抵抗5,6とともにFET1,2の無信号時のドレイン電流を決定する。4はFET1のソースと接地電位間に接続される高周波バイパスコンデンサで、前記RF信号、LO信号、IF信号のいずれの周波数に対しても対接地インピーダンスが低く維持できる容量に設定されている。10は電源電圧VDDをFET2のドレインに印加するためのチョークコイルである。
【0005】
図3ではFET1,2は独立した素子で表しているが、これにはデュアルゲートFETの1素子が使用されることもある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図3の周波数変換回路では、FET1,2の素子内に存在するゲート・ソース間容量(以下、Cgsと称する)およびゲート・ドレイン間容量(以下、Cgdと称する)により、FET2のゲートに印加されるLO信号をFET1のゲートに漏洩させる経路が存在していた。そして、LO信号がFET1のゲートに漏洩すると、受信機としては不要信号を受信アンテナより輻射させる可能性があり、受信機の設計に支障を来すことがあった。
【0007】
そこで、このような場合は、前記RF信号の入力経路にRF信号の周波数帯域成分のみを通過させ、LO信号の周波数成分は阻止するバンドパスフィルタを挿入することが行われているが、バンドパスフィルタの使用は携帯電話端末のような小型化が優先される機器では、部品搭載面積が増大するので、問題となる。
【0008】
また、バンドパスフィルタ挿入時の別の問題点として、FET1のゲートに漏洩した通過帯域外であるLO信号やその高調波成分が、バンドパスフィルタを通過せずにそこで反射され、再びFET1のゲートに印加される問題がある。
【0009】
このようにRF信号以外の不要信号がFET1のゲートに印加されると、その不要信号についても増幅作用や周波数変換作用が行われるため、結果として本来行なうべきRF信号の周波数変換についで性能低下を引き起こす。この場合、具体的には、雑音指数の増加や歪み特性の悪化が起こる。
【0010】
以上のように、従来の周波数変換回路では、バンドパスフィルタ使用の有無に拘わらず、LO信号がFET2のゲートとFET1のゲートの間を漏洩することによって、受信機の性能低下を招いていた。
【0011】
また、このような周波数変換回路を集積回路化する場合は、集積回路内部にLO信号用増幅回路を付加することが行われており、集積回路外部のLO信号入力端子からRF信号端子へのアイソレーション特性がそのLO信号用増幅回路の利得で相殺され、さらに悪化する問題もあった。
【0012】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、LO信号が印加されるFETのゲートとRF信号が印加されるFETのゲート間のアイソレーション特性の向上を図った周波数変換回路を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための第1の発明は、第1及び第2の電界効果トランジスタを具備し、前記第1の電界効果トランジスタのゲートに高周波信号を印加するとともにバイアス回路を接続し、前記第2の電界効果トランジスタのゲートに局部発振信号を印加するとともに別のバイアス回路を接続し、前記第2の電界効果トランジスタのドレインは直流電源の印加とともに中間周波数信号の出力を行い、前記第1の電界効果トランジスタのソースを高周波的に接地し、前記第1の電界効果トランジスタのドレインと前記第2の電界効果トランジスタのソースとの間に抵抗素子を接続して構成した。
【0014】
第2の発明は、第1の発明において、前記抵抗素子を、ソースが前記第1の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第2の電界効果トランジスタのソースに接続された第3の電界効果トランジスタに置き換え、該第3の電界効果トランジスタのソース・ドレイン間内部抵抗を前記抵抗素子として使用するよう構成した。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明のひとつの実施形態の周波数変換回路の回路図である。1はRF信号用FET、2はLO信号用FET、3はバイアス抵抗、4は高周波バイパスコンデンサ、5,6はバイアス抵抗、7,8,9はインピーダンス整合回路、10は電源印加用チョークコイル、12はRF信号の入力端子、13はLO信号の入力端子、14はIF信号の出力端子、15は電源端子であり、これらは図3に示したものと同じである。
【0017】
本実施形態では、FET1のドレインとFET2のソースとの間に、インピーダンス素子11を接続して、両FET1,2のゲート間のアイソレーションの改善を図っている。以下、詳しく説明する。
【0018】
図2はFET1,2及びインピーダンス素子11の接続関係を小信号時の等価回路で表したものである。図2においてG1,S1,D1はそれぞれ図1におけるFET1のゲート、ソース、ドレインに該当する。同様にG2,S2,D2はそれぞれ図1におけるFET2のゲート、ソース、ドレインに該当する。Cgd1、Cgd2はそれぞれFET1,2のゲート・ドレイン間容量、Cgsl,Cgs2はそれぞれFET1,2のゲート・ソース間容量、Cdsl,Cds2はそれぞれFET1,2のドレイン・ソース間容量、そしてGdl、Gd2はそれぞれFET1,2のドレイン・ソース間コンダクタンスを表す。Zllは図1に示すインピーダンス素子11と等価である。
【0019】
FET1のD1−S1間のインピーダンスZds1、G1−D1間のインピーダンスZgd1は、次式(1)、(2)で表すことができる。なお、以下の式において記号「//」は前後項の並列接続計算を表す。
Zds1=(1/Gd1)//(1/jωCds1) (1)
Zgd1=1/jωCgd1 (2)
【0020】
また、FET2のG2−S2間のインピーダンスZgs2は次式(3)で表すことができる。
【0021】
ここで、図2に示したG2に印加される電圧をVloとし、G1に発生する電圧をVrfとすると、VloとVrfの電圧比は次式(4)で表現できる。
Vrf/Vlo=Zds1/(Zgs2+Z11+Zds1) (4)
【0022】
この式(4)は図1におけるFET1、2のゲート間アイソレーションを意味しており、Z11の追加によりVrfとVloの比が拡大する、つまりアイソレーションが増加していることがわかる。
【0023】
Z11のインピーダンス値選択については、Zgs2と比較して、その値を大きくすることでよりアイソレーションを増加させることが可能である。
【0024】
実際に図1に示す周波数変換回路を構成し、特定周波数でのFET1,2のゲート間アイソレーションを計算すると、RF信号周波数820MHz、LO信号周波数690MHzにおいて、インピーダンス素子11が存在しない従来回路では690MHzにて22dBのアイソレーシヨンであったのが、Z11として200Ωの抵抗素子を挿入することで同アイソレーションは32dBに改善された。
【0025】
なお、以上の実施形態において、インピーダンス素子11は別のFETを使用してそのソース・ドレイン間内部抵抗により実現することもでき、この場合はその抵抗値調整が外部からでも可能となる。また、直流電源VDDはチョークコイル10を介してFET2のドレインに供給しているが、このチョークコイル10を使用せずにインピーダンス整合回路9内に存在するインダクタを代用してFET2のドレインに電源電圧を供給することも可能である。さらに、図1の周波数変換回路は、その使用素子の全部を集積回路化すること、あるいは一部の素子を外部素子として集積回路化することが可能である。
【0026】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、少ない素子の増加で、周波数変換回路における局部発振信号入力と高周波信号入力間での局部発振信号漏洩の改善が図られるため、より集積回路に適した周波数変換回路が実現できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のひとつの実施形態の周波数変換回路の回路図である。
【図2】 図1に示された回路の小信号時の等価回路図である。
【図3】 従来の周波数変換回路の回路図である。
【符号の説明】
1:高周波信号用FET、2:局部発振信号用FET、3:バイアス抵抗、4:高周波バイパスコンデンサ、5,6:バイアス抵抗、7,8,9:インピーダンス整合回路、10:チョークコイル、11:インピーダンス素子、12:高周波信号の入力端子、13:局部発振信号の入力端子、14:中間周波信号の出力端子、15:電源端子。
Claims (2)
- 第1及び第2の電界効果トランジスタを具備し、前記第1の電界効果トランジスタのゲートに高周波信号を印加するとともにバイアス回路を接続し、前記第2の電界効果トランジスタのゲートに局部発振信号を印加するとともに別のバイアス回路を接続し、前記第2の電界効果トランジスタのドレインは直流電源の印加とともに中間周波数信号の出力を行い、前記第1の電界効果トランジスタのソースを高周波的に接地し、前記第1の電界効果トランジスタのドレインと前記第2の電界効果トランジスタのソースとの間に抵抗素子を接続したことを特徴とする周波数変換回路。
- 前記抵抗素子を、ソースが前記第1の電界効果トランジスタのドレインに接続され、ドレインが前記第2の電界効果トランジスタのソースに接続された第3の電界効果トランジスタに置き換え、該第3の電界効果トランジスタのソース・ドレイン間内部抵抗を前記抵抗素子として使用することを特徴とする請求項1に記載の周波数変換回路。
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Family Applications (1)
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