CN112003575A - 一种双频低噪声放大器电路 - Google Patents

一种双频低噪声放大器电路 Download PDF

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Abstract

本申请公开一种双频低噪声放大器电路，包括：输入阻抗匹配电路、射频信号放大电路和输出阻抗匹配电路；输入匹配阻抗电路输入端输入射频信号，输出端通过射频信号放大电路与输出阻抗匹配电路输入端相连；输出阻抗匹配电路输出端输出放大后射频信号；放大第一频段射频信号，输入、输出开关为第一开合状态，输入、输出阻抗为第一输入、输出阻抗；放大第二频段射频信号，输入、输出开关为第二开合状态，输入、输出阻抗为第二输入、输出阻抗。如此，控制开关状态，调整匹配电路输入、输出阻抗，使二者分别与射频信号源阻抗和放大后射频信号源阻抗相匹配，减小信号反射，提高信号质量。另外，还可对不同频段射频信号提供最优噪声匹配、增益和线性度。

Description

一种双频低噪声放大器电路
技术领域
本申请涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种双频低噪声放大器电路。
背景技术
低噪声放大器(LNA，Low Noise Amplifier)一般用作射频接收机的前端，是射频接收机必不可少的一个部分。LNA应用环境一般是无线通讯或者全球定位系统(GlobalPositioning System，GPS)定位导航，由于无线通讯或者GPS定位导航产生的微弱射频信号，因此需要LNA降低自身噪声对射频信号的干扰，同时尽可能的提高功率增益，此外还要考虑输入匹配、输出匹配及线性度等其他指标，这样可保证射频接收机所接收的射频信号具有良好的质量。
现有技术中LNA实现双频放大，主要包括两种技术方案：
第一种方案：将两个频段的工作射频信号通过两个独立LNA实现双频放大。这样的技术方案是需要采用不同的输入输出匹配器件，难以满足高集成度、低成本的需求。
第二种方案：将不同频段的射频信号共用一条通路，通过输入、输出端采用宽频匹配网络直接覆盖不同的工作频带。第二种方案虽然解决了高集成度和成本的问题，但是，通过宽频匹配放大的方法覆盖所需要的工作频段时，非工作频段的射频信号也会被同时放大，造成射频信号阻塞。利用第二种方案仅对工作频段的射频信号进行放大时，对线性度有更高的要求，且最优的噪声系数及增益的匹配难度较大。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请实施例期望提供一种双频低噪声放大器电路。
本申请的技术方案是这样实现的：
本申请提供一种双频低噪声放大器电路，所述双频低噪声放大器电路包括：输入阻抗匹配电路、射频信号放大电路和输出阻抗匹配电路；其中，所述输入阻抗匹配电路中包括输入开关组件，所述输出阻抗匹配电路包括输出开关组件；
所述输入匹配阻抗电路的输入端输入射频信号；所述输入匹配阻抗电路的输出端通过所述射频信号放大电路与所述输出阻抗匹配电路的输入端相连；所述输出阻抗匹配电路的输出端输出放大后的射频信号；
所述射频信号放大电路放大第一频段的射频信号时，控制所述输入开关和所述输出开关处于第一开合状态，使所述输入阻抗匹配电路的阻抗为第一输入阻抗，所述输出阻抗匹配电路的阻抗为第一输出阻抗；
所述射频信号放大电路放大第二频段的射频信号时，控制所述输入开关和所述输出开关处于第二开合状态，使所述输入阻抗匹配电路的阻抗为第二输入阻抗，所述输出阻抗匹配电路的阻抗为第二输出阻抗。
上述方案中，所述射频信号放大电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容和第一电压源；所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极和所述第三晶体管的源极相连，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极相连，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极与所述输入阻抗匹配电路的输出端相连；所述第三晶体管的漏极与所述输出阻抗匹配电路的输入端相连，所述第三晶体管的栅极通过所述第一电容后接地，所述第三晶体管的栅极还与所述第一电压源相连。
上述方案中，所述输入阻抗匹配电路还包括：第一电感、第二电感、第二电容和第三电容，所述输入开关组件包含第一开关和第二开关；所述第一电感的第一端作为所述输入阻抗匹配电路的输入端，所述第一电感的第二端通过所述第二电容与所述第一晶体管的栅极相连，所述第一电感的第二端通过所述第一开关与所述第三电容串联后与所述第二晶体管的栅极相连，所述第二开关的第一端连接所述第二晶体管的栅极第二端接地，所述第二电感的第一端连接所述第一晶体管的源极第二端接地。
上述方案中，所述输出阻抗匹配电路还包括：第三电感、第四电容、第五电容和第二电压源，所述输出开关组件包含第三开关；所述第三电感的第一端作为所述输出阻抗匹配电路的输入端，所述第三电感的第一端与所述第四电容的第一端和所述第五电容的第一端相连，所述第五电容的第二端作为所述输出阻抗匹配电路的输出端，所述第四电容的第二端通过所述第三开关与所述第三电感的第二端和所述第二电压源相连。
上述方案中，所述第一开合状态为：所述第一开关和所述第三开关处于打开状态，所述第二开关处于关闭状态；所述第二开合状态为：所述第一开关和所述第三开关处于关闭状态，所述第二开关处于打开状态。
上述方案中，所述双频低噪声放大器电路还包括：第一偏置电路和第二偏置电路；其中，所述第一偏置电路与所述第一晶体管的栅极相连，用于提供第一偏置电压；所述第二偏置电路与所述第二晶体管的栅极相连，用于提供第二偏置电压。
上述方案中，所述第一偏置电路包括：第一偏置电流源、第四晶体管和第三电压源；所述第四晶体管的漏极通过所述第一偏置电流源与所述第三电压源相连，所述第四晶体管的漏极与栅极短接，所述第四晶体管的源极接地；所述第二偏置电路包括：第二偏置电流源、第五晶体管和第四电压源；所述第五晶体管的漏极通过所述第二偏置电流与所述第四电压源相连，所述第五晶体管的漏极与栅极短接，所述第五晶体管的源极接地。
上述方案中，所述第一偏置电路还包括：第一电阻；所述第四晶体管的栅极通过所述第一电阻与所述第一晶体管的栅极相连；所述第二偏置电路还包括：第二电阻；所述第五晶体管的栅极通过所述第二电阻与所述第二晶体管的栅极相连。
在一些实施例中，所述第一频段为高频段，所述第二频段为低频段。
本申请提供一种双频低噪声放大器电路，所述双频低噪声放大器电路包括：输入阻抗匹配电路、射频信号放大电路和输出阻抗匹配电路；其中，所述输入阻抗匹配电路中包括输入开关组件，所述输出阻抗匹配电路包括输出开关组件；所述输入匹配阻抗电路的输入端输入射频信号；所述输入匹配阻抗电路的输出端通过所述射频信号放大电路与所述输出阻抗匹配电路的输入端相连；所述输出阻抗匹配电路的输出端输出放大后的射频信号；所述射频信号放大电路放大第一频段的射频信号时，控制所述输入开关和所述输出开关处于第一开合状态，使所述输入阻抗匹配电路的阻抗为第一输入阻抗，所述输出阻抗匹配电路的阻抗为第一输出阻抗；所述射频信号放大电路放大第二频段的射频信号时，控制所述输入开关和所述输出开关处于第二开合状态，使所述输入阻抗匹配电路的阻抗为第二输入阻抗，所述输出阻抗匹配电路的阻抗为第二输出阻抗。如此，通过控制开关的开合状态，调整匹配电路的输入、输出阻抗，使得二者分别与射频信号源阻抗和放大后的射频信号源阻抗相匹配，从而减小信号的反射，提高信号质量。另外，还可对不同频段的射频信号提供最优的噪声匹配、增益和线性度。
附图说明
图1为本申请实施例中双频低噪声放大器电路的第一组成结构示意图；
图2为本申请实施例中双频低噪声放大器电路的第二组成结构示意图；
图3为本申请实施例中高频段低噪声放大器电路一种组成结构示意图；
图4为本申请实施例中低频段低噪声放大器电路一种组成结构示意图；
图5为本申请实施例中双频低噪声放大器电路的第三组成结构示意图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本申请实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本申请实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本申请实施例。
现有技术中LNA实现双频放大时，将不同频段的射频信号共用一条通路，通过输入、输出端采用宽频匹配网络直接覆盖不同的工作频带。其中，通过宽频匹配放大的方法覆盖所需要的工作频段时，非工作频段的射频信号也会被同时放大，造成射频信号阻塞。若利用上述方案实现仅对工作频段的射频信号进行放大时，对线性度有更高的要求，且最优的噪声系数及增益的匹配难度较大。
基于现有技术存在的对工作频段的射频信号放大的同时还会对非工作频段的射频信号放大的问题，本申请提供了一种双频低噪声放大器电路，用于对不同频段下的射频信号实现最优的噪声匹配、增益和线性度。
图1为本申请实施中双频低噪声放大器电路的第一组成结构示意图。如图1所示，双频低噪声放大器电路包括：输入阻抗匹配电路10、射频信号放大电路11和输出阻抗匹配电路12；其中，所述输入阻抗匹配电路10中包括输入开关组件，所述输出阻抗匹配电路12包括输出开关组件；
所述输入匹配阻抗电路的输入端输入射频信号；所述输入匹配阻抗电路的输出端通过所述射频信号放大电路与所述输出阻抗匹配电路的输入端相连；所述输出阻抗匹配电路的输出端输出放大后的射频信号；
所述射频信号放大电路放大第一频段的射频信号时，控制所述输入开关和所述输出开关处于第一开合状态，使所述输入阻抗匹配电路的阻抗为第一输入阻抗，所述输出阻抗匹配电路的阻抗为第一输出阻抗；
所述射频信号放大电路放大第二频段的射频信号时，控制所述输入开关和所述输出开关处于第二开合状态，使所述输入阻抗匹配电路的阻抗为第二输入阻抗，所述输出阻抗匹配电路的阻抗为第二输出阻抗。
需要说明的是，输入阻抗匹配电路和输出阻抗匹配电路中还包括其他匹配元件，例如，电容、电感、电阻的一种或者多种组合，通过输入、输出开关能够控制输入、输出阻抗匹配电路中匹配元件的接入方式，从而调整匹配电路阻抗。
需要说明的是，输入阻抗匹配指的是射频信号源阻抗与输入阻抗匹配电路的阻抗达到相互匹配效果，输出阻抗匹配指的是放大后的射频信号源阻抗与输出阻抗匹配电路的阻抗达到相互匹配效果。阻抗匹配用于抑制射频信号的反射。
需要说明的是，由于射频信号在传输过程中存在反射情况，这样反射的信号会与原射频信号混叠进而影响射频信号的质量，因此，当射频信号输入射频信号放大电路进行信号放大之前，或者放大后的射频信号输出之前均需做阻抗匹配，以此减小信号的反射，提高信号的质量。另外，可对不同频段的射频信号实现最优的噪声匹配、增益和线性度。
具体地，射频信号处于第一频段时，控制输入开关和输出开关处于第一开合状态，使得第一频段下的射频信号与双频低噪声放大器电路匹配对应的阻抗，即输入阻抗匹配电路的阻抗匹配为第一输入阻抗，输出阻抗匹配电路的阻抗为第一输出阻抗。射频信号处于第二频段时，控制输入开关和输出开关处于第二开合状态，使得第二频段下的射频信号与双频低噪声放大器电路匹配对应的阻抗，即输入阻抗匹配电路的阻抗匹配为第二输入阻抗，输出阻抗匹配电路的阻抗为第二输出阻抗。
针对图1双频低噪声放大器电路的第一组成结构示意图，本申请提供了一种具体的电路结构图，图2为本申请实施例中双频低噪声放大器电路的第二组成结构示意图。
如图2所示，射频信号放大电路具体可以包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第一电容C1和第一电压源VG。具体连接方式为：M1的漏极与M2的漏极和M3的源极相连，M1的源极与M2的源极相连，M1的栅极和M2的栅极与输入阻抗匹配电路的输出端相连；M3的漏极与输出阻抗匹配电路的输入端相连，M3的栅极通过C1后接地，M3的栅极还与VG相连。
这里，M1的栅极和M2为共源极晶体管，即M1的栅极和M2的栅极作为信号输入端，M1的漏极和M2的漏极作为信号输出端，M1的源级和M2的源级为公共端。M3为共栅极晶体管，即M3的源极作为信号输入端，漏极作为输出端，栅极作为公共端。
实际应用中，M1的栅极作为射频信号放大电路的输入端，或者M1的栅极和M2的栅极同时作为射频信号放大电路的输入端，这主要是根据输入阻抗匹配电路中的输入开关组件的状态决定。
这里，VG驱动C1使得向M3提供射频地。
需要说明的是，要使M1和M2处于工作状态，需向二者提供偏置电压。这里，通过第一偏置电压源为M1提供偏置电压，使得M1的漏极与源极导通。通过第二偏置电压源为M2提供偏置电压，使得M2的漏极与源极导通。
图2中还给出了一种可选的输入阻抗匹配电路和输出阻抗匹配电路，如图2所示，输入阻抗匹配电路还包括：第一电感L1、第二电容C2、第三电容C3和第二电感L2，输出开关组件包含第一开关S1和第二开关S2。具体连接方式为：L1的第一端作为输入阻抗匹配电路的输入端RF_in，L1的第二端通过C2与M1的栅极相连，也通过S1和C3与M2的栅极相连，S2的第一端连接M2的栅极第二端接地，L2的第一端与M1的源极和M2的源极相连，L2的第二端接地。
输出阻抗匹配电路还包括：第三电感L3、第四电容C4、第五电容C5和第二电压源VDD，输出开关组件包含第三开关S3。具体连接方式为：L3的第一端作为输出阻抗匹配电路的输入端，L3的第一端与C4的第一端和C5的第一端相连，C5的第二端作为输出阻抗匹配电路的输出端RF_out，C4的第二端通过S3与L3的第二端和VDD相连。
当射频信号放大电路放大第一频段的射频信号时，控制S1、S2和S3处于第一开合状态，使输入阻抗匹配电路的阻抗为第一输入阻抗，输出阻抗匹配电路的阻抗为第一输出阻抗；当射频信号放大电路放大第二频段的射频信号时，控制S1、S2和S3处于第二开合状态，使输入阻抗匹配电路的阻抗为第二输入阻抗，输出阻抗匹配电路的阻抗为第二输出阻抗。
也就是说，通过控制S1、S2和S3的开合状态，调整匹配电路的输入、输出阻抗，使得二者分别与射频信号源阻抗和放大后的射频信号源阻抗相匹配，从而减小信号的反射，提高信号质量。另外，还可对不同频段的射频信号提供最优的噪声匹配、增益和线性度。
下面对输入阻抗匹配电路和输出阻抗匹配电路的阻抗调整方法进行举例说明，图3为本申请实施例中高频段低噪声放大器电路一种组成结构示意图。
射频信号处于高频段时，第一开合状态为第一开关S1和第三开关S3处于打开状态，第二开关S2处于关闭状态。
如图3所示，输入匹配阻抗电路包括：第一电感L1、第二电感L2、第二电容C2。具体连接方式为：L1的第一端作为输入阻抗匹配电路的输入端RF_in，L1的第二端通过C2与M1的栅极相连，M1的源极通过L2接地，M2的栅极通过S2接地。
这里，S2处于关闭状态，则M2的栅极直接接地，此时M2处于截止区，M2的源极与漏极之间可等效为一个很小的电容，电容不影响射频信号的放大，也就是说，射频信号处于高频段时，M2是不参与射频信号的放大，几乎不影响放大电路在高频段的阻抗及性能。
进一步地，射频信号放大电路中仅由M1和M3实现对射频信号的放大。
具体地，第一输入阻抗的计算方法包括：阻抗用复数形式表示，包括阻抗的实部和虚部。其中，L1、M1的栅源寄生电容和M1的跨导决定第一输入阻抗的实部，L2、C2和M1的栅源寄生电容决定第一输入阻抗的虚部。利用第一输入阻抗的实部和虚部表示第一输入阻抗，通过调整L1和C2，使得第一输入阻抗匹配在50Ω附近，同时第一输入阻抗位于最佳噪声匹配阻抗点附近，进而使得双频低噪声放大器电路在高频段可实现良好的噪声匹配和输入匹配。
上述提到的栅源寄生电容指的是晶体管的栅极与源极之间的寄生电容。其中，寄生电容是指电子元件之间相互靠近所形成的电容。M1的跨导指的是漏极电流的变化量除以栅源电压的变化量。
输出匹配阻抗电路包括：第三电感L3、第五电容C5和第二电压源VDD。具体连接方式为：L3的第一端作为输出阻抗匹配电路的输入端，L3的第一端和C5的第一端相连，C3的第二端与VDD相连，C5的第二端作为输出阻抗匹配电路的输出端RF_out。
需要说明的是，高频段下的射频信号进行信号放大时，输出阻抗匹配电路中S3处于打开状态，这时，L3与C5串联组成输出阻抗匹配电路，通过设置合适的L3、C5大小，使得第一输出阻抗匹配在50Ω附近，同时使得双频低噪声放大器电路在高频段有较好的增益和线性度。
图4为本申请实施例中低频段低噪声放大器电路一种组成结构示意图。
射频信号处于低频段时，第二开合状态为第一开关S1和第三开关S3处于关闭状态，第二开关S2处于打开状态。
如图4所示，输入匹配阻抗电路包括：第一电感L1、第二电感L2、第二电容C2和第三电容C3。具体连接方式为：L1的第一端作为输入阻抗匹配电路的输入端RF_in，L1的第二端通过C2与M1的栅极相连，L1的第二端还通过S1和C3与M2的栅极相连，M1的源极和M2的源极通过L2接地。
需要说明的是，低频段下的射频信号进行信号放大时，射频信号输入到输入阻抗匹配电路，经过L1和C2输出到M1的栅极，同时射频信号经过S1和C3输出到M2的栅极，即M1的栅极和M2的栅极作为输入阻抗匹配电路的输出端，或者射频放大信号的输入端。也就是说，S1关闭、S2打开的状态下，M1和M2均参与射频信号的放大。
进一步地，射频信号放大电路中由M1、M2和M3实现对射频信号的放大。
具体地，第二输入阻抗的计算方法包括：L2、M1的栅源寄生电容、M1的跨导、M2的栅源寄生电容和M2的跨导决定第二输入阻抗的实部，L1、C2和M1的栅源寄生电容、C3和M2的栅源寄生电容决定第二输入阻抗的虚部。利用第二输入阻抗的实部和虚部表示第二输入阻抗，通过调整C3，使得第二输入阻抗匹配在50Ω附近，同时第二输入阻抗位于最佳噪声匹配阻抗点附近，进而使得双频低噪声放大器电路在低频段可实现良好的噪声匹配和输入匹配。这里，M2的跨导指的是漏极电流的变化量除以栅源电压的变化量。
输入匹配阻抗电路包括：第三电感L3、第四电容C4、第五电容C5和第二电压源VDD。具体连接方式为：L3的第一端作为输出阻抗匹配电路的输入端，L3的第一端与C4的第一端和C5的第一端相连，C5的第二端作为输出阻抗匹配电路的输出端RF_out，C4的第二端通过S3与L3的第二端和VDD相连。
需要说明的是，低频段下的射频信号进行信号放大时，输出阻抗匹配电路中S3处于关闭状态，这时，S3与C4串联后与L3并联，再与C5串联。通过调整C4，使得处于并联关系的L3与C4可等效为一个比L3更大的电感，使得第二输出阻抗匹配在50Ω附近，同时使得双频低噪声放大器电路在低频段有较好的增益和线性度。
下面对第一偏置电压源和第二偏置电压源进行举例说明，图5为本申请实施例中双频低噪声放大器电路的第三组成结构示意图。
如图5所示，第一电压源可以通过第一偏置电路来提供，第一偏置电路包括：第一偏置电流源IB1、第四晶体管M4和第三电压源VBAT1。具体连接方式为：M4的漏极与栅极短接，M4的漏极还通过IB1与VBAT1相连，M4的源极接地。第一偏置电路与M1的栅极相连，用于提供第一偏置电压，使得M1的漏极与源极导通。
第二电压源可以通过第二偏置电路来提供，第二偏置电路包括：第二偏置电流源IB2、第五晶体管M5和第四电压源VBAT2。具体连接方式为：M5的漏极与栅极短接，M5的漏极还通过IB2与VBAT2相连，M5的源极接地。第二偏置电路与M2的栅极相连，用于提供第二偏置电压，使得M2的漏极与源极导通。
这里，第一偏置电路还可以包括：第一电阻R1。具体连接方式为：R1的一端与M4的栅极相连，另一端与M1的栅极相连。其中，R1用于降低第一偏置电路产生的噪声对放大器噪声性能的影响。
第二偏置电路还可以包括：第二电阻R2。具体连接方式为：R2的一端与M5的栅极相连，另一端与M2的栅极相连。其中，R2用于降低第二偏置电路产生的噪声对放大器噪声性能的影响。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种双频低噪声放大器电路，其特征在于，所述双频低噪声放大器电路包括：输入阻抗匹配电路、射频信号放大电路和输出阻抗匹配电路；其中，所述输入阻抗匹配电路中包括输入开关组件，所述输出阻抗匹配电路包括输出开关组件；
所述输入匹配阻抗电路的输入端输入射频信号；所述输入匹配阻抗电路的输出端通过所述射频信号放大电路与所述输出阻抗匹配电路的输入端相连；所述输出阻抗匹配电路的输出端输出放大后的射频信号；
所述射频信号放大电路放大第一频段的射频信号时，控制所述输入开关和所述输出开关处于第一开合状态，使所述输入阻抗匹配电路的阻抗为第一输入阻抗，所述输出阻抗匹配电路的阻抗为第一输出阻抗；
所述射频信号放大电路放大第二频段的射频信号时，控制所述输入开关和所述输出开关处于第二开合状态，使所述输入阻抗匹配电路的阻抗为第二输入阻抗，所述输出阻抗匹配电路的阻抗为第二输出阻抗。
2.根据权利要求1所述的双频低噪声放大器电路，其特征在于，
所述射频信号放大电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容和第一电压源；
所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极和所述第三晶体管的源极相连，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极相连，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极与所述输入阻抗匹配电路的输出端相连；
所述第三晶体管的漏极与所述输出阻抗匹配电路的输入端相连，所述第三晶体管的栅极通过所述第一电容后接地，所述第三晶体管的栅极还与所述第一电压源相连。
3.根据权利要求2所述的双频低噪声放大器电路，其特征在于，
所述输入阻抗匹配电路还包括：第一电感、第二电感、第二电容和第三电容，所述输入开关组件包含第一开关和第二开关；
所述第一电感的第一端作为所述输入阻抗匹配电路的输入端，所述第一电感的第二端通过所述第二电容与所述第一晶体管的栅极相连，所述第一电感的第二端通过所述第一开关与所述第三电容串联后与所述第二晶体管的栅极相连，所述第二开关的第一端连接所述第二晶体管的栅极第二端接地，所述第二电感的第一端连接所述第一晶体管的源极第二端接地。
4.根据权利要求3所述的双频低噪声放大器电路，其特征在于，
所述输出阻抗匹配电路还包括：第三电感、第四电容、第五电容和第二电压源，所述输出开关组件包含第三开关；
所述第三电感的第一端作为所述输出阻抗匹配电路的输入端，所述第三电感的第一端与所述第四电容的第一端和所述第五电容的第一端相连，所述第五电容的第二端作为所述输出阻抗匹配电路的输出端，所述第四电容的第二端通过所述第三开关与所述第三电感的第二端和所述第二电压源相连。
5.根据权利要求4所述的双频低噪声放大器电路，其特征在于，
所述第一开合状态为：所述第一开关和所述第三开关处于打开状态，所述第二开关处于关闭状态；
所述第二开合状态为：所述第一开关和所述第三开关处于关闭状态，所述第二开关处于打开状态。
6.根据权利要求2所述的双频低噪声放大器电路，其特征在于，
所述双频低噪声放大器电路还包括：第一偏置电路和第二偏置电路；
其中，所述第一偏置电路与所述第一晶体管的栅极相连，用于提供第一偏置电压；所述第二偏置电路与所述第二晶体管的栅极相连，用于提供第二偏置电压。
7.根据权利要求6所述的双频低噪声放大器电路，其特征在于，
所述第一偏置电路包括：第一偏置电流源、第四晶体管和第三电压源；
所述第四晶体管的漏极通过所述第一偏置电流源与所述第三电压源相连，所述第四晶体管的漏极与栅极短接，所述第四晶体管的源极接地；
所述第二偏置电路包括：第二偏置电流源、第五晶体管和第四电压源；
所述第五晶体管的漏极通过所述第二偏置电流与所述第四电压源相连，所述第五晶体管的漏极与栅极短接，所述第五晶体管的源极接地。
8.根据权利要求7所述的双频低噪声放大器电路，其特征在于，
所述第一偏置电路还包括：第一电阻；
所述第四晶体管的栅极通过所述第一电阻与所述第一晶体管的栅极相连；
所述第二偏置电路还包括：第二电阻；
所述第五晶体管的栅极通过所述第二电阻与所述第二晶体管的栅极相连。
9.根据权利要求1-8任一项所述的双频低噪声放大器电路，其特征在于，
所述第一频段为高频段，所述第二频段为低频段。
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